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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>緩沖/存儲(chǔ)技術(shù)>SSD容量突破關(guān)鍵:3D存儲(chǔ)芯片大揭秘

SSD容量突破關(guān)鍵:3D存儲(chǔ)芯片大揭秘

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的5%。 國(guó)內(nèi)的存儲(chǔ)芯片今年有兩大陣營(yíng)進(jìn)入量產(chǎn)階段,其中紫光集團(tuán)控股的長(zhǎng)江存儲(chǔ)今年9月份量產(chǎn)了64層堆棧的3D閃存,采用了自研Xtacking架構(gòu),核心容量256Gb。 現(xiàn)階段長(zhǎng)江存儲(chǔ)正在加快產(chǎn)能提升,預(yù)計(jì)到明年底的時(shí)候晶圓月產(chǎn)能將翻兩番到6萬(wàn)片,這個(gè)
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2016-11-22 17:07:234218

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2017-02-07 17:34:129182

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2020-09-11 10:03:293528

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2019-09-12 17:42:57

ICMAX存儲(chǔ)芯片如何實(shí)現(xiàn)定制化?

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2019-07-26 19:41:57

【半導(dǎo)體存儲(chǔ)】關(guān)于NAND Flash的一些小知識(shí)

。 []()   Flash按技術(shù)主要分為SLC、MLC、TLC和QLC四大類(lèi),對(duì)應(yīng)不同的空間結(jié)構(gòu),這四類(lèi)技術(shù)可又分為2D結(jié)構(gòu)和3D結(jié)構(gòu)兩大類(lèi);2D結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)單元僅布置在芯片的XY平面中,為了提高存儲(chǔ)
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的。   EMMC存儲(chǔ)芯片無(wú)論是在傳輸速度上,在存儲(chǔ)容量上,它的的性能都是很強(qiáng)大的,但同時(shí)需要很復(fù)雜的連接驅(qū)動(dòng)才能使用,所以經(jīng)常出現(xiàn)在一些較高端的電子產(chǎn)品上使用比如手機(jī),平板,電腦等。   SD NAND
2024-11-13 15:20:16

三星、西部數(shù)據(jù)、英特爾、美光、長(zhǎng)江存儲(chǔ)探討3D NAND技術(shù)

,在本次峰會(huì)上介紹了其突破性的技術(shù)-Xtacking,長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧先生表示,長(zhǎng)江存儲(chǔ)創(chuàng)新Xtacking在容量、性能、周期上具有突出的表現(xiàn)。長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D技術(shù)從9層開(kāi)始,到32層,再到64層試片
2018-09-20 17:57:05

世界首款 BeSang 3D芯片誕生

世界首款3D芯片工藝即將由無(wú)晶圓半導(dǎo)體公司BeSang授權(quán)。   BeSang制造了一個(gè)示范芯片,在邏輯控制方面包含1.28億個(gè)縱向晶體管的記憶存儲(chǔ)單元。該芯片由韓國(guó)國(guó)家Nanofab和斯坦福
2008-08-18 16:37:37

半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片核心解析

(FTL,磨損均衡,糾錯(cuò)等),存在讀寫(xiě)干擾問(wèn)題。 結(jié)構(gòu)演進(jìn): 平面 NAND:傳統(tǒng)二維結(jié)構(gòu),工藝微縮遇到瓶頸。 3D NAND:將存儲(chǔ)單元垂直堆疊(幾十層到幾百層),突破密度限制,降低成本,提高
2025-06-24 09:09:39

固態(tài)存儲(chǔ)SSD發(fā)展怎么樣?

SSD是摒棄傳統(tǒng)磁介質(zhì),采用電子存儲(chǔ)介質(zhì)進(jìn)行數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和讀取的一種技術(shù),突破了傳統(tǒng)機(jī)械硬盤(pán)的性能瓶頸,擁有極高的存儲(chǔ)性能,被認(rèn)為是存儲(chǔ)技術(shù)發(fā)展的未來(lái)新星。
2019-10-16 08:13:50

如何用MRAM和NVMe SSD構(gòu)建未來(lái)的云存儲(chǔ)的解決方案

在2019全球閃存峰會(huì)上,Everspin作為全球MRAM存儲(chǔ)芯片龍頭分享如何用MRAM這類(lèi)非易失性存儲(chǔ)和NVMe SSD構(gòu)建未來(lái)的云存儲(chǔ)的解決方案。
2021-01-11 06:44:23

宏旺半導(dǎo)體從應(yīng)用領(lǐng)域來(lái)漫談eMMC和SSD的區(qū)別及特性

存儲(chǔ)介質(zhì),具有相同的存儲(chǔ)原理,但在應(yīng)用領(lǐng)域及組成形態(tài)上確是如此不同。今天ICMAX從應(yīng)用領(lǐng)域的方面和大家好好聊聊eMMC和SSD,也可以觀看往期文章【更好地了解國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片,宏旺半導(dǎo)體簡(jiǎn)析eMMC
2019-08-06 15:08:43

導(dǎo)航里的存儲(chǔ)芯片容量太小了,能不能自己手動(dòng)DIY換芯升級(jí)?

