比特位的技術(shù)），實(shí)現(xiàn)了具有極大存儲(chǔ)容量的硅芯片。 目前，最先進(jìn)的3D NAND閃存可在單個(gè)硅片上容納高達(dá)1Tbit或1.33Tbit的數(shù)據(jù)。 譬如，英特爾（Intel）和美光科技（Micron）的開(kāi)發(fā)聯(lián)盟和三星電子各自將制造技術(shù)與64層堆棧和QLC（四層單元）技術(shù)相結(jié)合，該技
2019-08-10 00:01:00
8135 9月2日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式對(duì)外宣布，其基于Xtacking?架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存（每顆裸芯片的存儲(chǔ)容量為256千兆字位，每個(gè)存儲(chǔ)單元為三個(gè)字位的三維閃存）正式量產(chǎn)，以滿足固態(tài)硬盤(pán)、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。
2019-09-02 14:31:151919 臺(tái)灣專(zhuān)用存儲(chǔ)器解決方案制造商旺宏(Macronix)將于明年下半年開(kāi)始批量生產(chǎn)3D NAND存儲(chǔ)器。該公司將成為臺(tái)灣第一家生產(chǎn)內(nèi)部設(shè)計(jì)的3D NAND閃存制造商。 該公司董事長(zhǎng)吳銘表示，旺宏將在
2019-12-14 09:51:295966 5）第二期建廠計(jì)劃，以因應(yīng)未來(lái)NAND Flash擴(kuò)產(chǎn)需求，并為日后投產(chǎn)3D NAND Flash預(yù)先做好準(zhǔn)備。
2013-07-08 09:46:131061 7月24日國(guó)外消息：SanDisk在3D NAND方面正在走自己的技術(shù)路線-- 在同一個(gè)區(qū)域記錄層的堆疊在一個(gè)閃存芯片放到另一個(gè)提供更多的容量之內(nèi)。
2013-07-25 10:24:231561 最新的3D垂直閃存與傳統(tǒng)的NAND存儲(chǔ)芯片相比，具有包括讀寫(xiě)速度快1倍、使用壽命多10倍及能耗減少50%等眾多優(yōu)勢(shì)。
2013-08-29 10:46:512858 
3D NAND的好處自然就是能夠比現(xiàn)在的閃存提供功能大的存儲(chǔ)空間，存儲(chǔ)密度可以達(dá)到現(xiàn)有閃存的三倍以上，未來(lái)甚至可以做出10TB以上的2.5寸SSD出來(lái)。
2015-06-01 11:51:372985 目前3D NAND僅由三星電子獨(dú)家量產(chǎn)。而進(jìn)入了最近兩個(gè)月，先有東芝（Toshiba）殺入敵營(yíng)，如今美光（Micron）也宣布研發(fā)出3D NAND 芯片，而且已經(jīng)送樣，三星一家獨(dú)大的情況將畫(huà)下
2016-08-11 13:58:0644661 
受益于智能手機(jī)搭載的NAND Flash存儲(chǔ)容量持續(xù)提升，以及PC、服務(wù)器、資料中心積極導(dǎo)入固態(tài)硬盤(pán)（SSD），NAND Flash需求正快速成長(zhǎng)，各家存儲(chǔ)器廠亦由2D NAND Flash加速轉(zhuǎn)進(jìn)
2017-02-07 17:34:129182 
2月16日據(jù)中科院網(wǎng)站消息，近日，由國(guó)家存儲(chǔ)器基地主要承擔(dān)單位長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”）與中國(guó)科學(xué)院微電子研究所聯(lián)合承擔(dān)的3D NAND存儲(chǔ)器研發(fā)項(xiàng)目取得新進(jìn)展。
2017-02-16 11:35:241161 據(jù)海外媒體報(bào)道，去年下半年以來(lái)NAND Flash市場(chǎng)供不應(yīng)求，主要關(guān)鍵在于上游原廠全力調(diào)撥2D NAND Flash產(chǎn)能轉(zhuǎn)進(jìn)3D NAND，但3D NAND生產(chǎn)良率不如預(yù)期，2D NAND供給量又因產(chǎn)能排擠縮小，NAND Flash市場(chǎng)出現(xiàn)貨源不足問(wèn)題，價(jià)格也因此明顯上漲。
2017-02-27 09:21:371739 
通過(guò)3D堆疊技術(shù)將存儲(chǔ)層層堆疊起來(lái)，促成了NAND 技術(shù)進(jìn)一步成熟。
2018-04-16 08:59:5213248 
集微網(wǎng)消息，9月19日，2018年中國(guó)閃存市場(chǎng)峰會(huì)（CFMS2018）在深圳舉行，長(zhǎng)江存儲(chǔ)總經(jīng)理?xiàng)钍繉幉┦恳浴皠?chuàng)新Xtacking?架構(gòu)：釋放3D NAND潛能”為主題，介紹長(zhǎng)江存儲(chǔ)Xtacking?架構(gòu)的技術(shù)優(yōu)勢(shì)和長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND新進(jìn)展。
