3D NAND閃存高密度技術(shù)正變得越來越激進。3D NAND閃存密度和容量的提高主要通過增加垂直方向上堆疊的存儲器單元的數(shù)量來實現(xiàn)。通過這種三維堆疊技術(shù)和多值存儲技術(shù)（用于在一個存儲單元中存儲多個
2019-08-10 00:01:00
8135 臺灣專用存儲器解決方案制造商旺宏(Macronix)將于明年下半年開始批量生產(chǎn)3D NAND存儲器。該公司將成為臺灣第一家生產(chǎn)內(nèi)部設(shè)計的3D NAND閃存制造商。 該公司董事長吳銘表示，旺宏將在
2019-12-14 09:51:295966 ）亦可能利用M10廠生產(chǎn)3D NAND Flash，業(yè)界預(yù)期未來3~4年內(nèi)存儲器產(chǎn)業(yè)既有平衡競局恐將被打破。
2015-10-09 09:40:15980 256Gb 3D V-NAND閃存芯片。目前備受矚目的三星48層V-NAND 3D快閃存儲器已經(jīng)出現(xiàn)在市場上了，TechInsights的拆解團隊總算等到了大好機會先睹為快。
2016-07-13 10:32:437470 句點，加上早前Intel加大在大連工廠的3D Xpoint的投入，3D NAND大戰(zhàn)一觸即發(fā)。本文詳細介紹了3D NAND閃存優(yōu)勢，主要的生產(chǎn)廠商，以及三星、東芝和Intel在這個領(lǐng)域的實力產(chǎn)品。
2016-08-11 13:58:0644661 
3D NAND Flash。中國已吹響進軍3D NAND Flash沖鋒號，若能整合好跨領(lǐng)域人才和技術(shù)，中國3D NAND Flash有望彎道超車。
2017-02-07 17:34:129182 
近日，由國家存儲器基地主要承擔單位長江存儲科技有限責任公司（以下簡稱“長江存儲”）與中國科學(xué)院微電子研究所聯(lián)合承擔的3D NAND存儲器研發(fā)項目取得新進展。
2017-02-17 07:48:232091 通過3D堆疊技術(shù)將存儲層層堆疊起來，促成了NAND 技術(shù)進一步成熟。
2018-04-16 08:59:5213248 
集微網(wǎng)消息，9月19日，2018年中國閃存市場峰會（CFMS2018）在深圳舉行，長江存儲總經(jīng)理楊士寧博士以“創(chuàng)新Xtacking?架構(gòu)：釋放3D NAND潛能”為主題，介紹長江存儲Xtacking?架構(gòu)的技術(shù)優(yōu)勢和長江存儲3D NAND新進展。
2018-09-20 10:22:075992 Xtacking 3D NAND閃存，包括長江存儲最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲在3D NAND技術(shù)迅速
2020-09-11 10:03:293528 美光在二季度財報電話會議上透露，該公司即將開始基于全新 RG 架構(gòu)的第四代 3D NAND 存儲器的量產(chǎn)工作。按照計劃，美光將于 2020 Q3 采集開始生產(chǎn)，并于 Q4 像商業(yè)客戶發(fā)貨。作為這家硬件制造商的一次重大技術(shù)轉(zhuǎn)型，第四代 3D NAND 存儲器的層數(shù)達到了 128 層。
2020-04-03 09:24:154889 什么是3D NAND？什么是4D NAND？3D NAND與4D NAND之間的差別在哪兒？
2021-06-18 06:06:00
3D NAND能否帶動SSD市場爆炸性成長？如何提升SSD壽命及效能？3D NAND及PCIe NVMe SSD能晉升巿場主流的原因是什么？
2021-04-02 07:17:39
3D NAND技術(shù)資料：器件結(jié)構(gòu)及功能介紹
2019-09-12 23:02:56
，市場規(guī)?？焖僭鲩L，在航空航天領(lǐng)域應(yīng)用不斷擴大。??3D打印技術(shù)持續(xù)發(fā)展，市場規(guī)?？焖僭鲩L??3D打印技術(shù)在技術(shù)方法、制造平臺、行業(yè)標準等方面取得重要進展，在市場規(guī)模方面保持快速增長態(tài)勢。??3D打印
