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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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SIC MOSFET對驅(qū)動電路的基本要求? SIC MOSFET(碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一種新興的功率半導(dǎo)體器件,具有良好的電氣特性和高...
碳化硅(SiC)MOSFET并聯(lián)應(yīng)用均流控制技術(shù)的綜述
碳化硅(SiC)MOSFET并聯(lián)應(yīng)用均流控制技術(shù)的綜述,傾佳電子楊茜綜合了當(dāng)前研究進(jìn)展與關(guān)鍵技術(shù)方向。
應(yīng)用于48V工業(yè)電源總線系統(tǒng)的DCDC降壓轉(zhuǎn)換器SCT2A25
SCT2A25是一款異步降壓轉(zhuǎn)換器,輸入電壓范圍為5.5V-100V,適用于各種降壓應(yīng)用,是汽車、工業(yè)和照明應(yīng)用的理想選擇。SCT2A25集成了一個50...
碳化硅MOSFET在高頻開關(guān)電路中的應(yīng)用優(yōu)勢
碳化硅MOSFET在高頻開關(guān)電路中的應(yīng)用優(yōu)勢? 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導(dǎo)體器件,具有在高頻開關(guān)電路中廣泛應(yīng)用的多個優(yōu)勢。 1. 高溫特性:...
2023-12-21 標(biāo)簽:MOSFET高頻開關(guān)功率半導(dǎo)體 1.9k 0
好消息 東芝650V超級結(jié)功率提高大電流設(shè)備效率的MOSFET問市
東芝電子元件及存儲裝置株式會社(東芝)宣布,在其TOLL(TO-無引線)封裝的DTMOSVI系列中推出650V超級結(jié)功率MOSFET-
2021-03-15 標(biāo)簽:MOSFET 1.9k 0
近日,在備受矚目的2024年度全球電子成就獎頒獎典禮上,聞泰科技半導(dǎo)業(yè)務(wù)憑借其1200V SiC(碳化硅)MOSFET在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的卓越表現(xiàn),榮獲“...
2024-11-18 標(biāo)簽:MOSFETSiC功率半導(dǎo)體 1.9k 0
Vishay發(fā)布率先采用PowerPAK SC-75和SC-70封裝的MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出新款100V N溝道TrenchFET?功率MOS...
三菱電機(jī)從事SiC器件開發(fā)和應(yīng)用研究已有近30年的歷史,從基礎(chǔ)研究、應(yīng)用研究到批量商業(yè)化,從2英寸、4英寸晶圓到6英寸晶圓,三菱電機(jī)一直致力于開發(fā)和應(yīng)用...
RS瑞森半導(dǎo)體超高壓MOSFET 900V-1500V填補(bǔ)國內(nèi)市場空白
瑞森半導(dǎo)體研發(fā)出耐壓更高、導(dǎo)通內(nèi)阻更低的900V-1500V的超高壓系列MOS管 打破了進(jìn)口品牌壟斷的局面
英飛凌發(fā)布新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術(shù)
英飛凌科技股份公司推出的新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術(shù),無疑為功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換領(lǐng)域帶來了革命性的進(jìn)步。與上一代產(chǎn)品相比,全新的CoolS...
NP4409SR 30V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP4409SR采用先進(jìn)的溝槽技術(shù) 設(shè)計為低柵極提供優(yōu)良的RDS(ON) 電荷??捎糜谪?fù)載開關(guān)和電池 保護(hù)應(yīng)用程序。 一般特征 ?VDS = -3...
瑞薩電子推出P通道功率金屬氧化半導(dǎo)體MOSFET系列μPA2812T1L
瑞薩電子"今天宣布推出包含五款低功耗P通道功率金屬氧化半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管MOSFET系列產(chǎn)品,包括用于筆記本電腦中鋰離子Li-ion二級電池的充電控制開...
Microchip推出全球首款集成MCU的模擬電源管理控制器
日前Microchip(微芯)全球同步推出針對DC/DC電源轉(zhuǎn)換的數(shù)字增強(qiáng)型電源模擬控制器MCP19111,及MCP87018、MCP87030、MCP...
SOT-23貼片KP3111LGA必易微非隔離PWM轉(zhuǎn)換器IC
KP3111LGA 是一款非隔離型、高集成度且低成本的PWM功率開關(guān),適用于降壓型和升降壓型電路。采用高壓單晶圓工藝,在同一片晶圓上集成有 500V 高...
2023-11-06 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETPWM 1.9k 0
LFPAK系列MOSFET如何輕松拿捏高電流應(yīng)用
為應(yīng)用選擇一款功能強(qiáng)大的 MOSFET 要考慮多重因素,例如:需要保留多少裕量,以及如果未來應(yīng)用需要更高功率怎么辦?與此同時,當(dāng)選型涉及尺寸及封裝要求,...
Toshiba推出小巧輕薄型共漏極MOSFET,具有極低導(dǎo)通電阻,適合快速充電設(shè)備
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation(以下簡稱“Toshiba”)推出了“SSM14...
北京順義泰科天潤項目一期投資4億元,預(yù)計2028年達(dá)產(chǎn)
3月4日,北京順義消息顯示,順義區(qū)21個在建市區(qū)重點產(chǎn)業(yè)項目全部復(fù)工復(fù)產(chǎn),其中包括泰科天潤建設(shè)公司總部、研發(fā)中心及8英寸SiC功率器件生產(chǎn)基地項目。
羅姆EcoSiC?技術(shù)應(yīng)用于科索3.5kW AC-DC電源單元HFA/HCA系列
全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商羅姆公司推出的EcoSiC?系列產(chǎn)品,包括SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管(SBD),已被日本先進(jìn)的電源制造商科索公司...
2.5nH超低電感的1200V SiC MOSFET三相全橋模塊
1200V三相全橋碳化硅功率模塊,雜散電感低至2.5nH,工作安全穩(wěn)定。工作電源電壓可達(dá)900V-1000V,工作頻率可達(dá)30kHz,輸出功率可達(dá)300...
性價比一流:英飛凌推出面向低頻率應(yīng)用的600 V CoolMOSTM S7超結(jié)MOSFET
英飛凌科技股份公司成功開發(fā)出滿足最高效率和質(zhì)量要求的解決方案。對于MOSFET低頻率開關(guān)應(yīng)用而言,新推出的600 V CoolMOS? S7系列產(chǎn)品可帶...
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