在今年即將于美國(guó)加州舉行的國(guó)際電子組件會(huì)議（IEDM）上，來(lái)自三星（Samsung）、東芝（Toshiba）、海力士（SK Hynix）等公司的研究團(tuán)隊(duì)預(yù)計(jì)將發(fā)表多項(xiàng)有關(guān)磁阻式隨機(jī)存取內(nèi)存（MRAM）的最新發(fā)展。
2016-11-29 10:32:21
1612 晶圓代工大廠臺(tái)積電和三星的競(jìng)爭(zhēng)，現(xiàn)由邏輯芯片擴(kuò)及內(nèi)存市場(chǎng)。 臺(tái)積電這次重返內(nèi)存市場(chǎng)，瞄準(zhǔn)是訴求更高速及低耗電的MRAM和RRAM等次世代內(nèi)存，因傳輸速度比一般閃存快上萬(wàn)倍，是否引爆內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的新潮流，值得密切關(guān)注。
2017-06-07 10:54:182007 
據(jù)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)最新消息，聯(lián)電（2303）與下一代ST-MRAM（自旋轉(zhuǎn)移力矩磁阻RAM）領(lǐng)導(dǎo)者美商Avalanche共同宣布，合作技術(shù)開(kāi)發(fā)MRAM及相關(guān)28納米產(chǎn)品；聯(lián)電即日起透過(guò)授權(quán)，提供客戶具有成本效益的28納米嵌入式非揮發(fā)性MRAM技術(shù)。
2018-08-09 10:38:124091 磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (MRAM) 是一種非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)，它依靠?jī)蓚€(gè)鐵磁層的（相對(duì)）磁化狀態(tài)來(lái)存儲(chǔ)二進(jìn)制信息。多年來(lái)，出現(xiàn)了不同風(fēng)格的 MRAM 存儲(chǔ)器，這使得 MRAM 對(duì)緩存應(yīng)用程序和內(nèi)存計(jì)算越來(lái)越感興趣。
2022-07-26 11:08:342903 
本文旨在討論各種MRAM的技術(shù)路徑，其中包括磁場(chǎng)驅(qū)動(dòng)型、自旋轉(zhuǎn)移扭矩（spin-transfer torque：STT）、自旋軌道扭矩（spin-orbit torque：SOT）、電壓控制磁
2022-09-29 15:30:255174 型）MRAM，但由于結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的原因，在耐久性、讀寫(xiě)循環(huán)性能和成本上，Toggle-MRAM都不算是一個(gè)完美的方案，所以并沒(méi)有獲
2022-11-29 09:25:323704 3月25日，科技之巔·麻省理工科技評(píng)論全球十大突破性技術(shù)峰會(huì)在北京召開(kāi)，該峰會(huì)是全球最為著名的技術(shù)榜單之一，峰會(huì)圍繞十大突破性技術(shù)在中國(guó)落地性最強(qiáng)，并對(duì)目前最受關(guān)注的領(lǐng)域進(jìn)行深入解讀。2018年
2018-03-27 16:07:53
2020年全球十大突破技術(shù)，2018-12-28 08:11:39盤(pán)點(diǎn)這一年的核心技術(shù)：22納米光刻機(jī)、450公斤人造藍(lán)寶石、0.12毫米玻璃、大型航天器回收、盾構(gòu)機(jī)“棄殼返回”、遠(yuǎn)距離虹膜識(shí)別
2021-07-28 09:17:55
MRAM技術(shù)MRAM或磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器使用1晶體管–1磁性隧道結(jié)（1T-1MTJ）架構(gòu)，其中鐵磁材料的磁性“狀態(tài)”作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元素。由于MRAM使用磁性狀態(tài)進(jìn)行存儲(chǔ)（而不是隨時(shí)間推移而“泄漏
2022-11-17 15:05:44
問(wèn)題是很難避免的。于是在實(shí)踐中交叉點(diǎn)陣列間的尺寸長(zhǎng)度不能超過(guò)一定的限度，這樣單位面積上的單元數(shù)(密度)受到限制。雖然當(dāng)前的半導(dǎo)體集成電路早已突破了這一尺寸極限值，但MRAM技術(shù)中如何突破有待時(shí)日。
2020-11-26 16:23:24
非易失性MRAM芯片組件通常在半導(dǎo)體晶圓廠的后端工藝生產(chǎn)，下面英尚微電子介紹關(guān)于MRAM關(guān)鍵工藝步驟包括哪幾個(gè)方面.
