比特位的技術(shù)），實(shí)現(xiàn)了具有極大存儲(chǔ)容量的硅芯片。 目前，最先進(jìn)的3D NAND閃存可在單個(gè)硅片上容納高達(dá)1Tbit或1.33Tbit的數(shù)據(jù)。 譬如，英特爾（Intel）和美光科技（Micron）的開(kāi)發(fā)聯(lián)盟和三星電子各自將制造技術(shù)與64層堆棧和QLC（四層單元）技術(shù)相結(jié)合，該技
2019-08-10 00:01:00
8135 9月2日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式對(duì)外宣布，其基于Xtacking?架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存（每顆裸芯片的存儲(chǔ)容量為256千兆字位，每個(gè)存儲(chǔ)單元為三個(gè)字位的三維閃存）正式量產(chǎn)，以滿(mǎn)足固態(tài)硬盤(pán)、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。
2019-09-02 14:31:151919 SK海力士本周宣布，他們已經(jīng)開(kāi)始基于其128層3D NAND閃存采樣產(chǎn)品，該產(chǎn)品不久將開(kāi)始出現(xiàn)在最終用戶(hù)設(shè)備中。一年前，他們推出了96層第5代3D NAND，但低價(jià)促使他們削減了產(chǎn)量，而第4代72L
2019-11-25 17:21:556386 Kioxia（原東芝存儲(chǔ)），西部數(shù)據(jù)（WD）聯(lián)盟3D NAND閃存使用三星電子技術(shù)進(jìn)行批量生產(chǎn)。 東芝開(kāi)發(fā)的3D NAND技術(shù) BiCS 很早之前，原東芝存儲(chǔ)就在國(guó)際會(huì)議VLSI研討會(huì)上首次分享了
2019-12-13 10:46:0712470 Western Digital和Kioxia宣布成功開(kāi)發(fā)了最新一代的3D NAND閃存。他們的第五代BiCS 3D NAND已以512 Gbit TLC部件的形式開(kāi)始生產(chǎn)，但要到今年下半年才能增加到
2020-02-13 01:00:007244 3D堆疊、多芯片封裝大家想必都不陌生了，這年頭制造工藝已經(jīng)沒(méi)有太多噱頭，有時(shí)甚至性能提升也有限，廠商只好從架構(gòu)上入手。像蘋(píng)果的Ultra?Fusion拼接、Graphcore的3D WoW，都是在
2022-04-13 01:06:007527 7月24日國(guó)外消息：SanDisk在3D NAND方面正在走自己的技術(shù)路線(xiàn)-- 在同一個(gè)區(qū)域記錄層的堆疊在一個(gè)閃存芯片放到另一個(gè)提供更多的容量之內(nèi)。
2013-07-25 10:24:231561 三星目前已完成32層堆疊第二代V-NAND的研發(fā)作業(yè)，計(jì)劃第3季推出48層堆疊第三代V-NAND產(chǎn)品后，于2016年生產(chǎn)64層堆疊的V-NAND產(chǎn)品。
2015-08-11 08:32:001030 東芝推出全球首款注148層3D堆疊式結(jié)構(gòu)閃存注2，該閃存容量達(dá)到256Gb（32GB），同時(shí)采用了行業(yè)領(lǐng)先的三階存儲(chǔ)單元（TLC）技術(shù)。這款全新閃存適用于各種產(chǎn)品應(yīng)用，包括消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)（SSD）、智能手機(jī)、平板電腦和內(nèi)存卡以及面向數(shù)據(jù)中心的企業(yè)級(jí)SSD。據(jù)悉，樣品將于9月開(kāi)始發(fā)貨。
2015-08-19 13:37:591707 在汽車(chē)電子領(lǐng)域，東芝主要圍繞環(huán)保、信息、安全三個(gè)角度擴(kuò)展市場(chǎng)。環(huán)保上，通過(guò)在燃油氣體排放限制大力推進(jìn)性能改進(jìn)。##在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方面，東芝首款48層3D堆疊閃存BiCS FLASH?實(shí)現(xiàn)了256 Gb芯片密度，具有更快的寫(xiě)入速度、擦除耐久性以及低功耗。
2016-03-28 09:15:451722 
三星已經(jīng)連續(xù)推出兩代立體堆疊3D閃存，分別有24層、32層，并已用于850 EVO、850 Pro等多款固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品，2015年8月正式量產(chǎn)首款可應(yīng)用于固態(tài)硬盤(pán)（SSD）中的48層3bit MLC