2018-09-20 10:22:075992 Xtacking 3D NAND閃存，包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)最新研發(fā)成功的128層X(jué)tacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場(chǎng)注入更完整及更多元化的存儲(chǔ)解決方案。 隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)在3D NAND技術(shù)迅速
2020-09-11 10:03:293528 什么是3D NAND？什么是4D NAND？3D NAND與4D NAND之間的差別在哪兒？
2021-06-18 06:06:00
3D NAND能否帶動(dòng)SSD市場(chǎng)爆炸性成長(zhǎng)？如何提升SSD壽命及效能？3D NAND及PCIe NVMe SSD能晉升巿場(chǎng)主流的原因是什么？
2021-04-02 07:17:39
3D NAND技術(shù)資料：器件結(jié)構(gòu)及功能介紹
2019-09-12 23:02:56
通常情況下，高精尖科技的誕生不但可以推動(dòng)現(xiàn)有市場(chǎng)的升級(jí)換代，還會(huì)催生出一大批依附于此的新產(chǎn)業(yè)、新領(lǐng)域，為世界發(fā)展注入更多進(jìn)步的力量。如今業(yè)界比較知名，并且在消費(fèi)領(lǐng)域頗受歡迎的3D打印，便是其中具有
2024-12-26 14:43:27
NAND FLASH就是通過(guò)die堆疊技術(shù)，加大單位面積內(nèi)晶體管數(shù)量的增長(zhǎng)。3D NAND比2D NAND具有更高的存儲(chǔ)容量，若采用48層TLC 堆疊技術(shù)，存儲(chǔ)密度可提升至256GB，輕松突破了平面
2020-11-19 09:09:58
`***的存儲(chǔ)矩陣，怎么存儲(chǔ)容量是16K*32的？一個(gè)字不是應(yīng)該等于兩個(gè)字節(jié)的嗎？為什么這里是四個(gè)字節(jié)？`
2015-09-01 18:09:10
做嵌入式開(kāi)發(fā)的工程師肯定都接觸過(guò)DDR，DDR就是我們常說(shuō)的內(nèi)存的大小，現(xiàn)在DDR已經(jīng)發(fā)展到DDR5系列了，存儲(chǔ)容量和存儲(chǔ)速度都得到了極大的提高。但嵌入式項(xiàng)目中目前用到最多的還是DDR3和DDR4
2020-09-16 15:30:27
技術(shù)方案。
三、NAND Flash分類(lèi)
NAND閃存卡的主要分類(lèi)以NAND閃存顆粒的技術(shù)為主，NAND閃存顆粒根據(jù)存儲(chǔ)原理分為SLC、MLC、TLC和QLC，從結(jié)構(gòu)上又可分為2D、3D兩大類(lèi)
2024-12-17 17:34:06
非易失性存儲(chǔ)事業(yè)部總經(jīng)理劉鋼先生表示，英特爾對(duì)大數(shù)據(jù)進(jìn)行了分層：溫?cái)?shù)據(jù)和熱數(shù)據(jù)，對(duì)存儲(chǔ)的需求已不僅僅表現(xiàn)在大容量存儲(chǔ)上，更多的是要求快速處理。2018年英特爾基于QLC和3D Xpoint技術(shù)將推動(dòng)
2018-09-20 17:57:05
在一個(gè)單片機(jī)的項(xiàng)目中，有規(guī)格書(shū)，怎樣估算存儲(chǔ)容量？哪些量是要存儲(chǔ)的，怎么判斷呢？多謝解答
2016-03-18 16:29:44
優(yōu)勢(shì)，或許，未來(lái)將有更多的玩家參與其中。存儲(chǔ)產(chǎn)品的3D時(shí)代 伴隨著三星、美光、東芝、英特爾紛紛開(kāi)始投入到3D NAND的生產(chǎn)和研發(fā)中來(lái)，存儲(chǔ)產(chǎn)品也開(kāi)始走向了3D時(shí)代。在這些廠商發(fā)展3D閃存的過(guò)程當(dāng)中，也
2020-03-19 14:04:57
MP3播放器存儲(chǔ)容量 容量是MP3播
2009-12-21 14:36:142004 電腦辭典存儲(chǔ)容量
2009-12-22 11:29:531012 數(shù)碼相機(jī)伴侶的存儲(chǔ)介質(zhì)/存儲(chǔ)容量
2009-12-23 09:59:19926 磁帶機(jī)的存儲(chǔ)容量
存儲(chǔ)容量是指在數(shù)據(jù)未被壓縮前磁帶機(jī)所能存儲(chǔ)的最大數(shù)據(jù)量。這個(gè)數(shù)值取決于兩個(gè)因素，一是單盒磁帶的存儲(chǔ)容量
2010-01-09 08:54:222463 磁帶庫(kù)的最大存儲(chǔ)容量
