3D NAND閃存高密度技術正變得越來越激進。3D NAND閃存密度和容量的提高主要通過增加垂直方向上堆疊的存儲器單元的數(shù)量來實現(xiàn)。通過這種三維堆疊技術和多值存儲技術（用于在一個存儲單元中存儲多個
2019-08-10 00:01:00
8135 9月2日，長江存儲正式對外宣布，其基于Xtacking?架構的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存（每顆裸芯片的存儲容量為256千兆字位，每個存儲單元為三個字位的三維閃存）正式量產(chǎn)，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。
2019-09-02 14:31:151919 Kioxia（原東芝存儲），西部數(shù)據(jù)（WD）聯(lián)盟3D NAND閃存使用三星電子技術進行批量生產(chǎn)。 東芝開發(fā)的3D NAND技術 BiCS 很早之前，原東芝存儲就在國際會議VLSI研討會上首次分享了
2019-12-13 10:46:0712471 臺灣專用存儲器解決方案制造商旺宏(Macronix)將于明年下半年開始批量生產(chǎn)3D NAND存儲器。該公司將成為臺灣第一家生產(chǎn)內部設計的3D NAND閃存制造商。 該公司董事長吳銘表示，旺宏將在
2019-12-14 09:51:295969 7月24日國外消息：SanDisk在3D NAND方面正在走自己的技術路線-- 在同一個區(qū)域記錄層的堆疊在一個閃存芯片放到另一個提供更多的容量之內。
2013-07-25 10:24:231561 一周之前，三星公司才剛剛宣布推出了世界上首款擁有3D垂直NAND Flash技術的內存產(chǎn)品。僅僅一個禮拜的時間，同樣是三星公司緊接著又宣布即將推出世界首款使用3D垂直NAND Flash技術的SSD固態(tài)硬盤。
2013-08-15 09:11:161488 最新的3D垂直閃存與傳統(tǒng)的NAND存儲芯片相比，具有包括讀寫速度快1倍、使用壽命多10倍及能耗減少50%等眾多優(yōu)勢。
2013-08-29 10:46:512859 
3D NAND的好處自然就是能夠比現(xiàn)在的閃存提供功能大的存儲空間，存儲密度可以達到現(xiàn)有閃存的三倍以上，未來甚至可以做出10TB以上的2.5寸SSD出來。
2015-06-01 11:51:372985 256Gb 3D V-NAND閃存芯片。目前備受矚目的三星48層V-NAND 3D快閃存儲器已經(jīng)出現(xiàn)在市場上了，TechInsights的拆解團隊總算等到了大好機會先睹為快。
2016-07-13 10:32:437470 句點，加上早前Intel加大在大連工廠的3D Xpoint的投入，3D NAND大戰(zhàn)一觸即發(fā)。本文詳細介紹了3D NAND閃存優(yōu)勢，主要的生產(chǎn)廠商，以及三星、東芝和Intel在這個領域的實力產(chǎn)品。
2016-08-11 13:58:0644662 
目前NAND閃存需求依然居高不下，廠商也有動力擴大產(chǎn)能了，SK Hynix公司日前宣布本月底將量產(chǎn)48層堆棧的3D NAND閃存，這是三星之后第二家量產(chǎn)48層堆棧3D閃存的公司。
2016-11-09 11:35:161088 3D NAND Flash。中國已吹響進軍3D NAND Flash沖鋒號，若能整合好跨領域人才和技術，中國3D NAND Flash有望彎道超車。
2017-02-07 17:34:129182 
蘋果供應商海力士（SK Hynix）今天發(fā)布了72層，256Gb 3D NAND 閃存芯片。這種芯片比 48層技術多1.5倍，單個 256Gb NAND 閃存芯片可以提供 32GB 閃存，這種芯片比 48 層 3D NAND 芯片的內部運行速度快兩倍，讀寫性能快 20%。
2017-04-11 07:49:042003 國產(chǎn)手機勢頭越來越強勁，把三星和蘋果的市場份額搶占不少，但繁榮背后是對核心產(chǎn)業(yè)鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國廠商壟斷了。近日，高啟全接受媒體采訪時表示，長江存儲將在2019年開始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存，這個消息無疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。
