英偉達HBM3e 驗證計劃2024 Q1完成

預(yù)計英偉達HBM3e 驗證將于2024 Q1完成。

TrendForce對HBM市場的最新研究表明，英偉達計劃使其HBM供應(yīng)商多元化，以實現(xiàn)更強大、更高效的供應(yīng)鏈管理。三星的 HBM3 (24GB) 預(yù)計將于今年 12 月完成英偉達的驗證。HBM3e 的進展情況如下表所示，美光于 7 月底向英偉達提供了 8hi (24GB) 樣品，8 月中旬向 SK 海力士提供，10 月初向三星提供。

鑒于 HBM 驗證過程的復(fù)雜性（預(yù)計需要兩個季度），TrendForce 預(yù)計一些制造商可能會在 2023 年底之前獲悉 HBM3e 的初步結(jié)果。不過，普遍預(yù)計主要制造商將在 2024 年第一季度之前獲得明確的結(jié)果。值得注意的是，最終評估仍在進行中，結(jié)果將影響英偉達2024 年的采購決策。 ?

英偉達繼續(xù)主導(dǎo)高端芯片市場，擴大其先進AI芯片陣容

? 2024 年即將到來，多家 AI 芯片供應(yīng)商紛紛推出最新產(chǎn)品。英偉達目前的 2023 年高端 AI 系列采用了 HBM，包括 A100/A800 和 H100/H800 等型號。2024 年，英偉達計劃進一步完善其產(chǎn)品組合。新增加的產(chǎn)品包括使用 6 個 HBM3e 芯片的 H200 和使用 8 個 HBM3e 芯片的 B100。英偉達還將集成自家基于 Arm 的 CPU 和 GPU，推出 GH200 和 GB200，通過更專業(yè)、更強大的 AI 解決方案增強其產(chǎn)品陣容。

相比之下，AMD 2024 年的重點是采用 HBM3 的 MI300 系列，下一代 MI350 過渡到 HBM3e。該公司預(yù)計將于2024年下半年開始對 MI350 進行 HBM 驗證，預(yù)計 25 年 1 季度產(chǎn)品將大幅增加。 Intel Habana 在 2H22 推出了 Gaudi 2，它采用了 6 個 HBM2e 堆棧。即將推出的 Gaudi 3（預(yù)計于 2024 年中期推出）預(yù)計將繼續(xù)使用 HBM2e，但將升級至 8 個堆棧。TrendForce認為，英偉達憑借其最先進的HBM規(guī)格、產(chǎn)品準(zhǔn)備和戰(zhàn)略時間表，將在GPU領(lǐng)域保持領(lǐng)先地位，進而在競爭激烈的AI芯片市場保持領(lǐng)先地位。

?HBM4 可能轉(zhuǎn)向商品 DRAM 之外的定制

? HBM4 預(yù)計將于 2026 年推出，具有針對英偉達和其他 CSP 未來產(chǎn)品量身定制的增強規(guī)格和性能。在更高速度的推動下，HBM4 將標(biāo)志著其最底部邏輯芯片（基礎(chǔ)芯片）首次使用 12 納米工藝晶圓，由代工廠提供。這一進步標(biāo)志著代工廠和存儲器供應(yīng)商之間針對每種 HBM 產(chǎn)品的合作努力，反映了高速存儲器技術(shù)不斷發(fā)展的前景。隨著更高計算性能的推動，HBM4 將從當(dāng)前的 12 層(12hi)堆棧擴展到 16 層 (16hi) 堆棧，從而刺激對新混合鍵合技術(shù)的需求。HBM4 12hi 產(chǎn)品將于 2026 年推出，16hi 型號將于 2027 年推出。

最后，TrendForce 指出 HBM4 市場的定制需求發(fā)生了重大轉(zhuǎn)變。買家正在啟動定制規(guī)范，超越與 SoC 相鄰的傳統(tǒng)布局，并探索將 HBM 直接堆疊在 SoC 頂部等選項。雖然這些可能性仍在評估中，但 TrendForce 預(yù)計將針對 HBM 行業(yè)的未來采取更加量身定制的方法。與商品 DRAM 的標(biāo)準(zhǔn)化方法相反，這種向定制化的轉(zhuǎn)變預(yù)計將帶來獨特的設(shè)計和定價策略，標(biāo)志著對傳統(tǒng)框架的背離，并預(yù)示著 HBM 技術(shù)專業(yè)化生產(chǎn)時代的到來。存儲芯片市場價格的反彈信號，讓行業(yè)人士看到“曙光”。

在2024年存儲產(chǎn)業(yè)趨勢研討會上，集邦咨詢資深研究副總經(jīng)理吳雅婷表示：“2023年，原廠產(chǎn)能策略步調(diào)一致，均以去庫存為目標(biāo)。目前實際生產(chǎn)量已經(jīng)低于需求，預(yù)計第四季度庫存去化將加速。展望明年，供需將逐步走向平衡，帶動價格緩步上漲。”近2年來，全球存儲芯片產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了過山車行情，從2021年的缺貨，供不應(yīng)求，到2022年的產(chǎn)能過剩，2023年第三季度開始出現(xiàn)反轉(zhuǎn)信號，存儲芯片春天即將到來。進入第四季度，多個型號的存儲芯片呈現(xiàn)漲價之勢。根據(jù)集邦咨詢最新研究數(shù)據(jù)，今年第四季Mobile DRAM（移動動態(tài)隨機存取存儲器）合約價季漲幅預(yù)估將擴大至13%至18%。

NAND Flash（閃存存儲器）方面，eMMC（嵌入式多媒體存儲芯片）、UFS（通用閃存存儲芯片）第四季合約價漲幅約10%至15%；由于Mobile DRAM一直以來獲利表現(xiàn)均較其他DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）產(chǎn)品低，因此成為本次的領(lǐng)漲項目。兆易創(chuàng)新在接受機構(gòu)調(diào)研時表示：“大存儲在今年第三季度已經(jīng)達到了價格的底部區(qū)間。在今年三季度末大存儲出現(xiàn)一些價格反彈，此反彈對利基存儲有一定的帶動效應(yīng)，利基存儲價格也在筑底并有微弱反彈。明年大存儲的價格有望延續(xù)反彈的走勢，但也不太會出現(xiàn)暴漲暴跌的情況；利基型DRAM也會隨著大存儲反彈的走勢，延續(xù)微弱反彈的趨勢。具體供需關(guān)系還要看明年需求的恢復(fù)情況以及主流廠商減產(chǎn)的持續(xù)時間?！?/p>