最大存儲(chǔ)容量是指磁帶庫(kù)在裝滿磁帶的情況下所能存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的最大容量。這個(gè)數(shù)值取決于兩個(gè)因素，一是單盒磁帶的存儲(chǔ)容量，
2010-01-09 09:35:282194 NAS網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)器的最大存儲(chǔ)容量 最存儲(chǔ)大存儲(chǔ)容量是指NAS存儲(chǔ)設(shè)備所能存儲(chǔ)數(shù)據(jù)容量的極限，通俗的講，就是NA
2010-01-09 10:27:542607 外置及共享硬盤(pán)的存儲(chǔ)容量 硬盤(pán)的容量是以MB（兆）和GB（千兆）為單位的，早期的硬盤(pán)容量低下，大
2010-01-09 14:11:31647 IP網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)的存儲(chǔ)容量 設(shè)備可以安裝的硬盤(pán)設(shè)備的總容量值，目前一般為單塊400G的硬盤(pán)，根據(jù)設(shè)備上的
2010-01-09 14:28:581211 移動(dòng)硬盤(pán)的存儲(chǔ)容量 移動(dòng)硬盤(pán)以硬盤(pán)為存儲(chǔ)介制，因此其存儲(chǔ)容量就是其內(nèi)部硬盤(pán)的存儲(chǔ)容量。移動(dòng)硬盤(pán)存
2010-01-09 14:38:561786 什么是U盤(pán)的存儲(chǔ)容量
存儲(chǔ)容量是指該便攜存儲(chǔ)產(chǎn)品最大所能存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)量，是便攜存儲(chǔ)產(chǎn)品最為關(guān)鍵的參數(shù)。一般
2010-01-30 10:25:101834 什么是MP3存儲(chǔ)容量
容量是MP3播放器的關(guān)鍵指標(biāo)之一，本機(jī)容量即為MP3播放器的內(nèi)置內(nèi)存（Flash Memory）的容量大小，存
2010-01-30 10:39:001634 便攜存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)容量 存儲(chǔ)容量是指該便攜存儲(chǔ)產(chǎn)品最大所能存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)量，是便攜存儲(chǔ)產(chǎn)品最為關(guān)鍵的參數(shù)。一
2010-01-09 14:51:31852 隨著手機(jī)等移動(dòng)終端設(shè)備集成4K攝影、4K高清顯示、3D投影/游戲等高端功能，個(gè)人終端產(chǎn)生的數(shù)據(jù)資料的信息量正以爆發(fā)式的速度在增長(zhǎng)，這對(duì)存儲(chǔ)容量的需求提出了挑戰(zhàn)。
2014-09-24 14:02:481141 
本文為您講述ROM存儲(chǔ)介質(zhì)3D NAND技術(shù)工藝的發(fā)展，現(xiàn)階段主流的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，包括傳統(tǒng)eMMC，三星和蘋(píng)果提出的UFC標(biāo)準(zhǔn)和NVMe標(biāo)準(zhǔn)。
2016-10-12 15:54:243880 的廠商競(jìng)爭(zhēng)，以及日經(jīng)貼般的MLC/TLC顆粒的優(yōu)劣問(wèn)題。、 那么，到底什么是閃存顆？2D NAND和3D NAND之間又有哪些區(qū)別和聯(lián)系？ 閃存顆粒到底是什么？ 閃存顆粒，又稱(chēng)閃存，是一種非易失性存儲(chǔ)器，即在斷電的情況下依舊可以保存已經(jīng)寫(xiě)入的數(shù)據(jù)
2017-10-13 20:33:26
6 2018年是3D NAND產(chǎn)能快速增長(zhǎng)的一年，主要是因?yàn)镕lash原廠三星、東芝、SK海力士、美光等快速提高64層3D NAND生產(chǎn)比重，而且相較于2D NAND技術(shù)，64層256Gb和512Gb在市場(chǎng)上的廣泛應(yīng)用，使得高容量的NAND Flash相關(guān)產(chǎn)品價(jià)格持續(xù)下滑
2018-07-16 09:48:00918 3D NAND克服了與2D平面NAND微縮有關(guān)的挑戰(zhàn)，在嵌入于智能手機(jī)等移動(dòng)設(shè)備時(shí)，能夠大幅改善內(nèi)存級(jí)儲(chǔ)存，并因應(yīng)在儲(chǔ)存容量方面的巨大成長(zhǎng)潛力，加速智能手機(jī)應(yīng)用的新時(shí)代來(lái)臨。
2018-07-14 09:08:001783 
基于 3D NAND 的 microSD卡將有望再次改變視頻監(jiān)控行業(yè)的格局，推動(dòng)所有參與者實(shí)現(xiàn)新一輪發(fā)展。
