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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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電源設(shè)計(jì)注意事項(xiàng):比較不同設(shè)備的效率
MOSFET 開(kāi)始流行,因?yàn)樗鼈兪茈妷嚎刂贫皇请娏骺刂啤OSFET 不受熱漂移的影響,開(kāi)關(guān)損耗較低。因此,它是電源轉(zhuǎn)換器中最常用的組件。IGBT 在...
2022-08-03 標(biāo)簽:MOSFET電源設(shè)計(jì)電源電路 1.2k 0
碳化硅 (SiC) 是一種由硅和碳組成的半導(dǎo)體材料,用于制造用于高壓應(yīng)用的功率器件,例如電動(dòng)汽車 (EV)、電源、電機(jī)控制電路和逆變器。與傳統(tǒng)的硅基功率...
中國(guó)視角下MOSFET行業(yè)供應(yīng)狀況簡(jiǎn)析
近期,由于東南亞持續(xù)爆發(fā)新冠病毒疫情,全球IDM(Integrated Devices Manufactures)工廠紛紛調(diào)整晶圓廠產(chǎn)能,減少消費(fèi)類電子...
STMicroelectronics (ST) 的 STGAP2SiCSN 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器旨在調(diào)節(jié)碳化硅 (SiC) MOSFET。它采用窄體 SO-...
2022-08-03 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器控制器 2.8k 0
GaN FET如何實(shí)現(xiàn)下一代工業(yè)電源的應(yīng)用設(shè)計(jì)
氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體的物理特性與硅器件不相上下。傳統(tǒng)的電源供應(yīng)器金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和絕緣柵極雙極晶體管(IGBT)只有在犧牲...
開(kāi)關(guān)模式電源電流檢測(cè)——第三部分:電流檢測(cè)方法
開(kāi)關(guān)模式電源有三種常用電流檢測(cè)方法是:使用檢測(cè)電阻,使用MOSFET RDS(ON),以及使用電感的直流電阻(DCR)。每種方法都有優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn),選擇檢測(cè)...
由第三代 SIC MOSFET 供電的電動(dòng)汽車和工業(yè)應(yīng)用
意法半導(dǎo)體最近推出了第三代 STPOWER 碳化硅 (SiC) MOSFET,針對(duì)先進(jìn)的功率應(yīng)用(例如 EV 動(dòng)力系統(tǒng))和其他功率密度、能效和可靠性是相...
半橋LLC諧振轉(zhuǎn)換器中Si和SiC MOSFET的比較
LLC 諧振轉(zhuǎn)換器可用于各種應(yīng)用,如消費(fèi)電子產(chǎn)品,以及可再生能源應(yīng)用,如光伏、風(fēng)能、水力和地?zé)岬取1疚奶峁┝嗽?3KW 中建模的 Si 和 SiC MO...
變速驅(qū)動(dòng)器和基于寬帶隙的逆變器技術(shù)的影響
考慮到SiC MOSFET在高壓應(yīng)用中 與IGBT相比的技術(shù)優(yōu)勢(shì),人們顯然會(huì)為新設(shè)計(jì)選擇寬帶隙組件,尤其是在應(yīng)用中驅(qū)動(dòng)高功率密度和低損耗的情況下。
2022-07-29 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器逆變器 1k 0
在電氣領(lǐng)域,漏極和源極之間的漏電流 (I DSS ) 或柵極和源極之間的漏電流 (I GSS ) 是功率 MOSFET 故障的一般類別。將故障分析集中在...
2022-07-29 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管功率器件 1.5k 0
S-MOS單元技術(shù)提高了SiC MOSFET的效率
采用 SiC 作為功率器件材料的優(yōu)點(diǎn)之一是能夠使用許多眾所周知的硅器件原理和制造程序?;酒骷?fù)浒ù怪毙ぬ鼗O管或垂直功率 MOSFET(在通過(guò) ...
適用于CSP GaN FET的簡(jiǎn)單且高性能的熱管理解決方案?
本文將展示芯片級(jí)封裝 (CSP) GaN FET 如何提供至少與硅 MOSFET 相同(如果不優(yōu)于)的熱性能。由于其卓越的電氣性能,GaN FET 的尺...
本文分析了高性能肖特基勢(shì)壘二極管和 D 型 HEMT 在基于 p-GaN HEMT 的 200-V GaN-on-SOI 智能功率 IC 平臺(tái)上的成功協(xié)...
2022-07-29 標(biāo)簽:MOSFETGaNdcdc轉(zhuǎn)換器 1.6k 0
本文追溯了電力電子的歷史,可追溯到硅MOSFET仍用于驅(qū)動(dòng)強(qiáng)大的電子負(fù)載時(shí)。讓我們通過(guò)描述、應(yīng)用和模擬重新發(fā)現(xiàn)硅的世界,看看電子世界是如何在短短幾年內(nèi)因...
發(fā)動(dòng)機(jī)控制、智能電網(wǎng)和智能家居技術(shù)采用的增加以及對(duì)高壓設(shè)備的需求增加促進(jìn)了全球柵極驅(qū)動(dòng)器市場(chǎng)的增長(zhǎng)。 完整的發(fā)動(dòng)機(jī)控制系統(tǒng)包括電源、主機(jī)微控制器、柵極驅(qū)...
2022-08-01 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器電機(jī)控制 1.8k 0
CoolSiC MOSFET 電機(jī)驅(qū)動(dòng)評(píng)估板
英飛凌科技為電機(jī)控制應(yīng)用開(kāi)發(fā)了一款評(píng)估板,其中包括一個(gè)三相 SiC 模塊。特別是,它在電力驅(qū)動(dòng)器中使用了 CoolSiC MOSFET 模塊的功率。 C...
2022-07-27 標(biāo)簽:MOSFET電機(jī)驅(qū)動(dòng)碳化硅 2.3k 0
我們發(fā)現(xiàn)機(jī)架式電源對(duì)電信服務(wù)器具有一定的吸引力。即使在 5g 數(shù)據(jù)、數(shù)據(jù)場(chǎng)中,他們只需要越來(lái)越高的效率,所有輸出范圍內(nèi)的效率都超過(guò) 90%,這讓您進(jìn)入鈦...
有限的電池壽命會(huì)損害智能手機(jī)用戶的自主權(quán)。盡管它們的尺寸很大,但最新的智能手機(jī)電池非常出色,但無(wú)論它們多么重要,它們的尺寸仍然有限。制造商試圖讓手機(jī)越來(lái)...
2022-07-27 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETusb 2.7k 0
近年來(lái),德州儀器 (TI) 等擁有強(qiáng)大制造足跡的全球公司已將一整套具有成本效益的 GaN 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 產(chǎn)品組合推向市場(chǎng)。聯(lián)合電子器件工程委...
2022-07-27 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管 1.3k 0
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