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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲設(shè)備，在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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iPhone14系列拆解用上長江存儲NAND閃存芯片

　　9月8日，蘋果舉行了新產(chǎn)品發(fā)布會，并正式發(fā)布了iPhone14系列，起價為5999元。隨著蘋果iPhone 14的推出，一些客戶獲得了首批產(chǎn)品，一些...

2022-09-20 標簽：NAND 長江存儲 iPhone14 4.9k 0

金士頓M.2 2280 NVMe固態(tài)硬盤新品，支持96層3D TLC NAND技術(shù)

4月28日消息，金士頓剛剛推出了 KC2500 系列 M.2 2280 NVMe 固態(tài)硬盤新品，采用了支持 PCIe Gen3 x4 通道的慧榮（SMI...

2020-04-29 標簽：nand 金士頓固態(tài)硬盤 4.9k 0

NAND，DRAM的供應(yīng)不受冠狀病毒爆發(fā)的影響

對于DRAM模塊的全球價格有望今年由微軟公司和索尼互動娛樂公司。Xbox Series X和PlayStation 5將比以前的版本具有更強大的規(guī)格，并...

2020-02-13 標簽：DRAM NAND 4.8k 0

NAND閃存面臨限制,英特爾的3D XPoint戰(zhàn)略

讓英特爾頭痛的是，3D XPoint市場規(guī)模仍然很小，這讓他們無法將該產(chǎn)品大批量生產(chǎn)。如果沒有高產(chǎn)量，其生產(chǎn)成本將會保持很高，可能高于DRAM。然而，英...

2018-10-16 標簽：半導體 NAND 晶體管 4.8k 0

IC設(shè)計門檻墊高　NAND Flash控制晶片進入1X奈米時代

全球快閃記憶體(NAND Flash)控制晶片廠群聯(lián)電子(8299)董事長潘健成表示，由于NAND Flash控制晶片的設(shè)計愈加復雜、所需人力及銀彈越來...

2018-09-21 標簽：IC Nand 4.8k 0

美光公布DRAM和NANDFlash的最新技術(shù)線路圖將持續(xù)推進1ZnmDRAM技術(shù)及研發(fā)128層3DNAND

作為全球知名的存儲器廠商，近日，美光召開了2019年投資者大會，在大會中上，美光展示了DRAM和NAND Flash下一代技術(shù)的發(fā)展以及規(guī)劃。

2019-05-24 標簽：DRAM NAND 美光 4.8k 0

3D NAND技術(shù)堆疊將走向何方?

發(fā)展至今，NAND Flash已呈現(xiàn)白熱化階段。就在前不久，存儲廠商們還在128層“閃存高臺上觀景”，2019年6月SK海力士發(fā)布128層TLC 3D ...

2020-12-09 標簽：閃存 NAND 三星電子 4.8k 0

三大存儲廠試產(chǎn) 打破內(nèi)存壟斷局面

據(jù)報道，今年下半年，國內(nèi)三大存儲廠商長江存儲、福建晉華、合肥長鑫將相繼進入試產(chǎn)階段，中國存儲產(chǎn)業(yè)將迎來發(fā)展的關(guān)鍵階段。國產(chǎn)內(nèi)存雖然暫時難以撼...

2018-08-10 標簽：NAND 三星電子存儲 4.8k 0

全球六大廠商壟斷競爭，長江存儲有望打破壟斷

NAND Flash作為全球最為重要的存儲芯片之一，目前被全球六大廠商進行壟斷競爭，中國NAND Flash廠商長江存儲（YMTC）已在2020年第一季...

2021-01-11 標簽：閃存控制器 nand 4.8k 0

三星的UFS4.0閃存芯片預計第三季度正式量產(chǎn)

三星的UFS4.0閃存芯片采用全新第7代V-NAND技術(shù)，傳輸帶寬每通道達到23.2Gbps，相較UFS3.1提升一倍，順序讀取速度可以達到4200MB...