2019-07-18 04:10:28
感謝Dryiceboy的投遞據(jù)市場分析數(shù)據(jù),DRAM和NAND存儲器價格近期正在不斷上揚.許多人認為當前存儲器市場的漲價只不過是暫時的供需不穩(wěn)所導(dǎo)致的;有些人則認為隨著存儲器價格3D NAND制造
2019-07-16 08:50:19
技術(shù)方案。
三、NAND Flash分類
NAND閃存卡的主要分類以NAND閃存顆粒的技術(shù)為主，NAND閃存顆粒根據(jù)存儲原理分為SLC、MLC、TLC和QLC，從結(jié)構(gòu)上又可分為2D、3D兩大類
2024-12-17 17:34:06
娛樂等，未來AI實時應(yīng)用、分析、移動性，對存儲要求低延遲、高吞吐量、高耐久性、低功耗、高密度、低成本等。為了滿足不斷增長的需求，西部數(shù)據(jù)在2017年發(fā)布第四代96層3D NAND，F(xiàn)ab工廠每天可生產(chǎn)
2018-09-20 17:57:05
，并把電容放電，藉此來保持數(shù)據(jù)的連續(xù)性。
SRAM：
SRAM利用寄存器來存儲信息，所以一旦掉電，資料就會全部丟失，只要供電，它的資料就會一直存在，不需要動態(tài)刷新，所以叫靜態(tài)隨機存儲器。
3.產(chǎn)品應(yīng)用
2023-05-19 15:59:37
近日，微電子所納米加工與新器件集成技術(shù)研究室（三室）在阻變存儲器研究工作中取得進展，并被美國化學(xué)協(xié)會ACS Nano雜志在線報道。 基于二元氧化物材料的電阻式隨機存儲器（ReRAM）具有低廉的價格
2010-12-29 15:13:32
2018年上半進入96層的技術(shù)規(guī)格，2018年中將3D的比重提高到85%以上。為了讓每單位的記憶容量提高，美日韓存儲器大廠都卯盡全力，在96層的堆棧技術(shù)上尋求突破。三星指出，第五代的96層V NAND量產(chǎn)
2018-12-24 14:28:00
，功耗和成本之間的平衡.在另一些情況下，根據(jù)基本存儲器的特性進行分割成為一個合理辦法。例如，將一位可變性內(nèi)容放進一位可變性存儲器而不是將一位可變性內(nèi)容放進塊可變性存儲器，帶寬分割在高水平上，主要有3個
2018-05-17 09:45:35
是第一個推出1Tb級產(chǎn)品的公司。3D XPoint則是由英特爾和美光科技于2015年7月發(fā)布的非易失性存儲器（NVM）技術(shù)。英特爾為使用該技術(shù)的存儲設(shè)備冠名Optane，而美光稱之為QuantX。2019
2020-03-19 14:04:57
日前，中科院微電子研究所納米加工與新器件集成技術(shù)研究室(三室)在阻變存儲器微觀機制研究中取得系列進展。
2012-04-13 09:31:301483 3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。在一個新的研究報告中指出，這項技術(shù)將會在今年成為閃存領(lǐng)域的卓越性技術(shù)。
2017-05-03 01:02:501621 3D打印技術(shù)近年來得到普遍關(guān)注。目前，3D打印技術(shù)在各領(lǐng)域的應(yīng)用已取得明顯進展，但是3D打印技術(shù)還沒有得到全面應(yīng)用。就地學(xué)信息領(lǐng)域而言，僅在個別部門得到初步應(yīng)用。
2017-06-23 10:32:124346 技術(shù)的基礎(chǔ)上， 該公司運用其深厚的重直整合能力，開發(fā)出X4 3D NAND技術(shù)，包括硅晶圓加工、裝置工程（在每個存儲節(jié)點上提供16個不同的資料等級）、和系統(tǒng)專門技術(shù)（用于整體閃存管理）。
2017-07-26 16:07:111246 無論是DRAM還是NAND Flash都處于高度壟斷，即便是有可能帶來產(chǎn)業(yè)變革機會的3D NAND產(chǎn)品，目前國際存儲大廠也在不斷壘高技術(shù)壁壘。但是中國在發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)的道路上已經(jīng)開始發(fā)出自己的聲音.