導(dǎo)航裝置里面有存儲(chǔ)芯片嗎?導(dǎo)航里的存儲(chǔ)芯片有什么作用?導(dǎo)航里的存儲(chǔ)芯片容量太小了,能不能自己手動(dòng)DIY換芯升級(jí)?
2021-06-18 06:21:36

數(shù)據(jù)與存儲(chǔ)芯片之間有什么關(guān)系?

數(shù)據(jù)與存儲(chǔ)芯片之間有什么關(guān)系?存儲(chǔ)芯片主要應(yīng)用在哪些領(lǐng)域?
2021-06-18 07:12:26

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我現(xiàn)在在一塊正在研發(fā)的電路板上需要存儲(chǔ)一些數(shù)據(jù),需要用到存儲(chǔ)芯片,這個(gè)存儲(chǔ)芯片要求是32位的,各位有什么好介紹用哪種型號(hào)的芯片嗎?謝謝!
2018-05-03 14:14:54

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2016-09-17 18:15:24

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題目:某計(jì)算機(jī)字長(zhǎng)16位,主存容量128KW,請(qǐng)用16K 8 的靜態(tài)RAM存儲(chǔ)芯片和32K 16的ROM芯片,為該機(jī)設(shè)計(jì)一個(gè)主存儲(chǔ)器。要求18000H1FFFFH為ROM區(qū),其余為RAM區(qū)。畫(huà)出存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)及其與CPU連接的框圖。答案:...
2021-07-28 06:33:04

請(qǐng)問(wèn)單片機(jī)存儲(chǔ)芯片用什么好?

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新發(fā)明的透明柔性3D存儲(chǔ)芯片會(huì)成為小存設(shè)備中的一件大事。這種新的內(nèi)存芯片透明柔韌,可以像紙一樣折疊,而且可以耐受1000華氏度的溫度
2012-04-06 11:39:251380

最新裸眼3D技術(shù)揭秘

通過(guò)裸眼3D技術(shù),你就能看到本來(lái)要借助特殊眼鏡才能觀看到的3D立體影像。很好奇吧,就讓《最新裸眼3D技術(shù)揭秘》技術(shù)專題帶你一起揭秘裸眼3D,一起了解裸眼3D技術(shù)、裸眼3D產(chǎn)品(含裸眼3D手機(jī)、裸眼3D顯示器、裸眼3D電視...)、裸眼3D技術(shù)特點(diǎn)、裸眼3D技術(shù)應(yīng)用等知識(shí)吧!
2012-08-17 12:21:52

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Intel自己上馬:推出全球首款64層3D閃存SSD

6月29日消息 據(jù)外媒NEOWIN報(bào)道,英特爾今天宣布推出SSD 545s固態(tài)硬盤(pán),它是主流的SATA驅(qū)動(dòng)器,使用Silicon Motion控制器和IMFT的64層3D TLC閃存。 這是世界上首款可供商用的64層3D NAND SSD產(chǎn)品,且目前僅提供512 GB容量版本。
2017-06-29 17:56:051179

存儲(chǔ)容量需求大增,推動(dòng)了3D NAND儲(chǔ)存的發(fā)展

以往僅搭載16GB、32GB容量的智能手機(jī)已無(wú)法滿足當(dāng)前由數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)的新興移動(dòng)應(yīng)用需求,從而為3D NAND快閃存儲(chǔ)器的進(jìn)展鋪路… 智能手機(jī)使用者不斷尋求更好的移動(dòng)體驗(yàn),除了提升裝置的處理
2018-06-07 07:44:001021

存儲(chǔ)芯片廠商有哪些_八大存儲(chǔ)芯片廠商排名

本文詳細(xì)介紹了八大存儲(chǔ)芯片廠商排名。存儲(chǔ)芯片是嵌入式系統(tǒng)芯片的概念在存儲(chǔ)行業(yè)的具體應(yīng)用,目前存儲(chǔ)芯片在我們的生活中也已經(jīng)得到普遍的運(yùn)用。
2018-04-08 11:52:00115590

中國(guó)的三大存儲(chǔ)芯片企業(yè)有望打破韓美日壟斷存儲(chǔ)芯片的局面

當(dāng)然中國(guó)的存儲(chǔ)芯片企業(yè)在投產(chǎn)后還需要在技術(shù)方面追趕韓美日等存儲(chǔ)芯片企業(yè),長(zhǎng)江存儲(chǔ)當(dāng)下準(zhǔn)備投產(chǎn)的為32層NAND flash而韓國(guó)三星去年就開(kāi)始大規(guī)模投產(chǎn)64層NAND flash,長(zhǎng)江存儲(chǔ)希望在未來(lái)兩三年實(shí)現(xiàn)64層NAND flash的技術(shù)突破,將技術(shù)差距縮短到兩年內(nèi)。
2018-04-17 09:37:1944620

