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標(biāo)簽 > mosfet

mosfet

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簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。

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mosfet資訊

派恩杰榮獲“中國(guó)SiC器件Fabless十強(qiáng)企業(yè)”

12月12日晚,第三代半導(dǎo)體“2024行家極光獎(jiǎng)”在深圳揭曉,數(shù)百家SiC&GaN企業(yè)代表聯(lián)袂赴宴,經(jīng)過(guò)數(shù)月時(shí)間的緊密籌劃,專家組委會(huì)和眾多行業(yè)...

2024-12-16 標(biāo)簽:MOSFET功率器件SiC 1.6k 0

意法半導(dǎo)體與理想汽車共筑電動(dòng)汽車未來(lái)

意法半導(dǎo)體(簡(jiǎn)稱ST),作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司,服務(wù)于多重電子應(yīng)用領(lǐng)域,近日與新能源汽車領(lǐng)域的佼佼者理想汽車達(dá)成了一項(xiàng)重要合作。根據(jù)這份長(zhǎng)期供貨協(xié)議,...

2024-01-04 標(biāo)簽:MOSFET意法半導(dǎo)體理想汽車 1.6k 0

基本半導(dǎo)體攜多款碳化硅新品精彩亮相2024 SNEC國(guó)際光伏展

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? 6月13-15日,SNEC第十七屆(2024)國(guó)際太陽(yáng)能光伏與智慧能源大會(huì)暨展覽會(huì)在國(guó)家會(huì)展中心(上海)隆重舉辦。本屆展會(huì)匯聚了超過(guò)3500家全球光...

2024-06-15 標(biāo)簽:MOSFET光伏功率器件 1.6k 0

羅姆展出溝道型SiC制SBD和MOSFET

羅姆展出了采用溝道構(gòu)造的SiC制肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)和MOSFET。溝道型SBD的特點(diǎn)在于,與普通SiC制SBD相比二極管導(dǎo)通電壓(以下稱導(dǎo)通電壓...

2011-10-12 標(biāo)簽:MOSFETSBDSiC 1.6k 0

芯塔電子與南京博蘭得達(dá)成長(zhǎng)期戰(zhàn)略合作伙伴

近日,安徽芯塔電子科技有限公司董事長(zhǎng)兼總經(jīng)理倪煒江一行到訪南京博蘭得電子科技有限公司,與博蘭得董事長(zhǎng)徐明博士進(jìn)行深入交流。

2023-10-10 標(biāo)簽:MOSFETSiC直流充電 1.6k 0

使用隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的設(shè)計(jì)指南(一)

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2023-11-28 標(biāo)簽:MOSFET隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器 1.6k 0

亞成微電子即將亮相北京2024新能源汽車技術(shù)展

2024年2月28日,備受矚目的第二屆中國(guó)國(guó)際新能源汽車技術(shù)零部件及服務(wù)展覽會(huì)將在北京·中國(guó)國(guó)際展覽中心(順義新館W1館)拉開帷幕。作為新能源汽車領(lǐng)域的...

2024-02-23 標(biāo)簽:新能源汽車MOSFET亞成微電子 1.6k 0

新能源汽車空調(diào)壓縮機(jī)三相全橋SiC MOSFET方案

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2024-07-05 標(biāo)簽:新能源汽車MOSFETSiC 1.6k 0

MOSFET驅(qū)動(dòng)器具有電池反接保護(hù)

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MOSFET 電源開關(guān)驅(qū)動(dòng)器必須受到電池反接連接保護(hù)。小型整流二極管可以防止電池反接,但對(duì)于電池壽命至關(guān)重要的系統(tǒng),這種方法通常是不可接受的。對(duì)于6V電...

2023-01-11 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器電池 1.6k 0

Nexperia碳化硅MOSFET優(yōu)化電源開關(guān)性能

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面對(duì)大功率和高電壓應(yīng)用不斷增長(zhǎng)的需求,Nexperia(安世半導(dǎo)體)正式推出了碳化硅(SiC)MOSFET。這些器件具備出色的RDS(on)溫度穩(wěn)定性、...