2017-09-08 11:30:001308 解決方案方面，比較典型的應(yīng)用有 3D 手術(shù)預(yù)規(guī)劃模型、手術(shù)導(dǎo)板、3D 打印植入物，以及假肢、助聽器等康復(fù)醫(yī)療器械。在再生醫(yī)學(xué)領(lǐng)域，研究人員已經(jīng)在利用生物 3D 打印技術(shù)培養(yǎng)人造器官方面取得了值得肯定的進展。本文主要觀察了 2017 年第一季度，醫(yī)用
2017-09-22 17:35:41
9 解決方案方面，比較典型的應(yīng)用有 3D 手術(shù)預(yù)規(guī)劃模型、手術(shù)導(dǎo)板、3D 打印植入物，以及假肢、助聽器等康復(fù)醫(yī)療器械。在再生醫(yī)學(xué)領(lǐng)域，研究人員已經(jīng)在利用生物 3D 打印技術(shù)培養(yǎng)人造器官方面取得了值得肯定的進展。本文主要觀察了 2017 年第一季度，醫(yī)用 3
2017-09-24 09:23:5511 的廠商競爭，以及日經(jīng)貼般的MLC/TLC顆粒的優(yōu)劣問題。、 那么，到底什么是閃存顆？2D NAND和3D NAND之間又有哪些區(qū)別和聯(lián)系？ 閃存顆粒到底是什么？ 閃存顆粒，又稱閃存，是一種非易失性存儲器，即在斷電的情況下依舊可以保存已經(jīng)寫入的數(shù)據(jù)
2017-10-13 20:33:266 上周，隨著英特爾和美光宣布未來雙方將各自獨立開發(fā)3D NAND，其維持多年的長期合作關(guān)系也將結(jié)束。與此同時，有外媒報道，英特爾將于紫光合作，在中國生產(chǎn)3D NAND閃存芯片。在未來幾年，英特爾將會
2018-01-16 14:37:555172 
3D Xpoint是自 NAND Flash 推出以來，最具突破性的一項存儲技術(shù)。由于具備以下四點優(yōu)勢，3D Xpoint被看做是存儲產(chǎn)業(yè)的一個顛覆者： （1）比NAND Flash快1000倍
2018-04-19 14:09:0052236 
以往僅搭載16GB、32GB容量的智能手機已無法滿足當前由數(shù)據(jù)驅(qū)動的新興移動應(yīng)用需求，從而為3D NAND快閃存儲器的進展鋪路…
智能手機使用者不斷尋求更好的移動體驗，除了提升裝置的處理
2018-06-07 07:44:001021 
NAND Flash(儲存型快閃存儲器)隨著2D轉(zhuǎn)3D制程良率改善，量產(chǎn)能力大為提升，盡管價格已經(jīng)松動，但包括存儲器、控制IC、封測等供應(yīng)體系業(yè)者紛紛看好有助于量能提升。存儲器控制IC大廠群聯(lián)電子
2018-07-09 09:52:00800 新興光纖激光技術(shù)市場有望在傳感和醫(yī)療領(lǐng)域取得重大進展，而激光焊接和3D打印技術(shù)的創(chuàng)新意味著材料加工仍然是中期主要的市場焦點。
2018-06-21 14:26:003028 
據(jù)報道，華中科技大學(xué)光電學(xué)院副院長繆向水及其團隊正在研制一款基于相變存儲器的3D XPOINT存儲技術(shù)。他估計，在這項技術(shù)基礎(chǔ)上研發(fā)的芯片，其讀寫速度會比現(xiàn)在快1000倍，可靠性也將提高1000倍。
2018-06-20 09:07:002366 位于武漢“中國光谷”的國家存儲器基地項目芯片生產(chǎn)機臺11日正式進場安裝，這標志著國家存儲器基地從廠房建設(shè)階段進入量產(chǎn)準備階段，我國首批擁有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的32層三維NAND閃存芯片將于年內(nèi)量產(chǎn)，從而填補我國主流存儲器領(lǐng)域空白。
2018-06-20 10:26:002457 存儲器芯片領(lǐng)域，主要分為兩類：易失性和非易失性。易失性：斷電以后，存儲器內(nèi)的信息就流失了，例如 DRAM，主要用來做PC機內(nèi)存(如DDR)和手機內(nèi)存(如LPDDR)，兩者各占三成。非易失性：斷電以后