2021-01-01 07:13:12
產(chǎn)品會(huì)取代獨(dú)立存儲(chǔ)器目前各廠商已經(jīng)基本掌握了用于實(shí)現(xiàn)第一階段應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù)。在車(chē)載MCU中,通常是將設(shè)備工作時(shí)使用的sram存儲(chǔ)器和用于存放程序的閃存集成在同一塊芯片上。如果能夠?qū)⒆孕⑷?b class="flag-6" style="color: red">MRAM集成到
2023-04-07 16:41:05
在所有常年興起的記憶中，MRAM似乎最有可能瀕臨大規(guī)模，廣泛采用。這是否會(huì)很快發(fā)生取決于制造的進(jìn)步和支持分立和嵌入式MRAM器件技術(shù)的生態(tài)系統(tǒng)。MRAM以及PCRAM和ReRAM已經(jīng)達(dá)到了一個(gè)臨界點(diǎn)
2020-08-12 17:42:01
磁阻式隨機(jī)存儲(chǔ)器(MRAM)是一種新型存儲(chǔ)器,其優(yōu)點(diǎn)有讀取速度快和集成度高及非揮發(fā)性等。目前許多研究主要是致力于將MRAM存儲(chǔ)器運(yùn)用于計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)系統(tǒng)中。MRAM因具有許多優(yōu)點(diǎn),有取代SRAM
2020-11-06 14:17:54
印刷電路板設(shè)計(jì)解決方案供貨商明導(dǎo)國(guó)際(Mentor Graphics)，宣布推出一種突破性布線技術(shù)，這種業(yè)界首創(chuàng)的拓樸布線(topology router)技術(shù)，能把工程師知識(shí)、電路板設(shè)計(jì)人
2018-08-31 11:53:50
的先進(jìn)技術(shù)，在節(jié)點(diǎn)上進(jìn)行了全包交鑰匙的300mm大批量平面內(nèi)和垂直MTJ ST-MRAM生產(chǎn)。其產(chǎn)品包裝和測(cè)試業(yè)務(wù)遍及中國(guó)，***和其他亞洲國(guó)家。 那Everspin MRAM內(nèi)存技術(shù)是如何工作
2020-08-31 13:59:46
為什么GaN可以在市場(chǎng)中取得主導(dǎo)地位?簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，相比LDMOS硅
技術(shù)而言，GaN這一材料
技術(shù)，大大提升了效率和功率密度。約翰遜優(yōu)值，表征高頻器件的材料適合性優(yōu)值， 硅
技術(shù)的約翰遜優(yōu)值僅為1， GaN最高，為324。而GaAs，約翰遜優(yōu)值為1.44?？隙ǖ卣f(shuō)，GaN是高頻器件材料
技術(shù)上的
突破?！ ?/div>
2019-06-26 06:14:34
STT-MRAM技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)
2020-12-16 06:17:44
求大神詳細(xì)介紹一下STT-MRAM的存儲(chǔ)技術(shù)
2021-04-20 06:49:29
MRAM，即磁阻式隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器的簡(jiǎn)稱，兼?zhèn)銼RAM的高速讀寫(xiě)性能與閃存存儲(chǔ)器的非易失性。STT-MRAM是通過(guò)自旋電流實(shí)現(xiàn)信息寫(xiě)入的一種新型MARM，屬于MRAM的二代產(chǎn)品，解決了MRAM寫(xiě)入信息
2021-12-10 07:06:51
everspin自旋轉(zhuǎn)矩MRAM技術(shù)
2020-12-25 07:53:15
Everspin的8Mb MRAM MR3A16ACMA35可以在較慢的富士通8Mb FRAM MB85R8M2T上運(yùn)行，但還允許系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員利用MRAM的四倍隨機(jī)存取周期時(shí)間。Everspin