審核編輯：黃飛

閱讀全文

存儲芯片(44747) 存儲芯片(44747)
Nand flash(41515) Nand flash(41515)
英偉達(98145) 英偉達(98145)
emmc(55425) emmc(55425)
HBM(15756) HBM(15756)
HBM3(470) HBM3(470)
HBM3E(733) HBM3E(733)

追趕SK海力士，三星、美光搶進HBM3E

五代產(chǎn)品。對于HBM3E，SK海力士預(yù)計2023年底前供應(yīng)HBM3E樣品，2024年開始量產(chǎn)。8層堆疊，容量達24GB，帶寬為1.15TB/s。 ? 近日，三星電子也更新了HBM3E的進展。據(jù)韓媒報道

2023-10-25 18:25:24

4378

英偉達認證推遲，但三星HBM3E有了新進展

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，據(jù)韓媒報道，三星電子近期已完成與博通就12層HBM3E產(chǎn)品的質(zhì)量測試，正就量產(chǎn)供應(yīng)展開磋商。當(dāng)前協(xié)商的供應(yīng)量按容量計算約為10億Gb級別左右，量產(chǎn)時間預(yù)計最早從今年下半年延續(xù)至

2025-07-12 00:16:00

3465

傳英偉達自研HBM基礎(chǔ)裸片

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，據(jù)臺媒消息，傳聞英偉達已開始開發(fā)自己的HBM基礎(chǔ)裸片，預(yù)計英偉達的自研HBM基礎(chǔ)裸片采用3nm工藝制造，計劃在2027年下半年進行小批量試產(chǎn)。并且這一時間點大致對應(yīng)"Rubin

2025-08-21 08:16:00

2605

傳三星 HBM4 通過英偉達認證，量產(chǎn)在即

開始實現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)。這一進展將使得三星參與到下一階段HBM訂單的有力競爭。 ? 三星還在HBM3E上提供了非常具有吸引力的報價，傳聞向英偉達提供比SK海力士低20%至30%的報價，三星不得不通過激進定價策略來提升市場競爭力。 ? 近日消息，S

2025-08-23 00:28:00

7170

HBM3E反常漲價20%，AI算力競賽重塑存儲芯片市場格局

明年HBM3E價格，漲幅接近20%。 ? 此次漲價背后，是AI算力需求爆發(fā)與供應(yīng)鏈瓶頸的共同作用。隨著英偉達H200、谷歌TPU、亞馬遜Trainium 等AI芯片需求激增，HBM3E供需缺口持續(xù)擴大。與此同時，存儲廠商正將產(chǎn)能轉(zhuǎn)向更先進的 HBM4 ，進一步擠壓了

2025-12-28 09:50:11

1557

為什么說Q1和Q導(dǎo)通LED亮呢？

光照時，Q1的B極電位很低，經(jīng)測量為0.37 V，Q1的E極為0 V，Q1的C極為3 V, 根據(jù)三極管三個極電位比較，集電極反偏，發(fā)射極正偏，Q1不是應(yīng)該處于放大狀態(tài)嗎？當(dāng)RP有光照時，經(jīng)測量Q的E極為

2023-03-22 13:42:20

瘋搶！HBM成為AI新瓶頸！

SK海力士正忙于處理來自客戶的大量HBM3E樣品請求。英偉達首先要求提供樣品，這次的出貨量幾乎是千鈞一發(fā)。這些索取樣品的客戶公司可能會在今年年底收到樣品。全球領(lǐng)先的GPU公司Nvidia此前曾向SK海力士供應(yīng)HBM3，并已索取HBM3E樣品。各大科技公司都在熱切地等待 SK 海力士的樣品。

2023-07-12 14:34:39

1894

三星計劃為英偉達AI GPU提供HBM3和2.5D封裝服務(wù)；傳蘋果悄悄開發(fā)“Apple GPT” 或?qū)⑻魬?zhàn)OpenAI

熱點新聞 1、三星計劃為英偉達AI GPU提供HBM3和2.5D封裝服務(wù) 據(jù)報道，英偉達正在努力實現(xiàn)數(shù)據(jù)中心AI GPU中使用的HBM3和2.5D封裝的采購多元化。消息人士稱，這家美國芯片巨頭正在

2023-07-20 17:00:02

1360

三星正與英偉達開展GPU HBM3驗證及先進封裝服務(wù)

在此之前，英偉達將大部分gpu的高級成套產(chǎn)品委托給tsmc。半導(dǎo)體方面，將sk海力士的hbm3安裝在自主制造的單一gpu芯片上，生產(chǎn)英偉達h100。但是最近隨著生成型人工智能的普及，h100的需求劇增，在處理nvidia的所有訂單上遇到了困難。

2023-08-02 11:54:18

1663

生成式AI新增多重亮點，英偉達推出超級芯片GH200 Grace

GH200 Grace芯片搭載全球首款HBM3e處理器，可通過英偉達的NVLink技術(shù)連接其他GH200芯片，計劃明年二季度投產(chǎn)。

2023-08-09 17:19:41

863

英偉達全球首發(fā)HBM3e 專為生成式AI時代打造

2023年8月8日，NVIDIA創(chuàng)始人兼CEO黃仁勛在計算機圖形年會SIGGRAPH上發(fā)布了HBM3e內(nèi)存新一代GH200 Grace Hopper超級芯片。這款芯片被黃仁勛稱為“加速計算和生成式AI時代的處理器”，旨在用于任何大型語言模型，以降低推理成本。

2023-08-11 16:29:17

2011

SK海力士開發(fā)出全球最高規(guī)格HBM3E

sk海力士表示：“以唯一批量生產(chǎn)hbm3的經(jīng)驗為基礎(chǔ)，成功開發(fā)出了世界最高性能的擴展版hbm3e?！皩⒁詷I(yè)界最大規(guī)模的hbm供應(yīng)經(jīng)驗和量產(chǎn)成熟度為基礎(chǔ)，從明年上半年開始批量生產(chǎn)hbm3e，鞏固在針對ai的存儲器市場上的獨一無二的地位?！?/div>