2018-04-09 15:45:33113864 4月11日，長江存儲以芯存長江，智儲未來為主題，慶賀存儲器基地正式移入生產(chǎn)設(shè)備。 2017年9月長江存儲新建的國家存儲器基地項目（一期）一號生產(chǎn)及動力廠房實現(xiàn)提前封頂，2018年2月份進行廠內(nèi)潔凈室裝修和空調(diào)、消防等系統(tǒng)安裝，正是為4月搬入機臺設(shè)備而準備，預(yù)計很快就可以實現(xiàn) 3D NAND 量產(chǎn)。
2018-04-15 10:08:0010302 3D NVM主要廠商產(chǎn)品路線圖近階段，3D非易失性存儲（NVM）領(lǐng)域動作頻頻，例如Western Digital（西部數(shù)據(jù)）收購了SanDisk，中國政府在存儲領(lǐng)域的大舉投資，以及Intel宣布Micron/Intel的合作將分道揚鑣，以進一步發(fā)展3D NAND。
2018-04-27 14:45:165236 
5月2日寬帶發(fā)展聯(lián)盟發(fā)布了第19期《中國寬帶速率狀況報告》（2018年第一季度）。報告顯示，2018年第一季度我國固定寬帶網(wǎng)絡(luò)平均下載速率達到20.15Mbit/s，已超越20Mbit/s大關(guān)，取得了標志性成果，相比2017年第一季度同比提升達到54.9%。
2018-06-14 09:45:004373 
的平面閃存，3D存儲器的關(guān)鍵技術(shù)是薄膜和刻蝕工藝，技術(shù)工藝差別較大，而且相對2D NAND來說，國際大廠在3D存儲器布局方面走得并不遠。
2018-06-20 17:17:495087 作為3D NAND閃存產(chǎn)業(yè)的新晉者，紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司（長江存儲）今年將首次參加閃存峰會（Flash Memory Summit），并發(fā)表備受期待的主題演講，闡述其即將發(fā)布的突破性技術(shù)XtackingTM。
2018-07-31 14:17:015077 隨著原廠3D技術(shù)的快速發(fā)展，2018下半年各家原廠在96層和QLC技術(shù)上競爭激烈，其中，三星已在7月份宣布量產(chǎn)96層3D NAND。據(jù)DIGITIMES報道稱，東芝存儲器（TMC）96層3D NAND將在Q4擴大出貨，代表著NAND Flash市場霸主之爭正式拉開序幕。
2018-08-05 11:50:161646 昨日長江存儲正式公開了其突破性技術(shù)——XtackingTM。據(jù)悉，該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能，更高的存儲密度，以及更短的產(chǎn)品上市周期。
2018-08-10 09:14:395421 紫光集團旗下長江存儲發(fā)展儲存型快閃存儲器（NAND Flash）報捷，已自主開發(fā)完成最先進的64層3D NAND芯片專利，預(yù)計明年完成生產(chǎn)線建置、2020年量產(chǎn)，震撼業(yè)界。
2018-08-13 09:45:002770 作為NAND行業(yè)的新晉者，長江存儲科技有限責任公司（以下簡稱：長江存儲）昨日公開發(fā)布其突破性技術(shù)——Xtacking?。該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能，更高的存儲密度，以及更短的產(chǎn)品上市周期。
2018-08-13 09:54:002244 存儲器是半導(dǎo)體三大支柱產(chǎn)業(yè)之一。據(jù)IC Insights數(shù)據(jù)，2015年半導(dǎo)體存儲器市場總額達835億美元。各類存儲器中，NAND Flash是一個亮點。其廣泛應(yīng)用于PC、手機、服務(wù)器等各類電子產(chǎn)品，2015年營收達到267億美元，占半導(dǎo)體存儲器市場總額的32%。
2018-08-13 09:01:001863 ?由于國家政策和大基金的支持，中國大陸現(xiàn)在也把存儲芯片作為重點來抓，3D NAND也順理成章成為廣大廠商關(guān)注的重點，早前被紫光納入旗下的武漢新芯科技（XMC）很早已經(jīng)在武漢開工建設(shè)12英寸晶圓廠