2023-04-07 16:26:28
在2019全球閃存峰會(huì)上，Everspin作為全球MRAM存儲(chǔ)芯片龍頭分享如何用MRAM這類非易失性存儲(chǔ)和NVMe SSD構(gòu)建未來(lái)的云存儲(chǔ)的解決方案。
2021-01-11 06:44:23
作者 MahendraPakala半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在迎來(lái)下一代存儲(chǔ)器技術(shù)的新紀(jì)元，幾大主要變化趨勢(shì)正在成形。這其中包括磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器(MRAM) 的出現(xiàn)。我將在幾篇相關(guān)文章中介紹推動(dòng)MRAM 得以采用的背景，重點(diǎn)說(shuō)明初始階段面臨的一些挑戰(zhàn)，并探討實(shí)現(xiàn) STT MRAM 商業(yè)可行性的進(jìn)展。
2019-07-16 08:46:10
有何布局？設(shè)計(jì)人員又將迎來(lái)哪些全新機(jī)遇與重重挑戰(zhàn)？作為中國(guó)電子產(chǎn)業(yè)的一份子，你缺的是一個(gè)提供最新市場(chǎng)探析，展現(xiàn)技術(shù)全貌的平臺(tái)。鑒此，電子發(fā)燒友團(tuán)隊(duì)傾情打造的《可穿戴技術(shù)特刊》將是你的最佳選擇，在這里你
2014-03-06 08:56:06
、燃料電池、太陽(yáng)能、鋰離子電池、新材料應(yīng)用、能源提取。站在媒體角度來(lái)看，2017年的上半年可以稱之為技術(shù)的升級(jí)之年。無(wú)論是出行能耗的應(yīng)用，還是能源制取，還是能源利用率上，新技術(shù)的聚焦點(diǎn)都在如何更快捷、低成本的提高新能源利用率上。這釋放了一個(gè)非常明顯的市場(chǎng)信號(hào)--能源市場(chǎng)的轉(zhuǎn)型。中順動(dòng)力電池
2017-08-17 15:13:01
在半導(dǎo)體技術(shù)中，與數(shù)字技術(shù)隨著摩爾定律延續(xù)神奇般快速更新迭代不同，模擬技術(shù)的進(jìn)步顯得緩慢，其中電源半導(dǎo)體技術(shù)尤其波瀾不驚，在十年前開(kāi)關(guān)電源就已經(jīng)達(dá)到90+%的效率下，似乎關(guān)鍵指標(biāo)難以有大的突破，永遠(yuǎn)離不開(kāi)的性能“老三篇”——效率、尺寸、EMI/噪聲，少有見(jiàn)到一些突破性的新技術(shù)面市。
2019-07-16 06:06:05
視頻監(jiān)控技術(shù)在火災(zāi)報(bào)警領(lǐng)域有哪些新突破？
2021-06-01 06:47:05
MRAM具有成為通用存儲(chǔ)器的潛力-能夠?qū)⒋鎯?chǔ)存儲(chǔ)器的密度與SRAM的速度結(jié)合在一起，同時(shí)始終保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高輻射，可以在極端溫度條件下運(yùn)行，并且可以防篡改。MRAM技術(shù)仍遠(yuǎn)未
2020-04-15 14:26:57
基于magnum II測(cè)試系統(tǒng)的測(cè)試技術(shù)研究，提出了采用magnum II測(cè)試系統(tǒng)的APG及其他模塊實(shí)現(xiàn)對(duì)MRAM VDMR8M32進(jìn)行電性測(cè)試及功能測(cè)試。其中功能測(cè)試包括全空間讀寫(xiě)數(shù)據(jù)0測(cè)試，全空間讀寫(xiě)
2019-07-23 07:25:23
MRAM的優(yōu)異性能使它能較快取代目前廣泛采用的DRAM內(nèi)存及EEPROM閃存，作為新一代計(jì)算機(jī)的內(nèi)存。MRAM目前是新一代計(jì)算機(jī)內(nèi)存的最佳候選者，但不是唯一的，與它同期并存的還有FRAM(鐵電
2020-10-20 14:34:03
FS-ZD/E再啟動(dòng)控制器
·功能設(shè)定