2016-07-13 10:32:437470 目前，我們還無(wú)法斷定3D NAND是否較平面NAND更具有製造成本的優(yōu)勢(shì)，但三星與美光顯然都決定把賭注押在3D NAND產(chǎn)品上。如今的問(wèn)題在于，海力士（SK Hynix）與東芝（Toshiba）兩大市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手能否也拿出同樣具備競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的產(chǎn)品？
2016-09-12 13:40:252173 西數(shù)公司日前表示今年會(huì)試產(chǎn)512Gb核心容量的64層堆棧3D NAND閃存，單顆核心容量就達(dá)到了64GB，比目前主流水平翻倍，制造超大容量SSD硬盤(pán)更容易了。
2017-02-07 14:21:311053 據(jù)外媒報(bào)道，東芝今天宣布正式出貨BiCS FLASH 3D閃存，采用64層堆疊，單晶粒容量512Gb（64GB，TLC），相對(duì)于上一代48層256Gb，容量密度提升了65%，這樣封裝閃存芯片的最高容量將達(dá)到960GB。
2017-02-23 08:33:401752 電子發(fā)燒友早八點(diǎn)訊：三星今天在韓國(guó)宣布，開(kāi)始大規(guī)模量產(chǎn)64層堆疊、256Gb（32GB）、3bit的V-NAND閃存芯片，是為第四代3D閃存。
2017-06-16 06:00:002458 目前東芝已經(jīng)提出了創(chuàng)紀(jì)錄的96層堆疊3D閃存——第四代BiCS閃存。它的內(nèi)部是如何工作的？一顆閃存芯片又是,如何演變成我們能看到的閃存顆粒？
2017-09-20 09:39:1426286 六大NAND Flash顆粒制造商之一的東芝也宣布了自家96層3D NAND產(chǎn)品的新消息：他們正式推出了旗下首款使用96層3D NAND閃存的固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品XG6。在性能方面，XG6也算是追上了目前
2018-07-24 10:57:355877 日本東芝記憶體與合作伙伴西部數(shù)據(jù)為全新的半導(dǎo)體設(shè)施Fab 6 (6號(hào)晶圓廠)與記憶體研發(fā)中心舉行開(kāi)幕儀式；東芝記憶體總裁Yasuo Naruke無(wú)懼芯片價(jià)格下跌疑慮，表示將于9月量產(chǎn)96層3D NAND快閃芯片。
2018-09-20 09:25:425627 3D堆疊像素探測(cè)器芯片技術(shù)詳解
2024-11-01 11:08:074435 
在三星、東芝存儲(chǔ)器（TMC）、西部數(shù)據(jù)、美光、SK海力士等3D技術(shù)快速發(fā)展的推動(dòng)下，不僅NANDFlash快速由2DNAND向3DNAND普及，2019下半年原廠將加快從64層3DNAND向96層
2019-07-05 09:11:117106 在幾大閃存原廠的主力從96層升級(jí)到128/144層之后，美光、SK海力士之前推出了176層的3D閃存，現(xiàn)在鎧俠、西數(shù)也加入這一陣營(yíng)，推出了162層3D閃存。各大廠商的3D閃存技術(shù)并不一樣，所以堆棧
2021-02-20 10:02:323312 3D NAND能否帶動(dòng)SSD市場(chǎng)爆炸性成長(zhǎng)？如何提升SSD壽命及效能？3D NAND及PCIe NVMe SSD能晉升巿場(chǎng)主流的原因是什么？
2021-04-02 07:17:39
，生產(chǎn)規(guī)模和生產(chǎn)效率仍有較大提升空間等。而3D打印技術(shù)的出現(xiàn)給了制造業(yè)全面轉(zhuǎn)型升級(jí)的契機(jī)和依據(jù)。首先，采用3D打印革新制造業(yè)，省時(shí)省力，更可以提高生產(chǎn)效率。傳統(tǒng)制造業(yè)以“全球采購(gòu)、分工協(xié)作”為主要特征，產(chǎn)品
2018-08-11 11:25:58
生產(chǎn)復(fù)雜度高的產(chǎn)品。借助 3D打印的優(yōu)勢(shì)，可以縮短產(chǎn)品開(kāi)發(fā)周期，削減設(shè)計(jì)成本，這對(duì)于消費(fèi)品行業(yè)意義重大。華融證券 3D打印研究團(tuán)隊(duì)分析師：張迪3D打印在消費(fèi)品行業(yè)的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)主要體現(xiàn)在提升設(shè)計(jì)水平和節(jié)省