中國(guó)存儲(chǔ)芯片即將起飛,有望打破韓美日壟斷存儲(chǔ)芯片的局面

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2018-04-18 09:12:376932

湖北大學(xué)與長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技在3D存儲(chǔ)芯片研究上開(kāi)展合作

3D存儲(chǔ)器選通管和高密度阻變存儲(chǔ)器及其集成技術(shù)的研究上開(kāi)展合作,全力研發(fā)下一代3D存儲(chǔ)芯片,為早日實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)芯片技術(shù)的國(guó)產(chǎn)化貢獻(xiàn)力量。
2018-06-11 01:15:002853

黑科技vivo TOF 3D技術(shù)

當(dāng)今時(shí)代,深度信息讀取面臨應(yīng)用場(chǎng)景及安全性等因素的制約較為局限,很難取得進(jìn)一步的突破,只有向3D領(lǐng)域發(fā)展才能突破目前成像技術(shù)的瓶頸。而TOF 3D超感應(yīng)技術(shù)則為全新人機(jī)交互的到來(lái)打開(kāi)了新的風(fēng)口,也成為突破智慧未來(lái)的關(guān)鍵所在。
2018-07-02 14:40:001050

我國(guó)三家存儲(chǔ)芯片廠將投入量產(chǎn),填補(bǔ)大陸存儲(chǔ)芯片空白

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2018-07-26 16:28:0115523

東芝64層BiCS 3D堆疊技術(shù)的SSD產(chǎn)品,成本降低容量提升

在Dell EMC World 2017大會(huì)上,東芝美國(guó)電子元件公司TAEC展示了采用64層BiCS 3D堆疊技術(shù)的SSD產(chǎn)品,歸屬于XG3系列,也就是OCZ RD400的OEM版。
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作為NAND行業(yè)的新晉者,長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(以下簡(jiǎn)稱:長(zhǎng)江存儲(chǔ))昨日公開(kāi)發(fā)布其突破性技術(shù)——Xtacking?。該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來(lái)前所未有的I/O高性能,更高的存儲(chǔ)密度,以及更短的產(chǎn)品上市周期。
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聯(lián)蕓展示了基于Intel 3D QLC閃存的SSD樣品,容量高達(dá)4TB

Maxio(杭州聯(lián)蕓科技)日前展示了基于Intel 3D QLC閃存的SSD樣品,容量高達(dá)4TB。
2018-08-19 11:42:401636

3D NAND FLASH將會(huì)是我國(guó)存儲(chǔ)芯片行業(yè)發(fā)展的一個(gè)突破

存儲(chǔ)器作為四大通用芯片之一,發(fā)展存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)的意義不言而喻。對(duì)電子產(chǎn)品而言,存儲(chǔ)芯片就像糧食一樣不可或缺。它與數(shù)據(jù)相伴而生,哪里有數(shù)據(jù),哪里就會(huì)需要存儲(chǔ)芯片。而且隨著大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)等新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)與信息安全等亦息息相關(guān)。
2018-11-06 16:42:182399

新型存儲(chǔ)技術(shù)3D XPoint目前處于發(fā)展初期 美光英特爾分道揚(yáng)鑣

近期,美光正式宣布,對(duì)IM Flash Technologies,LLC(簡(jiǎn)稱“IM Flash”) 中的權(quán)益行使認(rèn)購(gòu)期權(quán)。IM Flash是美光與英特爾的合資公司,主推市場(chǎng)上的新型存儲(chǔ)芯片技術(shù)3D Xpoint。
2018-11-11 09:54:491418

紫光實(shí)現(xiàn)大容量企業(yè)級(jí)3D NAND芯片封測(cè)的規(guī)模量產(chǎn) 讓國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)更進(jìn)一步

昨日,紫光集團(tuán)旗下紫光宏茂微電子(上海)有限公司發(fā)布信息,宣布公司成功實(shí)現(xiàn)大容量企業(yè)級(jí)3D NAND芯片封測(cè)的規(guī)模量產(chǎn)。他們表示,這次公告標(biāo)志著內(nèi)資封測(cè)產(chǎn)業(yè)在3D NAND先進(jìn)封裝測(cè)試技術(shù)實(shí)現(xiàn)從無(wú)到有的重大突破,也為紫光集團(tuán)完整存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)鏈布局落下關(guān)鍵一步棋。
2019-02-04 16:41:005697

