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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲技術(shù)>美光5200系列 SATA SSD:基于64層3D NAND技術(shù),簡便且經(jīng)濟高效

美光5200系列 SATA SSD:基于64層3D NAND技術(shù),簡便且經(jīng)濟高效

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干貨!一文看懂3D NAND Flash

目前3D NAND僅由三星電子獨家量產(chǎn)。而進入了最近兩個月,先有東芝(Toshiba)殺入敵營,如今(Micron)也宣布研發(fā)出3D NAND 芯片,而且已經(jīng)送樣,三星一家獨大的情況將畫下
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3D NAND低成本制程分析 海力士/東芝能否趕上?

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11月12日消息今日,科技宣布已批量出貨全球首款1763D NAND閃存,刷新行業(yè)紀錄,實現(xiàn)閃存產(chǎn)品密度和性能上的提升。這款176NAND產(chǎn)品采用第五代3D NAND技術(shù)和第二代替換柵極架構(gòu)。
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三星、西部數(shù)據(jù)、英特爾、、長江存儲探討3D NAND技術(shù)

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芯片的3D化歷程

128甚至更高,外圍電路可能會占到芯片Xtacking技術(shù)將外圍電路連接到存儲單元之上,從而實現(xiàn)比傳統(tǒng)3D NAND更高的存儲密度。據(jù)悉,長江存儲的643D NAND閃存產(chǎn)品將在2020年進入
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慧榮科技首推支持3D NAND的交鑰匙式企業(yè)版SATA 6Gb/s SSD控制器產(chǎn)品

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2016-01-07 15:31:361712

發(fā)布全新5100系列SSD,配備3D eTLC閃存

在物美價廉的M4之后,之后就沒有什么太經(jīng)典的SSD產(chǎn)品了,但這塊市場一直都還在默默耕耘,日前又發(fā)布了新的5100系列SSD。5100系列SSD并未面向普通消費者,而是為高端服務器和數(shù)據(jù)中心而生的。有ECO、Pro、Max三個分支,采用了3D eTLC閃存,有SATA和M.2兩個版本。
2016-12-06 10:34:444672

西數(shù)力挺QLC:首發(fā)963D NAND閃存!SSD行業(yè)要變天

現(xiàn)在,西數(shù)全球首發(fā)了96堆棧的3D NAND閃存,其使用的是新一代BiCS 4技術(shù)(下半年出樣,2018年開始量產(chǎn)),除了TLC類型外,其還會支持QLC,這個意義是重大的。
2017-06-28 11:22:40937

Intel自己上馬:推出全球首款643D閃存SSD

6月29日消息 據(jù)外媒NEOWIN報道,英特爾今天宣布推出SSD 545s固態(tài)硬盤,它是主流的SATA驅(qū)動器,使用Silicon Motion控制器和IMFT的643D TLC閃存。 這是世界上首款可供商用的643D NAND SSD產(chǎn)品,且目前僅提供512 GB容量版本。
2017-06-29 17:56:051179

東芝64TLC閃存再現(xiàn)驚艷產(chǎn)品:2.5英寸SSD容量高達30.72TB!

東芝在SSD技術(shù)上已經(jīng)是領(lǐng)先各大廠商,東芝對于64堆疊設計的3D TLC閃存真是愛的太深,產(chǎn)品布局之神速令人驚嘆?,F(xiàn)在又將64堆疊設計的3D TLC閃存帶到了企業(yè)及產(chǎn)品上,得益于這種高容量堆疊
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東芝首款643D NAND SSD——TR200上市

近日,東芝首款643D NAND SSDTR200 SATA固態(tài)硬盤系列正式上市。TR200系列可提供給個人電腦和筆記本電腦更強的性能表現(xiàn),并且滿足用戶對大容量SSD的使用要求。其具備高效
2017-10-31 16:01:191180