2017-06-12 17:55:11
3D顯示技術(shù)的原理是什么？3D顯示技術(shù)有哪些應(yīng)用？3D拍好了到底怎么樣傳輸？
2021-05-31 06:53:03
技術(shù)的成熟推進(jìn)3D顯示行業(yè)發(fā)展隨著裸眼3D中的柱鏡光柵技術(shù)在效果提升的同時(shí)降低了成本，技術(shù)日益成熟，其效果遠(yuǎn)超貼膜等狹縫技術(shù)在3D顯示領(lǐng)域中逐漸得到普及，裸眼3D顯示技術(shù)市場(chǎng)將持續(xù)擴(kuò)大。目前人眼追蹤
2020-11-27 16:17:14
微波器件指天線(xiàn)/功分器/PA功放/波導(dǎo)等等，安裝在衛(wèi)星/飛機(jī)上的部件需要輕質(zhì)化，一般采用鋁合金制造，但器件一些部分之間需要絕緣處理，能否一體化3D制造，節(jié)省制造成本且降低組裝調(diào)試費(fèi)用？還能大幅度
2019-07-08 06:25:50
G700F512GS435S512G固態(tài)硬盤(pán)S435S256G隨著原廠加快3D技術(shù)的推進(jìn)，96層3D NAND新制程戰(zhàn)火的升溫，金士頓消費(fèi)級(jí)旗艦KC2000系列SSD采用東芝/SanDisk 96層
2022-02-06 15:39:12
3D NAND的生產(chǎn)狀況。之前西部資料制定過(guò)一個(gè)目標(biāo)，希望今年采用BiCS 3技術(shù)生產(chǎn)的64層3D NAND能占到3D NAND產(chǎn)量的75%，不過(guò)現(xiàn)在這個(gè)數(shù)字有望能提升到90%以上。另一組資料顯示
2022-02-03 11:41:35
，大數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求持續(xù)增加，一直到2021年NAND Flash平均每年增長(zhǎng)率達(dá)40%-45%，而美光NAND技術(shù)從40nm到16nm，再到64層3D技術(shù)，一直為市場(chǎng)提供更好的產(chǎn)品和解決方案。就在幾個(gè)月前美
2018-09-20 17:57:05
的96層3D閃存使用的是新一代BiCS4技術(shù)，QLC類(lèi)型的核心容量高達(dá)1．33Tb，比業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)水平提升了33％，東芝已經(jīng)開(kāi)發(fā)出了16核心的單芯片閃存，一顆閃存的容量就有2．66TB。 國(guó)內(nèi)崛起撬動(dòng)全球
2021-07-13 06:38:27
，降低武器裝備成本，提高維修保障時(shí)效性與精度。在世界各國(guó)的廣泛關(guān)注與大力推進(jìn)下，近年來(lái)3D打印技術(shù)的發(fā)展與應(yīng)用不斷取得突破，顯示了良好的軍事應(yīng)用前景，將對(duì)武器裝備的發(fā)展產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。
2019-07-16 07:06:28
發(fā)光字3D打印機(jī)制作3D發(fā)光字，因其特殊的成型原理，制作出來(lái)的發(fā)光字立體感更強(qiáng)，可以帶來(lái)視覺(jué)沖擊。整個(gè)制作流程簡(jiǎn)單不需要技術(shù)門(mén)檻，降低了人工成本，提高了制字效率。3D打印生產(chǎn)發(fā)光字技術(shù)是環(huán)保新工藝，解決了環(huán)保的痛點(diǎn)，是傳統(tǒng)制字工廠與個(gè)人創(chuàng)業(yè)的新方向。`
2018-10-14 16:56:30
solutions now available.隨著消費(fèi)者越來(lái)越多地選擇3 D顯示技術(shù)， 3 D主動(dòng)快門(mén)式眼鏡生產(chǎn)廠家面臨著不斷的挑戰(zhàn)，需要開(kāi)發(fā)出消費(fèi)者愿意接受成本下的高質(zhì)量眼鏡。減小物理尺寸，真正的通用操作，降低
2012-06-18 13:56:44
閃存中BiCS技術(shù)的閃存核心面積最低，也意味著成本更低。此外，鎧俠今年推出的UFS 3.1嵌入式Flash閃存芯片，同樣是基于東芝BiCS 3D存儲(chǔ)技術(shù)打造，設(shè)計(jì)容量包括128GB、256GB
2020-03-19 14:04:57