2025-06-14 標(biāo)簽:MOSFET電源開關(guān)碳化硅 1.6k 0

豪威集團(tuán)發(fā)布業(yè)內(nèi)最低內(nèi)阻雙N溝道MOSFET

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電源管理系統(tǒng)要實(shí)現(xiàn)高能源轉(zhuǎn)換效率、完善可靠的故障保護(hù),離不開高性能的開關(guān)器件。近日,豪威集團(tuán)全新推出兩款MOSFET:業(yè)內(nèi)最低內(nèi)阻雙N溝道MOSFET ...

2022-06-28 標(biāo)簽:MOSFET豪威科技 1.6k 0

新潔能推出HO系列MOSFET產(chǎn)品

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隨著市場(chǎng)對(duì)高性能功率半導(dǎo)體器件寬SOA MOSFET需求的日益增長(zhǎng),新潔能(NCE)產(chǎn)品研發(fā)部門推出HO系列MOSFET產(chǎn)品,優(yōu)化了SOA工作區(qū)間,可滿...

2025-03-04 標(biāo)簽:MOSFET功率半導(dǎo)體新潔能 1.6k 0

龍騰半導(dǎo)體650V 99mΩ超結(jié)MOSFET重磅發(fā)布

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龍騰半導(dǎo)體最新推出650V/40A/99mΩ超結(jié)MOSFET,其內(nèi)置FRD,適應(yīng)LLC應(yīng)用,并適合多管應(yīng)用,具有更快的開關(guān)速度,更低的導(dǎo)通損耗;極低的柵...

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Vishay推出集成式40 V MOSFET半橋功率級(jí),RDS(ON)和FOM達(dá)到業(yè)界出色水平,提高功率密度和效率

節(jié)省空間的器件采用小型PowerPAIR? 3x3S封裝,最大RDS(ON)導(dǎo)通電阻降至8.05 m,Qg為6.5 nC

2020-11-04 標(biāo)簽:MOSFETVishay導(dǎo)通電阻 1.6k 0

意法半導(dǎo)體新MDmesh? K6 800V STPOWER MOSFET提高能效,最大限度降低開關(guān)功率損耗

意法半導(dǎo)體新MDmesh? K6 800V STPOWER MOSFET提高能效,最大限度降低開關(guān)功率損耗

STPOWER MDmesh K6 新系列超級(jí)結(jié)晶體管改進(jìn)多個(gè)關(guān)鍵參數(shù),最大限度減少系統(tǒng)功率損耗,特別適合基于反激式拓?fù)涞恼彰鲬?yīng)用。

2021-10-26 標(biāo)簽:MOSFET意法半導(dǎo)體平板顯示器 1.6k 0

Cambridge GaN Devices 推出第二代 ICeGaN ICs,在同類產(chǎn)品中擁有出色的穩(wěn)健性、易用性和高效率

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英國(guó)劍橋 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無(wú)晶圓廠環(huán)??萍及雽?dǎo)體公司,開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件,致力于打造...

2023-05-15 標(biāo)簽:MOSFETGaNHEMT 1.6k 0

NP50P02QR 20V p通道增強(qiáng)模式MOSFET

NP50P02QR 20V p通道增強(qiáng)模式MOSFET

描述 NP50P02QR采用了先進(jìn)的戰(zhàn)壕 技術(shù)和設(shè)計(jì),提供優(yōu)秀的RDS(ON)與 門費(fèi)用低。它可以用于各種各樣的 應(yīng)用程序。 一般特征 ?VDS = -...

2022-07-08 標(biāo)簽:單片機(jī)MOSFET 1.6k 0

超越期望,引領(lǐng)控制革新——ASDM65N18S功率MOSFET

引言: 在現(xiàn)代高效能系統(tǒng)中,功率MOSFET扮演著至關(guān)重要的角色,它們是實(shí)現(xiàn)低功耗、高效率和精確控制的關(guān)鍵元件。為滿足不斷發(fā)展的市場(chǎng)需求,我們推出了全新...

2023-06-05 標(biāo)簽:MOSFET封裝功率MOSFET 1.6k 0

基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET B1M160120HC可用于車載充電器的汽車功率模塊

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電動(dòng)汽車的電動(dòng)機(jī)是有源負(fù)載,其轉(zhuǎn)速范圍很寬,且在行駛過(guò)程中需要頻繁地加速和減速,工作條件比一般的調(diào)速系統(tǒng)要復(fù)雜,因此,其驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)是決定電動(dòng)汽車性能的關(guān)鍵...

