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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>今日頭條>非易失性MRAM誕生過程

      非易失性MRAM誕生過程

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      2025-07-09 09:52:03580

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      。 ? 半導體存儲器按照斷電后數(shù)據(jù)是否繼續(xù)保存，可分為易失性(Volatile)存儲和非易失性(Non-Volatile)存儲。利基型DRAM屬于易失性存儲，NOR?Flash、SLC?NAND?Flash屬于非
      2025-06-29 06:43:001768

      半導體存儲芯片核心解析

      /FeRAM (阻變/鐵電) 等，目標是結(jié)合DRAM的速度和Flash的非易失性（存儲級內(nèi)存），部分已在特定領(lǐng)域應用（如MRAM做緩存），是未來重要方向。 CXL：一種新的高速互連協(xié)議，旨在更高效地連接
      2025-06-24 09:09:39

      同步電機失步淺析

      純分享帖，需要者可點擊附件免費獲取完整資料~~~*附件：同步電機失步淺析.pdf【免責聲明】本文系網(wǎng)絡轉(zhuǎn)載，版權(quán)歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權(quán)問題，請第一時間告知，刪除內(nèi)容！
      2025-06-20 17:42:06

      非侵入性經(jīng)皮脊髓電刺激（tSCS）的神經(jīng)機制與脊髓損傷康復臨床應用

      經(jīng)皮脊髓電刺激（transcutaneousspinalcordstimulation,tSCS）經(jīng)皮脊髓電刺激是一種通過皮膚表面電極向脊髓背根傳遞低頻脈沖電流、實現(xiàn)神經(jīng)調(diào)控的非侵入性技術(shù)。其核心
      2025-06-17 19:21:044631

      創(chuàng)飛芯130nm EEPROM IP通過客戶產(chǎn)品級考核

      國內(nèi)領(lǐng)先的一站式存儲NVM IP供應商創(chuàng)飛芯在非易失性存儲技術(shù)領(lǐng)域取得的一項重要成果 —— 基于130nm標準工藝平臺開發(fā)，為客戶定制開發(fā)的EEPROM IP，已順利通過客戶全流程的PVT測試
      2025-06-12 17:42:071062

      迪米科技非接觸紅外測溫賦能智能炒菜機新紀元：智享烹飪未來！

      迪米科技智能炒菜鍋溫控方案采用非接觸紅外傳感器、安裝于鍋腔內(nèi)壁底部位置，攻克傳統(tǒng)接觸式探針易受油污粘黏、且難以捕捉鍋體表面瞬息萬變的溫度變化。
      2025-06-04 14:00:43571

      新思科技先進OTP IP賦能高安全性SoC設計：構(gòu)建抗篡改的可靠芯片架構(gòu)

      在高性能計算、邊緣物聯(lián)網(wǎng)、人工智能和云計算等應用領(lǐng)域，要確保先進SoC設計的安全性與正確配置，一次性可編程（OTP）非易失性內(nèi)存（NVM）至關(guān)重要。隨著這些技術(shù)朝著先進FinFET節(jié)點發(fā)展，OTP
      2025-06-03 10:41:501780

      DS4520 9位、I2C、非易失、輸入/輸出擴展器與存儲器技術(shù)手冊

      DS4520是9位非易失(NV) I/O擴展器，具有通過I2C兼容的串行接口控制的64字節(jié)NV用戶存貯器。與用來控制數(shù)字邏輯節(jié)點的硬件跳線和機械開關(guān)相比，DS4520為用戶提供了數(shù)字可編程的替代方案
      2025-05-26 15:41:31457

      DS4510 CPU監(jiān)控電路，具有非易失存儲器和可編程輸入/輸出技術(shù)手冊

      DS4510是CPU監(jiān)控電路，具有內(nèi)部集成的64字節(jié)EEPROM存儲器和四個可編程的非易失性(NV) I/O引腳。它配備了工業(yè)標準I2C接口，使用快速模式(400kbps)或標準模式(100kbps
      2025-05-26 10:13:41748

      DS4550 I2C和JTAG、非易失、9位、輸入/輸出擴展器與存儲器技術(shù)手冊

      DS4550是9位，非易失(NV) I/O擴展器，具有I2C兼容串行接口或IEEE? 1149.1 JTAG端口控制的64字節(jié)NV用戶存儲器。DS4550采用數(shù)字編程替代硬件跳線和機械開關(guān)，實現(xiàn)對數(shù)
      2025-05-26 09:50:50683