國(guó)產(chǎn)大容量SSD喜訊!紫光宣布重磅突破

紫光集團(tuán)存儲(chǔ)芯片戰(zhàn)略規(guī)劃,紫光宏茂自2018年4月起,開(kāi)始建設(shè)全新3D NAND封裝測(cè)試產(chǎn)線,組建團(tuán)隊(duì),研發(fā)先進(jìn)封測(cè)技術(shù)。
2019-01-12 10:28:003677

長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃量產(chǎn)64層3D NAND閃存芯片 閃存市場(chǎng)將迎來(lái)一波沖擊

國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片再下一城,日前有產(chǎn)業(yè)鏈方面的消息稱,中國(guó)長(zhǎng)江存儲(chǔ)將如期在今年年底量產(chǎn)64層3D NAND閃存芯片,這對(duì)價(jià)格本就在不斷下探的閃存市場(chǎng)無(wú)疑又將帶來(lái)一波新的沖擊。
2019-04-01 16:53:122056

存儲(chǔ)芯片漲價(jià)?突發(fā)的停電讓東芝3D NAND工廠已停產(chǎn)數(shù)日

6月21日消息,據(jù)日媒報(bào)道稱,近日存儲(chǔ)芯片大廠東芝位于日本三重縣的四日市工廠,于日前發(fā)生了意外停電事故。
2019-08-07 16:53:263645

國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片SSD獲得了重大技術(shù)性的突破

國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片一直受到業(yè)界的關(guān)注,長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式宣布,公司實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存,以滿足固態(tài)硬盤(pán)、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。
2019-09-05 10:54:001884

紫光旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)的64層3D NAND閃存芯片首次公開(kāi)亮相

據(jù)悉,長(zhǎng)江存儲(chǔ)是紫光集團(tuán)收購(gòu)武漢新芯科技之后成立的,于2016年7月在中國(guó)武漢成立,是一家專注于3D NAND閃存芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售的IDM存儲(chǔ)器公司。
2019-10-01 17:23:005147

美光已流片第一批第四代3DNAND存儲(chǔ)芯片 有望在2020年生產(chǎn)商用第四代3DNAND內(nèi)存

美光科技已經(jīng)流片第一批第四代3D NAND存儲(chǔ)芯片,它們基于美光全新的RG架構(gòu)。該公司有望在2020年生產(chǎn)商用第四代3D NAND內(nèi)存,但美光警告稱,使用新架構(gòu)的存儲(chǔ)芯片將僅用于特定應(yīng)用,因此明年其3D NAND成本削減將微乎其微。
2019-10-08 16:25:154507

明年長(zhǎng)江存儲(chǔ)將實(shí)現(xiàn)加大3D閃存芯片產(chǎn)能

 國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片終于“抬起了頭”。   在被美日韓掌控的存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)上,終于有中國(guó)公司可以殺進(jìn)去跟國(guó)際大廠正面競(jìng)爭(zhēng)了。據(jù)報(bào)道,今年一季度,紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)(YMTC)開(kāi)始投產(chǎn) 64 層堆棧 3D 閃存,容量 256Gb,TLC 芯片,初期的月產(chǎn)能僅有 5000 片。
2019-10-29 09:46:243767

國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)器嶄露頭角 結(jié)束了存儲(chǔ)芯片國(guó)產(chǎn)率0%的尷尬

隨著紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)在 8 月底量產(chǎn) 64 層堆棧的 3D 閃存, 國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片已經(jīng)嶄露頭角 ,結(jié)束了存儲(chǔ)芯片國(guó)產(chǎn)率 0% 的尷尬。目前紫光集團(tuán)下面有多個(gè)公司設(shè)計(jì)存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù),定位有沖突的可能,不過(guò)紫光國(guó)微已經(jīng)否認(rèn)了整合長(zhǎng)江存儲(chǔ)的可能性。
2019-11-19 10:34:073851

國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片明年有望占據(jù)全球 5% 即將迎來(lái)重大的突破

中國(guó)的技術(shù)自給自足之路正處于重大突破的邊緣,新生的芯片產(chǎn)業(yè)有望在 2020 年底之前從去年的幾乎為零的產(chǎn)量增長(zhǎng)到世界 5%的存儲(chǔ)芯片生產(chǎn)。
2019-11-22 16:46:581191

國(guó)內(nèi)兩大陣營(yíng)的存儲(chǔ)芯片進(jìn)入量產(chǎn) 明年或?qū)?shí)現(xiàn)突破

在中國(guó)去年進(jìn)口的3000多億美元芯片產(chǎn)品中,存儲(chǔ)芯片大概占了1/3,價(jià)值千億美元的內(nèi)存、閃存芯片國(guó)產(chǎn)率基本為0。不過(guò)今年國(guó)內(nèi)在內(nèi)存及閃存領(lǐng)域已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了0的突破,預(yù)計(jì)2020年就能占到全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的5%。
2019-11-27 16:52:091589