3D NAND產(chǎn)能增長迅速,SSD價格跌至歷史谷底

2018年是3D NAND產(chǎn)能快速增長的一年,主要是因為Flash原廠三星、東芝、SK海力士、等快速提高643D NAND生產(chǎn)比重,而且相較于2D NAND技術(shù),64256Gb和512Gb在市場上的廣泛應用,使得高容量的NAND Flash相關(guān)產(chǎn)品價格持續(xù)下滑
2018-07-16 09:48:00918

推出CrucialMX500系列SSD:首個643D TLC閃存,最高容量為2TB

今天,正式發(fā)布了旗下的CrucialMX500系列SSD,其最大的特色就是采用了643DTLCNAND閃存,這是首次在消費類產(chǎn)品中采用這類閃存。
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而且在堆疊層數(shù)增加的時候,存儲堆棧的高度也在增大,然而每層的厚度卻在縮小,以前的32/363D NAND的堆棧厚度為2.5μm,厚度大約70nm,48的閃存堆棧厚度為3.5μm,厚度減少到
2018-06-03 09:50:556262

MX500系列SSD643D TLC NAND閃存,性價比高

由于NAND閃存價格上漲,SSD普及的道路走的異常艱難,同容量下SSD和HDD的價格始終相差懸殊,但今天新推出MX500系列SSD采用了643D TLC NAND閃存,把SSD的價格和性能控制在一個很好的平衡點,具有極高的性價比和極強的市場競爭力,或許可以打破這一困境。
2018-07-24 16:01:365391

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)BiCS FLASH?存儲器,為電腦游戲玩家和DIY愛好者提供公司首款采用643D閃存的升級版SSD。
2018-07-25 17:11:251201

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2018-07-30 16:25:352131

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半導體行業(yè)巨頭光在新加坡的新工廠破土動工,該工廠將致力于制造3D NAND Flash。
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隨著3D NAND產(chǎn)出的增加,2018年全球SSD出貨量有望沖刺2億臺

隨著64/723D NAND產(chǎn)出的增加,以及原廠QLC和963D技術(shù)快速發(fā)展,NAND Flash在經(jīng)歷2年漲價后,2018年市場行情從缺貨轉(zhuǎn)向供應過剩,再加上成本下滑,以及供需雙方博弈刺激下,預計2018年全球SSD出貨量將超過1.9億臺,甚至有望沖刺2億臺。
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半導體行業(yè)3D NAND Flash

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2018年SSD現(xiàn)狀:SSD價格持續(xù)下滑 市場備貨意向不強烈

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集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)最新研究顯示,隨著下半年各家原廠最新64堆棧的3D-NAND Flash產(chǎn)能開出,在三星及等領(lǐng)頭羊帶領(lǐng)下,預估第三季3D-NAND Flash
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科技推出業(yè)界首款1TB汽車級和工業(yè)級PCIeNVMeTM固態(tài)硬盤

NVMeTM固態(tài)硬盤(SSD),該款硬盤采用BGA封裝技術(shù)和22x30mm M.2外形規(guī)格。新型2100系列NVMe SSD基于64的三單元(TLC)3D NAND技術(shù),專為下一代自動駕駛汽車和工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)(IIoT)而設計。
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聯(lián)蕓科技對外發(fā)布支持96鎂光B27A的 3D TLC NAND閃存顆粒

11月15日, 國產(chǎn)知名SSD主控芯片原廠聯(lián)蕓科技(MAXIO)再下一城,正式對外宣布MAS0902固態(tài)硬盤主控芯片已全面支持最新963D TLC NAND 閃存顆粒,并對外提供搭載聯(lián)蕓科技自主
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3D NAND技術(shù)的轉(zhuǎn)換促進產(chǎn)業(yè)洗牌戰(zhàn) 三星/英特爾/東芝各有應對招數(shù)