1.再啟動(dòng)參數(shù)設(shè)定 在接觸器吸合時(shí)，數(shù)碼管顯示“啟動(dòng)次數(shù)”和“晃
2010-03-05 18:04:361737 
工研院與佳世達(dá)宣布簽約，將共同開(kāi)發(fā)下一代便攜式超聲波系統(tǒng)與芯片，期望能突破歐美日壟斷的高階醫(yī)材技術(shù)，發(fā)展自主核心技術(shù)及專利，以帶動(dòng)ICT產(chǎn)業(yè)與高階醫(yī)療器材整合。
2012-12-06 08:43:501757 MRAM是一種磁性多層膜的堆棧結(jié)構(gòu)，在這當(dāng)中最為關(guān)鍵的三層，上下兩層為磁性層（一為參考層，一為自由層），中間則為絕緣層。早前的MRAM的磁性層的磁化方向是水平排列，并可由電流來(lái)控制旋轉(zhuǎn)方向。方向相同
2013-07-09 09:33:461409 去年有報(bào)道稱，蘋(píng)果將在iPhone8上配備三星的存儲(chǔ)芯片。今年四月，Patently Apple又報(bào)道稱三星將為2018年的設(shè)備發(fā)布全新MRAM存儲(chǔ)芯片，標(biāo)志著一項(xiàng)技術(shù)性突破。
2017-07-01 10:46:22708 隨著越來(lái)越多具成本效益的應(yīng)用選擇磁阻隨機(jī)存取內(nèi)存(MRAM)，不僅為其帶來(lái)了成長(zhǎng)動(dòng)能，業(yè)界生態(tài)系統(tǒng)也開(kāi)始支持這一新興內(nèi)存選擇。
2018-05-15 09:24:494615 IMEC進(jìn)行了設(shè)計(jì)技術(shù)協(xié)同優(yōu)化（DTCO），以確定5nm節(jié)點(diǎn)上STT-MRAM單元的要求和規(guī)格，并得出了一個(gè)結(jié)論，高性能STT-MRAM位單元的MRAM間距是45nm接觸柵極間距的兩倍，是5nm最后
2018-12-18 15:33:544807 
在商品化方面，目前MRAM已發(fā)展到第三代，具有非揮發(fā)性、讀寫(xiě)速度快、能耗低、制程仍有持續(xù)微縮空間等優(yōu)點(diǎn)。就產(chǎn)品發(fā)展上，MRAM可分為獨(dú)立式(stand-alone)及嵌入式兩大類，目前獨(dú)立式占MRAM市場(chǎng)規(guī)模達(dá)95%以上。
2019-01-05 09:43:524007 
臺(tái)工業(yè)技術(shù)研究院10日于美國(guó)舉辦的國(guó)際電子元件會(huì)議（IEDM）中發(fā)表鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）、磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（MRAM）等6篇技術(shù)論文。其中，從研究成果顯示，工研院相較臺(tái)積電、三星的MRAM技術(shù)更具穩(wěn)定、快速存取優(yōu)勢(shì)。
2019-12-10 14:15:493198 GlobalFoundries、Everspin聯(lián)合宣布，雙方已經(jīng)達(dá)成新的合作，將利用GF 12LP(12nm FinFET)工藝來(lái)制造新一代STT-MRAM(自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻內(nèi)存)，包括獨(dú)立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。
2020-03-15 23:52:532742 GlobalFoundries、Everspin聯(lián)合宣布，雙方已經(jīng)達(dá)成新的合作，將利用GF 12LP（12nm FinFET）工藝來(lái)制造新一代STT-MRAM（自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻內(nèi)存），包括獨(dú)立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。