2023-08-21 09:21:49

1808

SK海力士開發(fā)出全球最高規(guī)格HBM3E，向英偉達提供樣品

該公司表示，HBM3E（HBM3的擴展版本）的成功開發(fā)得益于其作為業(yè)界唯一的HBM3大規(guī)模供應(yīng)商的經(jīng)驗。憑借作為業(yè)界最大HBM產(chǎn)品供應(yīng)商的經(jīng)驗和量產(chǎn)準(zhǔn)備水平，SK海力士計劃在明年上半年量產(chǎn)HBM3E，鞏固其在AI內(nèi)存市場無與倫比的領(lǐng)導(dǎo)地位。

2023-08-22 16:24:41

1676

SK海力士推全球最高性能HBM3E內(nèi)存

HBM3E內(nèi)存（也可以說是顯存）主要面向AI應(yīng)用，是HBM3規(guī)范的擴展，它有著當(dāng)前最好的性能，而且在容量、散熱及用戶友好性上全面針對AI優(yōu)化。

2023-08-22 16:28:07

1670

三星或?qū)牡谒募径乳_始向英偉達供應(yīng)HBM3

有分析師爆料稱三星將成為英偉達的HBM3存儲芯片關(guān)鍵供應(yīng)商，三星或?qū)牡谒募径乳_始向英偉達供應(yīng)HBM3。

2023-09-01 09:46:51

41378

HBM3E明年商業(yè)出貨,兼具高速和低成本優(yōu)點

，skjmnft同時已經(jīng)向英偉達等用戶ERP交付樣品。該公司的HBM3E內(nèi)存采用 eight-tier 布局，每個堆棧為24 GB，采用1β 技術(shù)生產(chǎn)，具備出色的性能。Multiable萬達寶ERP具備數(shù)字化管理各個業(yè)務(wù)板塊,提升

2023-10-10 10:25:46

1636

AI需求大增！傳英偉達 B100 提前至明年Q2發(fā)布

市場有關(guān)負責(zé)人表示，h100是英偉達gpu中規(guī)格最高的技術(shù)，但b100的影響力比h100更大，今后將采用3至4納米工程和芯片設(shè)計。隨著sk海力士決定獨家向英偉達提供可驅(qū)動新一代b100 gpu的最新hbm3e顯示器存儲器，該公司將躍升為ai業(yè)界的半導(dǎo)體主要企業(yè)。

2023-10-17 09:23:47

1917

英偉達新一代人工智能（AI）芯片HGX H200

基于英偉達的“Hopper”架構(gòu)的H200也是該公司第一款使用HBM3e內(nèi)存的芯片，這種內(nèi)存速度更快，容量更大，因此更適合大語言模型。英偉達稱：借助HBM3e，H200以每秒4.8TB的速度提供141GB的內(nèi)存，與A100相比，容量幾乎是其兩倍，帶寬增加了2.4倍。

2023-11-15 11:17:31

1958

預(yù)計英偉達將于Q1完成HBM3e驗證 2026年HBM4將推出

由于hbm芯片的驗證過程復(fù)雜，預(yù)計需要2個季度左右的時間，因此業(yè)界預(yù)測，最快將于2023年末得到部分企業(yè)對hbm3e的驗證結(jié)果。但是，驗證工作可能會在2024年第一季度完成。機構(gòu)表示，各原工廠的hbm3e驗證結(jié)果將最終決定英偉達hbm購買分配權(quán)重值，還需要進一步觀察。

2023-11-27 15:03:57

1700

英偉達將于Q1完成HBM3e驗證 2026年HBM4將推出

2023-11-29 14:13:30

1601

消息稱美光HBM3E正接受主要客戶質(zhì)量評價

美光已明確表示，預(yù)期明年將進占市場份額約5%，排名第三。為了縮小與各領(lǐng)軍者間的距離，他們決定在受到矚目的HBM3E上加大研發(fā)力度，且計劃于2023年最后階段為英偉達提供測試。

2023-12-26 14:39:31

843

英偉達大量訂購HBM3E內(nèi)存，搶占市場先機

英偉達（NVIDIA）近日宣布，已向SK海力士、美光等公司訂購大量HBM3E內(nèi)存，為其AI領(lǐng)域的下一代產(chǎn)品做準(zhǔn)備。也預(yù)示著內(nèi)存市場將新一輪競爭。

2023-12-29 16:32:50

1622

英偉達斥資預(yù)購HBM3內(nèi)存，為H200及超級芯片儲備產(chǎn)能

據(jù)最新傳聞，英偉達正在籌劃發(fā)布兩款搭載HBM3E內(nèi)存的新品——包括141GB HBM3E的H200 GPU及GH200超級芯片，這也進一步說明了對于HBM內(nèi)存的大量需求。

2024-01-02 09:27:04

1445

Hanmi半導(dǎo)體與三星電子討論HBM供應(yīng)鏈，擴大客戶群和市場份額

美國IT企業(yè)投資規(guī)模的加大使得HBM市場迅速成長。預(yù)計至2024年，HBM供應(yīng)緊缺問題將愈發(fā)嚴(yán)重。對此，三星計劃于2023年末和2024年初供應(yīng)第四代HBM產(chǎn)品HBM3，并計劃啟動第五代HBM產(chǎn)品HBM3E的量產(chǎn)。在此

2024-01-03 13:41:02

2230

SK海力士HBM3E內(nèi)存提前兩個月大規(guī)模生產(chǎn)，專用于英偉達AI芯片

值得一提的是，半導(dǎo)體產(chǎn)品的研發(fā)周期通常共九個階段，而 SK 海力士已經(jīng)成功走過了各個環(huán)節(jié)，正在進行最后的產(chǎn)量提升階段。這代表著現(xiàn)有的HBM3E產(chǎn)能均可滿足從此刻起NVIDIA的需求。

2024-02-20 15:53:45

1152

SK海力士推出全球首款HBM3E高帶寬存儲器，領(lǐng)先三星

在嚴(yán)格的9個開發(fā)階段后，當(dāng)前流程全部完成，步入最終的產(chǎn)能提升階段。此次項目完結(jié)正是達產(chǎn)升能的標(biāo)志，這預(yù)示著自今往后產(chǎn)出的所有HBM3E即刻具備向英偉達交付的條件。SK海力士計劃3月獲取英偉達對終品質(zhì)量的認可，同步啟動大規(guī)模生產(chǎn)及交貨。

2024-02-21 10:17:05

1429

SK海力士將于3月量產(chǎn)HBM3E存儲器

在全球存儲半導(dǎo)體市場的激烈競爭中，SK海力士已正式結(jié)束了第五代高帶寬存儲器器（HBM3E）的開發(fā)工作，并成功通過了Nvidia長達半年的性能評估。這一里程碑的達成標(biāo)志著SK海力士即將在今年3月開始量產(chǎn)這款革命性的存儲器產(chǎn)品，并計劃在下個月內(nèi)向其重要合作伙伴Nvidia供應(yīng)首批產(chǎn)品。

