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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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安森德新推出ASDM100R090NKQ全橋MOSFET功率管
隨著現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)小型化和高效率的要求不斷提高,對(duì)電源管理芯片的技術(shù)也提出了更高要求。針對(duì)此趨勢(shì),安森德半導(dǎo)體公司推出了新一代異步整流MOSFET—AS...
2023-08-14 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源功率管 1.9k 0
開(kāi)關(guān)電源項(xiàng)目實(shí)戰(zhàn)解析
PCB的元器件封裝,標(biāo)準(zhǔn)庫(kù)里面的按實(shí)際情況需要更改,貼片元件焊盤加大;插件元件的孔徑比元件管腳大0.3mm,焊盤直徑大于孔0.8mm以上,焊盤大些方便焊...
2022-12-16 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源電解電容 1.9k 0
RS瑞森半導(dǎo)體在電動(dòng)工具、鋰電保護(hù)板上的應(yīng)用
瑞森RS40N130G型號(hào)及低壓MOSFET-SGT系列?在電動(dòng)工具、鋰電保護(hù)板上的應(yīng)用
2022-10-28 標(biāo)簽:MOSFET電動(dòng)工具保護(hù)板 1.9k 0
160V半橋SOI半橋驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)100V MOSFET評(píng)估套件
新品帶iMOTIONMADK的160V半橋SOI半橋驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)100VMOSFET評(píng)估套件用于電池供電應(yīng)用(BPA)的EVAL-2ED2748S01GM...
CISSOID宣布推出用于電動(dòng)汽車的三相碳化硅(SiC)MOSFET智能功率模塊
內(nèi)置的柵極驅(qū)動(dòng)器包括3個(gè)板載隔離電源(每相1個(gè)),可提供每相高達(dá)5W的功率,從而可以在高達(dá)125°C的環(huán)境溫度下輕松驅(qū)動(dòng)頻率高達(dá)25KHz的功率模塊。
2020-03-05 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFETCISSOID 1.9k 0
陜西省質(zhì)量促進(jìn)會(huì)蒞臨龍騰半導(dǎo)體參觀指導(dǎo)
近日,陜西省質(zhì)量促進(jìn)會(huì)執(zhí)行會(huì)長(zhǎng)王會(huì)長(zhǎng)一行蒞臨龍騰半導(dǎo)體參觀指導(dǎo)。公司董事長(zhǎng)徐西昌及相關(guān)負(fù)責(zé)人熱情接待,圍繞質(zhì)量管理、行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)、產(chǎn)學(xué)研融合等核心議題,深度...
安建半導(dǎo)體推出全新150V SGT MOSFET產(chǎn)品平臺(tái)
安建半導(dǎo)體 (JSAB) 隆重推出全新的150V SGT MOSFET產(chǎn)品平臺(tái),平臺(tái)采用先進(jìn)的技術(shù)和設(shè)計(jì),提供了卓越的開(kāi)關(guān)特性和低導(dǎo)通電阻,從而實(shí)現(xiàn)了高...
2024-01-23 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器安建半導(dǎo)體 1.9k 0
NP4407SR - j30v p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP4407SR-J采用先進(jìn)塹壕 技術(shù)和設(shè)計(jì),提供卓越的RDS(ON) 低柵極電荷。它可用于負(fù)載開(kāi)關(guān)和 電池保護(hù)的應(yīng)用程序。 一般特征 ?VDS ...
日本團(tuán)隊(duì)公布金剛石MOSFET研制取得最新進(jìn)展
早稻田大學(xué)和 Power Diamonds Systems (PDS) 開(kāi)發(fā)了一種結(jié)構(gòu),其中金剛石表面覆蓋有氧化硅終端(C-Si-O 終端),當(dāng)柵極電壓...
2024-01-02 標(biāo)簽:MOSFETMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1.9k 0
電力MOSFET的反向電阻工作區(qū) 電力MOSFET在很多電子設(shè)備中都有廣泛的應(yīng)用,例如電源、驅(qū)動(dòng)電路、LED控制等。MOSFET是一種基于場(chǎng)效應(yīng)管的晶體...
2023-10-26 標(biāo)簽:MOSFETLED控制驅(qū)動(dòng)電路 1.9k 0
第三代半導(dǎo)體碳化硅 IGBT/MOSFET導(dǎo)熱散熱絕緣材料 | 二維氮化硼導(dǎo)熱絕緣墊片
引言1.1研究背景與意義碳化硅(SiC)作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料,相比傳統(tǒng)硅基材料具有顯著的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。SiC材料的禁帶寬度為3.26eV,是硅的近3倍...
高可靠/高效率-QAxx3D-2GR3驅(qū)動(dòng)電源重磅上市
金升陽(yáng)緊跟功率半導(dǎo)體市場(chǎng)動(dòng)向,推出QAxx3D-2GR3(下文稱:QA-R3系列驅(qū)動(dòng)電源),可有效應(yīng)用于1700V及以下電壓的IGBT/SiC MOSFET上。
2021-05-07 標(biāo)簽:變壓器MOSFET智能電網(wǎng) 1.9k 0
意法半導(dǎo)體(ST)推出了第二代SiC功率MosFET,具有單位面積極低的導(dǎo)通電阻(RDSon)和優(yōu)良的開(kāi)關(guān)性能,開(kāi)關(guān)損耗在結(jié)溫范圍內(nèi)幾乎沒(méi)有變化。 ST...
2020-11-26 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET逆變器 1.9k 0
傾佳電子行業(yè)洞察:基本半導(dǎo)體第三代G3碳化硅MOSFET助力高效電源設(shè)計(jì)
傾佳電子行業(yè)洞察:基本半導(dǎo)體第三代G3碳化硅MOSFET助力高效電源設(shè)計(jì) 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的...
2025-09-21 標(biāo)簽:MOSFET電源設(shè)計(jì)碳化硅 1.9k 0
半導(dǎo)體器件中性能最好的是什么?? 半導(dǎo)體器件是現(xiàn)代電子技術(shù)中最為重要的組成部分之一,是連接芯片和外部電路的中間介質(zhì)。通常,半導(dǎo)體器件的性能被評(píng)價(jià)的標(biāo)準(zhǔn)是...
AH86991作為一款高性能開(kāi)關(guān)模式電源切換器芯片,在低功耗離線應(yīng)用中具有廣泛的應(yīng)用前景。它的高擊穿電壓MOSFET和可變的開(kāi)關(guān)頻率使其能夠適應(yīng)不同的電...
最小導(dǎo)通電阻!瑞薩發(fā)售封裝為2mm見(jiàn)方的功率MOSFET
瑞薩電子日前發(fā)售了八款封裝尺寸僅為2mm×2mm的功率MOSFET。其中兩款產(chǎn)品“在封裝尺寸為2mm見(jiàn)方的產(chǎn)品中,實(shí)現(xiàn)了業(yè)界最高水平的低導(dǎo)通電阻”。
瞻芯電子1200V大電流MOSFET獲車規(guī)級(jí)認(rèn)證
值得一提的是,這款TO247-4封裝的產(chǎn)品通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證,同時(shí)表明1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET裸芯片,也滿足車規(guī)級(jí)可...
合科泰N溝道增強(qiáng)型MOSFET HKTS80N06介紹
合科泰HKT系列產(chǎn)品推出新品N溝道增強(qiáng)型MOSFET,采用SGT屏蔽柵技術(shù),其中HKTS80N06采用新款TOLL4封裝優(yōu)化散熱,產(chǎn)品均符合RoHS環(huán)保...
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