2017-05-09 15:10:042528 通過3D堆疊技術將存儲層層堆疊起來，促成了NAND 技術進一步成熟。
2018-04-16 08:59:5213248 
集微網(wǎng)消息，9月19日，2018年中國閃存市場峰會（CFMS2018）在深圳舉行，長江存儲總經(jīng)理楊士寧博士以“創(chuàng)新Xtacking?架構：釋放3D NAND潛能”為主題，介紹長江存儲Xtacking?架構的技術優(yōu)勢和長江存儲3D NAND新進展。
2018-09-20 10:22:075995 Xtacking 3D NAND閃存，包括長江存儲最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲在3D NAND技術迅速
2020-09-11 10:03:293531 3D閃存有著更大容量、更低成本和更高性能的優(yōu)勢，本文介紹了3D閃存的制造工藝與挑戰(zhàn)。
2025-04-08 14:38:392056 
Semiconductor。 ? X-NAND ? 相信去年的閃存峰會上，除了鎧俠、SK海力士、長江存儲、三星等大廠所做的技術分享外，大家也都注意到了這家名為NEO Semiconductor的初創(chuàng)企業(yè)。這是一家專為NAND閃存和DRAM內存開發(fā)創(chuàng)新架構的廠商，其去年推出的X-NAND第二代技術，允許3D NAND閃存
2023-05-08 07:09:002956 
3D NAND技術資料：器件結構及功能介紹
2019-09-12 23:02:56
什么是3D NAND？什么是4D NAND？3D NAND與4D NAND之間的差別在哪兒？
2021-06-18 06:06:00
的減輕產(chǎn)品重量呢？采用新型的塑料成型技術：3D混合制造 可以到達要求，3D混合制造步驟是3D打印成型/激光LDS選擇性沉積金屬。采用這種工藝的好處是節(jié)省了制造時間和實現(xiàn)了復雜的饋源/波導等器件的一體化免安裝調試，且帶來的另外好處是大幅度減輕了產(chǎn)品重量。下面舉例說明：
2019-07-08 06:25:50
，然后可以感覺到飄遠的距離感。 隨著3D技術在表演領域的廣泛應用，音樂的創(chuàng)作必將因此受到影響，帶來作曲方式上的改變。除了構思旋律之外，藝術家需要在前期創(chuàng)作中就考慮到空間關系。 可以說，3D全息聲音技術
2013-04-16 10:39:41
的存儲成本。在認識到不斷縮小的光刻技術的擴展局限性之后，需要一種新的方法來增加每個設備的密度，同時降低每 GB 的相對成本，此時便出現(xiàn)了3D NAND FLASH。16nm制程以上的閃存如28nm多屬
2020-11-19 09:09:58
視頻監(jiān)控能給你帶來什么？ 視頻監(jiān)控是當今各種場景管控的重要技術，但一直依賴人工肉眼識別，從中檢索所需信息。隨著技術的不斷發(fā)展，視頻監(jiān)控在自動識別、自動檢索、自動跟蹤與行為理解等方面有了突破性的進展
2013-09-18 09:04:01
技術方案。
三、NAND Flash分類
NAND閃存卡的主要分類以NAND閃存顆粒的技術為主，NAND閃存顆粒根據(jù)存儲原理分為SLC、MLC、TLC和QLC，從結構上又可分為2D、3D兩大類
2024-12-17 17:34:06
，大數(shù)據(jù)存儲需求持續(xù)增加，一直到2021年NAND Flash平均每年增長率達40%-45%，而美光NAND技術從40nm到16nm，再到64層3D技術，一直為市場提供更好的產(chǎn)品和解決方案。就在幾個月前美
2018-09-20 17:57:05
和Neytiri對世界美好的愿望和共同的追求，使雙方互相看到了地球人和納威人之間不可分割的聯(lián)系，而觀眾則通過先進的3D視頻處理技術，觀賞到了3D電影的逼真效果，感受到這部電影帶來的震撼。那么有誰知道，為什么說FPGA主導了3D視頻處理市場呢？
2019-08-06 08:26:38
128層甚至更高，外圍電路可能會占到芯片Xtacking技術將外圍電路連接到存儲單元之上，從而實現(xiàn)比傳統(tǒng)3D NAND更高的存儲密度。據(jù)悉，長江存儲的64層3D NAND閃存產(chǎn)品將在2020年進入