2024-02-21 11:14:08

1739

SK海力士預(yù)計3月量產(chǎn)HBM3E，供貨英偉達

近日，全球存儲解決方案領(lǐng)導(dǎo)者SK海力士宣布，他們已成功完成了高性能HBM3E（High-Bandwidth Memory 3rd Generation Enhanced）的開發(fā)，并且已經(jīng)通過了英偉達

2024-02-25 11:22:21

1656

AMD發(fā)布HBM3e AI加速器升級版，2025年推新款I(lǐng)nstinct MI

目前，只有英偉達的Hopper GH200芯片配備了HBM3e內(nèi)存。與現(xiàn)有的HBM3相比，HBM3e的速度提升了50%，單個平臺可以達到10TB/s的帶寬，單顆芯片能夠?qū)崿F(xiàn)5TB/s的傳輸速率，內(nèi)存容量高達141GB。

2024-02-25 11:22:42

1391

美光科技啟動高帶寬存儲芯片生產(chǎn) 為英偉達最新AI芯片提供支持

英偉達下一代H200圖形處理器將采用美光HBM3E芯片，預(yù)計于今年第2季交付，有望超越現(xiàn)有的H100芯片，為美光科技貢獻更高業(yè)績。此外，龍頭廠商SK海力士等供應(yīng)的AI HBM（高寬帶存儲器）芯片市場需求持續(xù)升溫

2024-02-27 09:33:29

1543

美光科技批量生產(chǎn)HBM3E，推動人工智能發(fā)展

美光執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官薩達納（Sumit Sadana）稱，公司已實現(xiàn)HBM3E的市場首發(fā)和卓越性能，同時能耗具有顯著優(yōu)勢，使公司在AI加速領(lǐng)域穩(wěn)占先機。他還強調(diào)，美光擁有業(yè)界頂尖的HBM3E及HBM4路線圖，DRAM與NAND技術(shù)相結(jié)合

2024-02-27 09:38:42

841

三星發(fā)布首款12層堆疊HBM3E DRAM，帶寬高達1280GB/s，容量達36G

“隨著AI行業(yè)對大容量HBM的需求日益增大，我們的新產(chǎn)品HBM3E 12H應(yīng)運而生，”三星電子內(nèi)存規(guī)劃部門Yongcheol Bae解釋道，“這個存儲方案是我們在人人工智能時代所推崇的HBM核心技術(shù)、以及創(chuàng)新堆疊技術(shù)的成果展示?！?/div>

2024-02-27 10:36:25

1877

三星電子成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAM—HBM3E 12H

2024年2月27日 - 三星電子今日宣布，公司成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H，這是三星目前為止容量最大的HBM產(chǎn)品。

2024-02-27 11:07:00

1583

三星發(fā)布首款12層堆疊HBM3E DRAM

近日，三星電子宣布，已成功發(fā)布其首款12層堆疊的高帶寬內(nèi)存（HBM3E）產(chǎn)品——HBM3E 12H，再次鞏固了其在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。據(jù)了解，HBM3E 12H不僅是三星迄今為止容量最大的HBM產(chǎn)品，其性能也實現(xiàn)了質(zhì)的飛躍。

2024-02-27 14:28:21

1820

AMD MI300加速器將支持HBM3E內(nèi)存

據(jù)手機資訊網(wǎng)站IT之家了解，MI300加速器配備了HBM3內(nèi)存模塊，并面向HBM3E進行了重新設(shè)計。另外，該公司在供應(yīng)鏈交付合作方面頗為深入，不僅與主要的存儲器供應(yīng)商建立了穩(wěn)固的聯(lián)系，同時也與如臺積電等重要的基板供應(yīng)商以及OSAT社區(qū)保持著緊密的合作關(guān)系。

2024-02-27 15:45:05

1327

美光新款高頻寬記憶體HBM3E將被用于英偉達H200

美國記憶體制造巨頭美光（Micron）于26日宣布，其最新的高頻寬記憶體HBM3E已正式量產(chǎn)。此項技術(shù)將被用于今年第2季度的英偉達（NVIDIA）H200 Tensor Core GPU，標(biāo)志著美

2024-02-28 14:17:10

1311

美光開始量產(chǎn)行業(yè)領(lǐng)先的 HBM3E 解決方案，加速人工智能發(fā)展

其 HBM3E 高帶寬內(nèi)存解決方案。英偉達 H200 Tensor Core GPU?將采用美光 8 層堆疊的 24GB?容量 HBM3E?內(nèi)存，并于 2024?年第二季度開始出貨。美光通過這一

2024-03-04 14:51:51

1493

美光量產(chǎn)行業(yè)領(lǐng)先的HBM3E解決方案，加速人工智能發(fā)展

內(nèi)存解決方案。英偉達 H200 Tensor Core GPU 將采用美光 8 層堆疊的 24GB 容量 HBM3E 內(nèi)存，并于 2024 年第二季度開始出貨。美光通過這一里程碑式進展持續(xù)保持行業(yè)

2024-03-04 18:51:41

1886

英偉達H200上市時間

英偉達H200于2023年11月13日正式發(fā)布。然而，由于HBM3e芯片供應(yīng)問題，其實際開售時間有所延遲。英偉達表示，H200產(chǎn)品預(yù)計將在2024年第二季度正式開售。因此，雖然H200在2023年已經(jīng)發(fā)布，但真正的上市時間是在2024年的第二季度。

2024-03-07 16:46:04

4390

美光開始量產(chǎn)HBM3E解決方案

近日，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體存儲器及影像產(chǎn)品制造商美光公司宣布，已開始大規(guī)模生產(chǎn)用于人工智能的新型高帶寬芯片——HBM3E。這一里程碑式的進展不僅標(biāo)志著美光在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的又一次突破，也預(yù)示著人工智能領(lǐng)域?qū)⒂瓉砀鼮閺妱诺挠嬎隳芰χС帧?/div>

2024-03-08 10:02:07

891

SK海力士HBM3E內(nèi)存正式量產(chǎn)，AI性能提升30倍，成本能耗降低96%

同日，SK海力士宣布啟動 HBM3E 內(nèi)存的量產(chǎn)工作，并在本月下旬開始供貨。自去年宣布研發(fā)僅過了七個月。據(jù)稱，該公司成為全球首家量產(chǎn)出貨HBM3E 的廠商，每秒鐘能處理高達 1.18TB 的數(shù)據(jù)。此項數(shù)據(jù)處理能力足以支持在一小時內(nèi)處理多達約 33，800 部全高清電影。

