發(fā)動機控制、智能電網(wǎng)和智能家居技術(shù)采用的增加以及對高壓設(shè)備的需求增加促進了全球柵極驅(qū)動器市場的增長。

完整的發(fā)動機控制系統(tǒng)包括電源、主機微控制器、柵極驅(qū)動器和半橋拓撲結(jié)構(gòu)的 MOSFET。微控制器設(shè)置 PWM 占空比并負責(zé)反饋或開環(huán)控制。在低壓項目中，柵極驅(qū)動器和 MOSFET 通常集成為一個單元。但是，對于大功率單元，兩個單元是分開的，以便于熱管理并最大限度地減少電磁干擾。

發(fā)動機控制系統(tǒng)中的柵極驅(qū)動器主要設(shè)計用于提高外部功率 MOSFET 的性能，以將電流饋送到電動機。柵極驅(qū)動器充當邏輯電平控制輸入和功率 MOSFET 之間的中間級。

鑒于典型電路可以包含的外部 MOSFET 種類繁多，柵極驅(qū)動器必須堅固且靈活，并且必須能夠提供智能解決方案來正確驅(qū)動功率半導(dǎo)體。模塊化電機控制解決方案提供了另一種選擇，市場上有多種集成柵極驅(qū)動器，可提供高柵極驅(qū)動電壓以確保 MOSFET 具有最小的內(nèi)阻。

德州儀器 (Texas Instruments) 的德州儀器 ( Texas Instruments
) 智能儀器驅(qū)動器提供了一種旨在驅(qū)動和保護功率 MOSFET 的智能解決方案。此功能允許設(shè)計人員優(yōu)化 EMI 開關(guān)和性能，但也允許他們減少物料清單計數(shù)并為 MOSFET 提供額外保護。Texas Instruments 智能柵極驅(qū)動器采用電流布局，可輕松控制 MOSFET 變化的速度?？烧{(diào)柵極驅(qū)動的電流參數(shù)稱為 IDRIVE。

DRV8323x系列提供三個獨立的柵極驅(qū)動器，能夠驅(qū)動高側(cè)和低側(cè) MOSFET 對。柵極驅(qū)動器包括一個電荷泵，用于為高側(cè)晶體管產(chǎn)生升高的柵極電壓（占空比支持高達 100%），以及一個為低側(cè)晶體管供電的線性穩(wěn)壓器。

STMicroelectronics

ST 柵極驅(qū)動器系列設(shè)計用于在高達 600 V 的高電壓的惡劣工業(yè)環(huán)境中工作，保持良好的抗噪性和低開關(guān)損耗。高壓半橋驅(qū)動器 L6491、L6494 和 L6498 的電流容量高達 4 A，因此特別適用于中高容量電源開關(guān)。

L6385E是一款緊湊而直接的高壓柵極驅(qū)動器，采用 BCD 技術(shù)制造，能夠驅(qū)動功率 MOSFET 或 IGBT 器件。高側(cè)部分可在高達 600 V 的電壓軌下運行。L6385E 器件提供兩個輸入引腳和兩個輸出引腳，并確保輸出與輸入同相交替。L6385E 在兩個引導(dǎo)部分都配備了 UVLO 保護，確保更出色地防止電源線上的電壓降。

Infineon

EiceDRIVER柵極驅(qū)動器提供從 0.1 A 到 10 A的廣泛典型輸出電流選項。強大的柵極驅(qū)動保護具有快速短路保護 (DESAT)，使這些驅(qū)動器 IC 適用于硅和寬帶電源，包括 CoolGaN 和 CoolSiC。單通道電流隔離柵極驅(qū)動器 IC 1EDF5673K 適用于具有非隔離柵極（二極管輸入特性）和低閾值電壓的增強模式（e 模式）氮化鎵 (GaN) HEMT。2ED020I06-FI 是一款高壓、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驅(qū)動器，具有高脈沖電流緩沖級，旨在實現(xiàn)最小導(dǎo)通。所有邏輯輸入都與 3.3-V 和 5-V TTL 兼容。傳播延遲相結(jié)合，以簡化高頻應(yīng)用中的使用。

Power Integrations

Power Integrations 為高達 6,500 V 的電機驅(qū)動市場提供各種柵極驅(qū)動器解決方案。SID11x2K Scale iDriver是采用 eSOP 封裝的單通道 IGBT 和 MOSFET 驅(qū)動器。創(chuàng)新的 FluxLink 技術(shù)提供增強的電絕緣。一個隔離的單極電壓源為柵極控制提供正電壓和負電壓。其他功能包括短路保護 (DESAT) 和高級軟關(guān)斷 (ASSD) 和最小電壓阻斷 (UVLO)。控制器信號（PWM 和故障）與 CMOS 5V 邏輯兼容，也可以通過使用外部電阻分壓器將其調(diào)整為 15V 電平。

ON Semiconductor

ON Semiconductor 的 NCP510x器件是具有兩個輸出的高壓柵極驅(qū)動器，用于直接驅(qū)動以半橋配置（版本 B）或任何其他高側(cè)配置加低側(cè) (版本 A)。自舉技術(shù)用于確保正確驅(qū)動高端電源開關(guān)。導(dǎo)頻電路與兩個獨立的輸入一起工作。

ROHM Semiconductor
BM63764S-VC是一款 600-V/15-A 智能 IGBT (IPM) 電源模塊，用于采用 25 引腳 HSDIP 封裝的高速開關(guān)單元。它由柵極驅(qū)動器、自舉二極管、IGBT 和續(xù)流二極管組成。使用小型損耗IGBT，它們針對洗衣機或風(fēng)扇電機等高速開關(guān)操作進行了優(yōu)化。典型應(yīng)用包括高速交流 100 至 240 Vrms 變頻器（直流電壓低于 400 V）和高速電機變頻器。

審核編輯 黃昊宇