2020-03-19 14:04:57
據(jù)報道，蘋果供應商海力士(SK Hynix)日前推出了基于三級單元陣列的 72 層，256Gb 的 3D NAND 閃存芯片。通過堆疊，這比以前的 48 層技術多出 1.5 倍的單元，單個
2017-04-12 01:07:111359 3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。在一個新的研究報告中指出，這項技術將會在今年成為閃存領域的卓越性技術。
2017-05-03 01:02:501622 現(xiàn)在，西數(shù)全球首發(fā)了96層堆棧的3D NAND閃存，其使用的是新一代BiCS 4技術（下半年出樣，2018年開始量產(chǎn)），除了TLC類型外，其還會支持QLC，這個意義是重大的。
2017-06-28 11:22:40937 技術的基礎上， 該公司運用其深厚的重直整合能力，開發(fā)出X4 3D NAND技術，包括硅晶圓加工、裝置工程（在每個存儲節(jié)點上提供16個不同的資料等級）、和系統(tǒng)專門技術（用于整體閃存管理）。
2017-07-26 16:07:111246 的廠商競爭，以及日經(jīng)貼般的MLC/TLC顆粒的優(yōu)劣問題。、 那么，到底什么是閃存顆？2D NAND和3D NAND之間又有哪些區(qū)別和聯(lián)系？ 閃存顆粒到底是什么？ 閃存顆粒，又稱閃存，是一種非易失性存儲器，即在斷電的情況下依舊可以保存已經(jīng)寫入的數(shù)據(jù)
2017-10-13 20:33:26
6 基于 3D NAND 的 microSD卡將有望再次改變視頻監(jiān)控行業(yè)的格局，推動所有參與者實現(xiàn)新一輪發(fā)展。
2018-01-13 11:15:455138 
上周，隨著英特爾和美光宣布未來雙方將各自獨立開發(fā)3D NAND，其維持多年的長期合作關系也將結束。與此同時，有外媒報道，英特爾將于紫光合作，在中國生產(chǎn)3D NAND閃存芯片。在未來幾年，英特爾將會
2018-01-16 14:37:555172 
3D Xpoint是自 NAND Flash 推出以來，最具突破性的一項存儲技術。由于具備以下四點優(yōu)勢，3D Xpoint被看做是存儲產(chǎn)業(yè)的一個顛覆者： （1）比NAND Flash快1000倍
2018-04-19 14:09:0052237 
層數(shù)的增加也就意味著對工藝、材料的要求會提高，要想達到140層堆疊就必須使用新的基礎材料。而且在堆疊層數(shù)增加的時候，存儲堆棧的高度也在增大，然而每層的厚度卻在縮小，以前的32/36層3D NAND
2018-05-28 16:25:4851344 的平面閃存，3D存儲器的關鍵技術是薄膜和刻蝕工藝，技術工藝差別較大，而且相對2D NAND來說，國際大廠在3D存儲器布局方面走得并不遠。
2018-06-20 17:17:495087 作為3D NAND閃存產(chǎn)業(yè)的新晉者，紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司（長江存儲）今年將首次參加閃存峰會（Flash Memory Summit），并發(fā)表備受期待的主題演講，闡述其即將發(fā)布的突破性技術XtackingTM。
2018-07-31 14:17:015078 近日，英特爾發(fā)布了DC P4500系列及DC P4600系列兩款全新的采用3D NAND技術的數(shù)據(jù)中心級固態(tài)盤，加強擴大3D NAND供應。
2018-08-01 17:44:541237 今年DRAM內存、NAND閃存漲價救了美光公司，他們本周一正式收購了華亞科公司，內存業(yè)務如虎添翼，而閃存方面，美光也公布了兩個好消息——該公司的3D NAND閃存產(chǎn)能日前正式超過2D NAND閃存
2018-08-03 16:15:031684 昨日長江存儲正式公開了其突破性技術——XtackingTM。據(jù)悉，該技術將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能，更高的存儲密度，以及更短的產(chǎn)品上市周期。