2024-03-19 09:57:44

2225

SK海力士HBM3E正式量產(chǎn)，鞏固AI存儲領(lǐng)域的領(lǐng)先地位

SK海力士作為HBM3E的首發(fā)玩家，預(yù)計這款最新產(chǎn)品的大批量投產(chǎn)及其作為業(yè)內(nèi)首家供應(yīng)HBM3制造商所累積的經(jīng)驗，將進一步強化公司在AI存儲器市場的領(lǐng)導(dǎo)者地位。

2024-03-19 15:18:21

1675

GTC 2024：三大存儲廠商齊展HBM3E與GDDR7技術(shù)

據(jù)悉，HBM3E廣泛應(yīng)用于Blackwell加速器、NVIDIA H200、GH200芯片；AMD Instinct MI300A / X亦有可能采用其技術(shù)。至于GDDR7，有望在RTX 50系列顯卡中得到應(yīng)用。

2024-03-20 10:25:59

1737

英偉達宣布推出新一代GPU Blackwell，SK海力士已量產(chǎn)HBM3E

在英偉達GTC 2024大會上，英偉達CEO黃仁勛宣布推出新一代GPU Blackwell，第一款Blackwell芯片名為GB200，將于今年晚些時候上市。

2024-03-20 11:32:04

2405

什么是HBM3E內(nèi)存？Rambus HBM3E/3內(nèi)存控制器內(nèi)核

Rambus HBM3E/3 內(nèi)存控制器內(nèi)核針對高帶寬和低延遲進行了優(yōu)化，以緊湊的外形和高能效的封裝為人工智能訓(xùn)練提供了最大的性能和靈活性。

2024-03-20 14:12:37

4681

SK海力士成功量產(chǎn)超高性能AI存儲器HBM3E

HBM3E的推出，標(biāo)志著SK海力士在高性能存儲器領(lǐng)域取得了重大突破，將現(xiàn)有DRAM技術(shù)推向了新的高度。

2024-03-20 15:23:53

1844

英偉達CEO贊譽三星HBM內(nèi)存，計劃采購

　提及此前有人預(yù)測英偉達可能向三星購買HBM3或HBM3E等內(nèi)存，黃仁勛在會上直接認可三星實力，稱其為“極具價值的公司”。他透露目前已對三星HBM內(nèi)存進行測試，未來可能增加采購量。

2024-03-20 16:17:24

1406

英偉達對三星HBM3E進行測試，海力士仍穩(wěn)坐HBM市場頭把交椅

現(xiàn)如今，SK海力士為英偉達AI半導(dǎo)體提供主要HBM產(chǎn)品，同時自去年起，美光公司也加入了該供應(yīng)陣營。據(jù)悉，相比其他競爭對手，三星電子在HBM授權(quán)上大約晚了一年有余。

2024-03-22 09:53:23

1383

英偉達尋求從三星采購HBM芯片

英偉達正在尋求與三星建立合作伙伴關(guān)系，計劃從后者采購高帶寬存儲（HBM）芯片。HBM作為人工智能（AI）芯片的核心組件，其重要性不言而喻。與此同時，三星正努力追趕業(yè)內(nèi)領(lǐng)頭羊SK海力士，后者已率先實現(xiàn)下一代HBM3E芯片的大規(guī)模量產(chǎn)。

2024-03-25 11:42:04

1287

NVIDIA預(yù)定購三星獨家供應(yīng)的大量12層HBM3E內(nèi)存

據(jù)悉，HBM3E 12H內(nèi)存具備高達1280GB/s的寬帶速率以及36GB的超大存儲容量，較8層堆疊的HBM3 8H，分別提升了50%以上的帶寬及容量。

2024-03-25 15:36:11

989

三星獨家供貨英偉達12層HBM3E內(nèi)存

據(jù)最新消息透露，英偉達即將從今年9月開始大規(guī)模采購12層HBM3E內(nèi)存，而這次供貨的重任將完全由三星電子承擔(dān)。這一消息無疑為業(yè)內(nèi)帶來了不小的震動。

2024-03-26 10:59:06

1180

三星電子HBM存儲技術(shù)進展：12層HBM3E芯片，2TB/s帶寬HBM4即將上市

據(jù)業(yè)內(nèi)透露，三星在HBM3E芯片研發(fā)方面遙遙領(lǐng)先其他公司，有能力在2024年9月實現(xiàn)對英偉達的替代，這意味著它將成為英偉達12層HBM3E的壟斷供應(yīng)商。然而，三星方面不愿透露具體客戶信息。

2024-03-27 09:30:09

1917

三星重磅發(fā)布全新12層36GB HBM3e DRAM

12層HBM3e將每個堆?？捎玫目値捥岣叩襟@人的1,280GB/s，這比單個堆棧上RTX 4090可用的全部帶寬還要高。

2024-03-29 10:47:09

1352

三星與AMD達成HBM3E采購大單，總金額達4萬億韓元

三星方面表示，預(yù)計今年上半年將正式生產(chǎn)出HBM3E 12H內(nèi)存，而AMD則計劃于下半年開始生產(chǎn)相應(yīng)的AI加速卡。值得注意的是，三星HBM3E 12H內(nèi)存的全天候最大帶寬可達到驚人的1280GB/s，產(chǎn)品容量更是高達36GB。

2024-04-24 14:44:38

1196

SK海力士：12Hi HBM3E于Q3完成，下半年內(nèi)存或供應(yīng)不足

韓國 SK海力士于 4 月 25 日透露在季度財報電話會議上，他們承諾第三季度能夠成功研發(fā)出 12 層堆疊的 HBM3E 系列芯片，然而由于供應(yīng)壓力，可能在下半年出現(xiàn)短缺現(xiàn)象。

2024-04-25 14:45:07

1054

麥格納公布2024年Q1財報：銷售額達110億

銷售額達110億！麥格納公布2024年Q1財報

2024-05-09 18:00:38

1422

三星HBM3E芯片驗證仍在進行，英偉達訂單分配備受關(guān)注

業(yè)內(nèi)評論指出，三星HBM之所以出現(xiàn)問題，主要原因在于負責(zé)英偉達GPU制造的臺積電在驗證過程中采用了SK海力士的標(biāo)準(zhǔn)。由于SK海力士8層HBM3E的生產(chǎn)方式與三星有所差異，導(dǎo)致三星產(chǎn)品未能順利通過驗證。