SK海力士推出SSD新品,72層3D且TLC最大8TB

SK海力士日前宣布推出新一代企業(yè)級(jí)SSD固態(tài)硬盤(pán),不過(guò)并沒(méi)有公布新品SSD的名稱,有限的信息為支持NVMe協(xié)議,采用72層堆棧的3D TLC閃存,M.2版容量最大容量4 TB,U.2版最大容量可達(dá)8 TB。
2019-12-09 11:43:572304

三星首款QLC閃存SSD 860 QVO上架,存儲(chǔ)容量最大達(dá)4TB

NAND閃存巨頭三星電子宣布開(kāi)始量產(chǎn)業(yè)界首款消費(fèi)級(jí)QLC SSD,SATA接口,最大容量4TB,采用第四代V-NAND,64層3D堆疊,單芯片容量1Tb(128GB)。
2019-12-13 11:35:481654

第五代BiCS Flash 3D存儲(chǔ)芯片可以將接口速度提高50%

存儲(chǔ)公司 Kioxia(原東芝存儲(chǔ))近日宣布,將在今年 Q1 送樣 112 層 TLC Flash 芯片,這是第五代 BiCS Flash 3D 存儲(chǔ)芯片。
2020-02-03 15:44:222735

長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布成功研制128層QLC 3D閃存 將是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格3D NAND

今日(4月13日),長(zhǎng)江存儲(chǔ)重磅宣布,其128層QLC 3D閃存(X2-6070)研制成功,并已在多家主控商場(chǎng)SSD等終端產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。
2020-04-13 09:23:091347

長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層NAND flash存儲(chǔ)芯片 中國(guó)存儲(chǔ)芯片國(guó)際領(lǐng)先

據(jù)媒體報(bào)道指國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片企業(yè)長(zhǎng)江存儲(chǔ)已開(kāi)發(fā)出128層的NAND flash存儲(chǔ)芯片,這是當(dāng)前國(guó)際存儲(chǔ)芯片企業(yè)正在投產(chǎn)的NAND flash技術(shù),意味著中國(guó)的存儲(chǔ)芯片技術(shù)已達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。
2020-04-14 08:55:4514823

長(zhǎng)江存儲(chǔ)的技術(shù)創(chuàng)新,128層3D NAND閃存芯片問(wèn)世

長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(以下簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”)在官網(wǎng)宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片 X2-6070研發(fā)成功,已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。
2020-05-04 10:39:003612

群聯(lián)全系列控制芯片支持長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND

閃存控制芯片及儲(chǔ)存解決方案整合服務(wù)領(lǐng)導(dǎo)廠商 群聯(lián)電子 (PHISON; TPEx:8299) 與長(zhǎng)江存儲(chǔ)自2016年開(kāi)始接洽合作,從最早期的32層 3D NAND導(dǎo)入驗(yàn)證群聯(lián)eMMC控制芯片PS8226,至近期的64層3D NAND,群聯(lián)全系列的NAND控制芯片均有支持且已進(jìn)入量產(chǎn)階段。
2020-05-07 14:48:091627

官宣!致鈦科技將發(fā)布SSD新品,配備長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D閃存

9月9日下午,致鈦科技正式宣布,9月10日14時(shí)將舉行線上發(fā)布會(huì),屆時(shí)會(huì)正式推出致鈦品牌的SSD新品,使用的是長(zhǎng)江存儲(chǔ)自己生產(chǎn)的3D閃存。
2020-09-10 10:02:331227

慧榮科技宣布全系列主控芯片全面支持長(zhǎng)江存儲(chǔ)Xtacking 3D NAND

,已成為閃存市場(chǎng)的主要供應(yīng)廠商之一,并在今年成功推出128層QLC 3D NAND閃存芯片,是目前行業(yè)內(nèi)首款單顆Die容量1.33Tb的NAND 閃存?;蹣s科技身為SSD主控芯
2020-09-11 11:12:162690

慧榮科技宣布全系列主控 芯片全面支持長(zhǎng) 江 存 儲(chǔ)Xtacking 3D NAND

,已成為閃存市場(chǎng)的主要供應(yīng)廠商之一,并在今年成功推出128層QLC 3D NAND閃存芯片,是目前行業(yè)內(nèi)首款單顆Die容量1.33Tb的NAND 閃存?;蹣s科技身為SSD主控芯
2020-09-11 11:12:342586

東芯半導(dǎo)體設(shè)計(jì)并量產(chǎn)閃存芯片工藝制程,實(shí)現(xiàn)本土存儲(chǔ)芯片的技術(shù)突破

資料顯示,作為大陸領(lǐng)先的存儲(chǔ)芯片設(shè)計(jì)公司,東芯半導(dǎo)體聚焦于中小容量存儲(chǔ)芯片的研發(fā)、設(shè)計(jì)和銷(xiāo)售,是大陸少數(shù)可以同時(shí)提供Nand、Nor、Dram等主要存儲(chǔ)芯片完整解決方案的公司。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于5G通信
2020-09-16 15:06:494151

