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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備，在不超過(guò)4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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DRAM制程產(chǎn)能滯后技術(shù)是很大問(wèn)題

DRAM制程推進(jìn)已很緩慢，目前的制程是1y，有EUV的助力，也許可以推進(jìn)到1z，但是1a呢？很多人持疑。即使可以，也是投資甚鉅、所得甚微的最后努力。對(duì)于...

2018-10-14 標(biāo)簽：DRAM NAND 三星電子 5.9k 0

太強(qiáng)了！國(guó)際大廠3D NAND明年將達(dá)176層，國(guó)產(chǎn)QLC躋身第一梯隊(duì)！

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李彎彎）在半導(dǎo)體行業(yè)的存儲(chǔ)芯片細(xì)分領(lǐng)域，最常被提到的是NAND Flash、NOR Flash、DRAM，其中NAND Flash...

2020-10-20 標(biāo)簽：NAND 美光鎧俠 5.8k 1

全球2Q19 DRAM市場(chǎng)下跌9％ NAND閃存持平

DRAMeXchange數(shù)據(jù)顯示，第二季度全球DRAM存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值連續(xù)下降9％，而NAND閃存業(yè)則持平。 DRAMeXchange表示，第二季度DR...

2019-08-21 標(biāo)簽：DRAM NAND 存儲(chǔ)器 5.8k 0

紫光實(shí)現(xiàn)大容量企業(yè)級(jí)3D NAND芯片封測(cè)的規(guī)模量產(chǎn) 讓國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)更進(jìn)一步

昨日，紫光集團(tuán)旗下紫光宏茂微電子（上海）有限公司發(fā)布信息，宣布公司成功實(shí)現(xiàn)大容量企業(yè)級(jí)3D NAND芯片封測(cè)的規(guī)模量產(chǎn)。他們表示，這次公告標(biāo)志著內(nèi)資封測(cè)...

2019-02-04 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)紫光 5.8k 0

東芝無(wú)懼芯片價(jià)格下跌，將量產(chǎn)96層3D NAND Flash

日本東芝記憶體與合作伙伴西部數(shù)據(jù)為全新的半導(dǎo)體設(shè)施Fab 6 (6號(hào)晶圓廠)與記憶體研發(fā)中心舉行開幕儀式；東芝記憶體總裁Yasuo Naruke無(wú)懼芯片...

2018-09-20 標(biāo)簽：東芝 Nand 5.8k 0

在春節(jié)長(zhǎng)假期，國(guó)人歡慶佳節(jié)的時(shí)候，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的工廠依然在加緊建設(shè)，以確保今年三季度投產(chǎn)NAND flash，隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)投產(chǎn)，中國(guó)可望打破當(dāng)前三星在NA...

2018-07-02 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)長(zhǎng)江 5.7k 0

關(guān)于3D超級(jí)DRAM技術(shù)簡(jiǎn)單剖析

就算3D NAND的每位元成本與平面NAND相比較還不夠低，NAND快閃存儲(chǔ)已經(jīng)成功地由平面轉(zhuǎn)為3D，而DRAM還是維持2D架構(gòu);在此同時(shí)，DRAM制程...

2018-10-28 標(biāo)簽：DRAM NAND 3D 5.7k 0

2018年底開始向市場(chǎng)供應(yīng)尖端產(chǎn)品三維NAND型閃存芯片

那么前景如何呢？英國(guó)調(diào)查公司IHS Markit首席分析師南川明表示“2020年以后的NAND供需取決于長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技”。如果將該公司的計(jì)劃全部計(jì)算進(jìn)去，...

2018-04-25 標(biāo)簽：NAND 閃存芯片 5.7k 0

DRAM和NAND閃存現(xiàn)貨價(jià)格持續(xù)上漲存儲(chǔ)模組廠樂(lè)看2020年前景

邁入2020年，DRAM模組及NAND Flash終端產(chǎn)品現(xiàn)貨價(jià)持續(xù)上漲，與存儲(chǔ)顆粒合約價(jià)之間的溢價(jià)差持續(xù)擴(kuò)大，包括威剛、十銓、廣穎等存儲(chǔ)模組廠對(duì)202...

2020-01-15 標(biāo)簽：DRAM NAND 存儲(chǔ)器 5.7k 0

中美貿(mào)易對(duì)決刺激芯片低迷市場(chǎng) 美光下半年復(fù)蘇恐難實(shí)現(xiàn)

2019-06-12 標(biāo)簽：DRAM Nand 美光 5.7k 0

西數(shù)談中國(guó)NAND競(jìng)爭(zhēng)：仍有技術(shù)優(yōu)勢(shì) 2020年前中國(guó)廠商意義不大

面對(duì)中國(guó)廠商在NAND市場(chǎng)上的威脅，這些公司是怎么看的呢？西數(shù)公司日前表態(tài)稱NAND領(lǐng)域技術(shù)很難，他們?cè)谶@方面依然有優(yōu)勢(shì)，中國(guó)的NAND廠商在2020年...

