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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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海內(nèi)外SiC產(chǎn)業(yè)在技術(shù)節(jié)點(diǎn)、產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)上有哪些差異?
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)最近海外關(guān)于中國(guó)第三代半導(dǎo)體的討論頗為熱鬧,不少機(jī)構(gòu)都對(duì)中國(guó)SiC產(chǎn)業(yè)布局的進(jìn)展、優(yōu)勢(shì)等進(jìn)行了分析,Yole Intell...
2022-12-19 標(biāo)簽:MOSFET節(jié)點(diǎn)SiC 3.6k 0
開關(guān)電源項(xiàng)目實(shí)戰(zhàn)解析
PCB的元器件封裝,標(biāo)準(zhǔn)庫(kù)里面的按實(shí)際情況需要更改,貼片元件焊盤加大;插件元件的孔徑比元件管腳大0.3mm,焊盤直徑大于孔0.8mm以上,焊盤大些方便焊...
2022-12-16 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源電解電容 1.9k 0
上面這個(gè)例子顯示,當(dāng)驅(qū)動(dòng)電壓為0,Vds達(dá)到200V的時(shí)候,Id這個(gè)電流達(dá)到了250uA,這個(gè)時(shí)候認(rèn)為已經(jīng)達(dá)到擊穿電壓。
基本半導(dǎo)體的碳化硅MOSFET B1M032120HK
本文推薦基本半導(dǎo)體的碳化硅MOSFET B1M032120HK用于充電樁電源模塊的LLC諧振電路中,可以有效降低熱損耗,提高工作效率,同時(shí)也可以減小變壓...
昨晚,小米13發(fā)布會(huì)圓滿落幕,小米集團(tuán)創(chuàng)始人雷軍攜小米13正式亮相,交出“高端機(jī)型全面對(duì)標(biāo)iPhone”的答卷。 本次發(fā)布會(huì)上,包括小米13、萬(wàn)兆路由器...
東芝開發(fā)帶嵌入式肖特基勢(shì)壘二極管的低導(dǎo)通電阻高可靠性SiC MOSFET
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation)和東芝株式會(huì)社...
從市場(chǎng)份額看,MOSFET幾乎都集中在國(guó)際大廠手中,其中英飛凌2015年收購(gòu)了IR(美國(guó)國(guó)際整流器公司)成為行業(yè)龍頭,安森美也在2016年9月完成對(duì)仙童...
小而薄的MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)IC更適合小型化應(yīng)用
電器中配電、上電排序和電源狀態(tài)轉(zhuǎn)換都需要負(fù)載開關(guān),它可以減小待機(jī)模式下的漏電流,抑制浪涌電流,實(shí)現(xiàn)斷電控制。負(fù)載開關(guān)的作用是開啟和關(guān)閉電源軌,大部分負(fù)載...
2022-12-12 標(biāo)簽:MOSFET東芝柵極驅(qū)動(dòng)IC 2.1k 0
碳化硅在車載領(lǐng)域的應(yīng)用方向及制造工藝流程
PVT法生長(zhǎng)非常緩慢,速度約為0.3-0.5mm/h,7天才能生長(zhǎng)2cm,并且最高也僅能生長(zhǎng)3-5cm,晶錠的直徑也多為4英寸、6英寸,而硅基72h即可...
場(chǎng)效應(yīng)晶體管是由p型和n型兩部分組成。當(dāng)給pn結(jié)加上正向電壓時(shí),由于p區(qū)中的空穴由n區(qū)注入到pn結(jié)電場(chǎng)中形成空間電荷層,這些空間電荷與漂移到pn區(qū)的電子...
2022-12-09 標(biāo)簽:三極管MOSFET半導(dǎo)體器件 3k 0
專為工業(yè)應(yīng)用而設(shè)計(jì)的MOSFET—TOLT封裝
【導(dǎo)讀】近年來(lái),工業(yè)應(yīng)用對(duì)MOSFET 的需求越來(lái)越高。從機(jī)械解決方案和更苛刻的應(yīng)用條件都要求半導(dǎo)體制造商開發(fā)出新的封裝方案和實(shí)施技術(shù)改進(jìn)。從最初的通孔...