2018-01-13 11:15:455138 
3D Xpoint是自 NAND Flash 推出以來(lái)，最具突破性的一項(xiàng)存儲(chǔ)技術(shù)。由于具備以下四點(diǎn)優(yōu)勢(shì)，3D Xpoint被看做是存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的一個(gè)顛覆者： （1）比NAND Flash快1000倍
2018-04-19 14:09:0052236 
4月11日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)以芯存長(zhǎng)江，智儲(chǔ)未來(lái)為主題，慶賀存儲(chǔ)器基地正式移入生產(chǎn)設(shè)備。 2017年9月長(zhǎng)江存儲(chǔ)新建的國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目（一期）一號(hào)生產(chǎn)及動(dòng)力廠房實(shí)現(xiàn)提前封頂，2018年2月份進(jìn)行廠內(nèi)潔凈室裝修和空調(diào)、消防等系統(tǒng)安裝，正是為4月搬入機(jī)臺(tái)設(shè)備而準(zhǔn)備，預(yù)計(jì)很快就可以實(shí)現(xiàn) 3D NAND 量產(chǎn)。
2018-04-15 10:08:0010302 3D NVM主要廠商產(chǎn)品路線圖近階段，3D非易失性存儲(chǔ)（NVM）領(lǐng)域動(dòng)作頻頻，例如Western Digital（西部數(shù)據(jù)）收購(gòu)了SanDisk，中國(guó)政府在存儲(chǔ)領(lǐng)域的大舉投資，以及Intel宣布Micron/Intel的合作將分道揚(yáng)鑣，以進(jìn)一步發(fā)展3D NAND。
2018-04-27 14:45:165236 
物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展導(dǎo)致無(wú)論消費(fèi)性電子、企業(yè)、工業(yè)、汽車(chē)市場(chǎng)對(duì)SSD的需求都急速攀升，為NAND Flash內(nèi)存、控制芯片、SSD模塊等供應(yīng)鏈業(yè)者帶來(lái)絕佳的成長(zhǎng)機(jī)會(huì)，本活動(dòng)邀集SSD領(lǐng)域重要廠商， 前瞻未來(lái)技術(shù)規(guī)格的演進(jìn)與市場(chǎng)應(yīng)用趨勢(shì)。
2018-07-06 12:09:002217 的平面閃存，3D存儲(chǔ)器的關(guān)鍵技術(shù)是薄膜和刻蝕工藝，技術(shù)工藝差別較大，而且相對(duì)2D NAND來(lái)說(shuō)，國(guó)際大廠在3D存儲(chǔ)器布局方面走得并不遠(yuǎn)。
2018-06-20 17:17:495087 近日，英特爾發(fā)布了DC P4500系列及DC P4600系列兩款全新的采用3D NAND技術(shù)的數(shù)據(jù)中心級(jí)固態(tài)盤(pán)，加強(qiáng)擴(kuò)大3D NAND供應(yīng)。
2018-08-01 17:44:541237 紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)展儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器（NAND Flash）報(bào)捷，已自主開(kāi)發(fā)完成最先進(jìn)的64層3D NAND芯片專(zhuān)利，預(yù)計(jì)明年完成生產(chǎn)線建置、2020年量產(chǎn)，震撼業(yè)界。
2018-08-13 09:45:002770 作為NAND行業(yè)的新晉者，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)：長(zhǎng)江存儲(chǔ)）昨日公開(kāi)發(fā)布其突破性技術(shù)——Xtacking?。該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來(lái)前所未有的I/O高性能，更高的存儲(chǔ)密度，以及更短的產(chǎn)品上市周期。
2018-08-13 09:54:002244 上周，美光系與英特爾推出了64層3D QLC NAND，由于采用的QLC（4bits/cell）架構(gòu)相較于TLC（3bits/cell）容量更大，使得單顆Die容量可高達(dá)1Tb，備受市場(chǎng)高度關(guān)注
2018-08-22 16:25:462599 在價(jià)格和競(jìng)爭(zhēng)壓力期間，3D NAND供應(yīng)商正準(zhǔn)備迎接新的戰(zhàn)斗，相互競(jìng)爭(zhēng)下一代技術(shù)。