2018-08-10 09:14:395425 作為NAND行業(yè)的新晉者，長江存儲科技有限責任公司（以下簡稱：長江存儲）昨日公開發(fā)布其突破性技術——Xtacking?。該技術將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能，更高的存儲密度，以及更短的產(chǎn)品上市周期。
2018-08-13 09:54:002244 日本PC Watch網(wǎng)站日前刊發(fā)了長江存儲CEO楊士寧博士在FMS會議上的演講，我們之前也做過簡單的報道，這次他們的介紹更加詳細，我們可以一窺長江存儲的3D NAND閃存現(xiàn)在到底進行到那一步了。
2018-08-15 10:50:166345 今年第三季度，NAND閃存依然處于供給吃緊的狀態(tài)，主要是顆粒廠面向3D工藝的轉型步伐較慢，低于預期。
2018-09-16 10:38:14766 被三星超越，不過東芝在NAND及技術領域依然非常強大，很早就投入3D NAND研發(fā)了，2007年他們獨辟蹊徑推出了BiCS技術的3D NAND——之前我們也提到了，2D NAND閃存簡單堆棧是可以
2018-10-08 15:52:39780 支持64層3D QLC后，現(xiàn)已全面支持最新96層3D NAND閃存顆粒。此次發(fā)布的96層3D TLC NAND閃存固態(tài)硬盤解決方案，客戶無需修改硬件，為客戶快速量產(chǎn)提供了極大的便利性。聯(lián)蕓科技最新發(fā)
2018-11-19 17:22:318415 技術確實降低了每千兆字節(jié)的成本。本報告展示了目前市場上四家存儲器制造商的最新一代3D NAND閃存的技術和成本分析。
2018-12-11 09:28:467716 國產(chǎn)存儲芯片再下一城，日前有產(chǎn)業(yè)鏈方面的消息稱，中國長江存儲將如期在今年年底量產(chǎn)64層3D NAND閃存芯片，這對價格本就在不斷下探的閃存市場無疑又將帶來一波新的沖擊。
2019-04-01 16:53:122056 紫光集團旗下的長江存儲YMTC是國內三大存儲芯片陣營中主修NAND閃存的公司，也是目前進度最好的，去年小規(guī)模生產(chǎn)了32層堆棧的3D NAND閃存，前不久紫光在深圳第七屆中國電子信息博覽會
2019-04-18 16:18:522546 現(xiàn)在，長江存儲聯(lián)席首席技術官、技術研發(fā)中心高級副總裁程衛(wèi)華接受采訪時表示，公司已開始量產(chǎn)基于Xtacking架構的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。
2019-09-02 16:30:003069 根據(jù)官網(wǎng)資料，長江存儲是紫光集團收購武漢新芯科技之后成立的，于2016年7月在中國武漢成立，是一家專注于3D NAND閃存芯片設計、生產(chǎn)和銷售的IDM存儲器公司。長江存儲為全球工商業(yè)客戶提供存儲器產(chǎn)品，廣泛應用于移動設備、計算機、數(shù)據(jù)中心和消費電子產(chǎn)品等領域。
2019-08-29 14:28:002728 由于 3D NAND 存儲器市場出現(xiàn)了供過于求的現(xiàn)象，制造商們不得不減產(chǎn)以穩(wěn)定價格。
2019-07-30 14:29:393100 單元，這樣有利于選擇更先進的制造工藝。當兩片晶圓各自完工后，創(chuàng)新的Xtacking?技術只需一個處理步驟就可通過數(shù)十億根垂直互聯(lián)通道(VIA)將兩片晶圓鍵合。相比傳統(tǒng)3D NAND閃存架構，Xtacking?可帶來更快的I/O傳輸速度、更高的存儲密度和更短的產(chǎn)品上市周期。
2019-09-03 10:07:021792 Xtacking是長江存儲在去年FMS（閃存技術峰會）首次公開的3D NAND架構，榮獲當年“Best of Show”獎項。其獨特之處在于，采用Xtacking，可在一片晶圓上獨立加工負責數(shù)據(jù)I/O及記憶單元操作的外圍電路。
2019-09-06 16:30:373601 長江存儲科技（YMTC）本周早些時候表示，已經(jīng)開始批量生產(chǎn)采用專有Xtacking架構的64層3D NAND存儲器。
2019-09-09 10:22:162374 據(jù)悉，長江存儲是紫光集團收購武漢新芯科技之后成立的，于2016年7月在中國武漢成立，是一家專注于3D NAND閃存芯片設計、生產(chǎn)和銷售的IDM存儲器公司。
