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標(biāo)簽 > nand flash
Nand-flash存儲器是flash存儲器的一種,其內(nèi)部采用非線性宏單元模式,為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。
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紫光南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基正式開工 將支撐我國存儲器跨越式發(fā)展
據(jù)悉,紫光南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地項目由紫光集團(tuán)投資建設(shè),主要產(chǎn)品為3D-NAND FLASH、DRAM存儲芯片等,占地面積約1500畝。項目一期投資約100...
2017-02-13 標(biāo)簽:DRAM存儲芯片NAND FLASH 1.4k 0
文章目錄 一、簡介 二、速度測試 最近比較忙,也一直沒空發(fā)什么文章,這算是新年第一篇吧,正好最近收到了一個雷龍的flash芯片,先拿來玩一下吧。 有興趣...
2024-06-14 標(biāo)簽:芯片測試Nand flash 1.4k 0
中國紫光集團(tuán)宣布,投入快閃記憶體戰(zhàn)場,在武漢興建全球規(guī)模最大廠房,總投資金額超過240億美元,引發(fā)產(chǎn)業(yè)界震撼。紫光集團(tuán)董事長趙偉國:“我們在武漢投資兩百...
2017-01-03 標(biāo)簽:NAND Flash快閃記憶體紫光集團(tuán) 1.4k 0
存儲產(chǎn)業(yè)在歷經(jīng)價格血戰(zhàn)成了三強鼎立的寡占市場,中國在市場、國安考量力求在存儲有所突圍,原先的紫光、武漢新芯從各自進(jìn)擊到合體發(fā)展,另外兩組勢力在聯(lián)電、中芯...
2016-11-15 標(biāo)簽:DRAM存儲NAND Flash 1.3k 0
英特爾牽手大連市政府生產(chǎn)Nand flash芯片
英特爾投資 55 億美元轉(zhuǎn)型建造的大連 NAND Flash 廠房已完工,并于 25 日正式投產(chǎn)。報導(dǎo)指稱,位于遼寧省大連市金普新區(qū)的該廠區(qū),為全球首座...
2016-08-17 標(biāo)簽:Nand flash 1.3k 0
東芯半導(dǎo)體喜獲2022第七屆中國IoT創(chuàng)新獎-技術(shù)創(chuàng)新獎
? ? 2022?中國IoT創(chuàng)新獎 2022年,市場風(fēng)云變幻,在產(chǎn)業(yè)驅(qū)動、需求驅(qū)動和價值驅(qū)動三個維度,中國IoT市場迎來了快速增長期,物聯(lián)網(wǎng)芯片市場快速...
2022-12-09 標(biāo)簽:存儲芯片Nand flashslc 1.3k 0
SK海力士2024年第一季度將調(diào)整DRAM減產(chǎn)計劃
盡管在2023年面臨存儲芯片市場下滑和價格下跌,SK海力士因應(yīng)人工智能芯片需求的增長,尤其是高帶寬內(nèi)存(HBM)的激增,于去年12月成功超越競爭對手三星...
2024-01-12 標(biāo)簽:DRAM三星電子Nand flash 1.3k 0
根據(jù)TrendForce旗下研究部門DRAMeXchange調(diào)查,DRAM合約價格在7月上旬呈現(xiàn)本年度首次下跌的走勢后,下旬合約價依然持續(xù)疲弱,4GB均...
2012-08-09 標(biāo)簽:DRAMNAND Flash集邦科技 1.3k 0
三星電子(Samsung Electronics)與IBM攜手研發(fā)出11納米制程的次世代存儲器自旋傳輸(Spin Transfer Torque)磁性存...
12吋硅晶圓缺貨 半導(dǎo)體供應(yīng)鏈恐進(jìn)入萬物皆漲時代
據(jù)臺灣媒體報道,全球12吋硅晶圓缺貨如野火燎原,不僅臺積電、NAND Flash存儲器廠和大陸半導(dǎo)體廠三方人馬爭相搶料,加上10納米測試晶圓的晶棒消耗量...
2017-01-21 標(biāo)簽:硅晶圓NAND FlashiPhone 8 1.3k 0
受惠于服務(wù)器存儲設(shè)備增長和5G商機 DRAM價格跌幅趨勢放緩
受到歐美大廠包括亞馬遜(Amazon)、Facebook、微軟(Microsoft)、Google等網(wǎng)絡(luò)巨擘在2019年搶攻市占的規(guī)劃依然積極,將有利于...
2019-03-04 標(biāo)簽:微軟DRAMNAND Flash 1.2k 0
庫存仍高+需求疲軟,第二季DRAM合約價季跌幅達(dá)15%
2019年上半年DRAM產(chǎn)業(yè)仍處于供過于求的狀態(tài),導(dǎo)致價格持續(xù)下跌。
2019-02-20 標(biāo)簽:DRAM存儲器NAND FLASH 1.2k 2
市場研究機構(gòu)TrendForce日前報告也指出,近期NAND Flash現(xiàn)貨市場顆粒報價受到晶圓合約價成功拉漲消息帶動,部分品項出現(xiàn)較積極詢價需求。
2023-09-07 標(biāo)簽:存儲器存儲芯片Nand flash 1.2k 0
存儲器大廠美光(Micron)昨(20)日召開法說會,執(zhí)行長Mark Durcan看好下半年NAND Flash旺季,并指出未來12個月,NAND市場產(chǎn)...
根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查,綜觀2019年第二季NAND Flash(閃存)產(chǎn)業(yè)營收表現(xiàn),以需求面來看,智能手機、筆記本...
中國紫光集團(tuán)宣布,投入快閃存儲器戰(zhàn)場,在武漢興建全球規(guī)模最大廠房,總投資金額超過240億美元,引發(fā)產(chǎn)業(yè)界震撼。
2017-01-03 標(biāo)簽:NAND Flash快閃存儲器紫光 1.2k 0
DRAM價跳增!SK hynix營益遠(yuǎn)優(yōu)
全球第二大存儲器制造商SK hynix Inc. 25日公布第2季(4-6月)財報:拜DRAM價格持續(xù)上揚、產(chǎn)品組合改善之賜,凈利達(dá)9,460億韓元(1...
2013-07-26 標(biāo)簽:DRAMNAND FlashSK hynix 1.2k 0
根據(jù)調(diào)查,市場預(yù)期 NAND Flash 部份系統(tǒng)產(chǎn)品客戶為因應(yīng)新產(chǎn)品上市庫存回補需求,9月份可望逐漸開始回溫。因此,8月下旬 NAND Flash 合...
2011-09-07 標(biāo)簽:FlashNAND Flash 1.1k 0
DRAM稼動率緩步改善,業(yè)界認(rèn)為,整體DRAM投片量從2024年第1季將逐季提升,較2023年第4季小幅提升約5%左右,下半年投片量回升速度將明顯加快。
2024-01-23 標(biāo)簽:DRAM存儲芯片Nand flash 1.1k 0
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