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標簽 > nand flash
Nand-flash存儲器是flash存儲器的一種,其內(nèi)部采用非線性宏單元模式,為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。
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五月DRAM與NAND Flash價格持續(xù)滑落5-10%,第三季跌幅可望收斂
智能型手機和筆記本計算機市場需求疲軟的情況持續(xù),五月份內(nèi)存和閃存價格持續(xù)滑落,客戶端的庫存去化速度不如預(yù)期,在第一季財報公布后各家存儲器供貨商面臨獲利大...
具有快速數(shù)據(jù)傳輸功能的4Mbit FeRAM MB85RQ4ML
加賀富儀艾電子旗下代理品牌富士通半導(dǎo)體正在批量生產(chǎn)具有快速數(shù)據(jù)傳輸功能的 4Mbit FeRAM MB85RQ4ML。這種非易失性存儲器可以在最大 10...
2022-08-26 標簽:存儲器Nand flashMRAM 1.1k 0
鴻海并購東芝半導(dǎo)體無望?美中廠商展開爭奪大戰(zhàn)
備受業(yè)界關(guān)注的日本東芝(Toshiba)出售半導(dǎo)體事業(yè)案,傳聞吸引來自美國、南韓、中國大陸、臺灣等多路人馬參與競標,前外資分析師陸行之先前曾提出3大理由...
2017-03-01 標簽:鴻海蘋果NAND Flash 1.1k 0
工信部公示了集成電路領(lǐng)域4項國家標準,主要集中在存儲器測試方面。另外,近期總投資240億美元的國家存儲器基地項目在武漢東湖高新區(qū)正式開工,中芯國際40n...
2017-01-18 標簽:集成電路NAND Flash存儲器測試 1.1k 0
集微網(wǎng)消息,日前東芝曾就拆分旗下半導(dǎo)體事業(yè),并成立為公司而出售股權(quán)以彌補母公司嚴重的財務(wù)虧損計劃發(fā)布新聞,包括西部數(shù)據(jù)(Western Digital)...
2017-03-02 標簽:NAND flash鴻海東芝半導(dǎo)體 1.1k 0
在移動裝置的帶動之下,閃存市場成長快速,根據(jù)IHS iSuppli研究指出,由于手機、游戲控制面板和混合存儲驅(qū)動器等產(chǎn)品市場擴大,NAND Flash在...
2013-07-12 標簽:閃存SanDiskNAND Flash 1.1k 0
HBM4 預(yù)計將于 2026 年推出,具有針對英偉達和其他 CSP 未來產(chǎn)品量身定制的增強規(guī)格和性能。在更高速度的推動下,HBM4 將標志著其最底部邏輯...
2023-11-28 標簽:存儲芯片Nand flash英偉達 1.1k 0
隨著移動裝置的普及,將電子設(shè)備隨身帶出門已經(jīng)不成什么問題,但伴隨而來的重要挑戰(zhàn),則是內(nèi)容儲存的穩(wěn)定性問題。事實上,隨著固態(tài)硬盤SSD的問世,傳統(tǒng)機械式硬...
存儲器國家隊豪言:2020年追上世界領(lǐng)先技術(shù)
楊士寧透露,長江存儲 32 層 3D NAND Flash 發(fā)展順利,產(chǎn)品指標也良好,預(yù)計將在 2019 年實現(xiàn)產(chǎn)能滿載。甚至豪言,要在 2019 年與...
2017-01-17 標簽:存儲器NAND Flash長江存儲 1.1k 0
日韓貿(mào)易戰(zhàn)與東芝跳電影響內(nèi)存和閃存價格走勢?
集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出,繼6月中旬東芝斷電事件后,日本政府近日宣布從7月4日起,開始管控向韓國出口3種生產(chǎn)半導(dǎo)體、智能手...
2019-07-17 標簽:DRAM三星電子NAND Flash 1.1k 0
全行業(yè)正在努力將 3D 引入 DRAM。采用 3D X-DRAM 僅涉及利用當前成熟的 3D NAND 工藝,這與學(xué)術(shù)論文提出和內(nèi)存行業(yè)研究的許多將 D...
2023-05-30 標簽:DRAMNand flash 1.1k 0
從NAND Flash存儲來看,全球市場也高度集中。據(jù)CFM閃存市場的數(shù)據(jù),2022年全球NAND Flash市場規(guī)模為601.26億美元,由三星電子、...
2023-03-31 標簽:DRAM存儲器半導(dǎo)體存儲器 1.1k 0
全球第2大NAND型快閃存儲器(Flash Memory)廠商東芝(Toshiba)將在 2017 年度采用被稱為“納米壓?。∟ano-imprint ...
2016-06-04 標簽:東芝NAND FlashNIL技術(shù) 1.1k 0
從存儲芯片的市場表現(xiàn)來看,兩大類別DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)與NAND Flash(閃存存儲器)目前的價格較今年谷底都出現(xiàn)了上漲。
2023-12-19 標簽:DRAM存儲芯片Nand flash 1k 0
NAND Flash供貨吃緊 英特爾將優(yōu)先供應(yīng)企業(yè)級SSD
根據(jù)科技網(wǎng)站 ZDNet 的報導(dǎo)指出,半導(dǎo)體龍頭英特爾(intel)正透過管道向合作伙伴發(fā)出通知,預(yù)計 2017 年全年 SSD 硬盤因為供應(yīng)吃緊,這也...
2017-03-28 標簽:英特爾SSDNAND Flash 1k 0
DRAM漲價潮:廠商減產(chǎn)引發(fā)需求激增,持續(xù)尋求利潤改善
報導(dǎo)指出,因各家內(nèi)存廠商減產(chǎn)、市場過剩情況緩解,2023年11月DRAM批發(fā)價約2年半來首度呈現(xiàn)揚升。各家內(nèi)存廠商為了改善獲利,今后將持續(xù)要求漲價。
2024-01-25 標簽:DRAM存儲芯片Nand flash 1k 0
9月12日,據(jù)《韓國經(jīng)濟日報》報導(dǎo),三星電子近期與客戶(谷歌等手機制造商)簽署了內(nèi)存芯片供應(yīng)協(xié)議,DRAM和NAND閃存芯片價格較現(xiàn)有合同價格上調(diào)10%...
根據(jù)DIGITIMES的報導(dǎo),NAND Flash缺貨,加上SSD可能是新款電子產(chǎn)品的重要選擇,缺貨現(xiàn)象可能延續(xù)到2017Q1以后。估計2017年DRA...
2016-12-01 標簽:存儲器NAND Flash 982 0
NAND Flash持續(xù)缺貨 SSD/eMMC漲價將超10%
根據(jù)TrendForce旗下內(nèi)存儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新研究顯示,受惠于強勁的智能型手機出貨、eMMC/eMCP平均搭載容量提升及SSD的...
2016-12-16 標簽:SSDNAND Flash 980 0
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