2019-10-01 17:23:005155 紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司宣布，開始量產(chǎn)基于Xtacking架構的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-19 11:10:091145 紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司宣布，開始量產(chǎn)基于Xtacking架構的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-23 17:05:241455 隨著數(shù)據(jù)量的迅速增大，主流存儲技術也在迅速向前推進中。3D NAND閃存從2014年的24層，到2016年的48層，到2017年的64層，再到2018年的96層，以及明年的1XX層，技術更新速度越來越快。
2019-09-26 17:26:111141 有關國產(chǎn)閃存技術的發(fā)展與突破，相信很多人都在翹首期待，希望我們能夠擁有自己的先進閃存產(chǎn)品，而當長江存儲成功發(fā)展出來3D NAND存儲Xtacking架構技術的時候，我們知道，真正的國產(chǎn)存儲即將出現(xiàn)了！
2019-10-31 11:37:071251 根據(jù)國科微官方的消息，國科微搭載長江存儲3D NAND閃存的固態(tài)硬盤產(chǎn)品已完成批量測試。
2020-01-17 15:17:495929 據(jù)證券時報消息，長江存儲CEO楊士寧在接受采訪時談及了該公司最先進的128層3D NAND技術的研發(fā)進度。楊士寧表示，128層3D NAND技術研發(fā)進度短期確實會有所波及。但目前長江存儲已實現(xiàn)全員復工，從中長期來看，這次疫情并不會影響總體進度。128層技術會按計劃在2020年推出。
2020-04-08 15:09:152896 2020年4月13日，長江存儲科技有限責任公司（以下簡稱“長江存儲”）宣布其128層QLC 3D NAND 閃存（型號：X2-6070）研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產(chǎn)品上通過驗證。
2020-04-13 14:41:523480 長江存儲科技有限責任公司（以下簡稱“長江存儲”）在官網(wǎng)宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片 X2－6070研發(fā)成功，已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產(chǎn)品上通過驗證。
2020-05-04 10:39:003613 閃存控制芯片及儲存解決方案整合服務領導廠商 群聯(lián)電子 （PHISON; TPEx:8299） 與長江存儲自2016年開始接洽合作，從最早期的32層 3D NAND導入驗證群聯(lián)eMMC控制芯片PS8226，至近期的64層3D NAND，群聯(lián)全系列的NAND控制芯片均有支持且已進入量產(chǎn)階段。
2020-05-07 14:48:091627 長江存儲科技有限責任公司宣布，128層QLC?3D?NAND閃存研發(fā)成功，這標志著國產(chǎn)存儲廠商向世界最先進技術水準又邁進了一步。
2020-05-07 14:59:225529 Xtacking 3D NAND閃存，包括長江存儲最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲在3D NAND技術迅速提升
2020-09-11 11:12:162691 Xtacking 3D NAND閃存，包括長江存儲最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲在3D NAND技術迅速提升
2020-09-11 11:12:342586 據(jù)國外媒體報道，專注于3D NAND閃存設計制造的長江存儲，將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:493047 據(jù)美媒Anandtech報道，美光日前宣布了其第五代3D NAND閃存，新一代產(chǎn)品擁有破紀錄的176層構造。報道指出，新型176L閃存是自美光與英特爾的存儲器合作解散以來推出的第二代產(chǎn)品，此后美光從浮柵（ floating-gate）存儲單元設計轉變?yōu)殡姾上葳澹╟harge-trap）單元。