2023-04-19 標(biāo)簽:MOSFET充電器碳化硅 1.6k 0

異步升壓 內(nèi)置mos升壓芯片F(xiàn)P6298

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FP6298是一種電流模式(CC模式),通過(guò)pwm控制來(lái)提高DC-DC升壓轉(zhuǎn)換器,內(nèi)置0.08ΩMOSFET使這種調(diào)節(jié)器具有高功率效率,周邊元件少,可節(jié)...

2022-05-05 標(biāo)簽:MOSFET移動(dòng)電源 1.6k 0

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  • IOT
    IOT
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    IoT是Internet of Things的縮寫,字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”,準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)(Internet of Things)又稱傳感網(wǎng),簡(jiǎn)要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
  • 海思
    海思
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  • STM32F103C8T6
    STM32F103C8T6
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    STM32F103C8T6是一款集成電路,芯體尺寸為32位,程序存儲(chǔ)器容量是64KB,需要電壓2V~3.6V,工作溫度為-40°C ~ 85°C。
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    數(shù)字隔離技術(shù)常用于工業(yè)網(wǎng)絡(luò)環(huán)境的現(xiàn)場(chǎng)總線、軍用電子系統(tǒng)和航空航天電子設(shè)備中,尤其是一些應(yīng)用環(huán)境比較惡劣的場(chǎng)合。數(shù)字隔離電路主要用于數(shù)字信號(hào)和開關(guān)量信號(hào)的傳輸。另一個(gè)重要原因是保護(hù)器件(或人)免受高電壓的危害。本文詳細(xì)介紹了數(shù)字隔離器工作原理及特點(diǎn),選型及應(yīng)用,各類數(shù)字隔離器件性能比較等內(nèi)容。
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    Proteus軟件是英國(guó)Lab Center Electronics公司出版的EDA工具軟件(該軟件中國(guó)總代理為廣州風(fēng)標(biāo)電子技術(shù)有限公司)。它不僅具有其它EDA工具軟件的仿真功能,還能仿真單片機(jī)及外圍器件。
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    +關(guān)注
    做單片機(jī)的工程師相比都堆循跡小車有所認(rèn)識(shí),它是自動(dòng)引導(dǎo)機(jī)器人系統(tǒng)的基本應(yīng)用,那么今天小編就給大家介紹下自動(dòng)自動(dòng)循跡小車的原理,智能循跡小車的應(yīng)用,智能循跡小車程序,循跡小車用途等知識(shí)吧!
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    光模塊(optical module)由光電子器件、功能電路和光接口等組成,光電子器件包括發(fā)射和接收兩部分。簡(jiǎn)單的說(shuō),光模塊的作用就是光電轉(zhuǎn)換,發(fā)送端把電信號(hào)轉(zhuǎn)換成光信號(hào),通過(guò)光纖傳送后,接收端再把光信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)。
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    Nexperia
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    Nexperia是大批量生產(chǎn)基本半導(dǎo)體的領(lǐng)先專家,這些半導(dǎo)體是世界上每個(gè)電子設(shè)計(jì)都需要的組件。該公司廣泛的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極晶體管、ESD 保護(hù)器件、MOSFET、GaN FET 以及模擬和邏輯IC。
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    LM2596
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    LM2596是降壓型電源管理單片集成電路的開關(guān)電壓調(diào)節(jié)器,能夠輸出3A的驅(qū)動(dòng)電流,同時(shí)具有很好的線性和負(fù)載調(diào)節(jié)特性。固定輸出版本有3.3V、5V、12V,可調(diào)版本可以輸出小于37V的各種電壓。
  • 光立方
    光立方
    +關(guān)注
    光立方是由四千多棵光藝高科技“發(fā)光樹”組成的,在2009年10月1日天安門廣場(chǎng)舉行的國(guó)慶聯(lián)歡晚會(huì)上面世。這是新中國(guó)成立六十周年國(guó)慶晚會(huì)最具創(chuàng)意的三大法寶之首。
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    STM32系列基于專為要求高性能、低成本、低功耗的嵌入式應(yīng)用專門設(shè)計(jì)的ARM Cortex-M3內(nèi)核
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  • ESP8266
    ESP8266
    +關(guān)注
    wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200,但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率,只能使用4800bps,那么設(shè)置的時(shí)候,必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
  • TMS320F28335
    TMS320F28335
    +關(guān)注
    TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
  • 靜電防護(hù)
    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
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