NAND技術(shù)最早都是源自于飛索(Spansion)的Charge Trap架構(gòu),唯一例外的是英特爾(Intel)和美(Micron)仍是延續(xù)傳統(tǒng)Floating Gate架構(gòu),但從64技術(shù)開始,也都會轉(zhuǎn)成Charge Trap架構(gòu)。
2018-12-03 09:04:572304

64/723D NAND開始出貨 SSD市場將迎來新的局面

推出64/723D NAND,預計從下半年開始將陸續(xù)進入量產(chǎn)階段,屆時3D NAND產(chǎn)能將大幅增加。
2018-12-10 10:00:571562

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記憶體的3D NAND flash大戰(zhàn)即將開打!目前3D NAND由三星電子獨家量產(chǎn),但是先有東芝(Toshiba)殺入敵營,如今(Micron)也宣布研發(fā)出3D NAND,而且已經(jīng)送樣,三星一家獨大的情況將劃下句點。
2018-12-13 15:07:471294

LiteOn推出采用東芝643D NAND最新SSD

近日,LiteOn推出一款最新MU3系列SSD,采用東芝64BiCS 3D TLC NAND,7毫米/2.5英寸外形,SATA 6Gbps接口,提供120GB,240GB和480GB三種容量選擇。
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真.國產(chǎn)SSD硬盤來了:紫光643D TLC閃存,1500次P/E

日前有消息稱紫光純國產(chǎn)的SSD硬盤就要上市了,使用是他們研發(fā)生產(chǎn)的64堆棧3D TLC閃存,P/E次數(shù)可達1500次,這個技術(shù)及規(guī)格在主流SSD中已經(jīng)不低了。
2019-03-15 10:38:455883

基于Xtacking架構(gòu)的643D NAND閃存已實現(xiàn)量產(chǎn)

現(xiàn)在,長江存儲聯(lián)席首席技術(shù)官、技術(shù)研發(fā)中心高級副總裁程衛(wèi)華接受采訪時表示,公司已開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64256 Gb TLC 3D NAND閃存,以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。
2019-09-02 16:30:003069

長江存儲推出了全球首款基于Xtacking架構(gòu)的643D NAND閃存

長江存儲643D NAND閃存是全球首款基于Xtacking?架構(gòu)設計并實現(xiàn)量產(chǎn)的閃存產(chǎn)品,擁有同代產(chǎn)品②中最高的存儲密度。Xtacking?可實現(xiàn)在兩片獨立的晶圓上分別加工外圍電路和存儲單元
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基于Xtacking架構(gòu)的643D NAND存儲器

長江存儲科技(YMTC)本周早些時候表示,已經(jīng)開始批量生產(chǎn)采用專有Xtacking架構(gòu)的643D NAND存儲器。
2019-09-09 10:22:162374

中國首次量產(chǎn)643D NAND閃存芯片會有什么市場影響

紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司宣布,開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-19 11:10:091144

中國量產(chǎn)643D NAND閃存芯片會帶來什么影響

紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司宣布,開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-23 17:05:241455

將推出最新的第四代3D NAND閃存

宣布,已經(jīng)完成第四代3D NAND閃存的首次流片,應用了全新的替換柵極(RG)架構(gòu),并計劃在明年投入量產(chǎn)。
2019-10-14 16:04:321180

第四代3D NAND芯片將量產(chǎn) 計劃繼續(xù)沿用CMOS陣列

存儲行業(yè)隨著物聯(lián)網(wǎng)時代的來臨也迎來了一波新的發(fā)展機遇,近日,根據(jù)最新消息顯示,系存儲巨頭,的第四代3D NAND芯片完成首批流片,新一代產(chǎn)品基于全新研發(fā)的替代柵極架構(gòu),將于明年開始小范圍量產(chǎn)。
2019-11-18 15:33:471043