2018-09-11 標(biāo)簽：NAND 三星電子美光 5.7k 0

預(yù)測(cè)2019年電子行業(yè)和IT行業(yè)的未來(lái)

對(duì)于中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的未來(lái)，2019年具有非常重要的意義。

2019-01-27 標(biāo)簽：NAND 長(zhǎng)江存儲(chǔ) 5.6k 0

美光科技Q3復(fù)蘇化為泡影欲持續(xù)減產(chǎn)換市場(chǎng)定價(jià)權(quán)？

中美貿(mào)易對(duì)決，供過(guò)于求的DRAM市場(chǎng)以及疲軟的終端市場(chǎng)需求拖累美光科技2019財(cái)年第三季度業(yè)績(jī)。此前該公司對(duì)第三財(cái)季預(yù)期抱有期許，并對(duì)今年下半市場(chǎng)需求持...

2019-07-04 標(biāo)簽：DRAM NAND 美光科技 5.6k 0

西部數(shù)據(jù)宣布受損工廠已恢復(fù)生產(chǎn) 損失達(dá)3.4億美元

8月2日，西數(shù)公司今天宣布，6月中旬因?yàn)閿嚯妼?dǎo)致日本地區(qū)5座NAND閃存晶圓廠停產(chǎn)的事故基本上恢復(fù)運(yùn)營(yíng)，此次事件損失了大約6EB容量的NAND閃存，約合...

2019-08-03 標(biāo)簽：閃存 NAND 西部數(shù)據(jù) 5.6k 1

中國(guó)首批32層3D NAND閃存芯片即將量產(chǎn)

昨日長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式公開了其突破性技術(shù)——XtackingTM。據(jù)悉，該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來(lái)前所未有的I/O高性能，更高的存儲(chǔ)密度，以及更短的產(chǎn)品...

2018-08-10 標(biāo)簽：nand 閃存芯片長(zhǎng)江存儲(chǔ) 5.6k 0

DRAM價(jià)格持續(xù)上漲，NAND Flash跌價(jià)壓力增加

根據(jù)CINNO Research從存儲(chǔ)器供應(yīng)鏈業(yè)者所掌握到的消息，除了DRAM供給端產(chǎn)出成長(zhǎng)持續(xù)有限外，主要受惠于第二季智能型手機(jī)備貨需求開始增溫以及服...

2018-05-05 標(biāo)簽：DRAM NAND 5.6k 0

關(guān)于存儲(chǔ)芯片必須要知道的一些基礎(chǔ)知識(shí)！

存儲(chǔ)芯片【存儲(chǔ)芯片】雷龍小編今天給大家講解一下存儲(chǔ)芯片的入門基礎(chǔ)問(wèn)題。首先說(shuō)一下存儲(chǔ)芯片的概念，存儲(chǔ)芯片又稱為存儲(chǔ)器，是指利用電能方式存儲(chǔ)信息的半導(dǎo)體介...

2022-07-26 標(biāo)簽：NAND FlaSh SD卡 5.6k 0

英特爾7納米制程技術(shù)的發(fā)展進(jìn)展詳細(xì)說(shuō)明

英特爾方面表示，“經(jīng)過(guò)慎重考慮，董事會(huì)得出結(jié)論，現(xiàn)在是進(jìn)行領(lǐng)導(dǎo)層變革的恰當(dāng)時(shí)機(jī)，在英特爾轉(zhuǎn)型的關(guān)鍵時(shí)期，利用Pat的技術(shù)和工程專長(zhǎng)。董事會(huì)相信，Pat和...

2021-01-17 標(biāo)簽：英特爾 NAND 5G 5.6k 0

內(nèi)存、閃存價(jià)格回歸理智三星、SK海力士、美光合計(jì)2019年減產(chǎn)

這兩年，DRAM芯片和內(nèi)存條價(jià)格經(jīng)歷了一波瘋漲，如今已經(jīng)慢慢回歸理智，而在另一方面，NAND閃存產(chǎn)能一直很充裕，SSD固態(tài)硬盤的價(jià)格也是持續(xù)走低，性價(jià)比...

2018-12-23 標(biāo)簽：DRAM NAND 內(nèi)存 5.5k 0

內(nèi)存顆粒市場(chǎng)呈現(xiàn)供不應(yīng)求的態(tài)勢(shì)

從去年年底，內(nèi)存顆粒就停止了兩年來(lái)的降價(jià)潮，價(jià)格開始逐漸上漲。這和三大內(nèi)存顆粒廠商的態(tài)度不無(wú)關(guān)系，美光和三星都因?yàn)閮?nèi)存顆粒的低價(jià)，而降低了內(nèi)存顆粒的產(chǎn)能...

2021-02-01 標(biāo)簽：amd DRAM NAND 5.5k 0

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來(lái)的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來(lái)社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過(guò)把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來(lái)解決2D或者平面NAND閃存帶來(lái)的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問(wèn)題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來(lái)容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價(jià)。
江波龍

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非易失性存儲(chǔ)器

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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語(yǔ)：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語(yǔ)：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫(kù)，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫(kù)，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過(guò)互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲(chǔ)存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲(chǔ)的特點(diǎn)。
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲(chǔ)品牌。
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