Everspin MRAM存儲(chǔ)芯片如何用MRAM和NVMe SSD構(gòu)建未來(lái)的云存儲(chǔ)

Everspin MRAM存儲(chǔ)芯片如何用MRAM這類(lèi)非易失性存儲(chǔ)和NVMe SSD構(gòu)建未來(lái)的云存儲(chǔ)的解決方案。 首先STT-MRAM作為異常掉電數(shù)據(jù)緩存的介質(zhì)有以下幾大優(yōu)勢(shì): 1. 非易失性存儲(chǔ)
2020-09-19 11:38:323601

存儲(chǔ)芯片國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程加快!吹響存儲(chǔ)芯片國(guó)產(chǎn)化號(hào)角

等“卡脖子”關(guān)鍵技術(shù)是中長(zhǎng)期政策的重點(diǎn)導(dǎo)向。 這其中,存儲(chǔ)芯片更是我國(guó)亟需突破的領(lǐng)域。目前全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)被三星、海力士、美光等巨頭所壟斷。在2019年之前,我國(guó)
2020-11-03 12:27:323601

未來(lái)的3D NAND將如何發(fā)展?

NAND 非易失性閃存存儲(chǔ)器作為存儲(chǔ)行業(yè)的突破性革新已有多年發(fā)展歷史,隨著 2D NAND 容量達(dá)到極限,以及晶體管越來(lái)越小,NAND 的編程時(shí)間變長(zhǎng),擦寫(xiě)次數(shù)變少,能夠?qū)?nèi)存顆粒堆疊起來(lái)的 3D
2020-11-20 16:07:133095

長(zhǎng)江存儲(chǔ)科普SSD3D NAND的發(fā)展史

作為國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)行業(yè)的佼佼者,長(zhǎng)江存儲(chǔ)近兩年憑借在3D NAND閃存領(lǐng)域的突飛猛進(jìn),引發(fā)普遍關(guān)注,尤其是獨(dú)創(chuàng)了全新的Xtacking閃存架構(gòu),最近還打造了首個(gè)消費(fèi)級(jí)SSD品牌“致鈦”。
2020-11-24 10:12:315270

銘瑄國(guó)產(chǎn)SSD太極系列H5正式上市

號(hào)召,聯(lián)合長(zhǎng)江存儲(chǔ),正式發(fā)布采用純國(guó)產(chǎn)芯片的太極系列H5 SATA 3 SSD。 銘瑄太極H5 為純國(guó)產(chǎn)芯片方案,閃存搭載長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層3D TLC顆粒,采用創(chuàng)新的Xtacking架構(gòu),進(jìn)一步優(yōu)化了芯片存儲(chǔ)密度、容量大小、傳輸效能;主控為聯(lián)蕓MAS 90
2020-11-25 10:40:272191

第一款3D Xpoint閃存SSD銷(xiāo)量差

提供,也就是仰仗美光。據(jù)美光最新表態(tài),3D Xpoint仍是公司關(guān)注的領(lǐng)域和業(yè)務(wù),且有明確的路線圖。 日前出席伯恩斯坦運(yùn)營(yíng)決策會(huì)議時(shí),美光CFO David Zinsner坦言,3D Xpoint的收入幾乎全來(lái)自外售存儲(chǔ)芯片。換言之,自家第一款也是唯一的3D Xpoint固態(tài)盤(pán)X100銷(xiāo)量低迷,還沒(méi)有產(chǎn)
2020-11-29 11:54:412026

不要過(guò)于關(guān)注3D NAND閃存層數(shù)

? ? NAND非易失性閃存存儲(chǔ)器作為存儲(chǔ)行業(yè)的突破性革新已有多年發(fā)展歷史,隨著2D NAND容量達(dá)到極限,以及晶體管越來(lái)越小,NAND的編程時(shí)間變長(zhǎng),擦寫(xiě)次數(shù)變少,能夠?qū)?nèi)存顆粒堆疊起來(lái)的3D
2020-12-09 10:35:493617

回顧長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND技術(shù)的發(fā)展進(jìn)程

日前,有媒體報(bào)道稱,消息人士透露,長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃到2021年下半年將存儲(chǔ)芯片的月產(chǎn)量提高一倍至10萬(wàn)片晶圓,并準(zhǔn)備最早將于2021年年中試產(chǎn)第一批192層3D NAND閃存芯片,不過(guò)為確保量產(chǎn)芯片質(zhì)量,該計(jì)劃有可能會(huì)被推遲至今年下半年。
2021-01-13 13:59:275875