2024-05-16 17:56:20

1863

三星電子HBM3E芯片驗證仍在進行，與英偉達展開聯(lián)合測試并取得階段性成果

據(jù)行業(yè)觀察者透露，三星HBM3E面臨的問題源于臺積電在驗證過程中采用了SK海力士的標(biāo)準(zhǔn)，而這與三星自身的生產(chǎn)方式有所出入，從而影響了產(chǎn)品的認證進程。

2024-05-17 09:30:53

892

傳三星HBM3E尚無法通過英偉達認證

三星電子近期正積極投入驗證工作，以確保其HBM3E產(chǎn)品能夠順利供應(yīng)給英偉達。然而，業(yè)界傳出消息，因臺積電在采用標(biāo)準(zhǔn)上存在的某些問題，導(dǎo)致8層HBM3E產(chǎn)品目前仍需要進一步的檢驗。

2024-05-17 11:10:13

918

美光調(diào)整2024年資本支出預(yù)測，加強AI產(chǎn)業(yè)HBM投資力度

美光，這家位于美國愛達荷州波伊西（Boise）的企業(yè)，是HBM芯片的三大供應(yīng)商之一，也是AI服務(wù)器所需硬件的關(guān)鍵部件。他們生產(chǎn)的最新一代高頻寬存儲器3E（HBM3E）被AI芯片巨頭英偉達（NVDA-US）的H200采用。

2024-05-22 10:08:20

877

SK海力士HBM3E內(nèi)存良率已達80%

早在今年3月份，韓國媒體DealSite報道中指出，全球HBM存儲器的平均良率約為65%。據(jù)此來看，SK海力士在近期對HBM3E存儲器的生產(chǎn)工藝進行了顯著提升。

2024-05-23 10:22:30

1079

三星HBM芯片遇阻英偉達測試

近日，三星電子最新的高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片在英偉達測試中遭遇挫折。據(jù)知情人士透露，芯片因發(fā)熱和功耗問題未能達標(biāo)，影響到了其HBM3及下一代HBM3E芯片。

2024-05-24 14:10:01

1108

SK海力士：HBM3E量產(chǎn)時間縮短50%，達到大約80%范圍的目標(biāo)良率

據(jù)報道，SK海力士宣布第五代高帶寬存儲（HBM）—HBM3E的良率已接近80%。

2024-05-27 14:38:17

1888

三星HBM研發(fā)受挫，英偉達測試未達預(yù)期，如何滿足AI應(yīng)用GPU的市場需求？

據(jù)DigiTimes報道，三星HBM3E未能通過英偉達測試可能源于臺積電審批環(huán)節(jié)出現(xiàn)問題。三星與臺積電在晶圓代工領(lǐng)域長期競爭，但在英偉達主導(dǎo)的HBM市場，三星不得不尋求與臺積電合作。臺積電作為英偉達GPU芯片的制造商和封裝商

2024-05-27 16:53:21

1264

美光HBM3E解決方案，高帶寬內(nèi)存助力AI未來發(fā)展

美光近期發(fā)布的內(nèi)存和存儲產(chǎn)品組合創(chuàng)新備受矚目，這些成就加速了 AI 的發(fā)展。美光 8 層堆疊和 12 層堆疊 HBM3E 解決方案提供業(yè)界前沿性能，功耗比競品1低 30%。

2024-05-28 14:08:13

1659

英偉達否認三星HBM未通過測試

英偉達公司CEO黃仁勛近日就有關(guān)三星HBM（高帶寬內(nèi)存）的傳聞進行了澄清。他明確表示，英偉達仍在認證三星提供的HBM內(nèi)存，并否認了三星HBM未通過英偉達任何測試的傳聞。

2024-06-06 10:06:53

1101

英偉達巨資預(yù)訂HBM3E，力拼上半年算力市場

在全球AI芯片領(lǐng)域的激烈競爭中，英偉達以其卓越的技術(shù)實力和市場影響力，始終保持著領(lǐng)先地位。最近，這家AI芯片大廠再次展現(xiàn)出了其獨特的戰(zhàn)略眼光和強大的資金實力，以確保其新品GH200和H200能夠順利出貨，不惜以高達13億美元的預(yù)算，向美光和SK海力士預(yù)訂了部分高帶寬存儲HBM3e的產(chǎn)能。

2024-06-22 16:46:58

1465

三星電子突破瓶頸,HBM3e內(nèi)存芯片獲英偉達質(zhì)量認證

在科技界的密切關(guān)注下，三星電子與英偉達之間的合作再次傳來振奮人心的消息。據(jù)韓國主流媒體NewDaily最新報道，三星電子已成功通過英偉達的HBM3e（高帶寬內(nèi)存）質(zhì)量測試，標(biāo)志著這家科技巨頭在高端

2024-07-04 15:24:56

1151

三星電子HBM3E測試傳聞引發(fā)熱議,緊急澄清市場誤解

在科技界與金融市場的交匯點，一則關(guān)于三星電子HBM3E（High Bandwidth Memory 3E）芯片通過英偉達嚴(yán)格質(zhì)量測試的消息于7月4日悄然傳開，瞬間點燃了業(yè)界內(nèi)外對于高性能存儲技術(shù)未來

2024-07-04 16:22:51

1195

三星HBM3E質(zhì)量認證進展：官方否認，測試仍在進行

近日，韓國媒體的一則報道引發(fā)了業(yè)界廣泛關(guān)注，稱三星電子的新一代高帶寬內(nèi)存HBM3E已經(jīng)順利通過了GPU巨頭英偉達（NVIDIA）的質(zhì)量認證，即Qualtest PRA（產(chǎn)品準(zhǔn)備批準(zhǔn)），并預(yù)示著該產(chǎn)品

2024-07-05 10:37:03

1118

三星否認HBM3E通過英偉達測試傳聞

近期，有媒體報道稱三星電子已成功通過英偉達（NVIDIA）的HBM3E（高帶寬內(nèi)存）質(zhì)量測試，并預(yù)計很快將啟動量產(chǎn)流程，以滿足市場對高性能存儲解決方案的迫切需求。然而，這一消息迅速遭到了三星電子的官方否認。