2018-10-08 15:52:39780 根據(jù)紫光官方的消息，10月12日，紫光成都存儲器制造基地項目開工動員活動在成都雙流自貿(mào)試驗區(qū)舉行。官方稱紫光成都存儲器制造基地占地面積約1200畝，將建設(shè)12英寸3D NAND存儲器晶圓生產(chǎn)線，并開展存儲器芯片及模塊、解決方案等關(guān)聯(lián)產(chǎn)品的研發(fā)、制造和銷售。
2018-10-16 15:58:402936 技術(shù)確實降低了每千兆字節(jié)的成本。本報告展示了目前市場上四家存儲器制造商的最新一代3D NAND閃存的技術(shù)和成本分析。
2018-12-11 09:28:467716 昨日，紫光集團旗下紫光宏茂微電子（上海）有限公司發(fā)布信息，宣布公司成功實現(xiàn)大容量企業(yè)級3D NAND芯片封測的規(guī)模量產(chǎn)。他們表示，這次公告標志著內(nèi)資封測產(chǎn)業(yè)在3D NAND先進封裝測試技術(shù)實現(xiàn)從無到有的重大突破，也為紫光集團完整存儲器產(chǎn)業(yè)鏈布局落下關(guān)鍵一步棋。
2019-02-04 16:41:005697 從2011年開始，全球開始掀起3D打印熱潮，當前，3D打印在航空航天、汽車、醫(yī)療健康等領(lǐng)域的市場應(yīng)用已經(jīng)取得積極的進展，我國3D打印產(chǎn)業(yè)發(fā)展至今，呈現(xiàn)出不斷深化、不斷擴大應(yīng)用的態(tài)勢。未來，隨著政策以及技術(shù)的支持，我國3D打印產(chǎn)業(yè)將會持續(xù)增長。
2019-02-27 09:03:1335391 
近年來，非易失性存儲技術(shù)在許多方面都取得了一些重大進展，為計算機系統(tǒng)的存儲能效提升帶來了新的契機，采用新型非易失性存儲技術(shù)來替代傳統(tǒng)的存儲技術(shù)可以適應(yīng)計算機技術(shù)發(fā)展對高存儲能效的需求。以相變存儲器為
2019-03-19 15:43:0110827 
（CITE2019）上展示了企業(yè)級P8260硬盤，使用的就是長江存儲的32層3D NAND閃存。長江存儲并不打算大規(guī)模生產(chǎn)32層堆棧的3D NAND閃存，該公司CTO程衛(wèi)華在接受采訪時表示今年下半年量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存，目前計劃進展順利，沒有任何障礙。
2019-04-18 16:18:522545 根據(jù)官網(wǎng)資料，長江存儲是紫光集團收購武漢新芯科技之后成立的，于2016年7月在中國武漢成立，是一家專注于3D NAND閃存芯片設(shè)計、生產(chǎn)和銷售的IDM存儲器公司。長江存儲為全球工商業(yè)客戶提供存儲器產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于移動設(shè)備、計算機、數(shù)據(jù)中心和消費電子產(chǎn)品等領(lǐng)域。
2019-08-29 14:28:002725 由于 3D NAND 存儲器市場出現(xiàn)了供過于求的現(xiàn)象，制造商們不得不減產(chǎn)以穩(wěn)定價格。
2019-07-30 14:29:393096 據(jù)外媒報道，東芝存儲器美國子公司宣布推出一種新的存儲器（Storage Class Memory）解決方案：XL-Flash，該技術(shù)是基于創(chuàng)新的Bics Flash 3D NAND技術(shù)和SLC。
2019-09-04 16:41:321643 長江存儲科技（YMTC）本周早些時候表示，已經(jīng)開始批量生產(chǎn)采用專有Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND存儲器。
2019-09-09 10:22:162374 過去存儲器與晶圓代工可以說是“楚河漢界，井水不犯河水”。但在即將來臨的時代，存儲器業(yè)者覬覦占了全球65%的非存儲器市場，而存儲器技術(shù)從過去的DRAM、3D NAND，正逐漸走向磁阻式存儲器(MRAM)等完全不同模式的新技術(shù)。
2019-09-10 15:24:411115 據(jù)悉，長江存儲是紫光集團收購武漢新芯科技之后成立的，于2016年7月在中國武漢成立，是一家專注于3D NAND閃存芯片設(shè)計、生產(chǎn)和銷售的IDM存儲器公司。