東芝近日公布聚焦能源、社會(huì)基礎(chǔ)設(shè)施、半導(dǎo)體存儲(chǔ)業(yè)務(wù)領(lǐng)域，擴(kuò)大在存儲(chǔ)業(yè)務(wù)上的投資。為擴(kuò)大3D閃存“BiCS FLASH TM”的生產(chǎn)，東芝在毗鄰日本四日市工廠（三重縣四日市市）的區(qū)域建造新廠房以及引進(jìn)生產(chǎn)設(shè)備的投資方案已獲得董事會(huì)批準(zhǔn)。
2016-04-06 13:42:22563 上周東芝及西部數(shù)據(jù)宣布，已研發(fā)出堆疊64層的3D NAND Flash制程，并將于2017年上半年開(kāi)始量產(chǎn)，不過(guò)恐怕仍無(wú)法超車(chē)NAND Flash市占王三星。
2016-08-02 14:53:261430 現(xiàn)在，西數(shù)全球首發(fā)了96層堆棧的3D NAND閃存，其使用的是新一代BiCS 4技術(shù)（下半年出樣，2018年開(kāi)始量產(chǎn)），除了TLC類(lèi)型外，其還會(huì)支持QLC，這個(gè)意義是重大的。
2017-06-28 11:22:40937 6月29日消息 據(jù)外媒NEOWIN報(bào)道，英特爾今天宣布推出SSD 545s固態(tài)硬盤(pán)，它是主流的SATA驅(qū)動(dòng)器，使用Silicon Motion控制器和IMFT的64層3D TLC閃存。 這是世界上首款可供商用的64層3D NAND SSD產(chǎn)品，且目前僅提供512 GB容量版本。
2017-06-29 17:56:051179 系列固態(tài)硬盤(pán)，由于采用了64層TLC 3D NAND技術(shù)，該系列產(chǎn)品的存儲(chǔ)密度更高，也就是說(shuō)價(jià)格就要比同級(jí)別產(chǎn)品或許更便宜一些。
2017-06-30 09:55:491242 東芝日前發(fā)布了全球首個(gè)基于QLC(四比特單元) BiCS架構(gòu)的3D NAND閃存芯片，64層堆疊封裝，單顆容量可以做到768Gb(32GB)，可以帶來(lái)容量更大、成本更低的SSD產(chǎn)品。
2017-07-04 14:43:502960 東芝在SSD技術(shù)上已經(jīng)是領(lǐng)先各大廠商，東芝對(duì)于64層堆疊設(shè)計(jì)的3D TLC閃存真是愛(ài)的太深，產(chǎn)品布局之神速令人驚嘆?，F(xiàn)在又將64層堆疊設(shè)計(jì)的3D TLC閃存帶到了企業(yè)及產(chǎn)品上，得益于這種高容量堆疊
2017-08-08 15:56:272744 盡管不少用戶(hù)對(duì)TLC的壽命和穩(wěn)定性都保持謹(jǐn)慎的態(tài)度，但東芝將TLC應(yīng)用到企業(yè)級(jí)，卻也表達(dá)了東芝對(duì)TLC的信心。繼主流的XG5 NVMe、低端的TR200 SATA、單芯片的BG3之后，就在近日，東芝再將64層堆疊設(shè)計(jì)的3D TLC閃存帶到了企業(yè)級(jí)領(lǐng)域，而這也是全球首次。
2017-08-09 15:53:564419 近日，東芝首款64層3D NAND SSDTR200 SATA固態(tài)硬盤(pán)系列正式上市。TR200系列可提供給個(gè)人電腦和筆記本電腦更強(qiáng)的性能表現(xiàn)，并且滿(mǎn)足用戶(hù)對(duì)大容量SSD的使用要求。其具備高效能
2017-10-31 16:01:191180 2018年是3D NAND產(chǎn)能快速增長(zhǎng)的一年，主要是因?yàn)镕lash原廠三星、東芝、SK海力士、美光等快速提高64層3D NAND生產(chǎn)比重，而且相較于2D NAND技術(shù)，64層256Gb和512Gb在市場(chǎng)上的廣泛應(yīng)用，使得高容量的NAND Flash相關(guān)產(chǎn)品價(jià)格持續(xù)下滑
2018-07-16 09:48:00918 今天，美光正式發(fā)布了旗下的CrucialMX500系列SSD，其最大的特色就是采用了64層3DTLCNAND閃存，這是美光首次在消費(fèi)類(lèi)產(chǎn)品中采用這類(lèi)閃存。
2018-06-29 11:02:002517 3D打印技術(shù)能夠通過(guò)降低模具成本，減少材料，減少裝配，減少研發(fā)周期等優(yōu)勢(shì)來(lái)降低企業(yè)制造成本，提高生產(chǎn)效益。那么，是不是將原有的設(shè)計(jì)思維和對(duì)于制造成本的管控方式直接挪到3D打印這種增材制造方式中來(lái)就可以發(fā)揮出3D打印的優(yōu)勢(shì)了呢？ 面對(duì)3D打印技術(shù)，企業(yè)是緊盯3D打印對(duì)制造成本的影響，還是放眼全局？
2018-05-23 10:38:012770 而且在堆疊層數(shù)增加的時(shí)候，存儲(chǔ)堆棧的高度也在增大，然而每層的厚度卻在縮小，以前的32/36層3D NAND的堆棧厚度為2.5μm，層厚度大約70nm，48層的閃存堆棧厚度為3.5μm，層厚度減少到
