SK 海力士今年在投資方面會(huì)相對保守，準(zhǔn)備資金收購英特爾 NAND 閃存及存儲(chǔ)業(yè)務(wù)

2 月 1 日消息，據(jù)國外媒體報(bào)道，疫情對全球眾多行業(yè)都造成了影響，多數(shù)行業(yè)的市場需求明顯下滑，進(jìn)而也影響到了相關(guān)廠商的業(yè)績，投資也將因此而受到影響。 ...

2021-02-01 標(biāo)簽：英特爾閃存NAND 2.7k 0

內(nèi)存顆粒市場呈現(xiàn)供不應(yīng)求的態(tài)勢

從去年年底，內(nèi)存顆粒就停止了兩年來的降價(jià)潮，價(jià)格開始逐漸上漲。這和三大內(nèi)存顆粒廠商的態(tài)度不無關(guān)系，美光和三星都因?yàn)閮?nèi)存顆粒的低價(jià)，而降低了內(nèi)存顆粒的產(chǎn)能...

2021-02-01 標(biāo)簽：amdDRAMNAND 5.5k 0

SK海力士與大連市達(dá)成合作，標(biāo)志著大連市與SK海力士進(jìn)入了密切合作的新階段

SK海力士首席副社長盧鐘元也表示：“SK海力士已深耕中國市場超過17載，一直秉承與中國市場共生共榮的愿景，不斷加大人才、技術(shù)和資金等實(shí)質(zhì)性的支持，共同推...

2021-01-31 標(biāo)簽：芯片NANDSK海力士 3.9k 0

ROM、NOR Flash、NAND Flash及代工產(chǎn)品線均正向看待

盧志遠(yuǎn)指出8英寸晶圓產(chǎn)能短缺，近期的確很多客戶要求代工訂單，8英寸晶圓ASP價(jià)格達(dá)到業(yè)界平均水準(zhǔn)，但旺宏主營業(yè)務(wù)是存儲(chǔ)產(chǎn)品，存儲(chǔ)晶圓毛利與利潤并不會(huì)輸給...

2021-01-31 標(biāo)簽：NAND晶圓ROM 2.2k 0

SK海力士2020年?duì)I收為31.9萬億韓元

1月28日，SK海力士發(fā)布了2020財(cái)年及第四季度財(cái)務(wù)報(bào)告。數(shù)據(jù)顯示，SK海力士2020財(cái)年?duì)I收為31.9萬億韓元，營業(yè)利潤為5.013萬億韓元，分別同...

2021-01-29 標(biāo)簽：閃存NAND存儲(chǔ)器 5k 0

2021年NAND收入將繼續(xù)增長17%

IC Insights最近發(fā)布了2021年版的《麥克林報(bào)告》（The McClean Report），對今年半導(dǎo)體行業(yè)細(xì)分產(chǎn)品的銷售增長率預(yù)測做了排名預(yù)...

2021-01-29 標(biāo)簽：處理器半導(dǎo)體IC 4.1k 0

存儲(chǔ)廠旺宏：第1季度可望淡季不淡，ROM、NOR、NAND全線樂觀

存儲(chǔ)廠旺宏總經(jīng)理盧志遠(yuǎn)表示，2020年表現(xiàn)不錯(cuò)，展望2021年，第1季度可望淡季不淡并維持全線全產(chǎn)能生產(chǎn)，且ROM、NOR Flash、NAND Fla...

2021-01-29 標(biāo)簽：NAND存儲(chǔ)ROM 2.3k 0

三星在半導(dǎo)體打下的江山會(huì)被撼動(dòng)?

去年十月，三星前任會(huì)長李健熙的去世在一定程度上影響了三星。不久前，三星電子副會(huì)長、三星集團(tuán)實(shí)際掌門人李在镕因行賄而獲刑，當(dāng)庭被捕，再次影響了三星的股價(jià)。...

2021-01-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體NAND三星電子 2.4k 0

三星是全球最大的NAND閃存品牌，市場份額為33.1%

三星最大的競爭對手Kioxia在2020年第三季度的市場份額為21.4%。Western Digital的市場份額為14.3%，SK Hynix的市場份...

2021-01-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體NAND三星電子 3.3k 0

全球閃存芯片競爭格局分析

時(shí)至今日，在全球手機(jī)芯片市場，華為、聯(lián)發(fā)科兩家中國企業(yè)順利搶下近半數(shù)份額，擁有了一定的話語權(quán)。

2021-01-18 標(biāo)簽：芯片閃存NAND 2.6k 0

英特爾7納米制程技術(shù)的發(fā)展進(jìn)展詳細(xì)說明

英特爾方面表示，“經(jīng)過慎重考慮，董事會(huì)得出結(jié)論，現(xiàn)在是進(jìn)行領(lǐng)導(dǎo)層變革的恰當(dāng)時(shí)機(jī)，在英特爾轉(zhuǎn)型的關(guān)鍵時(shí)期，利用Pat的技術(shù)和工程專長。董事會(huì)相信，Pat和...

2021-01-17 標(biāo)簽：英特爾NAND5G 5.6k 0

長江存儲(chǔ)計(jì)劃今年將產(chǎn)量提高一倍

此前4月13日，長江存儲(chǔ)宣布其128層QLC 3D NAND閃存研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過驗(yàn)證。這標(biāo)志著國內(nèi)3D NAND...

2021-01-17 標(biāo)簽：控制器NAND長江存儲(chǔ) 3.5k 0

長江存儲(chǔ)打破閃存芯片技術(shù)壁壘

NAND Flash是全球最重要的存儲(chǔ)芯片之一，中國需求量最高。2019年，中國地區(qū)NAND閃存市場銷售額全球第一，占比37%。但全球NAND閃存市場卻...

2021-01-16 標(biāo)簽：芯片閃存NAND 5.4k 0

計(jì)劃今年將產(chǎn)量提高一倍：長江存儲(chǔ)辟謠

日經(jīng)亞洲評論日前報(bào)道稱，長江存儲(chǔ)計(jì)劃今年將產(chǎn)量提高一倍，并開始率先生產(chǎn)192層3D NAND閃存。 對此消息，長江存儲(chǔ)發(fā)布公告指出，近日發(fā)現(xiàn)個(gè)別境外媒體...

2021-01-14 標(biāo)簽：NAND3D長江存儲(chǔ) 2.3k 0

回顧長江存儲(chǔ)3D NAND技術(shù)的發(fā)展進(jìn)程

日前，有媒體報(bào)道稱，消息人士透露，長江存儲(chǔ)計(jì)劃到2021年下半年將存儲(chǔ)芯片的月產(chǎn)量提高一倍至10萬片晶圓，并準(zhǔn)備最早將于2021年年中試產(chǎn)第一批192層...

2021-01-13 標(biāo)簽：閃存控制器NAND 6k 0

長江存儲(chǔ)或?qū)?021年存儲(chǔ)芯片產(chǎn)量提高一倍

據(jù)媒體報(bào)道，長江存儲(chǔ)計(jì)劃今年把產(chǎn)量提高一倍，計(jì)劃到下半年將每月的存儲(chǔ)芯片產(chǎn)量提高到10萬片晶圓，并準(zhǔn)備試產(chǎn)192層NAND快閃記憶體晶片，最快將于202...

2021-01-12 標(biāo)簽：芯片控制器NAND 6.1k 0