即將量產(chǎn)第四代3D NAND存儲器 層數(shù)達到128

光在二季度財報電話會議上透露,該公司即將開始基于全新 RG 架構(gòu)的第四代 3D NAND 存儲器的量產(chǎn)工作。按照計劃,將于 2020 Q3 采集開始生產(chǎn),并于 Q4 像商業(yè)客戶發(fā)貨。作為這家硬件制造商的一次重大技術(shù)轉(zhuǎn)型,第四代 3D NAND 存儲器的層數(shù)達到了 128
2020-04-02 11:26:522011

長江存儲表示1283D NAND技術(shù)會按計劃推出

據(jù)證券時報消息,長江存儲CEO楊士寧在接受采訪時談及了該公司最先進的1283D NAND技術(shù)的研發(fā)進度。楊士寧表示,1283D NAND技術(shù)研發(fā)進度短期確實會有所波及。但目前長江存儲已實現(xiàn)全員復工,從中長期來看,這次疫情并不會影響總體進度。128技術(shù)會按計劃在2020年推出。
2020-04-08 15:09:152895

全球首款3D QLC NAND SSD升級新固件

兩年前,發(fā)布了全球首款采用3D QLC NAND閃存顆粒的SSD,型號為5210 ION系列。今天,宣布5210 ION已經(jīng)得到全面升級,可以作為機械硬盤的完美替代品。
2020-04-10 09:14:413042

長江存儲的技術(shù)創(chuàng)新,1283D NAND閃存芯片問世

長江存儲科技有限責任公司(以下簡稱“長江存儲”)在官網(wǎng)宣布其128QLC 3D NAND閃存芯片 X2-6070研發(fā)成功,已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產(chǎn)品上通過驗證。
2020-05-04 10:39:003612

群聯(lián)全系列控制芯片支持長江存儲3D NAND

閃存控制芯片及儲存解決方案整合服務領(lǐng)導廠商 群聯(lián)電子 (PHISON; TPEx:8299) 與長江存儲自2016年開始接洽合作,從最早期的32 3D NAND導入驗證群聯(lián)eMMC控制芯片PS8226,至近期的643D NAND,群聯(lián)全系列NAND控制芯片均有支持且已進入量產(chǎn)階段。
2020-05-07 14:48:091627

推企業(yè)級SATA固態(tài)硬盤5210,淘汰機械鍵盤

科技發(fā)布了全新容量和功能的5210?ION系列企業(yè)級SATA固態(tài)硬盤,而作為全球首款QLC固態(tài)硬盤,5210基于更為先進的QLC?NAND技術(shù)
2020-05-07 14:56:181624

惠普即將發(fā)布量產(chǎn)化工業(yè)3D打印機5200系列

惠普全球在3D打印領(lǐng)域繼續(xù)發(fā)布大動作,宣布了加速數(shù)字化制造的四大舉措,包括發(fā)布新型工業(yè)級3D打印機-HP Jet Fusion 5200系列。
2020-05-07 16:04:244146

惠普面向批量生產(chǎn)而推出了5200系列3D打印機

惠普推出了全新的Jet Fusion 5200系列3D打印機,面向批量直接制造的應用,再度提升3D打印規(guī)模化生產(chǎn)的精度和經(jīng)濟性。
2020-05-13 16:33:563129

慧榮科技宣布全系列主控芯片全面支持長江存儲Xtacking 3D NAND

Xtacking 3D NAND閃存,包括長江存儲最新研發(fā)成功的128Xtacking 3D TLC/QLC閃存,為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲在3D NAND技術(shù)迅速提升
2020-09-11 11:12:162690

慧榮科技宣布全系列主控 芯片全面支持長 江 存 儲Xtacking 3D NAND

Xtacking 3D NAND閃存,包括長江存儲最新研發(fā)成功的128Xtacking 3D TLC/QLC閃存,為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲在3D NAND技術(shù)迅速提升
2020-09-11 11:12:342586

發(fā)布第五代3D NAND閃存

據(jù)媒Anandtech報道,日前宣布了其第五代3D NAND閃存,新一代產(chǎn)品擁有破紀錄的176構(gòu)造。報道指出,新型176L閃存是自與英特爾的存儲器合作解散以來推出的第二代產(chǎn)品,此后從浮柵( floating-gate)存儲單元設計轉(zhuǎn)變?yōu)殡姾上葳澹╟harge-trap)單元。
2020-11-10 14:56:593477