2018-06-03 09:50:556262 東芝開(kāi)發(fā)了 Bit Cost Scalable（BiCS）的工藝。BiCS 工藝采用了一種先柵極方法（gate-first approach），這是通過(guò)交替沉積氧化物（SiO）層和多晶硅（pSi）層實(shí)現(xiàn)的。然后在這個(gè)層堆疊中形成一個(gè)通道孔，并填充氧化物-氮化物-氧化物（ONO）和 pSi。
2018-06-13 15:10:387338 美光科技公司推出了5200系列 SATA SSD，該產(chǎn)品基于64層3D NAND技術(shù)，5200系列固態(tài)盤(pán)為經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的虛擬化工作負(fù)載提供了成本優(yōu)化的SATA平臺(tái)，這些工作負(fù)載在HDD，BI / DSS，VDI，塊/對(duì)象和媒體流。
2018-07-23 17:01:006867 由于NAND閃存價(jià)格上漲，SSD普及的道路走的異常艱難，同容量下SSD和HDD的價(jià)格始終相差懸殊，但美光今天新推出MX500系列SSD采用了64層3D TLC NAND閃存，把SSD的價(jià)格和性能控制在一個(gè)很好的平衡點(diǎn)，具有極高的性?xún)r(jià)比和極強(qiáng)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，或許可以打破這一困境。
2018-07-24 16:01:365391 ）BiCS FLASH?存儲(chǔ)器，為電腦游戲玩家和DIY愛(ài)好者提供公司首款采用64層3D閃存的升級(jí)版SSD。
2018-07-25 17:11:251201 NAND Flash控制IC大廠群聯(lián)日前宣布，PCI-e規(guī)格的固態(tài)硬碟（SSD）晶片已經(jīng)通過(guò)3D NAND Flash BiCS3測(cè)試，下半年將成為PC／NB OEM的SSD市場(chǎng)主流規(guī)格，將可望擴(kuò)大SSD市占率。
2018-08-03 16:08:212411 隨著原廠3D技術(shù)的快速發(fā)展，2018下半年各家原廠在96層和QLC技術(shù)上競(jìng)爭(zhēng)激烈，其中，三星已在7月份宣布量產(chǎn)96層3D NAND。據(jù)DIGITIMES報(bào)道稱(chēng)，東芝存儲(chǔ)器（TMC）96層3D NAND將在Q4擴(kuò)大出貨，代表著NAND Flash市場(chǎng)霸主之爭(zhēng)正式拉開(kāi)序幕。
2018-08-05 11:50:161646 東芝宣布已經(jīng)進(jìn)行開(kāi)發(fā)擁有當(dāng)前最高容量的閃存芯片原型，單顆芯片就能有著 1.33Tb（或 166GB）的容量??這是利用他們的 96 層 QLC 3D NAND 技術(shù)，對(duì)比現(xiàn)在主流的 TLC 只有
2018-08-13 17:27:004269 東芝存儲(chǔ)美國(guó)公司Toshiba Memory America，Inc.（TMA）推出全新SAS接口RM5系列SSD，預(yù)計(jì)將取代服務(wù)器應(yīng)用中的SATA接口SSD。RM5系列SSD采用東芝BiCS 3D
2018-08-16 15:58:032602 Maxio（杭州聯(lián)蕓科技）日前展示了基于Intel 3D QLC閃存的SSD樣品，容量高達(dá)4TB。
2018-08-19 11:42:401636 上周，美光系與英特爾推出了64層3D QLC NAND，由于采用的QLC（4bits/cell）架構(gòu)相較于TLC（3bits/cell）容量更大，使得單顆Die容量可高達(dá)1Tb，備受市場(chǎng)高度關(guān)注
2018-08-22 16:25:462599 3D NAND通過(guò)設(shè)備中堆疊的層數(shù)來(lái)量化。隨著更多層的添加，位密度增加。今天，3D NAND供應(yīng)商正在推出64層設(shè)備，盡管他們現(xiàn)在正在推進(jìn)下一代技術(shù)，它擁有96層。分析師表示，到2019年中期，供應(yīng)商正在競(jìng)相開(kāi)發(fā)和發(fā)布下一代128層產(chǎn)品。
2018-08-23 16:59:4812625 隨著64層/72層3D NAND產(chǎn)出的增加，以及原廠QLC和96層3D技術(shù)快速發(fā)展，NAND Flash在經(jīng)歷2年漲價(jià)后，2018年市場(chǎng)行情從缺貨轉(zhuǎn)向供應(yīng)過(guò)剩，再加上成本下滑，以及供需雙方博弈刺激下，預(yù)計(jì)2018年全球SSD出貨量將超過(guò)1.9億臺(tái)，甚至有望沖刺2億臺(tái)。