2019-10-01 17:23:005147 紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司宣布，開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-19 11:10:091144 紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司宣布，開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-23 17:05:241455 長江存儲打破全球3D NAND技術(shù)壟斷，作為國家重點打造的存儲器大項目，經(jīng)歷多年的研發(fā)，終于走向市場正式向存儲巨頭們挑戰(zhàn)。
2019-11-29 15:39:053808 美光在二季度財報電話會議上透露，該公司即將開始基于全新 RG 架構(gòu)的第四代 3D NAND 存儲器的量產(chǎn)工作。按照計劃，美光將于 2020 Q3 采集開始生產(chǎn)，并于 Q4 像商業(yè)客戶發(fā)貨。作為這家硬件制造商的一次重大技術(shù)轉(zhuǎn)型，第四代 3D NAND 存儲器的層數(shù)達到了 128 層。
2020-04-02 11:26:522011 據(jù)證券時報消息，長江存儲CEO楊士寧在接受采訪時談及了該公司最先進的128層3D NAND技術(shù)的研發(fā)進度。楊士寧表示，128層3D NAND技術(shù)研發(fā)進度短期確實會有所波及。但目前長江存儲已實現(xiàn)全員復(fù)工，從中長期來看，這次疫情并不會影響總體進度。128層技術(shù)會按計劃在2020年推出。
2020-04-08 15:09:152895 長江存儲科技有限責任公司（以下簡稱“長江存儲”）在官網(wǎng)宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片 X2－6070研發(fā)成功，已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產(chǎn)品上通過驗證。
2020-05-04 10:39:003612 目前新型存儲器上受到廣泛關(guān)注的新型存儲器主要有相變存儲器(PCM)，其中有以英特爾與美光聯(lián)合研發(fā)的3D Xpoint為代表;MRAM以美國Everspin公司推出的STT-MRAM為代表;阻變存儲器
2020-04-25 11:05:573525 
閃存控制芯片及儲存解決方案整合服務(wù)領(lǐng)導(dǎo)廠商 群聯(lián)電子 （PHISON; TPEx:8299） 與長江存儲自2016年開始接洽合作，從最早期的32層 3D NAND導(dǎo)入驗證群聯(lián)eMMC控制芯片PS8226，至近期的64層3D NAND，群聯(lián)全系列的NAND控制芯片均有支持且已進入量產(chǎn)階段。
2020-05-07 14:48:091627 Xtacking 3D NAND閃存，包括長江存儲最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲在3D NAND技術(shù)迅速提升
2020-09-11 11:12:162690 存儲器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術(shù)達到創(chuàng)紀錄的176層堆疊。預(yù)計通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu)，可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計算以及智能手機存儲
2020-11-12 16:02:553696 我國航天產(chǎn)業(yè)在多個領(lǐng)域已經(jīng)步入了商業(yè)化進程。近年來，伴隨國家大力推動軍民融合以及“互聯(lián)網(wǎng)+航天”的產(chǎn)業(yè)升級變革，在全球新一輪工業(yè)革命的大背景下，中國航天領(lǐng)域在商業(yè)航天方面發(fā)展取得了突破性進展。
2020-11-13 15:16:244668 日前，TechInsights高級技術(shù)研究員Joengdong Choe在2020年閃存峰會上作了兩次演講，詳細介紹了3D NAND和其他新興存儲器的未來。