2020-03-16 08:42:26818 ST-MRAM有潛力成為領(lǐng)先的存儲(chǔ)技術(shù)，因?yàn)樗且环N高性能存儲(chǔ)器（可以挑戰(zhàn)DRAM和SRAM），可擴(kuò)展至10nm以下，并挑戰(zhàn)了閃存的低成本。STT代表旋轉(zhuǎn)傳遞扭矩。在ST-MRAM器件中，電子的自旋
2020-04-03 16:35:181821 MRAM技術(shù)是以可沉積在標(biāo)準(zhǔn)邏輯制程上的磁性隧道結(jié) (MTJ)儲(chǔ)存單元為基礎(chǔ)，MTJ中包含了一個(gè)維持單一極性方向的固定層，和一個(gè)通過(guò)隧道結(jié)與其隔離的自由層。當(dāng)自由層被施予和固定層相同方向的極化
2020-04-07 17:06:30820 MRAM是一種使用電子自旋來(lái)存儲(chǔ)信息的存儲(chǔ)技術(shù)（MRAM設(shè)備是Spintronics設(shè)備）。MRAM具有成為通用存儲(chǔ)器的潛力-能夠?qū)⒋鎯?chǔ)存儲(chǔ)器的密度與SRAM的速度結(jié)合在一起，同時(shí)始終保持非易失性
2020-04-09 09:13:147104 在新型 RAM 技術(shù)中，MRAM對(duì)物聯(lián)網(wǎng)和邊緣計(jì)算設(shè)備具有特別有吸引力。因?yàn)樗軐?shí)現(xiàn)比目前這類硬件上的首選存儲(chǔ)類內(nèi)存 -NAND閃存-低得多的功耗，同時(shí)實(shí)現(xiàn)非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。非易失性MRAM 本身
2020-04-07 14:08:171183 MRAM具有成為通用存儲(chǔ)器的潛力-能夠?qū)⒋鎯?chǔ)存儲(chǔ)器的密度與SRAM的速度結(jié)合在一起，同時(shí)始終保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高輻射，可以在極端溫度條件下運(yùn)行，并且可以防篡改。MRAM技術(shù)仍遠(yuǎn)未
2020-04-08 15:01:551239 MRAM內(nèi)存的Everspin開(kāi)始向STT-MRAM發(fā)運(yùn)最高1Gb的芯片容量，這種內(nèi)存密度使這些設(shè)備在許多應(yīng)用中更受關(guān)注。Everspin代理商英尚微電子提供產(chǎn)品技術(shù)支持及解決方案。 主要的嵌入式半導(dǎo)體制造商為工業(yè)和消費(fèi)應(yīng)用中使用的嵌入式產(chǎn)品提供MRAM非易失性存儲(chǔ)器選項(xiàng)。這些鑄造廠包括全球
2020-06-23 15:31:031349 市場(chǎng)份額。下一代MRAM技術(shù)（例如SOT-MRAM）甚至可以以更高的密度替換最快的SRAM應(yīng)用。 圖1 內(nèi)存制造過(guò)程
2020-07-13 11:25:581500 MRAM是一種使用電子自旋來(lái)存儲(chǔ)信息的存儲(chǔ)技術(shù)。MRAM具有成為通用存儲(chǔ)器的潛力-能夠?qū)⒋鎯?chǔ)存儲(chǔ)器的密度與SRAM的速度結(jié)合在一起，同時(shí)始終保持非易失性和高能效。Everspin MRAM可以抵抗高
2020-07-17 15:36:191159 
并行MRAM是大多數(shù)手機(jī)、移動(dòng)設(shè)備、膝上機(jī)、PC等數(shù)字產(chǎn)品的存儲(chǔ)器的潛在替代產(chǎn)品。從MRAM芯片技術(shù)的特性上來(lái)看，可以預(yù)計(jì)它將能解決包括計(jì)算機(jī)或手機(jī)啟動(dòng)慢、數(shù)據(jù)丟失、數(shù)據(jù)裝載緩慢、電池壽命短等
2020-07-20 15:33:521022 第一代MRAM是toggle MRAM，采取磁場(chǎng)寫(xiě)入數(shù)據(jù)的方式，其特點(diǎn)是容易設(shè)計(jì)制造，缺點(diǎn)在于尺寸大，難以微縮。