2018-08-31 16:15:002745 東芝發(fā)布了XS700系列固態(tài)移動(dòng)硬盤(pán)新品，與傳統(tǒng)機(jī)械式移動(dòng)硬盤(pán)相比，它不僅速度更快、更加耐用、還支持USB 3.1 Gen 2 Type-C連接。東芝表示，這款固態(tài)移動(dòng)硬盤(pán)采用了自家的64層BiCS
2018-09-03 17:22:161840 作出3D NAND閃存的，但制造工藝復(fù)雜，要求很高，而東芝的BiCS閃存是Bit Cost Scaling，強(qiáng)調(diào)的就是隨NAND規(guī)模而降低成本，號(hào)稱(chēng)在所有3D NAND閃存中BiCS技術(shù)的閃存核心面積最低
2018-10-08 15:52:39780 傳說(shuō)中的64層3D NAND的故事，延續(xù)了1年時(shí)間。這次巧合的機(jī)會(huì)體驗(yàn)到東芝TR200 SSD 240G。而且是東芝自主研發(fā)的3D閃存技術(shù)。是東芝首款64層 3D NAND SSD。
2018-10-09 16:26:0011015 今年8月初，NAND閃存巨頭三星電子宣布開(kāi)始量產(chǎn)業(yè)界首款消費(fèi)級(jí)QLC SSD，SATA接口，最大容量4TB，采用第四代V－NAND，64層3D堆疊，單芯片容量1Tb（128GB）。
2018-11-23 08:36:521378 NAND Flash產(chǎn)業(yè)在傳統(tǒng)的Floating Gate架構(gòu)面臨瓶頸后，正式轉(zhuǎn)進(jìn)3D NAND Flash時(shí)代，目前三星電子（Samsung Electronics）、東芝（Toshiba）的3D
2018-12-03 09:04:572304 推出64層/72層3D NAND，預(yù)計(jì)從下半年開(kāi)始將陸續(xù)進(jìn)入量產(chǎn)階段，屆時(shí)3D NAND產(chǎn)能將大幅增加。
2018-12-10 10:00:571562 在近日舉行的英特爾“架構(gòu)日”活動(dòng)中，英特爾不僅展示了基于10納米的PC、數(shù)據(jù)中心和網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)，支持人工智能和加密加速功能的下一代“Sunny Cove”架構(gòu)，還推出了業(yè)界首創(chuàng)的3D邏輯芯片封裝技術(shù)——Foveros。這一全新的3D封裝技術(shù)首次引入了3D堆疊的優(yōu)勢(shì)，可實(shí)現(xiàn)在邏輯芯片上堆疊邏輯芯片。
2018-12-14 15:35:328854 英特爾近日向業(yè)界推出了首款3D邏輯芯片封裝技術(shù)“Foveros”，據(jù)悉這是在原來(lái)的3D封裝技術(shù)第一次利用3D堆疊的優(yōu)點(diǎn)在邏輯芯片上進(jìn)行邏輯芯片堆疊。也是繼多芯片互連橋接2D封裝技術(shù)之后的又一個(gè)顛覆技術(shù)。
2018-12-14 16:16:453316 近日，武漢新芯研發(fā)成功的三片晶圓堆疊技術(shù)備受關(guān)注。有人說(shuō)，該技術(shù)在國(guó)際上都處于先進(jìn)水平，還有人說(shuō)能夠“延續(xù)”摩爾定律。既然3D芯片堆疊技術(shù)有如此大的作用，那今天芯師爺就跟大家一起揭開(kāi)它的面紗。
2018-12-31 09:14:0034067 對(duì)于目前的高端市場(chǎng)，市場(chǎng)上最流行的2.5D和3D集成技術(shù)為3D堆疊存儲(chǔ)TSV，以及異構(gòu)堆疊TSV中介層。Chip-on-Wafer-on-Substrate（CoWos）技術(shù)已經(jīng)廣泛用于高性能計(jì)算
2019-02-15 10:42:198043 
近日，LiteOn推出一款最新MU3系列SSD，采用東芝64層BiCS 3D TLC NAND，7毫米/2.5英寸外形，SATA 6Gbps接口，提供120GB，240GB和480GB三種容量選擇。
2019-02-18 15:33:374328 的感覺(jué)。經(jīng)過(guò)近幾年的發(fā)展，技術(shù)也是一直在突破，拿東芝（TOSHIBA）的 TR200系列來(lái)說(shuō)，采用了全新原廠64層3D堆棧技術(shù)，不但降低存儲(chǔ)單元耦合干擾，又大幅度提升了讀寫(xiě)能力。