2020-11-10 14:56:593478 美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術，達到了創(chuàng)紀錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚鑣之后，自己獨立研發(fā)的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:212927 IT之家11月12日消息 今日，美光科技宣布已批量出貨全球首款 176 層 3D NAND 閃存，刷新行業(yè)紀錄，實現(xiàn)閃存產(chǎn)品密度和性能上的提升。 IT之家了解到，這款 176 層 NAND 產(chǎn)品采用
2020-11-12 13:04:572623 存儲器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術達到創(chuàng)紀錄的176層堆疊。預計通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術以及架構，可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計算以及智能手機存儲
2020-11-12 16:02:553697 日前，TechInsights高級技術研究員Joengdong Choe在2020年閃存峰會上作了兩次演講，詳細介紹了3D NAND和其他新興存儲器的未來。
2020-11-19 16:11:183724 NAND 非易失性閃存存儲器作為存儲行業(yè)的突破性革新已有多年發(fā)展歷史，隨著 2D NAND 容量達到極限，以及晶體管越來越小，NAND 的編程時間變長，擦寫次數(shù)變少，能夠將內存顆粒堆疊起來的 3D
2020-11-20 16:07:133098 上，TechInsights 高級技術研究員 Joengdong Choe 發(fā)表了相關演講，詳細介紹了 3D NAND 和其他新興存儲器的未來。TechInsights 是一家對包括閃存在內的半導體產(chǎn)品分析公司
2020-11-20 17:15:444306 大咖來答疑欄目給出了相關技術答復，讓大家更加的了解致鈦品牌固態(tài)。 背景介紹： 長江存儲于2014年，開始3D NAND flash的研發(fā)，技術團隊從最初開始研發(fā)相關技術到現(xiàn)在已經(jīng)有六年的時間，并在，2016年注冊公司，短短的時間內就做到了從閃存顆粒，到X
2020-11-24 09:56:484527 作為國產(chǎn)存儲行業(yè)的佼佼者，長江存儲近兩年憑借在3D NAND閃存領域的突飛猛進，引發(fā)普遍關注，尤其是獨創(chuàng)了全新的Xtacking閃存架構，最近還打造了首個消費級SSD品牌“致鈦”。
2020-11-24 10:12:315280 ? ? NAND非易失性閃存存儲器作為存儲行業(yè)的突破性革新已有多年發(fā)展歷史，隨著2D NAND容量達到極限，以及晶體管越來越小，NAND的編程時間變長，擦寫次數(shù)變少，能夠將內存顆粒堆疊起來的3D
2020-12-09 10:35:493617 發(fā)展至今，NAND Flash已呈現(xiàn)白熱化階段。就在前不久，存儲廠商們還在128層“閃存高臺上觀景”，2019年6月SK海力士發(fā)布128層TLC 3D NAND；美光于2019年10月流片出樣128
2020-12-09 14:55:374583 日前，有媒體報道稱，消息人士透露，長江存儲計劃到2021年下半年將存儲芯片的月產(chǎn)量提高一倍至10萬片晶圓，并準備最早將于2021年年中試產(chǎn)第一批192層3D NAND閃存芯片，不過為確保量產(chǎn)芯片質量，該計劃有可能會被推遲至今年下半年。
2021-01-13 13:59:275877 在3D NAND技術賽跑中，三星長期處于領先地位，截至目前，其3D NAND閃存已經(jīng)陸續(xù)演進至128層。
2022-06-14 15:21:153357 
長江存儲一直是我國優(yōu)秀的存儲芯片企業(yè)，從成立之初就保持著高速穩(wěn)定的發(fā)展狀態(tài)，用短短3年的時間，接連推出了32層NAND閃存，以及64層堆棧3D NAND閃存，成功進入了華為Mate40手機的供應鏈。