2020-07-23 11:32:574220 的領(lǐng)先趨勢(shì)來(lái)增強(qiáng)動(dòng)力。 什么是STT-MRAM？ 嵌入式存儲(chǔ)器IP選項(xiàng)包括STT-MRAM，相變存儲(chǔ)器（PCM），電阻RAM（ReRAM）和鐵電RAM（FRAM）。每種新興的內(nèi)存技術(shù)都不同，適合特定的應(yīng)用，但STT-MRAM似乎已成為主流。 STT-MRAM是一種電阻存儲(chǔ)技術(shù)，其中材料中電子的磁性自旋變
2020-08-04 17:24:264376 始終保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高輻射，可以在極端溫度條件下運(yùn)行，并且可以防篡改。這使得MRAM適用于汽車(chē)，工業(yè)，軍事和太空應(yīng)用，Everspin代理英尚微電子為用戶提供技術(shù)指導(dǎo)及產(chǎn)品應(yīng)用解決方案。 基于微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）的磁力計(jì)將使用MRAM替代日本研究衛(wèi)星上的靜態(tài)
2020-08-07 17:06:122668 基礎(chǔ)。 1995年IBM、摩托羅拉及好萊塢等三家大企業(yè)提供基金進(jìn)行高密、高速低耗MRAM芯片的開(kāi)發(fā),其技術(shù)指標(biāo)及產(chǎn)品目標(biāo)要求如下: 技術(shù)指標(biāo): 具有sram芯片的隨機(jī)存取速率; 具有DRAM芯片的大容量存儲(chǔ)密度; 具有EEPROM芯片存入數(shù)據(jù)的非易失性。 產(chǎn)品目標(biāo): 取代計(jì)算機(jī)的DRAM內(nèi)存，
2020-09-07 18:19:336600 
寫(xiě)入數(shù)據(jù)，同時(shí)在發(fā)生總功耗之前保留數(shù)據(jù)。Everspin一級(jí)代理英尚微電子本文介紹MRAM與其他內(nèi)存技術(shù)的相比較。 MRAM與內(nèi)存 內(nèi)存選項(xiàng)的比較與其他內(nèi)存技術(shù)選項(xiàng)相比，MRAM具有明顯的優(yōu)勢(shì)（下表1）。 表格1 MRAM與其他內(nèi)存技術(shù)相比具有相對(duì)優(yōu)勢(shì) Flash 這項(xiàng)技術(shù)
2020-09-18 14:25:181535 
MR25H256是一個(gè)串行MRAM，具有使用串行外圍設(shè)備接口的芯片選擇（CS），串行輸入（SI），串行輸出（SO）和串行時(shí)鐘（SCK）的四針接口在邏輯上組織為32Kx8的存儲(chǔ)器陣列。 SPI）總線
2020-09-19 09:33:053927 Everspin MRAM內(nèi)存技術(shù)是如何工作的？ Everspin MRAM與標(biāo)準(zhǔn)CMOS處理集成 Everspin MRAM基于與CMOS處理集成的磁存儲(chǔ)元件。每個(gè)存儲(chǔ)元件都將一個(gè)磁性隧道結(jié)
2020-09-19 09:52:052535 在所有常年興起的記憶中，MRAM似乎最有可能瀕臨大規(guī)模，廣泛采用。這是否會(huì)很快發(fā)生取決于制造的進(jìn)步和支持分立和嵌入式MRAM器件技術(shù)的生態(tài)系統(tǒng)。 MRAM以及PCRAM和ReRAM已經(jīng)達(dá)到了一個(gè)
2020-09-19 10:49:551933 經(jīng)常有人將MRAM稱作是非易失性存儲(chǔ)器（NVRAM）未來(lái)的關(guān)鍵性技術(shù)。作為一項(xiàng)非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)，MRAM存儲(chǔ)芯片是可以在掉電時(shí)保留數(shù)據(jù)并且不需要定期刷新。MRAM存儲(chǔ)芯片利用磁性材料和傳統(tǒng)的硅電路