2021年全球存儲(chǔ)芯片產(chǎn)品SSD價(jià)格出現(xiàn)急漲

2021年存儲(chǔ)芯片產(chǎn)品確定要進(jìn)入牛市周期了,1月份的內(nèi)存價(jià)格已經(jīng)全面開(kāi)漲,漲幅在5%以上,現(xiàn)在也輪到閃存產(chǎn)品了,SSD價(jià)格也出現(xiàn)了急漲。
2021-02-03 10:00:178011

手機(jī)主板存儲(chǔ)芯片圖解

手機(jī)存儲(chǔ)芯片是安裝在主板上的,與電腦不同,RAM和ROM都是焊接在主板上,RAM容量不可增加,如果有內(nèi)存擴(kuò)展功能,可以安裝內(nèi)存卡,擴(kuò)展內(nèi)存容量。
2021-12-14 09:35:5194185

詳解國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片 - HS-SSD-E3000

在生產(chǎn)端,HS-SSD-E3000采用優(yōu)質(zhì)的3D NAND閃存和BGA,由自動(dòng)化生產(chǎn)線制造。它已根據(jù)視頻監(jiān)控服務(wù)器的標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行了測(cè)試,因此提供了更好的穩(wěn)定性。
2023-03-02 09:05:561851

存儲(chǔ)芯片將走向何方?存儲(chǔ)芯片的分類(lèi)

應(yīng)用了閃存堆疊技術(shù)的3D NAND Flash的出現(xiàn),比以往的2D NAND Flash提供了更大存儲(chǔ)空間,滿足了業(yè)界日益增長(zhǎng)的存儲(chǔ)需求,因而成為主流。
2023-04-10 17:35:172618

存儲(chǔ)芯片的原理_分類(lèi)及應(yīng)用

存儲(chǔ)芯片是指集成電路中用來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的芯片,它可以存儲(chǔ)數(shù)字信號(hào),包括二進(jìn)制碼、字符、圖像、聲音等信息。存儲(chǔ)芯片廣泛應(yīng)用于電子產(chǎn)品中,如計(jì)算機(jī)、手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、音響、電視等。存儲(chǔ)芯片是電子信息技術(shù)中的重要組成部分,它直接影響著電子產(chǎn)品的性能和功能。
2023-06-02 09:24:1518576

車(chē)載存儲(chǔ)芯片介紹

存儲(chǔ)芯片,也叫存儲(chǔ)器,是用來(lái)存儲(chǔ)程序和各種數(shù)據(jù)信息的記憶部件。
2023-06-09 11:05:382179

存儲(chǔ)芯片的轉(zhuǎn)機(jī),藏在汽車(chē)應(yīng)用里

的機(jī)會(huì) DRAM、NAND和NOR同樣適用于汽車(chē)電子系統(tǒng),更高的汽車(chē)智能化將推動(dòng)對(duì)存儲(chǔ)芯片的需求,芯查查認(rèn)為主要有幾個(gè)推動(dòng)力: 高容量存儲(chǔ):車(chē)載電子設(shè)備增多,娛樂(lè)系統(tǒng)、導(dǎo)航系統(tǒng)、駕駛輔助系統(tǒng)等對(duì)存儲(chǔ)容量的需求也越來(lái)越高。存儲(chǔ)
2023-07-03 17:09:341717

存儲(chǔ)芯片是什么 存儲(chǔ)芯片的分類(lèi)及發(fā)展歷史

存儲(chǔ)芯片是半導(dǎo)體行業(yè)中非常重要的一類(lèi)產(chǎn)品,我們?nèi)粘K械碾娮釉O(shè)備基本都會(huì)用到存儲(chǔ)器。據(jù)WSTS預(yù)測(cè),2023年全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到1675億美元,占比約30%;其中中國(guó)存儲(chǔ)器市場(chǎng)空間巨大,預(yù)計(jì)2023年國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到6492億元(約942億美元),約占全球市場(chǎng)的55.8%。
2023-07-07 10:27:2618744

當(dāng)芯片變身 3D系統(tǒng),3D異構(gòu)集成面臨哪些挑戰(zhàn)

當(dāng)芯片變身 3D 系統(tǒng),3D 異構(gòu)集成面臨哪些挑戰(zhàn)
2023-11-24 17:51:071969

什么是存儲(chǔ)芯片?有什么作用呢?

存儲(chǔ)芯片是一種用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的集成電路芯片,也被稱為存儲(chǔ)芯片。
2024-02-29 09:09:225392

揭秘邏輯芯片存儲(chǔ)芯片背后的工藝差異!