2018-08-27 16:27:189528 3D NAND Flash 作為新一代的存儲(chǔ)產(chǎn)品，受到了業(yè)內(nèi)的高度關(guān)注！但目前3D NAND僅由三星電子獨(dú)家量產(chǎn)。而進(jìn)入了最近兩個(gè)月，先有東芝（Toshiba）殺入敵營(yíng)，如今美光（Micron）也
2018-10-08 15:52:39780 演進(jìn)已滿足對(duì)存儲(chǔ)容量增加、尺寸縮小和可靠度提升上的不斷需求，而且此技術(shù)已經(jīng)驗(yàn)證，可提供高性能，低功耗，并和以前的固態(tài)存儲(chǔ)技術(shù)相比，每存儲(chǔ)單位比特成本更低，其價(jià)值不言而喻。
2018-10-21 10:09:061587 就算3D NAND的每位元成本與平面NAND相比較還不夠低，NAND快閃存儲(chǔ)已經(jīng)成功地由平面轉(zhuǎn)為3D，而DRAM還是維持2D架構(gòu);在此同時(shí)，DRAM制程的微縮也變得越來(lái)越困難，主要是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">儲(chǔ)存電容的深寬比（aspect ratio）隨著元件制程微縮而呈倍數(shù)增加。
2018-10-28 10:17:135623 昨日，紫光集團(tuán)旗下紫光宏茂微電子（上海）有限公司發(fā)布信息，宣布公司成功實(shí)現(xiàn)大容量企業(yè)級(jí)3D NAND芯片封測(cè)的規(guī)模量產(chǎn)。他們表示，這次公告標(biāo)志著內(nèi)資封測(cè)產(chǎn)業(yè)在3D NAND先進(jìn)封裝測(cè)試技術(shù)實(shí)現(xiàn)從無(wú)到有的重大突破，也為紫光集團(tuán)完整存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)鏈布局落下關(guān)鍵一步棋。
2019-02-04 16:41:005697 由于 3D NAND 存儲(chǔ)器市場(chǎng)出現(xiàn)了供過(guò)于求的現(xiàn)象，制造商們不得不減產(chǎn)以穩(wěn)定價(jià)格。
2019-07-30 14:29:393096 Xtacking是長(zhǎng)江存儲(chǔ)在去年FMS（閃存技術(shù)峰會(huì)）首次公開(kāi)的3D NAND架構(gòu)，榮獲當(dāng)年“Best of Show”獎(jiǎng)項(xiàng)。其獨(dú)特之處在于，采用Xtacking，可在一片晶圓上獨(dú)立加工負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)I/O及記憶單元操作的外圍電路。
2019-09-06 16:30:373601 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技（YMTC）本周早些時(shí)候表示，已經(jīng)開(kāi)始批量生產(chǎn)采用專(zhuān)有Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND存儲(chǔ)器。
2019-09-09 10:22:162374 據(jù)悉，長(zhǎng)江存儲(chǔ)是紫光集團(tuán)收購(gòu)武漢新芯科技之后成立的，于2016年7月在中國(guó)武漢成立，是一家專(zhuān)注于3D NAND閃存芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售的IDM存儲(chǔ)器公司。
2019-10-01 17:23:005147 紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布，開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-19 11:10:091144 2019年9月25日 – 全球工控儲(chǔ)存大廠宜鼎國(guó)際，將推出針對(duì)高階市場(chǎng)應(yīng)用的儲(chǔ)存方案3TS5-P，采用3D NAND TLC ，并符合JESD219負(fù)載標(biāo)準(zhǔn)，特別針對(duì)高速讀寫(xiě)和長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)作進(jìn)行耐用測(cè)試
2019-11-18 15:28:451054 長(zhǎng)江存儲(chǔ)打破全球3D NAND技術(shù)壟斷，作為國(guó)家重點(diǎn)打造的存儲(chǔ)器大項(xiàng)目，經(jīng)歷多年的研發(fā)，終于走向市場(chǎng)正式向存儲(chǔ)巨頭們挑戰(zhàn)。
2019-11-29 15:39:053808 至于原因，東芝認(rèn)為3D XPoint成本太高，在容量/價(jià)格比上難以匹敵3D NAND 技術(shù)，現(xiàn)在市面上96層堆疊的閃存已經(jīng)大量涌現(xiàn)，可以在容量上輕松碾壓3D XPoint。