2020-11-19 16:11:183722 NAND 非易失性閃存存儲器作為存儲行業(yè)的突破性革新已有多年發(fā)展歷史，隨著 2D NAND 容量達到極限，以及晶體管越來越小，NAND 的編程時間變長，擦寫次數(shù)變少，能夠?qū)?nèi)存顆粒堆疊起來的 3D
2020-11-20 16:07:133095 上，TechInsights 高級技術(shù)研究員 Joengdong Choe 發(fā)表了相關(guān)演講，詳細介紹了 3D NAND 和其他新興存儲器的未來。TechInsights 是一家對包括閃存在內(nèi)的半導(dǎo)體產(chǎn)品分析公司
2020-11-20 17:15:444306 作為國產(chǎn)存儲行業(yè)的佼佼者，長江存儲近兩年憑借在3D NAND閃存領(lǐng)域的突飛猛進，引發(fā)普遍關(guān)注，尤其是獨創(chuàng)了全新的Xtacking閃存架構(gòu)，最近還打造了首個消費級SSD品牌“致鈦”。
2020-11-24 10:12:315270 ? ? NAND非易失性閃存存儲器作為存儲行業(yè)的突破性革新已有多年發(fā)展歷史，隨著2D NAND容量達到極限，以及晶體管越來越小，NAND的編程時間變長，擦寫次數(shù)變少，能夠?qū)?nèi)存顆粒堆疊起來的3D
2020-12-09 10:35:493617 發(fā)展至今，NAND Flash已呈現(xiàn)白熱化階段。就在前不久，存儲廠商們還在128層“閃存高臺上觀景”，2019年6月SK海力士發(fā)布128層TLC 3D NAND；美光于2019年10月流片出樣128
2020-12-09 14:55:374583 基礎(chǔ)前沿理論研究取得標志性成果。在類腦智能計算、群體智能、大數(shù)據(jù)智能、跨媒體智能、自主協(xié)同控制與優(yōu)化決策、智能計算芯片與系統(tǒng)等基礎(chǔ)前沿理論研究領(lǐng)域取得明顯進展，形成標志性科技成果10個以上。
2020-12-11 15:41:232542 中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)郭光燦院士團隊李傳鋒、周宗權(quán)研究組在量子存儲領(lǐng)域取得重要進展，首次實現(xiàn)按需式讀取的可集成固態(tài)量子存儲器。
2021-01-06 10:47:20854 在騰訊電競2021天美電競項目計劃發(fā)布會上，深圳電競制作中心正式成立并啟用，成為騰訊云5G網(wǎng)絡(luò)方案在電競領(lǐng)域的一次標志性落地。
2021-02-26 12:23:122241 人駕駛汽車和機器人，在現(xiàn)實世界中導(dǎo)航和運作，并在移動設(shè)備上創(chuàng)建改進的增強現(xiàn)實體驗。 最近，計算機視覺領(lǐng)域開始在 3D 場景理解方面取得良好進展，包括用于移動 3D 目標檢測、透明目標檢測等的模型，但由于可應(yīng)用于 3D 數(shù)據(jù)的可用工
2021-03-30 13:58:071967 
我們國家在3D打印技術(shù)方面是一直有研究的。就在近日，山東省增材制造工程技術(shù)研究中心蘭紅波教授團隊在電場驅(qū)動噴射微3D打印及應(yīng)用研究方面取得重要進展，相關(guān)研究成果發(fā)表在《Advanced Materials》（SCI影響因子：27.398）上。
2021-04-23 15:28:441345 NAND Flash。2007年，東芝推出3D NAND，三星也在2012年發(fā)布其第一代3D NAND。NAND Flash 技術(shù)幾十年發(fā)展保留了相同的概念、堆疊（stack）和架構(gòu)，存儲密度隨時間呈指數(shù)
2022-11-25 14:57:352730 據(jù)知名半導(dǎo)體和微電子情報提供商TechInsights報道，長江存儲的232層3D NAND閃存X3-9070已經(jīng)實現(xiàn)量產(chǎn)，領(lǐng)先于三星、美光、SK海力士等廠商，這也是__中國品牌在半導(dǎo)體領(lǐng)域首次領(lǐng)先于國際競爭者。__
