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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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GaN在應(yīng)用太空工業(yè)中的應(yīng)用
在新一代電力電子技術(shù)領(lǐng)域,氮化鎵(GaN)技術(shù)因其出色的抗輻射能力和卓越的電氣性能,已成為太空任務(wù)的革命性突破的關(guān)鍵。氮化鎵 (GaN) 技術(shù)已成為天基...
面向微網(wǎng)儲能系統(tǒng)高效可靠需求的功率器件選型策略與海島場景適配手冊
隨著全球能源轉(zhuǎn)型與離網(wǎng)供電需求增長,微網(wǎng)儲能系統(tǒng)已成為海島、邊遠(yuǎn)地區(qū)能源自主保障的核心。功率變換與電池管理單元作為系統(tǒng)“心臟”,為光伏輸入、電池組、逆變...
2026-03-28 標(biāo)簽:MOSFET功率器件儲能系統(tǒng) 1.6k 0
Vishay VOMDA1271汽車級光伏MOSFET集成關(guān)斷電路
Vishay VOMDA1271 器件通過 AEC-Q102 認(rèn)證 開關(guān)速度和開路輸出電壓(8.5V)達(dá)到業(yè)內(nèi)先進(jìn)水平 Vishay? 推出一款業(yè)內(nèi)先進(jìn)...
面向高效緊湊需求的微模塊數(shù)據(jù)中心擴容套件MOSFET選型策略與器件適配手冊
隨著云計算與邊緣計算需求激增,微模塊數(shù)據(jù)中心(MDC)因其快速部署、靈活擴容特性成為關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施。
2026-03-28 標(biāo)簽:MOSFET數(shù)據(jù)中心 1.6k 0
晟矽微電“車規(guī)芯片發(fā)展之路”主題沙龍活動成功舉辦
近日,晟矽微電與復(fù)旦大學(xué)管理學(xué)院校友中心聯(lián)合策劃的“汽車缺芯面面談——車規(guī)芯片發(fā)展之路”主題沙龍活動成功舉辦。 約50位來自半導(dǎo)體、汽車產(chǎn)業(yè)鏈上下游的復(fù)...
Diodes公司推出符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的新型雙通道高側(cè)電源開關(guān)
Diodes公司近日宣布推出三款符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的新型雙通道高側(cè)電源開關(guān),分別為ZXMS82090S14PQ、ZXMS82120S14PQ和ZXMS8218...
2024-02-03 標(biāo)簽:MOSFETDiodes電源開關(guān) 1.6k 0
世界各國政府都在推動私家車和商用車車主轉(zhuǎn)向更環(huán)保的替代品,例如電動汽車 (EV)。但是,進(jìn)行此更改的最大障礙之一是車輛續(xù)航里程問題。大多數(shù)中低檔 EV ...
近日,納芯微正式推出了CSP封裝12V共漏極雙N溝道MOSFET——NPM12023A系列產(chǎn)品。這款新品以其優(yōu)異的短路過流能力與雪崩過壓能力,以及更強的...
SCT52240QSTDR 雙路 4A/4A 高速MOSFET/IGBT柵極驅(qū)動器, 可并聯(lián)輸出
特性 ? 4.5-24V寬供電電壓 ? 4A 峰值驅(qū)動拉電流和灌電流 ? 雙通道并聯(lián)輸出,增強驅(qū)動能力 ? 低至-5V負(fù)壓輸入 ? 支持TTL低壓邏輯輸...
描述 一般特征 NP2301AVR采用先進(jìn)的戰(zhàn)壕 技術(shù)提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵 在極低電壓的情況下進(jìn)行充電和操作 1.8 v。本裝置適用于作為負(fù)載...
怎么通過SPICE仿真來預(yù)測VDS開關(guān)尖峰?
怎么通過SPICE仿真來預(yù)測VDS開關(guān)尖峰? SPICE仿真技術(shù)是電子工程師在設(shè)計和驗證電路時的必備工具。VDS開關(guān)尖峰是指在開關(guān)型功率器件的開關(guān)過程中...
用于熱插拔應(yīng)用的增強型SOA技術(shù)LFPAK 5x6 ASFET
Nexperia ASFET 是定制器件。經(jīng)過優(yōu)化,可用于特定的設(shè)計和 IU。通過專注于對某一應(yīng)用至關(guān)重要的特定參數(shù),它提供全新性能水平,從而最好地滿足...
描述 NP2301AMR采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù) 提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵電荷和 工作電壓低至1.8V。這個設(shè)備 適合用作負(fù)載開關(guān)或PWM 應(yīng)用程序。...
微網(wǎng)儲能功率鏈路優(yōu)化:基于能量路由、電池管理與負(fù)載調(diào)度的MOSFET精準(zhǔn)選型方案
在能源可及性成為偏遠(yuǎn)地區(qū)發(fā)展關(guān)鍵短板的今天,一套穩(wěn)定可靠的微網(wǎng)儲能系統(tǒng),不僅是光伏板、電池與逆變器的堆砌,更是一部精密運行、智慧調(diào)度的電能“路由器”。其...
LM3D50P02 MOSFET:專為電子煙優(yōu)化的高性能選擇
? 、一、 為電子煙設(shè)備而生MOSFET——LM3D50P02 上海雷卯EMC小哥通過對RELX悅刻、Smoore International (思摩爾...
NP2300MR使用先進(jìn)的海溝技術(shù)提供優(yōu)秀的RDS()、低門和高收費 超低密度細(xì)胞設(shè)計導(dǎo)通電阻。這設(shè)備適用于作為負(fù)荷開關(guān)或脈寬調(diào)制 應(yīng)用程序。
華潤微電子兩項產(chǎn)品入選中央企業(yè)科技創(chuàng)新成果產(chǎn)品手冊
華潤微“SiC JBS器件及系列化產(chǎn)品”“SiC MOSFET器件及系列化產(chǎn)品”兩項成果入選電子元器件領(lǐng)域科技創(chuàng)新成果
Magnachip推出用于智能手機的第8代短溝道MOSFET
韓國領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商美格納半導(dǎo)體(Magnachip)近日宣布了一項重要創(chuàng)新成果——專為智能手機電池保護(hù)電路設(shè)計的第8代MXT LV MOSFET(金...
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