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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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電子發(fā)燒友網(wǎng)核心提示 :全球電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新領(lǐng)先企業(yè)Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司于日前發(fā)布了具有一系列新功能的Cadence OrCAD 16.6 PCB設(shè)計(jì)...
如何更好地驅(qū)動(dòng)SiC MOSFET器件?
IGBT的驅(qū)動(dòng)電壓一般都是15V,而SiC MOSFET的推薦驅(qū)動(dòng)電壓各品牌并不一致,15V、18V、20V都有廠家在用。更高的門極驅(qū)動(dòng)電壓有助于降低器...
SiC MOSFET的溝槽柵(Trench)物理與可靠性研究
SiC MOSFET的溝槽柵(Trench)物理與可靠性研究 1. 緒論:功率半導(dǎo)體物理的范式轉(zhuǎn)移 全球能源結(jié)構(gòu)的電氣化轉(zhuǎn)型,從電動(dòng)汽車(EV)的牽引逆...
2026-02-12 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管逆變器 1.6k 0
希荻微電子集團(tuán)股份有限公司(完整的股票代碼為:688173)是一家卓越的模擬與電源管理集成電路設(shè)計(jì)企業(yè),專精于高效能環(huán)保與智能化系統(tǒng)的研發(fā)。值此之時(shí),特...
本文分析了高性能肖特基勢(shì)壘二極管和 D 型 HEMT 在基于 p-GaN HEMT 的 200-V GaN-on-SOI 智能功率 IC 平臺(tái)上的成功協(xié)...
2022-07-29 標(biāo)簽:MOSFETGaNdcdc轉(zhuǎn)換器 1.6k 0
Nexperia為MOSFET器件推出全新增強(qiáng)型電熱模型
基礎(chǔ)半導(dǎo)體元器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia(安世半導(dǎo)體)今日宣布MOSFET器件推出全新增強(qiáng)型電熱模型。半導(dǎo)體制造商通常會(huì)為MOSFET提供仿...
電橋電路柵驅(qū)動(dòng)器和MOSFET柵驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品介紹
電橋電路柵驅(qū)動(dòng)器和MOSFET柵驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品介紹
2024-03-19 標(biāo)簽:MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)國(guó)芯思辰 1.6k 0
L9918車規(guī)交流發(fā)電機(jī)穩(wěn)壓器使輸出電壓保持穩(wěn)定不變
意法半導(dǎo)體推出了 L9918 車規(guī)交流發(fā)電機(jī)穩(wěn)壓器,以更強(qiáng)的功能確保 12V 汽車電氣系統(tǒng)穩(wěn)定。
專為強(qiáng)化諧振拓?fù)溥\(yùn)作性能打造,英飛凌推出全新 650 V CoolMOS? CFD7
新款 650 V器件擴(kuò)展了聲譽(yù)卓越的 CoolMOS CFD7 系列的電壓范圍,且為 CoolMOS CFD2 的后繼產(chǎn)品。
國(guó)星光電的1200V/80mΩSiC-MOSFET器件成功獲得AEC-Q101車規(guī)級(jí)認(rèn)證
繼1200V/10A SiC-SBD(碳化硅-肖特基二極管)器件獲AEC-Q101車規(guī)級(jí)認(rèn)證后
Vishay推新款VRPower?集成式DrMOS功率級(jí)解決方案
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,為滿足下一代筆記本電腦、超便攜筆記本和桌面PC對(duì)大電流...
功率器件公司龍夏電子與世強(qiáng)先進(jìn)簽署授權(quán)代理協(xié)議
隨著新興產(chǎn)業(yè)的興起以及技術(shù)不斷的進(jìn)步,功率器件行業(yè)在不斷創(chuàng)新的同時(shí)也面臨著廣闊的發(fā)展空間。
圣邦微電子發(fā)布SGM61280高效微型8A同步降壓轉(zhuǎn)換器
圣邦微電子近期隆重推出了SGM61280,一款集高效能與微型化設(shè)計(jì)于一身的8A同步降壓轉(zhuǎn)換器,專為滿足工業(yè)低功耗系統(tǒng)、筆記本電腦、液晶顯示器、電視及高性...
2024-08-14 標(biāo)簽:MOSFET圣邦微電子同步降壓轉(zhuǎn)換器 1.6k 0
安森美半導(dǎo)體發(fā)布新的650V碳化硅 (SiC) MOSFET
新一代SiC MOSFET采用新穎的有源單元設(shè)計(jì),結(jié)合先進(jìn)的薄晶圓技術(shù),可在650 V擊穿電壓實(shí)現(xiàn)同類最佳的品質(zhì)因數(shù)Rsp (Rdson * area)。
2021-02-19 標(biāo)簽:MOSFET電磁干擾安森美半導(dǎo)體 1.6k 0
ROHM發(fā)布創(chuàng)新TRCDRIVE pack模塊,助力xEV逆變器升級(jí)
全球半導(dǎo)體制造巨頭ROHM(總部位于日本京都市)近日宣布,面向300kW以下的xEV(電動(dòng)汽車)用牽引逆變器,成功開(kāi)發(fā)出了一款革命性的二合一SiC封裝型...
東芝新穎IGBT/MOSFET門驅(qū)動(dòng)光電耦合器
東芝公司(Toshiba Corporation)(TOKYO:6502)今天宣布將推出采用DIP8封裝的IC耦合器,可直接驅(qū)動(dòng)中等容量的IGBT或功率...
2024年6月6日 - 數(shù)據(jù)中心的人工智能計(jì)算需求日益增長(zhǎng),能耗隨之變大。因此,如何提升其能效成為了關(guān)鍵挑戰(zhàn)。針對(duì)此問(wèn)題,安森美推出了全新一代T10 P...
2024-06-07 標(biāo)簽:MOSFET安森美數(shù)據(jù)中心 1.6k 0
晶揚(yáng)電子發(fā)布單通道負(fù)載開(kāi)關(guān)芯片TL1304
晶揚(yáng)電子近日推出一款超低電阻與快速上升時(shí)間單通道負(fù)載開(kāi)關(guān)芯片—TL1304。該產(chǎn)品包含一個(gè)N通道的MOSFET,可以在0.8V至5V的輸入電壓范圍內(nèi)工作...
2024-11-20 標(biāo)簽:MOSFET負(fù)載開(kāi)關(guān)開(kāi)關(guān)芯片 1.6k 0
優(yōu)晶N溝道MOSFET YC40N04BDE用于PCR儀TEC控制
YC40N04BDE是優(yōu)晶推出的N溝道MOSFET,該芯片具有小尺寸、低壓大電流等特點(diǎn),廣泛應(yīng)用在DC/DC轉(zhuǎn)換、服務(wù)器的板載電源以及同步整流線路中。
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