2020-01-02 09:27:343123 根據(jù)國(guó)科微官方的消息，國(guó)科微搭載長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND閃存的固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品已完成批量測(cè)試。
2020-01-17 15:17:495929 據(jù)證券時(shí)報(bào)消息，長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧在接受采訪時(shí)談及了該公司最先進(jìn)的128層3D NAND技術(shù)的研發(fā)進(jìn)度。楊士寧表示，128層3D NAND技術(shù)研發(fā)進(jìn)度短期確實(shí)會(huì)有所波及。但目前長(zhǎng)江存儲(chǔ)已實(shí)現(xiàn)全員復(fù)工，從中長(zhǎng)期來(lái)看，這次疫情并不會(huì)影響總體進(jìn)度。128層技術(shù)會(huì)按計(jì)劃在2020年推出。
2020-04-08 15:09:152895 長(zhǎng)江儲(chǔ)存在官網(wǎng)宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片產(chǎn)品研發(fā)成功，型號(hào)為X2-6070，并且目前該芯片已經(jīng)在多家控制器廠商的SSD等終端儲(chǔ)存產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。
2020-04-19 10:14:063603 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”）在官網(wǎng)宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片 X2－6070研發(fā)成功，已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。
2020-05-04 10:39:003612 閃存控制芯片及儲(chǔ)存解決方案整合服務(wù)領(lǐng)導(dǎo)廠商 群聯(lián)電子 （PHISON; TPEx:8299） 與長(zhǎng)江存儲(chǔ)自2016年開(kāi)始接洽合作，從最早期的32層 3D NAND導(dǎo)入驗(yàn)證群聯(lián)eMMC控制芯片PS8226，至近期的64層3D NAND，群聯(lián)全系列的NAND控制芯片均有支持且已進(jìn)入量產(chǎn)階段。
2020-05-07 14:48:091627 Xtacking 3D NAND閃存，包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)最新研發(fā)成功的128層X(jué)tacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場(chǎng)注入更完整及更多元化的存儲(chǔ)解決方案。 隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)在3D NAND技術(shù)迅速提升
2020-09-11 11:12:162690 Xtacking 3D NAND閃存，包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)最新研發(fā)成功的128層X(jué)tacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場(chǎng)注入更完整及更多元化的存儲(chǔ)解決方案。 隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)在3D NAND技術(shù)迅速提升
2020-09-11 11:12:342586 存儲(chǔ)器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計(jì)通過(guò)美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu)，可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計(jì)算以及智能手機(jī)存儲(chǔ)
2020-11-12 16:02:553696 日前，TechInsights高級(jí)技術(shù)研究員Joengdong Choe在2020年閃存峰會(huì)上作了兩次演講，詳細(xì)介紹了3D NAND和其他新興存儲(chǔ)器的未來(lái)。
2020-11-19 16:11:183722 NAND 應(yīng)運(yùn)而生，可以支持在更小的空間內(nèi)容納更高的存儲(chǔ)容量，在需要存儲(chǔ)海量數(shù)據(jù)的時(shí)代有著重大價(jià)值。 依托于先進(jìn)工藝的 3D NAND，氧化層越來(lái)越薄，面臨可靠性和穩(wěn)定性的難題，未來(lái)的 3D NAND 將如何發(fā)展？如何正確判斷一款 3D NAND 的總體效率？ 在 2020 年的閃存峰