2022-05-05 標簽：NAND 閃存芯片三星 4.7k 0

SK海力士推出128層1Tb TLC 4D NAND SSD高容量存儲解決方案

4月8日消息，近日，SK海力士宣布推出基于首款 128 層 1Tb TLC 4D NAND 閃存的企業(yè)級 SSD-- PE8111，是針對讀取密集型應(yīng)用...

2020-04-09 標簽：nand ssd sk海力士 4.6k 0

DRAM市場第3季將可喜迎旺季，而NAND Flash市場價格也可稍有反彈

隨著上游NAND Flash原廠的64層3D NAND產(chǎn)能持續(xù)開出，且被大量應(yīng)用在SSD產(chǎn)品線，今年以來高容量SSD價格持續(xù)下滑，6月中旬主流的240G...

2018-06-26 標簽：DRAM NAND 存儲器 4.6k 0

盤點芯邦科技存儲主控芯片 USB控制器芯片 SD卡控制器芯片

盤點芯邦科技存儲主控芯片 USB控制器芯片 SD卡控制器芯片存儲主控芯片是一種集成電路芯片，用于控制和管理存儲設(shè)備。它負責管理多個存儲單元（如內(nèi)存、...

2023-10-25 標簽：NAND SD 芯邦 4.6k 0

得一微電子首發(fā)3DNAND 打開全球化新局面

2018年8月7日，得一微電子有限責任公司攜多款最新產(chǎn)品參展全球頂級閃存峰會2018 Flash Memory Summit并發(fā)表重要演講，向全球閃存界...

2018-08-13 標簽：控制器 NAND 4.6k 0

SK海力士收購英特爾NAND閃存業(yè)務(wù) 先后獲美國、歐盟、韓國相關(guān)監(jiān)管機構(gòu)批準

5月30日消息，據(jù)國外媒體報道，在獲得美國和歐盟的批準之后，SK海力士90億美元收購英特爾NAND閃存業(yè)務(wù)的交易，也已獲得了韓國監(jiān)管機構(gòu)的批準。 ? 從...

2021-05-31 標簽：英特爾 NAND SK海力士 4.6k 0

得一微:已處于國產(chǎn)存儲控制芯片的領(lǐng)先地位

2021中國IC風云榜“年度新銳公司”征集現(xiàn)已啟動！入圍標準要求為營收過億元的未上市、未進入IPO輔導期的半導體行業(yè)優(yōu)秀企業(yè)。評選將由中國半導體投資聯(lián)盟...

2020-11-25 標簽：芯片半導體 NAND 4.6k 0

SD NAND、SPI NAND和eMMC的區(qū)別對比分析

SPI NAND、SD NAND和eMMC是三種不同類型的嵌入式存儲技術(shù)，它們各自具有獨特的特點和應(yīng)用場景。以下是這三種存儲技術(shù)的主要區(qū)別：

2024-07-02 標簽：mcu NAND 存儲技術(shù) 4.5k 0

英特爾70%的3D NAND快閃存儲器來自大連晶圓廠

英特爾2006年與大連市政府達成合作協(xié)定，2007年起在大連投資25億美元，建設(shè)12英寸晶圓廠，主要負責處理器封裝測試，2010年大連晶圓廠正式落成。

2018-09-29 標簽：英特爾 NAND 4.5k 0

NOR Flash制程工藝技術(shù)市場格局及技術(shù)演進

華邦電子認為，對于NOR Flash而言，45nm很可能是最后一個技術(shù)節(jié)點了，與之相比，SLC NAND Flash還有制程微縮空間，在24nm之后，至...

2023-01-31 標簽：NAND FlaSh 晶體管 4.5k 0

美光公司宣布正式行權(quán)收購IMFT公司，英特爾公司將獲得15億美元的分手費

目前雙方的3D XPoint閃存主要是在美國猶他州的工廠生產(chǎn)，雙方將繼續(xù)通力合作完成第二代3D XPoint技術(shù)開發(fā)，最終將會在2019年上半年完成并開...

2019-01-16 標簽：英特爾 NAND 美光 4.5k 0

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