2019-03-15 14:09:177597 日前有消息稱(chēng)紫光純國(guó)產(chǎn)的SSD硬盤(pán)就要上市了，使用是他們研發(fā)生產(chǎn)的64層堆棧3D TLC閃存，P/E次數(shù)可達(dá)1500次，這個(gè)技術(shù)及規(guī)格在主流SSD中已經(jīng)不低了。
2019-03-15 10:38:455883 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技（YMTC）本周早些時(shí)候表示，已經(jīng)開(kāi)始批量生產(chǎn)采用專(zhuān)有Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND存儲(chǔ)器。
2019-09-09 10:22:162374 紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布，開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-19 11:10:091144 紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布，開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-23 17:05:241455 今年一季度，紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)（YMTC）開(kāi)始投產(chǎn) 64 層堆棧 3D 閃存，容量 256Gb，TLC 芯片，初期的月產(chǎn)能僅有 5000 片。
2019-10-25 16:53:331140 SK海力士日前宣布推出新一代企業(yè)級(jí)SSD固態(tài)硬盤(pán)，不過(guò)并沒(méi)有公布新品SSD的名稱(chēng)，有限的信息為支持NVMe協(xié)議，采用72層堆棧的3D TLC閃存，M．2版容量最大容量4 TB，U．2版最大容量可達(dá)8 TB。
2019-12-09 11:43:572304 困于10nm的Intel也在這方面尋找新的機(jī)會(huì)，其在去年年底的“架構(gòu)日”活動(dòng)中，推出其業(yè)界首創(chuàng)的3D邏輯芯片封裝技術(shù)——Foveros，F(xiàn)overos首次引入3D堆疊的優(yōu)勢(shì)，可實(shí)現(xiàn)在邏輯芯片上堆疊
2020-01-28 16:10:004118 NAND閃存巨頭三星電子宣布開(kāi)始量產(chǎn)業(yè)界首款消費(fèi)級(jí)QLC SSD，SATA接口，最大容量4TB，采用第四代V－NAND，64層3D堆疊，單芯片容量1Tb（128GB）。
2019-12-13 11:35:481654 至于原因，東芝認(rèn)為3D XPoint成本太高，在容量/價(jià)格比上難以匹敵3D NAND 技術(shù)，現(xiàn)在市面上96層堆疊的閃存已經(jīng)大量涌現(xiàn)，可以在容量上輕松碾壓3D XPoint。
2020-01-02 09:27:343123 存儲(chǔ)公司 Kioxia(原東芝存儲(chǔ))近日宣布，將在今年 Q1 送樣 112 層 TLC Flash 芯片，這是第五代 BiCS Flash 3D 存儲(chǔ)芯片。
2020-02-03 15:44:222735 前幾天西數(shù)、鎧俠(原東芝存儲(chǔ))各自宣布了新一代BiCS5技術(shù)的3D閃存，堆棧層數(shù)也從目前的96層提升到了112層，IO接口速度提升40%，同時(shí)QLC型閃存核心容量可達(dá)1.33Tb，目前是世界最高水平的。
2020-02-04 15:23:071081 
西數(shù)公司今天正式宣布了新一代閃存技術(shù)BiCS5，這是西數(shù)與鎧俠（原來(lái)的東芝存儲(chǔ)）聯(lián)合開(kāi)發(fā)的，在原有96層堆棧BiCS4基礎(chǔ)上做到了112層堆棧。
2020-02-06 15:13:363554 今日（4月13日），長(zhǎng)江存儲(chǔ)重磅宣布，其128層QLC 3D閃存（X2-6070）研制成功，并已在多家主控商場(chǎng)SSD等終端產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。
2020-04-13 09:23:091347 西部數(shù)據(jù)公司 （NASDAQ： WDC）日前宣布已成功開(kāi)發(fā)第五代3D NAND技術(shù)——BiCS5，繼續(xù)為行業(yè)提供先進(jìn)的閃存技術(shù)來(lái)鞏固其業(yè)界領(lǐng)先地位。BiCS5基于TLC和QLC技術(shù)構(gòu)建而成，以有
