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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備，在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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DRAM和NAND預(yù)計(jì)2020年占所有IC銷售額三分之一，NAND閃存同比大增27%

IC Insights的最近發(fā)布最新報(bào)告，預(yù)測33個(gè)大IC產(chǎn)品類別銷售額和單位出貨量。33種IC產(chǎn)品類別是世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)（WSTS）組織定義的類別。...

2020-08-05 標(biāo)簽：DRAM NAND 6.2k 0

長江存儲(chǔ):力求技術(shù)“無時(shí)差”,國際技術(shù)水平最近的一次

國內(nèi)首家 NAND Flash 大廠長江存儲(chǔ)的新一代 64 層 3D NAND 芯片即將在 8 月投產(chǎn)，這個(gè)時(shí)間點(diǎn)加入全球存儲(chǔ)競賽堪稱是“最混亂的時(shí)代”...

2019-05-08 標(biāo)簽：NAND 長江存儲(chǔ) 6.2k 0

東芝NAND閃存芯片工廠將在7月中旬前全面恢復(fù)生產(chǎn)

6月28日，據(jù)外媒體報(bào)道，東芝存儲(chǔ)公司（Toshiba Memory）表示，其位于日本中部的NAND閃存芯片工廠將在7月中旬前恢復(fù)全面生產(chǎn)。

2019-06-29 標(biāo)簽：東芝閃存 NAND 6.1k 0

日材料禁運(yùn)對SAMSUNG和SK海力士影響甚微而NAND卻上漲了10%

日韓事件持續(xù)發(fā)酵，其中對向韓國出口幾種化學(xué)材料的監(jiān)管被各大媒體報(bào)道。韓國三星電子（SAMSUNG）和SK海力士受影響程度被嚴(yán)重放大，儼然被看成是下一個(gè)“...

2019-07-18 標(biāo)簽：NAND 三星電子 SK海力士 6.1k 2

美光科技的新加坡Fab 10A廠完成擴(kuò)建，臺(tái)中廠擴(kuò)建可在年底落成

存儲(chǔ)器大廠美光科技（Micron）近日宣布完成新加坡NAND Flash廠Fab 10A擴(kuò)建。美光執(zhí)行長Sanjay Mehrotra表示，新廠區(qū)將視市...

2019-08-19 標(biāo)簽：nand 存儲(chǔ)器自動(dòng)駕駛 6.1k 0

Omdia：2020年全球半導(dǎo)體銷售達(dá)4733億美元英特爾三星海力士位列前三甲

Omdia在2020年四季度發(fā)布的《Semiconductor Competitive Landscape Tool (CLT)》中報(bào)告稱，2020年半...

2021-03-31 標(biāo)簽：芯片高通英特爾 6.1k 0

長江存儲(chǔ)或?qū)?021年存儲(chǔ)芯片產(chǎn)量提高一倍

據(jù)媒體報(bào)道，長江存儲(chǔ)計(jì)劃今年把產(chǎn)量提高一倍，計(jì)劃到下半年將每月的存儲(chǔ)芯片產(chǎn)量提高到10萬片晶圓，并準(zhǔn)備試產(chǎn)192層NAND快閃記憶體晶片，最快將于202...

2021-01-12 標(biāo)簽：芯片控制器 NAND 6.1k 0

東芝記憶體獲得中國核準(zhǔn)，是否能提升其在全球NAND Flash的競爭力

2018年DRAM，NAND Flash價(jià)格則呈現(xiàn)兩漲情，出現(xiàn)一漲一跌的局面，其中的關(guān)鍵則是供給端的部分，特別是國際大廠是否突破制程瓶頸，將攸關(guān)整體市場...

2018-06-26 標(biāo)簽：DRAM NAND 6.1k 0

傳蘋果有意采購長江存儲(chǔ)的NAND Flash

據(jù)日經(jīng)新聞（Nikkei）報(bào)道，蘋果正與中國長江存儲(chǔ)科技（Yangtze Memory Technologies）進(jìn)行磋商，有意向其購買存儲(chǔ)芯片，若敲定...

2018-02-16 標(biāo)簽：nand 蘋果 6.1k 0

“從芯到云”，紫光集團(tuán)正意圖在存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)構(gòu)建一個(gè)千億美元帝國

半導(dǎo)體行業(yè)觀察：“從芯到云”，趙偉國治下的紫光集團(tuán)正意圖在存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)構(gòu)建一個(gè)千億美元帝國。

2018-02-05 標(biāo)簽：dram nand 存儲(chǔ) 6.1k 0

搭載長江存儲(chǔ)3D NAND閃存的SSD產(chǎn)品性能達(dá)到國際領(lǐng)先水平

根據(jù)國科微官方的消息，國科微搭載長江存儲(chǔ)3D NAND閃存的固態(tài)硬盤產(chǎn)品已完成批量測試。

2020-01-17 標(biāo)簽：nand ssd 長江存儲(chǔ) 6.1k 0

回顧長江存儲(chǔ)3D NAND技術(shù)的發(fā)展進(jìn)程

日前，有媒體報(bào)道稱，消息人士透露，長江存儲(chǔ)計(jì)劃到2021年下半年將存儲(chǔ)芯片的月產(chǎn)量提高一倍至10萬片晶圓，并準(zhǔn)備最早將于2021年年中試產(chǎn)第一批192層...