      易飛揚亮相CommunicAsia 2025，展示非相干和相干DWDM經(jīng)濟型光傳輸解決方案

      深圳市易飛揚通信技術(shù)有限公司將攜多款創(chuàng)新非相干與相干DWDM解決方案，亮相新加坡CommunicAsia 2025展會（5月27-29日，展位號3E2-5），展現(xiàn)高速、低功耗、低成本及長距離光傳輸領(lǐng)域的最新突破。
      2025-05-23 17:43:04630

      ITEN與A*STAR IME宣布突破性固態(tài)電池的先進封裝整合

      電池的集成。這一里程碑為封裝內(nèi)儲能解決方案鋪平了道路，助力實現(xiàn)更高效、緊湊且可靠的系統(tǒng)級封裝(SiP)設計。 革新儲能與先進封裝 這一突破性創(chuàng)新標志著SiP技術(shù)的重大飛躍。通過在晶圓層面嵌入ITEN的高性能固態(tài)電池，ITEN與A*STAR IME成功展示了利用先進封裝直接集成非易失
      2025-05-22 13:08:59561

      賦能個性化表達！eSUN易生3D打印材料在時尚設計領(lǐng)域的應用

      3D打印技術(shù)可以突破傳統(tǒng)材料和工藝的限制，為用戶提供個性化且高效便捷的使用體驗。從華麗的T臺到人們的日常生產(chǎn)生活，3D打印技術(shù)都正在發(fā)揮更大的作用。eSUN易生豐富多樣的3D打印材料也一起見證了許多優(yōu)質(zhì)應用的誕生！
      2025-05-20 14:11:35643

      DS3911具有溫度控制的非易失、四通道、I2C接口DAC技術(shù)手冊

      DS3911是一款4通道、10位Σ-Δ輸出、非易失(NV)控制器，內(nèi)置溫度傳感器和相應的模/數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)。集成溫度傳感器提供分辨率為2°C的NV查找表(LUT)索引，溫度范圍為-40°C至
      2025-05-12 09:41:29713

      創(chuàng)飛芯0.13μm eFuse OTP IP量產(chǎn)突破1.5萬片

      萬片。作為我司首個應用于圖像傳感芯片的eFuse OTP IP案例，這一里程碑式的成果，標志著公司在非易失性存儲IP領(lǐng)域的技術(shù)實力和商業(yè)化能力邁上了新臺階。
      2025-05-09 10:12:281023

      六類非屏蔽網(wǎng)線是什么材質(zhì)的

      六類非屏蔽網(wǎng)線(CAT6 UTP)的材質(zhì)選擇直接影響其傳輸性能、耐用性和適用場景，其核心材質(zhì)構(gòu)成及特性如下： 1. 導體材質(zhì)：無氧銅(OFC) 核心作用：導體是信號傳輸?shù)妮d體，直接影響傳輸效率
      2025-05-06 10:24:461129

      硬件電路設計：深度解析eMMC的性能與應用

      eMMC（Embedded Multi Media Card）是一種專為嵌入式系統(tǒng)設計的非易失性存儲解決方案，它將NAND閃存、主控芯片和接口協(xié)議封裝在一個BGA（Ball Grid Array
      2025-04-14 00:00:004126

      簡單易操作超高分辨率掃描電鏡

      中圖儀器CEM3000簡單易操作超高分辨率掃描電鏡高易用性快速成像、一鍵成片，無需過多人工調(diào)節(jié)。超高分辨率優(yōu)于4nm(SE)，優(yōu)于8nm(BSE)@20kV，超大景深毫米級別景深，具有高空間分辨率
      2025-04-10 10:11:16

      昂科燒錄器支持Zbit恒爍半導體的非易失性閃存ZB25VQ16CS

      芯片燒錄領(lǐng)導者昂科技術(shù)近期宣布了其燒錄軟件的最新迭代，并公布了一系列新增兼容芯片型號。在此次更新中，恒爍半導體（Zbit）推出的非易失性閃存ZB25VQ16CS已被昂科燒錄程序芯片燒錄設備
      2025-04-09 15:22:11735