2020-09-24 16:19:431948 的易失性存儲(chǔ)器，新的SoC級(jí)存儲(chǔ)器測(cè)試和修復(fù)挑戰(zhàn)不斷涌現(xiàn)。通過(guò)將自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRAM（STT-MRAM）作為嵌入式MRAM技術(shù)的領(lǐng)先趨勢(shì)來(lái)增強(qiáng)動(dòng)力，同時(shí)考慮了汽車(chē)應(yīng)用的需求。要為嵌入式MRAM選擇合適的內(nèi)存測(cè)試和修復(fù)解決方案，設(shè)計(jì)人員需
2020-10-14 15:52:191027 
一段不短的時(shí)間進(jìn)行啟動(dòng)才能正式使用，而無(wú)法像其他家電一樣即開(kāi)即用。然而MRAM卻是一種全新的技術(shù)，甚至有望令PC的應(yīng)用方式徹底改變。 一、斷電也能保存MRAM技術(shù)精髓 MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器，所謂非易失性是指關(guān)掉電源后，
2020-10-27 13:59:12885 的非易失性，這的確是很誘人的，畢竟它讓使用MRAM內(nèi)存的電腦可以像電視或者收音機(jī)那樣能夠馬上啟動(dòng)。除了MRAM，目前也有不少非易失性存儲(chǔ)器，其中包括大家最為熟悉的磁盤(pán)〔硬盤(pán)、軟盤(pán)）、Flash Memory（閃存）和EPROM。 作為內(nèi)存儲(chǔ)器，
2020-10-30 14:27:281742 安卓卡頓不卡頓，內(nèi)存是關(guān)鍵，頻繁清理后臺(tái)的話又會(huì)導(dǎo)致常駐APP減少，所以在Mate40系列手機(jī)上，華為推出了全新的內(nèi)存擴(kuò)展技術(shù)，可以讓內(nèi)存的等效容量變大四分之一，8GB等效10GB，12GB等效14GB。
2020-10-30 15:55:588590 MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（SRAM）的高速讀取寫(xiě)入能力;以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以無(wú)限次地重復(fù)寫(xiě)入。 MRAM的存儲(chǔ)原理 MRAM
2020-12-09 15:54:193134 
MRAM是一種以電阻為存儲(chǔ)方式結(jié)合非易失性及隨機(jī)訪問(wèn)兩種特性，可以兼做內(nèi)存和硬盤(pán)的新型存儲(chǔ)介質(zhì)。寫(xiě)入速度可達(dá)NAND閃存的數(shù)千倍，此外...
2020-12-10 20:55:10991 MRAM是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，可以在不需要電源的情況下將其內(nèi)容保留至少10年。它適用于在系統(tǒng)崩潰期間需要保存數(shù)據(jù)的商業(yè)應(yīng)用?；贛RA...
2020-12-15 01:11:35789 MRAM是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，可以在不需要電源的情況下將其內(nèi)容保留至少10年。它適用于在系統(tǒng)崩潰期間需要保存數(shù)據(jù)的商業(yè)應(yīng)用。基于MRA...
2022-01-26 17:59:13
1 高密度MRAM作為新興內(nèi)存的潛力取代DRAM和閃存等現(xiàn)有設(shè)備,通常使它已經(jīng)成功取代Toggle MRAM形式的成熟技術(shù)的陰影。
2022-01-26 18:46:465 在新型 RAM 技術(shù)中，MRAM 對(duì)物聯(lián)網(wǎng)和邊緣計(jì)算設(shè)備具有特別有吸引力。因?yàn)樗軐?shí)現(xiàn)比目前這類硬件上的首選存儲(chǔ)類內(nèi)存 -NAND閃存-低得多的...
2022-02-07 11:58:101 STT-MRAM是通過(guò)自旋電流實(shí)現(xiàn)信息寫(xiě)入的一種新型非易失性磁隨機(jī)存儲(chǔ)器，是磁性存儲(chǔ)器MRAM的二代產(chǎn)品。STT-MRAM存儲(chǔ)的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，它省略了...