我們之前有介紹過(guò)什么是IGBT,不過(guò)主要是從結(jié)構(gòu)上對(duì)其進(jìn)行了剖析,并未深入介紹,今天金譽(yù)半導(dǎo)體再?gòu)钠渌嵌葋?lái)充分了解一下IGBT的具體信息。此文信息量有...
2022-12-08 標(biāo)簽:MOSFETIGBT驅(qū)動(dòng)電路 4k 0
優(yōu)晶N溝道MOSFET YC40N04BDE用于PCR儀TEC控制
YC40N04BDE是優(yōu)晶推出的N溝道MOSFET,該芯片具有小尺寸、低壓大電流等特點(diǎn),廣泛應(yīng)用在DC/DC轉(zhuǎn)換、服務(wù)器的板載電源以及同步整流線路中。
中微半導(dǎo)體帶你見證國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體崛起
? ? 作為現(xiàn)代產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基礎(chǔ),功率半導(dǎo)體器件在物聯(lián)網(wǎng)、新能源、節(jié)能環(huán)保、智能電網(wǎng)及電機(jī)等各領(lǐng)域廣泛應(yīng)用,國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)也迎來(lái)良好的發(fā)展前景和巨大的...
2022-12-06 標(biāo)簽:mcuMOSFET中微半導(dǎo)體 1.1k 0
DW03D 單節(jié)鋰離子/鋰聚合物電池保護(hù)IC 內(nèi)置MOS
概述 DW03D產(chǎn)品是單節(jié)鋰離子/鋰聚合物可充電電池組保護(hù)的高集成度解決方案。DW03D包括了先進(jìn)的功率MOSFET,高精度的電壓檢測(cè)電路和延時(shí)電路。 ...
開關(guān)電源芯片SF1538DP快速實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)成果轉(zhuǎn)化
這幾日伴隨著全國(guó)范圍內(nèi)的斷崖式降溫,取暖效果好的小家電正在成為全國(guó)多地人民的“抗寒神器”,氣溫降低帶來(lái)暖風(fēng)機(jī)、多功能養(yǎng)生壺、加濕器、恒溫加熱杯墊、電熱毯...
2022-12-02 標(biāo)簽:MOSFET適配器開關(guān)電源芯片 2k 0
ROHM開發(fā)出具有絕緣構(gòu)造、小尺寸且超低功耗的MOSFET
非常有助于提高無(wú)線耳機(jī)和可穿戴設(shè)備等小而薄設(shè)備的效率和運(yùn)行安全性! 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發(fā)出一款小型且高效的20V耐壓N...
2022-12-01 標(biāo)簽:MOSFET 1.5k 0
基于碳化硅(SiC)的MOSFET可實(shí)現(xiàn)更高效率水平
相比基于硅(Si)的MOSFET,基于碳化硅(SiC)的MOSFET器件可實(shí)現(xiàn)更高的效率水平,但有時(shí)難以輕易決定這項(xiàng)技術(shù)是否更好的選擇。本文將闡述需要考...
MOSFET的低開關(guān)損耗在集成電路中應(yīng)用
MOSFET有兩大類型:N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中,MOSFET可被看成電氣開關(guān)。例如N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時(shí),當(dāng)VGS電壓達(dá)到M...
2022-11-28 標(biāo)簽:集成電路MOSFET開關(guān)電源 1.7k 0
碳化硅MOSFET器件結(jié)構(gòu)、特點(diǎn)特性及應(yīng)用分析
對(duì)于硅,隨著耐壓的升高,每單位面積的電阻也會(huì)增加(大約是耐壓的2.5次方的平方)。因此,IGBT(絕緣柵雙極晶體管)主要用于600V以上的電壓。IGBT...
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