      飛易通攜<飛易云>系統(tǒng)助力物聯(lián)網(wǎng)新變革！

      一、什么是飛易云平臺 飛易云平臺是一個基于物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的云平臺,經(jīng)過軟硬件結(jié)合，用戶可以通過平臺進行設備定位管理、數(shù)據(jù)傳輸，商品廣告展示等可視化操作。它的優(yōu)勢為平臺操作簡單，能夠提高效率，節(jié)約
      2025-03-28 15:28:37684

      嵌入式硬件基礎(chǔ)知識匯總（附帶與硬件密切相關(guān)的軟件介紹）

      ，又可再對它寫入，為可讀/寫存儲器， 或隨機訪問存儲器。? 易失性 p 若存儲器在斷電之后，仍能保存其中的內(nèi)容，則稱為非易失性存儲器；否則，為易失性存儲器； p 只讀存儲器（ROM）是非易失性的，隨機
      2025-03-26 11:12:24

      存儲技術(shù)探秘 NAND Flash vs NOR Flash：藏在芯片里的"門道之爭"

      非易失存儲：斷電后數(shù)據(jù)不丟失 可重復編程：支持擦寫操作（需先擦除后寫入） 二進制操作：擦除后全為 1，寫操作將 1 變?yōu)?0 核心差異 一、物理結(jié)構(gòu)對比 NOR 特性 獨立存儲單元并聯(lián)架構(gòu) 支持隨機
      2025-03-18 12:06:501167

      磁性近程傳感器保證非接觸式定位和近程檢測的靈活性和可靠性

      保證非接觸式定位? 和近程檢測的 靈活性和可靠性 ? 磁性近程傳感器為多種應用中的非接觸式定位和近程檢測提供了可靠而靈活的可選方案。這類傳感器能夠通過多種非磁性表面可靠地檢測磁場。磁性近程傳感器
      2025-03-17 11:53:241113

      磁場開關(guān)誤跳造成發(fā)電機失磁跳機事故分析

      角形接線接入系統(tǒng)。2臺機組分別于2006年1,3月 投入系統(tǒng)運行。投運后不久，31號機組發(fā)生了一起 因施工質(zhì)量和施工工藝問題引起的磁場開關(guān)誤分 閘，造成發(fā)電機失磁跳機事故。純屬分享，點擊下方附件免費下載*附件：20250312_磁場開關(guān)誤跳造成發(fā)電機失磁跳機事故分析.docx
      2025-03-12 17:05:42

      NAND閃存的工作原理和結(jié)構(gòu)特點

      NAND閃存是一種非易失性存儲技術(shù)，廣泛用于固態(tài)硬盤、USB閃存盤和手機存儲中，具有高速讀寫和耐用性強的特點。
      2025-03-12 10:21:145317

      三一挖掘機一鍵啟動開關(guān)易壞的原因及更換注意事項

      三一挖掘機一鍵啟動開關(guān)易壞的原因雖然三一挖掘機的一鍵啟動系統(tǒng)設計旨在提高便利性和安全性，但在實際使用中，可能會出現(xiàn)一些問題導致開關(guān)易壞。這些問題可能包括：頻繁使用：挖掘機在施工過程中頻繁啟動和關(guān)閉
      2025-03-12 09:29:10

      無感直流BLDC，大占空比情況下失步怎么解決？

      無感直流BLDC，大占空比情況下失步問題
      2025-03-11 08:00:38

      MRAM存儲替代閃存，F(xiàn)PGA升級新技術(shù)

      電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，日前，萊迪思宣布在FPGA設計上前瞻性的布局，使其能夠結(jié)合MRAM技術(shù)，推出了包括Certus-NX、CertusPro-NX和Avant等多款創(chuàng)新產(chǎn)品。這些FPGA器件采用
      2025-03-08 00:10:001803

      EPM1270T144C5N TQFP-144 0℃~+85℃ 可編程邏輯性芯片

      特性低成本、低功耗的復雜可編程邏輯器件（CPLD）即時啟動，非易失性架構(gòu)待機電流低至 2 毫安提供快速的傳播延遲和時鐘到輸出時間提供四個全局時鐘，每個邏輯陣列塊（LAB）有兩個時鐘可用高達 8 千
      2025-03-07 15:19:03