全新176堆疊閃存發(fā)布,可以輕松放入智能手機和存儲卡內(nèi)

剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術(shù),達到了創(chuàng)紀錄的176堆疊。這也是、Intel在閃存合作上分道揚鑣之后,自己獨立研發(fā)的第二代3D NAND閃存。
2020-11-10 16:22:392315

宣布了其第五代3D NAND閃存技術(shù)

剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術(shù),達到了創(chuàng)紀錄的176堆疊。這也是、Intel在閃存合作上分道揚鑣之后,自己獨立研發(fā)的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:212924

科技宣布已批量出貨全球首款 176 3D NAND 閃存

第五代 3D NAND 技術(shù)和第二代替換柵極架構(gòu)。 科技表示,與的上一代大容量 3D NAND 產(chǎn)品相比,176 NAND 將數(shù)據(jù)讀取和寫入延遲縮短了 35% 以上。的 176
2020-11-12 13:04:572623

發(fā)布1763D NAND閃存

存儲器廠商宣布,其第五代3D NAND閃存技術(shù)達到創(chuàng)紀錄的176堆疊。預計通過全新推出的1763D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu),可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計算以及智能手機存儲
2020-11-12 16:02:553696

芯片巨頭宣布向客戶交付176閃存

/ s,高于其96和128閃存的 1200MT/s。與 96L NAND相比,讀(寫)延遲提高了35% 以上,與128LNAND 相比,提高了25%以上。光表示其1763D NAND已開始批量生產(chǎn)
2020-11-13 14:25:132185

科技出貨首款176NAND 閃存性能和密度突破刷新行業(yè)紀錄

北京時間11月13日消息,內(nèi)存和存儲解決方案供應商Micron Technology(科技)宣布已批量出貨全球首款1763D NAND閃存,一舉刷新行業(yè)紀錄,實現(xiàn)閃存產(chǎn)品密度和性能上的重大
2020-11-13 17:42:262565

搶先推出176閃存 三星回應技術(shù)延誤

3D閃存技術(shù)上,作為全球閃存最大廠商的三星一直是領(lǐng)先的,堆棧層數(shù)也是最多的,不過日前率先推出了176堆棧的 3D閃存,進度比三星要快。 根據(jù)的說法,176閃存其實是基于兩個88
2020-11-14 10:01:202368

NAND加速邊緣計算場景化落地

日前,存儲器廠商宣布,其第五代3D?NAND閃存技術(shù)達到創(chuàng)紀錄的176堆疊。預計通過全新推出的1763D?NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu),可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計算以及智能手機存儲的應用效能。
2020-11-20 17:10:122392

SK海力士宣布推出最新一代的3D NAND

據(jù)報道,SK hynix日前發(fā)布了其最新一代的3D NAND。據(jù)介紹,新產(chǎn)品具有176電荷charge trap單元。在宣布他們的176L NAND開始以Crucial品牌產(chǎn)品發(fā)貨之后,SK hynix是第二家達到這一數(shù)的NAND制造商。
2020-12-08 14:29:122822

3D NAND技術(shù)堆疊將走向何方?