隨著科技的飛速發(fā)展,半導(dǎo)體技術(shù)已成為現(xiàn)代電子工業(yè)的核心。邏輯芯片存儲(chǔ)芯片作為半導(dǎo)體技術(shù)的兩大支柱,它們?cè)诟鞣N電子設(shè)備中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。盡管它們都源于半導(dǎo)體材料,但邏輯芯片工藝和存儲(chǔ)芯片工藝之間存在著顯著的技術(shù)差異。本文將深入探討這兩種工藝的不同之處,并分析它們?cè)谠O(shè)計(jì)、制造和應(yīng)用方面的特點(diǎn)。
2024-07-05 10:25:346833

存儲(chǔ)芯片有哪些類(lèi)型

存儲(chǔ)芯片,又稱為半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,是以半導(dǎo)體電路作為存儲(chǔ)媒介的存儲(chǔ)器,廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、智能終端、固態(tài)存儲(chǔ)硬盤(pán)等領(lǐng)域。按照不同的分類(lèi)標(biāo)準(zhǔn),存儲(chǔ)芯片可以分為多種類(lèi)型。以下是對(duì)存儲(chǔ)芯片主要類(lèi)型的詳細(xì)介紹。
2024-07-24 16:40:209996

存儲(chǔ)芯片的TBW和MTBF:關(guān)鍵指標(biāo)解析與提升策略

指標(biāo)。這兩個(gè)指標(biāo)直接關(guān)聯(lián)到存儲(chǔ)芯片的使用壽命、耐用性以及用戶的數(shù)據(jù)安全。 一、TBW與MTBF的定義及重要性 1.TBW: TBW即寫(xiě)入總字節(jié)數(shù),是衡量存儲(chǔ)芯片壽命的關(guān)鍵參數(shù)。它代表了存儲(chǔ)芯片在其生命周期內(nèi)可以承受的總寫(xiě)入數(shù)據(jù)量。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō),每次向存儲(chǔ)芯片寫(xiě)入數(shù)據(jù)時(shí),都會(huì)消耗其一定的壽命資源。當(dāng)
2024-11-13 10:35:282346

突破存儲(chǔ)形態(tài)與邊界!佰維全新Mini SSD震撼發(fā)布,引領(lǐng)端側(cè)智能時(shí)代存儲(chǔ)新范式!

Mini SSD在小巧機(jī)身中實(shí)現(xiàn)了卓越的性能表現(xiàn)。產(chǎn)品支持PCIe 4.0×2接口與NVMe 1.4協(xié)議,采用3D TLC NAND介質(zhì),讀取速度高達(dá)3700MB/s,寫(xiě)入速度高達(dá)3400MB/s,容量范圍覆蓋512GB~2TB,充分滿足移動(dòng)設(shè)備、智能終端等多種場(chǎng)景的高效存儲(chǔ)需求。
2025-01-09 11:37:18818

國(guó)內(nèi)首顆!支持ONFI 5.0 的TW6501 SATA SSD存儲(chǔ)芯片

國(guó)內(nèi)首顆!支持ONFI 5.0 的TW6501 SATA SSD存儲(chǔ)芯片
2025-01-21 16:33:05917

劃片機(jī)在存儲(chǔ)芯片制造中的應(yīng)用

劃片機(jī)(DicingSaw)在半導(dǎo)體制造中主要用于將晶圓切割成單個(gè)芯片(Die),這一過(guò)程在內(nèi)存儲(chǔ)存卡(如NAND閃存芯片SSD、SD卡等)的生產(chǎn)中至關(guān)重要。以下是劃片機(jī)在存儲(chǔ)芯片制造中的關(guān)鍵
2025-06-03 18:11:11844

存儲(chǔ)芯片從無(wú)到有的全過(guò)程,這些技術(shù)細(xì)節(jié)你肯定沒(méi)聽(tīng)說(shuō)過(guò)

存儲(chǔ)芯片制造全流程深度剖析:從設(shè)計(jì)到出廠的技術(shù)之旅 存儲(chǔ)芯片是現(xiàn)代電子設(shè)備的核心組件,廣泛應(yīng)用于手機(jī)、電腦、SSD、服務(wù)器等領(lǐng)域。隨著摩爾定律逐漸放緩,以及移動(dòng)、云計(jì)算需求的持續(xù)爆發(fā),存儲(chǔ)芯片容量
2025-10-24 08:42:00858

存儲(chǔ)芯片(煥發(fā)生機(jī))

01產(chǎn)業(yè)鏈全景圖02存儲(chǔ)芯片定義存儲(chǔ)芯片也叫半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,是電子設(shè)備里負(fù)責(zé)存數(shù)據(jù)、讀數(shù)據(jù)的關(guān)鍵零件。半導(dǎo)體產(chǎn)品主要有四大類(lèi):分立器件、光電器件、傳感器、集成電路。像存儲(chǔ)芯片、邏輯芯片、微處理芯片這些
2025-11-17 16:35:402732

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