2022-02-07 12:36:256 MRAM可能是非易失性存儲(chǔ)技術(shù)的下一個(gè)大事件。該技術(shù)利用了磁性材料的相對(duì)極性和電阻之間的關(guān)系。本質(zhì)上，當(dāng)兩個(gè)磁鐵靠近時(shí)，它們的電阻會(huì)發(fā)生變化，這取決于它們的磁極相對(duì)于另一個(gè)磁極的位置。
2022-07-25 16:04:331460 華為WATCH GT 3 Pro全新設(shè)計(jì)再塑經(jīng)典，突破性運(yùn)動(dòng)體驗(yàn)，
2022-09-06 15:40:561471 
，但由于結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的原因，在耐久性、讀寫(xiě)循環(huán)性能和成本上，Toggle-MRAM都不算是一個(gè)完美的方案，所以并沒(méi)有獲得什
2022-11-29 07:15:101685 MRAM是一種基于隧穿磁阻效應(yīng)的技術(shù)，MRAM的產(chǎn)品主要適用于容量要求低的特殊應(yīng)用領(lǐng)域以及新興的IoT嵌入式存儲(chǔ)領(lǐng)域，該技術(shù)擁有讀寫(xiě)次數(shù)無(wú)限、寫(xiě)入速度快（寫(xiě)入時(shí)間可低至2.3n）、功耗低、和邏輯芯片整合度高的特點(diǎn)。
2023-01-07 11:10:127933 由于智能電表必須不斷記錄數(shù)據(jù)，因此需要高耐久性的內(nèi)存。另外，OTA功能的加入，使得內(nèi)存的高效寫(xiě)入速度更加關(guān)鍵。MRAM的應(yīng)用是最理想的存儲(chǔ)器，它能滿足智能電表對(duì)高耐久性和快速寫(xiě)入速度的需求。方案及芯片詳情官方代理RAMSUN。
2023-02-23 14:45:09923 全新的存儲(chǔ)器MRAM，ReRAM，PCRAM，相對(duì)于傳統(tǒng)存儲(chǔ)器來(lái)說(shuō)，具有很多方面獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)，能夠在計(jì)算系統(tǒng)層級(jí)實(shí)現(xiàn)更優(yōu)的計(jì)算性能、功耗和成本。
2023-03-20 11:39:192403 在PLC(可編程邏輯控制器)產(chǎn)品中，MRAM芯片的應(yīng)用也日漸普及，本文將介紹MRAM芯片應(yīng)用于PLC產(chǎn)品上的特性。--代理商：吉芯澤科技
2023-03-29 16:31:222849 
加速科技在廈門(mén)地區(qū)上演“帽子戲法”，與廈門(mén)工研院達(dá)成正式合作。
2021-05-12 09:51:171538 
作為一種磁性技術(shù)，MRAM本質(zhì)上是抗輻射的。這使得獨(dú)立版本在航空航天應(yīng)用中很受歡迎，而且這些應(yīng)用對(duì)價(jià)格的敏感度也較低。它相對(duì)較大，在內(nèi)存領(lǐng)域，尺寸意味著成本。
2023-08-30 15:28:501058 鑒于AI、5G新時(shí)代的到來(lái)以及自動(dòng)駕駛、精準(zhǔn)醫(yī)療診斷、衛(wèi)星影像辨識(shí)等應(yīng)用對(duì)更高效率、穩(wěn)定性和更低功耗的內(nèi)存的需求愈發(fā)緊迫，如磁阻式隨機(jī)存取內(nèi)存（MRAM）這樣的新一代內(nèi)存技術(shù)已成為眾多廠商爭(zhēng)相研發(fā)的重點(diǎn)。
2024-01-18 14:44:002304 臺(tái)積電在MRAM技術(shù)方面已經(jīng)取得了顯著進(jìn)展，成功研發(fā)了22納米、16/12納米工藝的MRAM產(chǎn)品線，并積累了大量內(nèi)存和車(chē)用市場(chǎng)訂單。
2024-01-18 16:44:046163 臺(tái)積電近日宣布，與工研院合作開(kāi)發(fā)出自旋軌道轉(zhuǎn)矩磁性存儲(chǔ)器（SOT-MRAM）陣列芯片，該芯片具有極低的功耗，僅為其他類似技術(shù)的1%。這一創(chuàng)新技術(shù)為次世代存儲(chǔ)器領(lǐng)域帶來(lái)了新的突破。
2024-01-22 15:44:473700 三星電子今日正式宣告，其業(yè)界領(lǐng)先的超薄LPDDR5X內(nèi)存封裝技術(shù)已進(jìn)入量產(chǎn)階段，再次引領(lǐng)內(nèi)存技術(shù)潮流。此次推出的LPDDR5X內(nèi)存封裝，以驚人的0.65mm封裝高度，實(shí)現(xiàn)了對(duì)上一代產(chǎn)品0.71mm厚度的顯著縮減，縮減幅度高達(dá)9%，展現(xiàn)了三星在內(nèi)存封裝技術(shù)上的深厚積累和創(chuàng)新能力。
2024-08-07 11:21:461830 
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