發(fā)展至今,NAND Flash已呈現(xiàn)白熱化階段。就在前不久,存儲廠商們還在128“閃存高臺上觀景”,2019年6月SK海力士發(fā)布128TLC 3D NAND;于2019年10月流片出樣128
2020-12-09 14:55:374583

英特爾發(fā)布固態(tài)盤 670p: 144 QLC 3D NAND,全新主控

,英特爾還對 670p 的 SLC 緩存調(diào)度進行了優(yōu)化。 去年 11 月,英特爾正式推出了 665p SSD,設計改動很小,最主要的是從英特爾的 64 3D QLC NAND 轉(zhuǎn)換
2020-12-17 09:30:223066

鎧俠和西部數(shù)據(jù)推出第六代1623D閃存技術(shù)

新一代3D NAND技術(shù)已迎來新的戰(zhàn)局,繼光和SK海力士在2020年底陸續(xù)推出新一代1763D NAND之后,鎧俠和西部數(shù)據(jù)也正式宣布推出1623D NAND技術(shù),三星也稱將在2021年推出第七代V-NAND,再加上英特爾大力推廣1443D NAND,硝煙已四起。
2021-02-24 11:22:072770

科技已批量出貨全球首款176QLC NAND SSD

內(nèi)存和存儲解決方案領(lǐng)先供應商Micron Technology, Inc.(科技股份有限公司,納斯達克代碼:MU)宣布已批量出貨全球首款 176QLC(四單元)NAND固態(tài)硬盤(SSD)。
2022-01-27 19:04:242707

推出全新20代PCI SSD 西部數(shù)據(jù)重新構(gòu)想硬盤

科技( Naqdaq76 : MU)發(fā)布量全球領(lǐng)先革命性跨全球NAND技術(shù)專長和最佳性能。針對應用打造的176PCIe Gen4 QLC SSD。全新的176QLC NAND將整合至塑造Crucial消費型SSD,為系統(tǒng)設計者的參考元件也。
2022-03-24 14:39:277861

推出176QLC NAND SSD 移遠通信5G智能模組榮獲AIoT新維獎

科技公司宣布,它已開始批量出貨全球首款176QLC NAND SSD。的 176 QLC NAND 采用最先進的 NAND 架構(gòu)構(gòu)建,可為各種數(shù)據(jù)豐富的應用提供業(yè)界領(lǐng)先的存儲密度和優(yōu)化的性能。
2022-03-29 17:23:182372

科技推出最先進的數(shù)據(jù)中心SATA SSD產(chǎn)品

內(nèi)存和存儲解決方案領(lǐng)先供應商 Micron Technology, Inc.(科技股份有限公司,納斯達克代碼:MU)近日宣布推出全球首款專為數(shù)據(jù)中心工作負載設計的基于 176 NAND 技術(shù)SATA 固態(tài)硬盤 (SSD)。
2022-06-30 10:24:151997

5400 SATA SSD正式發(fā)布

5400 SATA SSD 于近日正式發(fā)布,這意味著我們成功將前沿的 176 NAND 技術(shù)引入到數(shù)據(jù)中心 SATA 平臺。盡管科技圈往往聚焦于新技術(shù)、新協(xié)議與新架構(gòu),但眾所周知,當前SATA 平臺仍然大量投資關(guān)鍵基礎(chǔ)架構(gòu)。雖然它們也想應用最新技術(shù),但尚未做好更新迭代的準備。
2022-07-05 17:14:202074

宣布已量產(chǎn)全球首款232NAND 帶來前所未有的性能

技術(shù)與產(chǎn)品執(zhí)行副總裁 Scott DeBoer 表示:“ 232 NAND 率先在生產(chǎn)中將 3D NAND堆疊層數(shù)擴展到超過 200 ,可謂存儲創(chuàng)新的分水嶺。此項突破性技術(shù)得益于廣泛
2022-07-28 09:49:5922968

3D NAND是否數(shù)物理限制?