2020-07-24 15:09:132151 存儲(chǔ)器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計(jì)通過(guò)美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu)，可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計(jì)算以及智能手機(jī)存儲(chǔ)
2020-11-12 16:02:553696 發(fā)展至今，NAND Flash已呈現(xiàn)白熱化階段。就在前不久，存儲(chǔ)廠商們還在128層“閃存高臺(tái)上觀景”，2019年6月SK海力士發(fā)布128層TLC 3D NAND；美光于2019年10月流片出樣128
2020-12-09 14:55:374583 的層數(shù)也不同，鎧俠、西數(shù)使用的BiCS技術(shù)，堆棧層數(shù)并不是最高的，但是存儲(chǔ)密度不錯(cuò)，這次162層相比之前的112層閃存提升了10%的密度。 這樣一來(lái)，從112層提高到162層使得芯片的面積減少了40%，在同樣的300mm晶圓上可以多生產(chǎn)70%的容量，直接大幅降低了閃存成本。 除
2021-02-19 18:03:412917 在Win-Win華為創(chuàng)新周期間，華為與聯(lián)通視頻科技有限公司聯(lián)合發(fā)布了靈境3D解決方案。該方案支持點(diǎn)播和直播全自動(dòng)輸出3D視頻流，極大地降低了3D內(nèi)容制作成本，助力運(yùn)營(yíng)商不斷創(chuàng)新，豐富用戶(hù)體驗(yàn)，創(chuàng)造視頻業(yè)務(wù)新增長(zhǎng)點(diǎn)。
2022-07-22 09:15:311710 3D NAND閃存是一種把內(nèi)存顆粒堆疊在一起解決2D或平面NAND閃存限制的技術(shù)。這種技術(shù)垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元，具備卓越的精度，可支持在更小的空間內(nèi)，容納更高的存儲(chǔ)容量，從而有效節(jié)約成本、降低能耗，以及大幅度地提升性能。
2023-06-15 09:37:563209 
3D打印是一種數(shù)字制造技術(shù)，也被稱(chēng)為增材制造（Additive Manufacturing），它可以將數(shù)字三維模型逐層地轉(zhuǎn)化為實(shí)體物體。與傳統(tǒng)的減材制造方式（如切削加工）不同，3D打印是一種將物體逐層堆疊構(gòu)建的技術(shù)。
2023-08-28 16:11:062529 三星將在IEEE國(guó)際固態(tài)電路研討會(huì)上展示其GDDR7產(chǎn)品以及280層堆疊的3D QLC NAND技術(shù)。
2024-02-01 10:35:311299 目前，鎧俠和西部數(shù)據(jù)共同研發(fā)NAND閃存技術(shù)，他們最杰出的作品便是218層堆疊的BICS8 3D閃存，這項(xiàng)產(chǎn)品能達(dá)到的傳輸速度高達(dá)3200MT/s。
2024-04-07 15:21:571351 在全球半導(dǎo)體技術(shù)的激烈競(jìng)爭(zhēng)中，SK海力士再次展示了其卓越的研發(fā)實(shí)力與創(chuàng)新能力。近日，在美國(guó)夏威夷舉行的VLSI 2024峰會(huì)上，SK海力士宣布了其在3D DRAM技術(shù)領(lǐng)域的最新研究成果，其中5層堆疊的3D DRAM良品率已高達(dá)56.1%，這一突破性的進(jìn)展引起了業(yè)界的廣泛關(guān)注。
2024-06-27 10:50:221473 在半導(dǎo)體技術(shù)邁向“后摩爾時(shí)代”的進(jìn)程中，3D集成電路（3D IC）憑借垂直堆疊架構(gòu)突破平面縮放限制，成為提升性能與功能密度的核心路徑。
2025-12-26 15:22:38196 
2030年實(shí)現(xiàn)1000層堆疊的3D NAND存儲(chǔ)器。 ? 3D NAND似乎已經(jīng)成為各大存儲(chǔ)企業(yè)競(jìng)相追逐的“工業(yè)明珠”，包括三星、海力士、美光、鎧俠、長(zhǎng)江存儲(chǔ)等都在這一領(lǐng)域投入大量資源，而比拼的就是堆疊層數(shù)。 ? 3D NAND 為何如此重要？ ? 隨著數(shù)字化信息的爆炸性增長(zhǎng)，對(duì)對(duì)存儲(chǔ)容量的需求也在
2024-06-29 00:03:008061
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