2024-07-05 15:08:18

1268

三星電子否認HBM3e芯片通過英偉達測試

韓國新聞源NewDaily近日發(fā)布了一則報道，聲稱三星電子的HBM3e芯片已成功通過英偉達的產(chǎn)品測試，預(yù)示著即將開啟大規(guī)模生產(chǎn)并向英偉達供貨的序幕。然而，三星電子方面迅速對此消息進行了否認，表示并未收到官方確認。

2024-07-05 16:09:58

1392

三星HBM3e獲英偉達認證，加速DRAM產(chǎn)能轉(zhuǎn)型

近日，三星電子在半導(dǎo)體領(lǐng)域再傳捷報，其高頻寬內(nèi)存（HBM）產(chǎn)品HBM3e已成功通過全球圖形處理與AI計算巨頭英偉達（NVIDIA）的嚴(yán)格認證，標(biāo)志著該產(chǎn)品即將進入規(guī)?；a(chǎn)階段，預(yù)計在本季度內(nèi)正式向

2024-07-18 09:36:59

1401

今日看點丨蘋果 iPhone 16 Pro / Max 被曝支持 Wi-Fi 7；三星：HBM3e先進芯片今年量產(chǎn)

1. 三星：HBM3e 先進芯片今年量產(chǎn)，營收貢獻將增長至60% ? 三星電子公司計劃今年開始量產(chǎn)其第五代高帶寬存儲器（HBM）芯片HBM3e，并迅速提高其對營收的貢獻。三星電子表示，該公司預(yù)計其

2024-08-01 11:08:11

1376

三星HBM3e芯片量產(chǎn)在即，營收貢獻將飆升

三星電子公司近日宣布了一項重要計劃，即今年將全面啟動其第五代高帶寬存儲器（HBM）芯片HBM3e的量產(chǎn)工作，并預(yù)期這一先進產(chǎn)品將顯著提升公司的營收貢獻。據(jù)三星電子透露，隨著HBM3e芯片的逐步放量

2024-08-02 16:32:37

1053

三星電子HBM3E芯片測試進展引發(fā)市場關(guān)注

8月7日，市場上關(guān)于三星電子第五代高頻寬記憶體芯片HBM3E已通過英偉達（Nvidia）測試的消息引起了廣泛關(guān)注。然而，三星電子對此事態(tài)的反應(yīng)卻顯得較為謹慎。三星電子官方表示：“我們無法證實與我

2024-08-07 15:23:26

968

三星否認HBM3E芯片通過英偉達測試

近日，有關(guān)三星的8層HBM3E芯片已通過英偉達測試的報道引起了廣泛關(guān)注。然而，三星電子迅速對此傳聞進行了回應(yīng)，明確表示該報道并不屬實。

2024-08-08 10:06:02

1161

三星HBM3E內(nèi)存挑戰(zhàn)英偉達訂單,SK海力士霸主地位受撼動

進入八月，市場傳言四起，韓國存儲芯片巨頭三星電子（簡稱“三星”）的8層HBM3E內(nèi)存（新一代高帶寬內(nèi)存產(chǎn)品）已順利通過英偉達嚴(yán)格測試。然而，三星迅速澄清，表示這一報道與事實相去甚遠，強調(diào)目前質(zhì)量測試

2024-08-23 15:02:56

1635

TrendForce:三星HBM3E內(nèi)存通過英偉達驗證,8Hi版本正式出貨

9月4日最新資訊，據(jù)TrendForce集邦咨詢的最新報告透露，三星電子已成功完成其HBM3E內(nèi)存產(chǎn)品的驗證流程，并正式啟動了HBM3E 8Hi（即24GB容量版本）的出貨，該產(chǎn)品主要面向英偉達H200系列應(yīng)用。同時，三星電子還積極推進Blackwell系列的驗證工作，預(yù)示著更先進技術(shù)的穩(wěn)步前行。

2024-09-04 15:57:09

1772

SK海力士9月底將量產(chǎn)12層HBM3E高性能內(nèi)存

自豪地宣布，SK 海力士當(dāng)前市場上的旗艦產(chǎn)品——8層HBM3E，已穩(wěn)坐行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)地位，而更進一步的是，公司即將在本月底邁入一個新的里程碑，正式啟動12層HBM3E的量產(chǎn)。這一舉措不僅鞏固了SK 海力士在

2024-09-05 16:31:36

1645

三星電子HBM3E內(nèi)存獲英偉達認證，加速AI GPU市場布局

近日，知名市場研究機構(gòu)TrendForce在最新發(fā)布的報告中宣布了一項重要進展：三星電子的HBM3E內(nèi)存產(chǎn)品已成功通過英偉達驗證，并正式開啟出貨流程。具體而言，三星的HBM3E 8Hi版本已被確認

2024-09-05 17:15:28

1404

美光12層堆疊HBM3E 36GB內(nèi)存啟動交付

美光科技近期宣布，其“生產(chǎn)可用”的12層堆疊HBM3E 36GB內(nèi)存已成功啟動交付，標(biāo)志著AI計算領(lǐng)域的一大飛躍。這款先進內(nèi)存正陸續(xù)送達主要行業(yè)合作伙伴手中，以全面融入并驗證其在整個AI生態(tài)系統(tǒng)中的效能。

2024-09-09 17:42:37

1553

三星電子調(diào)整HBM內(nèi)存產(chǎn)能規(guī)劃，應(yīng)對英偉達供應(yīng)延遲

近日，三星電子因向英偉達供應(yīng)HBM3E內(nèi)存的延遲，對其HBM內(nèi)存的產(chǎn)能規(guī)劃進行了調(diào)整。據(jù)韓媒報道，三星已將2025年底的產(chǎn)能預(yù)估下調(diào)至每月17萬片晶圓，這一調(diào)整反映了半導(dǎo)體行業(yè)當(dāng)前緊張的供需關(guān)系和激烈的市場競爭。

2024-10-11 17:37:12

1554

三星電子HBM3E商業(yè)化遇阻，或重新設(shè)計1a DRAM電路

近日，業(yè)界傳出三星電子HBM3E商業(yè)化進程遲緩的消息，據(jù)稱這一狀況或與HBM核心芯片DRAM有關(guān)。具體而言，1a DRAM的性能問題成為了三星電子向英偉達提供HBM3E量產(chǎn)供應(yīng)的絆腳石。