已經(jīng)在完成 232 NAND 的訂單,而且不甘示弱,SK 海力士宣布將于明年上半年開始量產(chǎn) 238 512Gb 三單元 (TLC) 4D NAND。或許更重要的是,芯片制造商私下表示,他們將利用行業(yè)學習為目前正在開發(fā)的 3D-IC 堆疊 NAND。
2022-08-29 16:59:20888

200NAND芯片的消費級固態(tài)硬盤2550 SSD正式出貨

發(fā)布的官方新聞稿,該企業(yè)宣布其已經(jīng)正式出貨了全球首款使用超過200NAND芯片的消費級固態(tài)硬盤2550 SSD,該SSD采用232NAND技術(shù),采用PCIe 4.0標準。
2022-12-08 16:19:191261

推出采用232NAND技術(shù)的全球最先進客戶端SSD

適用于主流筆記本電腦和臺式機的 2550 NVMe? 固態(tài)硬盤(SSD)。2550 是全球首款采用 200+ NAND 技術(shù)的客戶端 SSD,它憑借存儲密度和功耗優(yōu)勢,在性能[[1]]方面超越競爭對手,其出色的響應能力和低功耗表現(xiàn)可幫助用戶延長工作和家用 PC 的電池續(xù)航時間。
2022-12-15 15:58:371804

什么是3D NAND閃存?

我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 閃存,顧名思義,就是它是立體堆疊的,Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高樓大廈,建筑面積一下子就多起來了,理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:394227

三星:2030年3D NAND將進入1000以上

 三星已經(jīng)確定了新一代3D NAND閃存的開發(fā)計劃,預計在2024年推出第九代3D NAND,其層數(shù)可達到280
2023-07-04 17:03:293142

基于2323D TLC NAND閃存的UFS 4.0模塊能效提升25%

基于2323D TLC NAND閃存的UFS 4.0模塊能效提升25% 此前推出了其首個UFS 4.0移動存儲解決方案,采用了2323D TLC NAND閃存;速度提升很大,可以達到最高
2023-07-19 19:02:211823

發(fā)布基于232NAND技術(shù)的的3500 NVMe固態(tài)硬盤(SSD)

Micron Technology, Inc.(科技股份有限公司,納斯達克股票代碼:MU)近日宣布,基于 232 NAND 技術(shù)的 3500 NVMe 固態(tài)硬盤(SSD) 現(xiàn)已向客戶出貨
2023-12-12 09:43:301539

232QLC NAND芯片已量產(chǎn)并出貨,推出SSD新品

科技近期宣布,其創(chuàng)新的232QLC NAND芯片已成功實現(xiàn)量產(chǎn)并已開始出貨。這一里程碑式的成就標志著光在NAND技術(shù)領(lǐng)域再次取得了顯著進步,鞏固了其在全球存儲解決方案市場的領(lǐng)導地位。
2024-04-29 10:36:341553

232QLC NAND現(xiàn)已量產(chǎn)

科技近日宣布了重大技術(shù)突破,其先進的232QLC NAND閃存已成功實現(xiàn)量產(chǎn),并已部分應用于Crucial英睿達固態(tài)硬盤(SSD)中。此外,還推出了2500 NVMeTM SSD,該產(chǎn)品已面向企業(yè)級存儲客戶大規(guī)模生產(chǎn),并向PCOEM廠商提供了樣品。
2024-05-06 10:59:251099

第九代3D TLC NAND閃存技術(shù)SSD產(chǎn)品開始出貨

知名存儲品牌近日正式宣布,搭載其研發(fā)的第九代(G9)3D TLC NAND閃存技術(shù)的固態(tài)硬盤產(chǎn)品已然問世,并已批量上市,成為全球業(yè)內(nèi)首家成功跨越此歷史性階段的制造商。該產(chǎn)品所采用的堆疊層數(shù)高達
2024-07-31 17:11:171680

預期提前,鎧俠再次加速,3D NAND準備沖擊1000

2030年實現(xiàn)1000堆疊的3D NAND存儲器。 ? 3D NAND似乎已經(jīng)成為各大存儲企業(yè)競相追逐的“工業(yè)明珠”,包括三星、海力士、、鎧俠、長江存儲等都在這一領(lǐng)域投入大量資源,而比拼的就是堆疊層數(shù)。 ? 3D NAND 為何如此重要? ? 隨著數(shù)字化信息的爆炸性增長,對對存儲容量的需求也在
2024-06-29 00:03:008061

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