2022-06-17 10:56:218286 全球存儲市場對NAND 閃存的需求不斷增長。這項技術已經(jīng)通過許多發(fā)展得到滿足，不僅體現(xiàn)在當今閃存控制器的功能上，尤其是通過 3D NAND 架構。隨著工業(yè)物聯(lián)網(wǎng) （IIoT）、智能工廠、自動駕駛汽車和其他數(shù)據(jù)密集型應用程序的不斷發(fā)展，這些苛刻應用程序的數(shù)據(jù)存儲要求變得更具挑戰(zhàn)性。
2022-07-15 08:17:251511 全球存儲市場對高密度 NAND 閃存的需求不斷增長。目前，這一需求已通過許多發(fā)展得到滿足，不僅體現(xiàn)在當今閃存控制器的功能上，而且尤其是在過去十年中一直處于存儲討論和發(fā)展中心的 3D NAND 架構
2022-07-28 10:12:492300 
我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來了，理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:394229 3D NAND閃存是一種把內存顆粒堆疊在一起解決2D或平面NAND閃存限制的技術。這種技術垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲單元，具備卓越的精度，可支持在更小的空間內，容納更高的存儲容量，從而有效節(jié)約成本、降低能耗，以及大幅度地提升性能。
2023-06-15 09:37:563212 
這種存儲技術的成功與其不斷擴展密度和成本的能力有關——這是 NAND 閃存技術發(fā)展的主要驅動力。大約每兩年，NAND 閃存行業(yè)就會顯著提高位存儲密度，以增加的 Gbit/mm2表示。
2023-06-27 10:38:343464 
三星已經(jīng)確定了新一代3D NAND閃存的開發(fā)計劃，預計在2024年推出第九代3D NAND，其層數(shù)可達到280層
2023-07-04 17:03:293143 據(jù)悉，東京電子新技術的目標是能夠長時間儲存數(shù)據(jù)的3d nand閃存。該公司開發(fā)了一種新的通道孔蝕刻方法，該方法是將垂直孔快速深插入存儲單元。3D nand的存儲器容量可以通過將存儲器單元層垂直堆積來增加，如果層數(shù)增加，就需要性能更高的裝置。
2023-10-16 14:39:491364 增加3D（三維）NAND閃存密度的方法正在發(fā)生變化。這是因為支持傳統(tǒng)高密度技術的基本技術預計將在不久的將來達到其極限。2025 年至 2030 年間，新的基礎技術的引入和轉化很可能會變得更加普遍。
2023-11-30 10:20:261913 
2D NAND和3D NAND都是非易失性存儲技術（NVM Non-VolatileMemory），屬于Memory（存儲器）的一種。
2024-03-17 15:31:392384 
目前，鎧俠和西部數(shù)據(jù)共同研發(fā)NAND閃存技術，他們最杰出的作品便是218層堆疊的BICS8 3D閃存，這項產(chǎn)品能達到的傳輸速度高達3200MT/s。
2024-04-07 15:21:571352 在全球半導體行業(yè)的激烈競爭中，日本知名存儲芯片制造商鎧俠（Kioxia）展現(xiàn)了其雄心壯志和堅定決心。在結束了長達20個月的NAND閃存減產(chǎn)計劃后，鎧俠的兩座日本工廠生產(chǎn)線開工率已提升至100%，同時上周還公布了其令人矚目的3D NAND閃存技術路線圖計劃。
2024-06-29 09:29:371370 在CITE 2020上，紫光集團帶來了大量產(chǎn)品，其中包括長江存儲的128層QLC三維閃存和新華三半導體高端路由器芯片EasyCore等。作為業(yè)內首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存，長江存儲X2-6070擁有業(yè)內已知型號產(chǎn)品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。
2020-08-15 09:32:144822
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