2024-10-23 17:15:10

1255

三星電子或向英偉達供應(yīng)先進HBM

領(lǐng)域的競爭對手SK海力士公司最近也取得了不小的突破。據(jù)悉，SK海力士已經(jīng)開始量產(chǎn)業(yè)界領(lǐng)先的12層HBM3E芯片。這一消息無疑加劇了HBM市場的競爭態(tài)勢。然而，對于三星電子來說，向英偉達供應(yīng)HBM不僅是一個重要的商業(yè)機會，更是展示其技術(shù)實力和

2024-11-04 10:39:39

786

SK海力士推出48GB 16層HBM3E產(chǎn)品

近日在一次科技展覽上，SK海力士驚艷亮相，展出了全球首款48GB 16層HBM3E(High Bandwidth Memory 3E)產(chǎn)品。這一突破性產(chǎn)品不僅展示了SK海力士在高端存儲技術(shù)領(lǐng)域

2024-11-05 15:01:20

1231

SK海力士展出全球首款16層HBM3E芯片

在近日舉行的SK AI峰會上，韓國存儲巨頭SK海力士向全球展示了其創(chuàng)新成果——全球首款48GB 16層HBM3E產(chǎn)品。這一產(chǎn)品的推出，標(biāo)志著SK海力士在高端存儲技術(shù)領(lǐng)域的又一次重大突破。

2024-11-13 14:35:05

1189

SK海力士發(fā)布HBM3e 16hi產(chǎn)品

在近日舉辦的SK AI Summit 2024活動中，SK hynix（SK海力士）透露了一項令人矚目的新產(chǎn)品計劃。據(jù)悉，該公司正在積極開發(fā)HBM3e 16hi產(chǎn)品，這款產(chǎn)品的每顆HBM芯片容量高達48GB，將為用戶帶來前所未有的存儲體驗。

2024-11-14 18:20:20

1364

英偉達加速認證三星AI內(nèi)存芯片

近日，英偉達公司正在積極推進對三星AI內(nèi)存芯片的認證工作。據(jù)英偉達CEO透露，他們正在不遺余力地加速這一進程，旨在盡快將三星的內(nèi)存解決方案融入其產(chǎn)品中。此次認證工作的焦點在于三星的HBM3E內(nèi)存

2024-11-25 14:34:17

1028

英偉達加速認證三星新型AI存儲芯片

近日，英偉達首席執(zhí)行官黃仁勛近日在接受采訪時透露，英偉達正在全力加速對三星最新推出的AI存儲芯片——HBM3E的認證進程。這一舉措標(biāo)志著英偉達在AI存儲技術(shù)上的又一次重要布局。據(jù)黃仁勛介紹，英偉達

2024-11-26 10:22:17

1129

SK海力士加速16Hi HBM3E內(nèi)存量產(chǎn)準(zhǔn)備

近日，SK海力士正全力加速其全球首創(chuàng)的16層堆疊(16Hi)HBM3E內(nèi)存的量產(chǎn)準(zhǔn)備工作。這一創(chuàng)新產(chǎn)品的全面生產(chǎn)測試已經(jīng)正式啟動，為明年初的樣品出樣乃至2025年上半年的大規(guī)模量產(chǎn)與供應(yīng)奠定了

2024-12-26 14:46:24

1050

美光加入16-Hi HBM3E內(nèi)存競爭

近日，全球DRAM內(nèi)存巨頭之一的美光科技公司宣布，將正式進軍16-Hi(即16層堆疊)HBM3E內(nèi)存市場。目前，美光正在對最終設(shè)備進行評估，并計劃在今年內(nèi)實現(xiàn)量產(chǎn)。這一消息標(biāo)志著美光在高性能內(nèi)存

2025-01-17 14:14:12

914

三星電子將供應(yīng)改良版HBM3E芯片

三星電子在近期舉行的業(yè)績電話會議中，透露了其高帶寬內(nèi)存（HBM）的最新發(fā)展動態(tài)。據(jù)悉，該公司的第五代HBM3E產(chǎn)品已在2024年第三季度實現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)和銷售，并在第四季度成功向多家GPU廠商及數(shù)據(jù)中心供貨。與上一代HBM3相比，HBM3E的銷售額實現(xiàn)了顯著增長。

2025-02-06 17:59:00

1106

三星與英偉達高層會晤，商討HBM3E供應(yīng)

其高帶寬存儲器HBM3E產(chǎn)品中的初始缺陷問題，并就三星第五代HBM3E產(chǎn)品向英偉達供應(yīng)的相關(guān)事宜進行了深入討論。此次高層會晤引發(fā)了外界的廣泛關(guān)注。據(jù)推測，三星8層HBM3E產(chǎn)品的質(zhì)量認證工作已接近尾聲，這標(biāo)志著三星即將正式邁入英偉達的HBM供應(yīng)鏈。對于三星而言

2025-02-18 11:00:38

979

英偉達、微軟、亞馬遜等排隊求購SK海力士HBM芯片，這些國產(chǎn)設(shè)備廠迎機遇

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/李彎彎）據(jù)報道，繼英偉達之后，全球多個科技巨頭都在競購SK海力士的第五代高帶寬內(nèi)存HBM3E。半導(dǎo)體行業(yè)知情人士稱，各大科技巨頭都已經(jīng)在向SK海力士請求獲取HBM3E樣本，包括

2023-07-06 09:06:31

3695

英偉達發(fā)布新一代H200，搭載HBM3e，推理速度是H100兩倍！

和B100兩款芯片。來源：英偉達官網(wǎng) ? 首款搭載HBM3e 的GPU ，推理速度幾乎是H100 的兩倍 ? 與A100和H100相比，H200最

2023-11-15 01:15:00

5794

HBM格局生變！傳三星HBM3量產(chǎn)供貨英偉達，國內(nèi)廠商積極布局

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/吳子鵬）根據(jù)韓媒sedaily 的最新報道，三星華城17號產(chǎn)線已開始量產(chǎn)并向英偉達供應(yīng)HBM3內(nèi)存。同時，美光已經(jīng)為英偉達供應(yīng)HBM3E。至此，高端HBM內(nèi)存的供應(yīng)由SK海力士

2024-07-23 00:04:00

5534

HBM3E量產(chǎn)后，第六代HBM4要來了！

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）眼下各家存儲芯片廠商的HBM3E陸續(xù)量產(chǎn)，HBM4正在緊鑼密鼓地研發(fā)，從規(guī)格標(biāo)準(zhǔn)到工藝制程、封裝技術(shù)等都有所進展，原本SK海力士計劃2026年量產(chǎn)HBM4，不過最近

2024-07-28 00:58:13

6874