2022-12-05 17:07:381876 存儲單元中，電荷的存儲層可以是浮柵或氮化硅電荷俘獲層(Charge-Trapping Layer, CTL)。三維CTL垂直溝道型NAND 閃存(3D NAND 或 V-NAND)基于無結(jié)型 (Junctionless， JL)薄膜場效應(yīng)晶體管(TFT)，具有更好的可靠性。
2023-02-03 09:16:5717470 我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來了，理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:394227 最近，三星集團援引業(yè)界有關(guān)負責人的話表示，計劃到2024年批量生產(chǎn)300段以上的第9代3d nand。預(yù)計將采用將nand存儲器制作成兩個獨立的程序之后，將其一起組裝的dual stack技術(shù)。三星將于2020年從第7代176段3d nand開始首次使用雙線程技術(shù)。
2023-08-18 11:09:052015 隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展，數(shù)據(jù)存儲需求日益增長。作為一種新型的非易失性存儲器，NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等優(yōu)勢，在各個領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。本文將對NAND Flash存儲器的工作原理、結(jié)構(gòu)特點、性能指標及應(yīng)用領(lǐng)域進行詳細解析，以期為讀者提供一個全面的了解。
2023-09-27 18:26:175563 據(jù)悉，東京電子新技術(shù)的目標是能夠長時間儲存數(shù)據(jù)的3d nand閃存。該公司開發(fā)了一種新的通道孔蝕刻方法，該方法是將垂直孔快速深插入存儲單元。3D nand的存儲器容量可以通過將存儲器單元層垂直堆積來增加，如果層數(shù)增加，就需要性能更高的裝置。
2023-10-16 14:39:491360 在3D實現(xiàn)方面，存儲器比邏輯更早進入實用階段。NAND閃存率先邁向3D 。隨著目前量產(chǎn)的20-15nm工藝，所有公司都放棄了小型化，轉(zhuǎn)而轉(zhuǎn)向存儲單元的三維堆疊，以提高每芯片面積的位密度。它被稱為“ 3D（三維）NAND ” 。
2023-12-02 16:38:402967 
2D NAND和3D NAND都是非易失性存儲技術(shù)（NVM Non-VolatileMemory），屬于Memory（存儲器）的一種。
2024-03-17 15:31:392376 
NAND Flash作為一種基于NAND技術(shù)的非易失性存儲器，具有多個顯著優(yōu)點，這些優(yōu)點使其在數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。以下是對NAND Flash優(yōu)點的詳細闡述，并簡要探討與其他類型存儲器的區(qū)別。
2024-08-20 10:24:441952 在CITE 2020上，紫光集團帶來了大量產(chǎn)品，其中包括長江存儲的128層QLC三維閃存和新華三半導(dǎo)體高端路由器芯片EasyCore等。作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存，長江存儲X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號產(chǎn)品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。
2020-08-15 09:32:144822 2030年實現(xiàn)1000層堆疊的3D NAND存儲器。 ? 3D NAND似乎已經(jīng)成為各大存儲企業(yè)競相追逐的“工業(yè)明珠”，包括三星、海力士、美光、鎧俠、長江存儲等都在這一領(lǐng)域投入大量資源，而比拼的就是堆疊層數(shù)。 ? 3D NAND 為何如此重要？ ? 隨著數(shù)字化信息的爆炸性增長，對對存儲容量的需求也在
2024-06-29 00:03:008061
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