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標(biāo)簽 > mram
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一種非易失性(Non-Volatile)的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫入能力,以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以無(wú)限次地重復(fù)寫入。
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MRAM的嵌入式和獨(dú)立式存儲(chǔ)器會(huì)開(kāi)始分流
幾乎所有的新興存儲(chǔ)器出道時(shí)都宣稱與CMOS工藝兼容,意思是可以做邏輯工藝的嵌入式存儲(chǔ)器。
強(qiáng)化嵌入式MRAM技術(shù)發(fā)展 開(kāi)拓多元需求帶動(dòng)市場(chǎng)起飛
在商品化方面,目前MRAM已發(fā)展到第三代,具有非揮發(fā)性、讀寫速度快、能耗低、制程仍有持續(xù)微縮空間等優(yōu)點(diǎn)。就產(chǎn)品發(fā)展上,MRAM可分為獨(dú)立式(stand-...
MRAM存儲(chǔ)器在未來(lái)將得到更多的應(yīng)用
MRAM是一種非易失性存儲(chǔ)器,可與其他的NVM技術(shù)相媲美,如閃存,英特爾的Optane,以及FRAM和RRAM (圖1)。每種NVM都有自己的優(yōu)缺點(diǎn)。雖...
在第 64 屆國(guó)際電子器件會(huì)議 (IEDM) 上,全球兩大半導(dǎo)體龍頭英特爾及三星展示嵌入式 MRAM 在邏輯芯片制造工藝中的新技術(shù)。
英特爾及三星推出了嵌入式MRAM在邏輯芯片制造工藝中的新技術(shù)
MRAM (Magnetic Random Access Memory,磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)),是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù),從 1990 年代開(kāi)始發(fā)展。此技術(shù)...
嵌入式存儲(chǔ)器是邏輯工藝中不可或缺的一環(huán),過(guò)去卻往往讓人忽略。但是邏輯工藝推進(jìn)日益艱辛,嵌入式存儲(chǔ)器工藝推進(jìn)的難處全浮上臺(tái)面。
聯(lián)電聯(lián)手AVALANCHE 合作開(kāi)發(fā)28納米MRAM技術(shù)
據(jù)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)最新消息,聯(lián)電(2303)與下一代ST-MRAM(自旋轉(zhuǎn)移力矩磁阻RAM)領(lǐng)導(dǎo)者美商Avalanche共同宣布,合作技術(shù)開(kāi)發(fā)MRAM及相關(guān)...
eMRAM下半年要量產(chǎn)了。有趣的是這些即將要量產(chǎn)eMRAM的代工大廠中,其MRAM技術(shù)或多或少是購(gòu)并或授權(quán)而來(lái)的。
隨著越來(lái)越多具成本效益的應(yīng)用選擇磁阻隨機(jī)存取內(nèi)存(MRAM),不僅為其帶來(lái)了成長(zhǎng)動(dòng)能,業(yè)界生態(tài)系統(tǒng)也開(kāi)始支持這一新興內(nèi)存選擇。
為什么數(shù)據(jù)沒(méi)有保存,掉電就丟失了呢?因?yàn)槲覀兙庉嬑臋n等操作,都是在內(nèi)存中進(jìn)行的。內(nèi)存是揮發(fā)性介質(zhì),掉電后數(shù)據(jù)就丟失。而硬盤是非揮發(fā)性介質(zhì),數(shù)據(jù)一旦保存,...
DRAM正轉(zhuǎn)變?yōu)橘u方市場(chǎng) 是時(shí)候?qū)ふ业统杀镜腄RAM替代方案了
DRAM正轉(zhuǎn)變?yōu)橘u方市場(chǎng),也為DRAM廠商寫下利潤(rùn)新高紀(jì)錄。就像石油危機(jī)一樣,在DRAM危機(jī)下,客戶必須為DRAM付出更多代價(jià)。現(xiàn)在正是尋找低成本替代方...
初創(chuàng)公司發(fā)布可用于物聯(lián)網(wǎng)可穿戴設(shè)備為目標(biāo)市場(chǎng)的的MRAM微控制器
法國(guó)格勒諾布爾的一家創(chuàng)業(yè)公司發(fā)布了為以電池供電的物聯(lián)網(wǎng)和可穿戴設(shè)備為目標(biāo)市場(chǎng)的基于MRAM微控制器。
2018-01-10 標(biāo)簽:微控制器物聯(lián)網(wǎng)mram 6.2k 0
芯片晶粒在未來(lái)搭載愈來(lái)愈多晶體管可望成為趨勢(shì),讓芯片運(yùn)算能力達(dá)到人腦水平也可望有朝一日達(dá)成,對(duì)于這類新技術(shù)的發(fā)展,在芯片上以及在多層堆疊芯片之間打造先進(jìn)...
臺(tái)積電重返內(nèi)存市場(chǎng) 瞄準(zhǔn)MRAM和RRAM | 老邢點(diǎn)評(píng)
晶圓代工大廠臺(tái)積電和三星的競(jìng)爭(zhēng),現(xiàn)由邏輯芯片擴(kuò)及內(nèi)存市場(chǎng)。 臺(tái)積電這次重返內(nèi)存市場(chǎng),瞄準(zhǔn)是訴求更高速及低耗電的MRAM和RRAM等次世代內(nèi)存,因傳輸速度...
在今年即將于美國(guó)加州舉行的國(guó)際電子元件會(huì)議(IEDM)上,來(lái)自三星(Samsung)、東芝(Toshiba)、海力士(SK Hynix)等公司的研究團(tuán)隊(duì)...
28nm嵌入式磁阻式隨機(jī)存取內(nèi)存(MRAM)即將問(wèn)世
在今年即將于美國(guó)加州舉行的國(guó)際電子組件會(huì)議(IEDM)上,來(lái)自三星(Samsung)、東芝(Toshiba)、海力士(SK Hynix)等公司的研究團(tuán)隊(duì)...
存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)中的每一家廠商都想打造一種兼具靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)(SRAM)的快速、快閃存儲(chǔ)的高密度以及如同唯讀存儲(chǔ)(ROM)般低成本等各種優(yōu)勢(shì)的非揮發(fā)性存儲(chǔ)...
2016-03-09 標(biāo)簽:SRAM存儲(chǔ)技術(shù)MRAM 2.5k 1
MRAM技術(shù)再突破 工研院?jiǎn)?dòng)全新內(nèi)存戰(zhàn)局(下)
MRAM是一種磁性多層膜的堆棧結(jié)構(gòu),在這當(dāng)中最為關(guān)鍵的三層,上下兩層為磁性層(一為參考層,一為自由層),中間則為絕緣層。早前的MRAM的磁性層的磁化方向...
MRAM技術(shù)再突破 工研院?jiǎn)?dòng)全新內(nèi)存戰(zhàn)局(上)
在工研院即將進(jìn)入歡慶40周年院慶之際,工研院電光所的研究團(tuán)隊(duì)所開(kāi)發(fā)出來(lái)的“垂直式自旋磁性內(nèi)存技術(shù)”榮獲杰出研究金牌獎(jiǎng),此技術(shù)乍看之下并不顯眼,但該內(nèi)存技...
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