      力旺電子攜手熵碼科技推出后量子加密解決方案

      全球嵌入式非易失性內(nèi)存（eNVM）解決方案的領(lǐng)導廠商力旺電子，與旗下專注于PUF（物理不可克隆功能）安全IP的子公司熵碼科技，今日正式推出全球首款結(jié)合PUF技術(shù)的后量子加密（PQC）解決方案。此
      2025-03-05 11:43:101003

      易控智駕發(fā)布礦山無人駕駛應用落地成果

      近日，“易路相伴 智約共贏”無人駕駛礦用車規(guī)?；瘧贸晒l(fā)布會在三亞順利召開。作為全球領(lǐng)先的礦山無人駕駛公司，易控智駕發(fā)布了礦山無人駕駛應用落地成果，成為行業(yè)首個突破落地1000臺無人駕駛礦卡規(guī)
      2025-03-04 11:25:001012

      MXD1210非易失RAM控制器技術(shù)手冊

      MXD1210非易失性RAM控制器是一款超低功耗CMOS電路，可將標準（易失性）CMOS RAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲器。它還會持續(xù)監(jiān)控電源，以在RAM的電源處于邊際（超出容限）條件時提供RAM寫保護。當電源開始出現(xiàn)故障時，RAM受到寫保護，并且器件切換到電池備用模式。
      2025-02-28 10:48:16917

      DS9034PCX PowerCap，帶有晶振技術(shù)手冊

      DS9034PCX PowerCap作為非易失性計時RAM的鋰電源，采用Dallas Semiconductor的直接表面貼裝PowerCap模塊(PCM)封裝。PowerCap模塊板焊接到位并清潔
      2025-02-28 10:07:12805

      DS1321靈活的非易失控制器，帶有鋰電池技術(shù)手冊

      帶鋰電池監(jiān)控器的DS1321靈活非易失性控制器是一款CMOS電路，解決了將CMOS SRAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲器的應用問題。監(jiān)控輸入功率是否發(fā)生超出容差的情況。當檢測到這種情況時，芯片使能輸出會被
      2025-02-28 10:00:43985

      DS1314 3V、非易失控制器，帶有鋰電池監(jiān)測器技術(shù)手冊

      帶電池監(jiān)控器的DS1314非易失性控制器是一個CMOS電路，解決了將CMOS RAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲器的應用問題。監(jiān)控輸入功率是否發(fā)生超出容差的情況。當檢測到這種情況時，芯片使能會被禁止以實現(xiàn)
      2025-02-28 09:53:17806

      DS1312非易失控制器，帶有鋰電池監(jiān)測器技術(shù)手冊

      帶電池監(jiān)控器的DS1312非易失性控制器是一個CMOS電路，解決了將CMOS RAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲器的應用問題。監(jiān)控輸入功率是否發(fā)生超出容差的情況。當檢測到這種情況時，芯片使能會被禁止以實現(xiàn)
      2025-02-28 09:48:45743

      DS1746 Y2K兼容、非易失時鐘RAM技術(shù)手冊

      DS1746是一款全功能、符合2000年標準(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)和128k x 8非易失性靜態(tài)RAM。用戶對DS1746內(nèi)所有寄存器的訪問都通過字節(jié)寬接口實現(xiàn)，如圖1所示。RTC
      2025-02-27 17:20:04913

      DS1557 4M非易失、Y2K兼容時鐘RAM技術(shù)手冊

      DS1557是一款全功能、符合-2000年標準(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)，具有RTC警報、看門狗定時器、上電復位、電池監(jiān)控器和512k x 8非易失性靜態(tài)RAM。用戶對DS1557內(nèi)所有
      2025-02-27 17:11:32931

      DS1554 256k非易失、Y2K兼容時鐘RAM技術(shù)手冊

      DS1554是一款全功能、符合2000年標準(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)，具有RTC警報、看門狗定時器、上電復位、電池監(jiān)控器和32k x 8非易失性靜態(tài)RAM。用戶對DS1554內(nèi)所有
      2025-02-27 16:54:351041

      DS1747 Y2K兼容、非易失時鐘RAM技術(shù)手冊

      DS1747是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用戶可通過如圖1所示的單字節(jié)寬度的接口對DS1747內(nèi)部的所有寄存器進行訪問。RTC
      2025-02-27 15:51:09872