2020-11-20 16:07:133095 依托于先進(jìn)工藝的 3D NAND，氧化層越來(lái)越薄，面臨可靠性和穩(wěn)定性的難題，未來(lái)的 3D NAND 將如何發(fā)展？如何正確判斷一款 3D NAND 的總體效率？ 在 2020 年的閃存峰會(huì)
2020-11-20 17:15:444306 作為國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)行業(yè)的佼佼者，長(zhǎng)江存儲(chǔ)近兩年憑借在3D NAND閃存領(lǐng)域的突飛猛進(jìn)，引發(fā)普遍關(guān)注，尤其是獨(dú)創(chuàng)了全新的Xtacking閃存架構(gòu)，最近還打造了首個(gè)消費(fèi)級(jí)SSD品牌“致鈦”。
2020-11-24 10:12:315270 NAND應(yīng)運(yùn)而生，可以支持在更小的空間內(nèi)容納更高的存儲(chǔ)容量，在需要存儲(chǔ)海量數(shù)據(jù)的時(shí)代有著重大價(jià)值。 ? ? ? ?依托于先進(jìn)工藝的3D NAND，氧化層越來(lái)越薄，面臨可靠性和穩(wěn)定性的難題，未來(lái)的3D NAND將如何發(fā)展？如何正確判斷一款3D NAND的總體效率？ 在2020年的閃存
2020-12-09 10:35:493617 發(fā)展至今，NAND Flash已呈現(xiàn)白熱化階段。就在前不久，存儲(chǔ)廠商們還在128層“閃存高臺(tái)上觀景”，2019年6月SK海力士發(fā)布128層TLC 3D NAND；美光于2019年10月流片出樣128
2020-12-09 14:55:374583 日前，有媒體報(bào)道稱(chēng)，消息人士透露，長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃到2021年下半年將存儲(chǔ)芯片的月產(chǎn)量提高一倍至10萬(wàn)片晶圓，并準(zhǔn)備最早將于2021年年中試產(chǎn)第一批192層3D NAND閃存芯片，不過(guò)為確保量產(chǎn)芯片質(zhì)量，該計(jì)劃有可能會(huì)被推遲至今年下半年。
2021-01-13 13:59:275875 磁盤(pán)存儲(chǔ)器是以磁盤(pán)為存儲(chǔ)介質(zhì)的存儲(chǔ)器，它具備數(shù)據(jù)傳輸率高、存儲(chǔ)數(shù)據(jù)可以長(zhǎng)期保存以及存儲(chǔ)容量大的優(yōu)點(diǎn)，那么一個(gè)磁盤(pán)存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)容量應(yīng)該怎么去計(jì)算它的大小呢？
2022-01-29 16:37:0014444 全球存儲(chǔ)市場(chǎng)對(duì)NAND 閃存的需求不斷增長(zhǎng)。這項(xiàng)技術(shù)已經(jīng)通過(guò)許多發(fā)展得到滿足，不僅體現(xiàn)在當(dāng)今閃存控制器的功能上，尤其是通過(guò) 3D NAND 架構(gòu)。隨著工業(yè)物聯(lián)網(wǎng) （IIoT）、智能工廠、自動(dòng)駕駛汽車(chē)和其他數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用程序的不斷發(fā)展，這些苛刻應(yīng)用程序的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)要求變得更具挑戰(zhàn)性。
2022-07-15 08:17:251510 全球存儲(chǔ)市場(chǎng)對(duì)高密度 NAND 閃存的需求不斷增長(zhǎng)。目前，這一需求已通過(guò)許多發(fā)展得到滿足，不僅體現(xiàn)在當(dāng)今閃存控制器的功能上，而且尤其是在過(guò)去十年中一直處于存儲(chǔ)討論和發(fā)展中心的 3D NAND 架構(gòu)
2022-07-28 10:12:492300 
隨著對(duì)新特性和功能需求的增加，大容量存儲(chǔ)在嵌入式工業(yè)應(yīng)用中的使用持續(xù)增長(zhǎng)。雖然更復(fù)雜的GUI和應(yīng)用已經(jīng)通過(guò)增加NAND芯片容量而成為可能;更快的接口和各種托管NAND解決方案的可用性;尋找能夠
2022-10-14 11:08:381092 
隨著對(duì)新特性和功能需求的增加，大容量存儲(chǔ)在嵌入式工業(yè)應(yīng)用中的使用持續(xù)增長(zhǎng)。雖然更復(fù)雜的GUI和應(yīng)用已經(jīng)通過(guò)增加NAND芯片容量而成為可能;更快的接口和各種托管NAND解決方案的可用性;尋找能夠應(yīng)對(duì)
2022-10-24 15:24:53941 