2021-01-13 標(biāo)簽：閃存控制器 NAND 6k 0

蘋果AR設(shè)備或?qū)⒁揽縤Phone處理器；三星發(fā)布首款2億像素圖像傳感器

傳鎧俠考慮11月IPO，與西數(shù)并購可能性不大據(jù)外媒最新報(bào)告，鎧俠正在安排于11月進(jìn)行首次公開發(fā)行（IPO），而就在上周，市場傳出西部數(shù)據(jù)正在同鎧俠案進(jìn)...

2021-09-06 標(biāo)簽：arm NAND iPhone 6k 0

AI終端應(yīng)用中需要怎么選擇最合適的閃存芯片

2016年3月，Google AlphaGo在與韓國九段棋手李世石進(jìn)行的圍棋比賽中，以4:1的絕對優(yōu)勢完勝；2018年底，Google AlphaSta...

2021-12-09 標(biāo)簽：閃存 NAND AI 6k 0

DRAM、NAND flash和NOR flash三者牢牢控制著內(nèi)存市場

你如果問當(dāng)前內(nèi)存市場是誰的天下？那么答案一定是DRAM、NAND flash、NOR flash，三者牢牢控制著內(nèi)存市場，當(dāng)前都處于供不應(yīng)求的狀態(tài)。不過...

2018-09-29 標(biāo)簽：DRAM NAND 內(nèi)存 6k 0

三星工廠停電可能導(dǎo)致NAND Flash再上漲大基金1.4億砸向新三板

1、高盛：比特幣陷破底危機(jī)，恐再摔35% 據(jù)Coin Market Cap的報(bào)價(jià)，比特幣昨（12）日報(bào)9,155.44美元，過去一周時(shí)間累計(jì)重挫21%，...

2018-03-18 標(biāo)簽：NAND Flash 大基金 6k 0

固態(tài)硬盤斷電保護(hù)功能介紹

斷電保護(hù) （PLP）是一種機(jī)制，用于確保在發(fā)生突然斷電時(shí) SSD 寫入數(shù)據(jù)時(shí)數(shù)據(jù)不會(huì)丟失。PLP需要控制器固件的技術(shù)支持，并在PCBA上添加電容器以提...

2022-10-24 標(biāo)簽：控制器 NAND SSD 6k 0

宏茂微電子實(shí)現(xiàn)3D NAND芯片封測規(guī)模量產(chǎn)

2019新年伊始，紫光“官宣”旗下紫光宏茂微電子成功實(shí)現(xiàn)大容量企業(yè)級3D NAND芯片封測的規(guī)模量產(chǎn)。

2019-01-11 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ) 5.9k 0

2019年和2020年的數(shù)量Bit Volumes現(xiàn)在將同比增長39％和38％

供需是影響客戶為其閃存存儲(chǔ)所支付的價(jià)格的兩個(gè)因素，需求增加推動(dòng)價(jià)格上漲，促使供應(yīng)商增加產(chǎn)量。如果高估需求，這可能會(huì)導(dǎo)致價(jià)格過剩和價(jià)格下跌。

2019-03-20 標(biāo)簽：閃存 NAND 固態(tài)硬盤 5.9k 0

車用芯片短缺導(dǎo)致豐田等主流汽車制造商減產(chǎn) 美光看好汽車業(yè)務(wù)的需求增長

據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，全球范圍內(nèi)車用芯片短缺，正在迫使大型汽車制造商復(fù)蘇步伐受阻，只能停止或減緩汽車生產(chǎn)。繼本田(Honda)傳出減產(chǎn)消息，豐田汽車(Toyo...

2021-01-11 標(biāo)簽：芯片 NAND 豐田 5.9k 0

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云儲(chǔ)存

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
富士通

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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價(jià)。
江波龍

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非易失性存儲(chǔ)器

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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
合肥長鑫

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2016年5月，長鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
LPDDR4

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NOR flash

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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
nvme

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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
SRAM存儲(chǔ)器

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　　sram存儲(chǔ)器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對之下，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器里面所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時(shí)，SRAM儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)還是會(huì)消失，這與在斷電后還能儲(chǔ)存資料的ROM或閃存是不同的。
福建晉華

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3D NAND Flash

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　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
云盤

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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲(chǔ)存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲(chǔ)的特點(diǎn)。
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲(chǔ)品牌。
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2016年5月，長鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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