      DS1265AB 8M非易失SRAM技術(shù)手冊

      DS1265 8M非易失SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否超出容差范圍
      2025-02-27 09:19:54819

      DS1249AB 2048k非易失SRAM技術(shù)手冊

      DS1249 2048k非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否
      2025-02-27 09:09:09949

      MICRON/美光 MT25QL512ABB8ESF-0SIT SOP16閃存存儲芯片

      可達90 MB/s?STR和DTR支持的協(xié)議——擴展I/O協(xié)議——雙I/O協(xié)議——四I/O協(xié)議?就地執(zhí)行（XIP）?程序/擦除暫停操作?易失性和非易失性配置設置?軟
      2025-02-19 16:15:14

      M95320-DRMN3TP/K產(chǎn)品概述

      M95320-DRMN3TP/K是一款高性能的串行EEPROM，采用SPI接口，具有32Kbit的存儲容量。該器件專為需要非易失性存儲的應用設計，能夠在斷電后保持數(shù)據(jù)
      2025-02-18 21:57:03

      如何提高錫膏在焊接過程中的爬錫性？

      錫膏的爬錫性對于印刷質(zhì)量和焊接效果至關(guān)重要。要提高錫膏在焊接過程中的爬錫性
      2025-02-15 09:21:38973

      騰訊與銷售易戰(zhàn)略合作升級

      近日，SaaS領(lǐng)域傳來重要消息，銷售易宣布與騰訊的戰(zhàn)略合作再次升級。此次升級將圍繞產(chǎn)品、技術(shù)、生態(tài)等多個維度展開，旨在共同開拓SaaS賽道的新增長路徑和機遇。 為了更有效地整合和發(fā)揮雙方的優(yōu)勢資源
      2025-02-14 14:09:04722

      STT-MRAM新型非易失性磁隨機存儲器

      2025-02-14 13:49:27

      Meta AI推出Brain2Qwerty：非侵入性大腦信號轉(zhuǎn)文本系統(tǒng)

      。 Brain2Qwerty系統(tǒng)主要依賴于非侵入性的技術(shù)手段來捕捉和解析大腦活動。具體而言，它結(jié)合了腦電圖(EEG)和腦磁圖(MEG)這兩種先進的神經(jīng)科學工具，以精確記錄志愿者在思考過程中的大腦信號。 在研究過程中，Meta AI的團隊招募了一批健康的志愿者參與實驗。這些志愿者被
      2025-02-11 13:37:39941

      M24C16-DRDW3TP/K

      半導體（STMicroelectronics）推出的一款高性能 EEPROM 存儲器，具有 16 Kbit 的存儲容量，專為需要非易失性存儲的應用設計。這款器件采
      2025-02-10 07:41:41

      閃速存儲器是u盤嗎，閃速存儲器一般用來做什么的

      在信息技術(shù)飛速發(fā)展的今天，閃速存儲器（Flash Memory）以其高速度、大容量和非易失性的特性，成為數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域的重要成員。而U盤，作為閃速存儲器的一種常見應用形式，更是憑借其便攜性和易用性，在
      2025-01-29 15:12:001449

      ABB變頻器易發(fā)故障及解決方法

      ? ? ? ABB變頻器作為工業(yè)中常用的調(diào)速裝置，其穩(wěn)定性和可靠性至關(guān)重要。然而，由于使用環(huán)境、操作不當或設備老化等因素，ABB變頻器在使用過程中可能會出現(xiàn)各種故障。以下是一些ABB變頻器易發(fā)故障
      2025-01-21 17:33:412962

      昂科燒錄器支持Zbit恒爍半導體的非易失性閃存ZB25VQ32DS

      在此次更新中，恒爍半導體（Zbit）推出的非易失性閃存ZB25VQ32DS已被昂科的程序燒錄專業(yè)芯片燒錄設備AP8000所支持。昂科技術(shù)自主研發(fā)的AP8000萬用燒錄器，支持包括一拖一及一拖八配置
      2025-01-17 09:30:20872

      TPL0501-100上電后，它的抽頭到一端的電阻是多少？

      有人用過數(shù)字電位器TPL0501-100么？器件比較中說它采用的是易失性存儲介質(zhì)，但是datasheet中關(guān)于這點只字未提，不知道上電后，它的抽頭到一端的電阻是多少？
      2025-01-14 08:37:07

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