市場(chǎng)對(duì)更高密度、更大容量存儲(chǔ)的需求，推動(dòng)了V-NAND層數(shù)的增加，三星采用3D縮放（3D scaling）技術(shù)，減少表面積并降低高度，同時(shí)避免了縮小時(shí)通常會(huì)發(fā)生的單元間的干擾。我們的第8代V-NAND將有助于滿足快速增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求，更好地提供差異化產(chǎn)品和解決方案，有望成為未來(lái)存儲(chǔ)創(chuàng)新的基礎(chǔ)。
2022-11-07 10:33:551379 在20nm 工藝節(jié)點(diǎn)之后，傳統(tǒng)的平面浮柵 NAND 閃速存儲(chǔ)器因受到鄰近浮柵 -浮柵的耦合電容干擾而達(dá)到了微縮的極限。為了實(shí)現(xiàn)更高的存儲(chǔ)容量，NAND集成工藝開(kāi)始向三維堆疊方向發(fā)展。在三維NAND
2023-02-03 09:16:5717470 我們之前見(jiàn)過(guò)的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來(lái)了，理論上可以無(wú)線堆疊。
2023-03-30 14:02:394227 3D NAND閃存是一種把內(nèi)存顆粒堆疊在一起解決2D或平面NAND閃存限制的技術(shù)。這種技術(shù)垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元，具備卓越的精度，可支持在更小的空間內(nèi)，容納更高的存儲(chǔ)容量，從而有效節(jié)約成本、降低能耗，以及大幅度地提升性能。
2023-06-15 09:37:563209 
據(jù)悉，東京電子新技術(shù)的目標(biāo)是能夠長(zhǎng)時(shí)間儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的3d nand閃存。該公司開(kāi)發(fā)了一種新的通道孔蝕刻方法，該方法是將垂直孔快速深插入存儲(chǔ)單元。3D nand的存儲(chǔ)器容量可以通過(guò)將存儲(chǔ)器單元層垂直堆積來(lái)增加，如果層數(shù)增加，就需要性能更高的裝置。
2023-10-16 14:39:491360 2D NAND和3D NAND都是非易失性存儲(chǔ)技術(shù)（NVM Non-VolatileMemory），屬于Memory（存儲(chǔ)器）的一種。
2024-03-17 15:31:392376 
在現(xiàn)代數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)的社會(huì)中，存儲(chǔ)技術(shù)的發(fā)展顯得尤為重要。SD NAND作為一種基于NAND閃存技術(shù)的存儲(chǔ)設(shè)備，憑借其高存儲(chǔ)容量、高速度和高可靠性，成為嵌入式系統(tǒng)和消費(fèi)電子產(chǎn)品的理想選擇。MK米客方德（MK）SD NAND以其卓越的性能和創(chuàng)新的技術(shù)，提供了高效的存儲(chǔ)解決方案，滿足各類(lèi)應(yīng)用需求。
2024-07-29 17:38:161010 
的設(shè)備支持的最大TF卡容量。不同設(shè)備對(duì)TF卡的容量有不同的限制，超出支持范圍的TF卡可能無(wú)法被識(shí)別。 存儲(chǔ)需求 ：根據(jù)你存儲(chǔ)的內(nèi)容類(lèi)型和數(shù)量來(lái)選擇。例如，如果你經(jīng)常拍攝高清視頻或大型文件，可能需要更大容量的TF卡。 預(yù)算 ：存儲(chǔ)容量越大，價(jià)格通常
2024-12-19 15:20:554711 在CITE 2020上，紫光集團(tuán)帶來(lái)了大量產(chǎn)品，其中包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)的128層QLC三維閃存和新華三半導(dǎo)體高端路由器芯片EasyCore等。作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存，長(zhǎng)江存儲(chǔ)X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。
2020-08-15 09:32:144822 2030年實(shí)現(xiàn)1000層堆疊的3D NAND存儲(chǔ)器。 ? 3D NAND似乎已經(jīng)成為各大存儲(chǔ)企業(yè)競(jìng)相追逐的“工業(yè)明珠”，包括三星、海力士、美光、鎧俠、長(zhǎng)江存儲(chǔ)等都在這一領(lǐng)域投入大量資源，而比拼的就是堆疊層數(shù)。 ? 3D NAND 為何如此重要？ ? 隨著數(shù)字化信息的爆炸性增長(zhǎng)，對(duì)對(duì)存儲(chǔ)容量的需求也在
2024-06-29 00:03:008061
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