目前，閃存芯片存儲技術(shù)以高存儲密度、低功耗、擦寫次數(shù)快等優(yōu)勢占據(jù)了非揮發(fā)性存儲芯片的壟斷地位，但隨著半導(dǎo)體工藝的不斷發(fā)展，閃存芯片存儲技術(shù)遇到了技術(shù)瓶頸，而新一代存儲技術(shù)——阻變存儲器有望成為閃存芯片存儲技術(shù)的替代者。
2015-10-13 08:24:58
3387 中科院微電子所研究員霍宗亮告訴記者，對新進入的中國玩家，想切入DRAM和NAND閃存領(lǐng)域存有一線可能。DRAM制程工藝已快遇到物理上的極限，更新?lián)Q代越來越慢，技術(shù)難度越來越大，在這樣的情況下，國外
2016-05-27 09:29:131948 最近，中國微電子所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心在下一代新型FinFET邏輯器件工藝研究上取得重要進展。微電子所殷華湘研究員的課題組，利用低溫低阻NiPt硅化物在新型FOI FinFET上實現(xiàn)了全金屬化源
2017-01-06 13:59:213502 
2月16日據(jù)中科院網(wǎng)站消息，近日，由國家存儲器基地主要承擔(dān)單位長江存儲科技有限責(zé)任公司（以下簡稱“長江存儲”）與中國科學(xué)院微電子研究所聯(lián)合承擔(dān)的3D NAND存儲器研發(fā)項目取得新進展。
2017-02-16 11:35:241161 近日，由國家存儲器基地主要承擔(dān)單位長江存儲科技有限責(zé)任公司（以下簡稱“長江存儲”）與中國科學(xué)院微電子研究所聯(lián)合承擔(dān)的3D NAND存儲器研發(fā)項目取得新進展。
2017-02-17 07:48:232091 近年來，隨著芯片工藝制造的進步，工藝制程逐漸接近物理極限，深度神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的發(fā)展使得計算量和參數(shù)量呈指數(shù)上升。具有高密度，非易失，易加工等優(yōu)點的阻變存儲器(RRAM)，被認為是最具代表性的新型存儲器之一，是低功耗，低成本、高算力兼?zhèn)涞睦硐脒x擇。
2022-10-14 11:41:081615 中科院微電子所超高壓絕緣柵雙極晶體管(IGBT)芯片的年輕研究團隊緊張而期待。由他們設(shè)計的一款I(lǐng)GBT芯片，在合作伙伴——上海華虹NEC電子有限公司的工藝線上流片完成，要進行超高壓
2011-12-06 10:36:222065 首先討論HDD及其功能，并比較儲存(storage)和(memory)的不同特性。在接下來的專欄中，我們將專門討論SSD，并探索在可預(yù)見的未來將持續(xù)發(fā)展的數(shù)據(jù)儲存趨勢?！ Υ?vs 存儲器 電子數(shù)據(jù)
2017-07-20 15:18:57
失是指存儲器斷電后，里面存儲的內(nèi)容是否會丟失，另一邊的速度而言呢，易失性存儲器的速度要快于非易失性存儲器。1.1 易失性存儲器 按照RAM的物理存儲機制，可以...
2021-07-16 07:55:26
近日，微電子所納米加工與新器件集成技術(shù)研究室（三室）在阻變存儲器研究工作中取得進展，并被美國化學(xué)協(xié)會ACS Nano雜志在線報道。 基于二元氧化物材料的電阻式隨機存儲器（ReRAM）具有低廉的價格
2010-12-29 15:13:32
AVR系列單片機有哪幾種存儲器？AVR系列單片機在程序中如何訪問FLASH程序存儲器？EEPROM數(shù)據(jù)存儲器操作方式有哪幾種？
2021-09-23 08:13:11
問題一：位圖都存儲在哪了？都在程序存儲器里嗎問題二：能不能將位圖存儲到外部內(nèi)存中？問題三：F429的程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器有多大？
2020-05-20 04:37:13
LCOS是微電子學(xué)、光學(xué)和視頻顯示技術(shù)相結(jié)合的新技術(shù)。我國LCOS微顯示芯片的研究始于1998年，南開大學(xué)信息學(xué)院光電子所在教育部和天津市科委的支持下，在國內(nèi)率先開展了LCOS微顯示器芯片技術(shù)的研究，取得了重大進展，自主研制成功我國第一枚LCOS微顯示芯片。
2019-09-12 09:11:53
本文檔介紹了 STM32H7 系列微控制器上糾錯碼（ECC）的管理和實現(xiàn)。本應(yīng)用筆記針對保護內(nèi)部存儲器內(nèi)容的 ECC 機制，描述了與之相關(guān)的硬件、軟件信息。除此之外，也可使用外部存儲器進行 ECC
2023-09-08 07:31:20
STM32_FSMC機制的NORFlash存儲器擴展技術(shù)
2014-03-24 15:17:17
、消防安防、環(huán)境檢測等應(yīng)用領(lǐng)域的客戶提供更具性價比的解決方案。該參考設(shè)計采用了Semtech LoRa CoreTM SX126x系列芯片以及復(fù)旦微電子的FM33LE0系列MCU產(chǎn)品，包含硬件參考設(shè)計以及
2023-02-13 17:44:32
cadence講義_IC設(shè)計_清華微電子所
2012-08-12 17:30:13
為什么有的電子設(shè)備用eMMC存儲器 ？而有的用DDR存儲器呢？這兩者有什么區(qū)別嗎？
2021-06-18 06:13:25
題目是一個停車場計時系統(tǒng)，用74系列之類的芯片。我們用6116存儲器來存地址信號，通過刷卡產(chǎn)生脈沖，經(jīng)過延時出現(xiàn)兩個相鄰的脈沖分別代表讀和寫信號，用來讀取存儲器中對應(yīng)車的狀態(tài)（在不在車庫內(nèi)），再將
2016-07-23 00:01:59
導(dǎo)師，主要研究領(lǐng)域為固態(tài)電路和器件、電子封裝、壓阻應(yīng)力傳感器、低溫電子設(shè)備、 VLSI 設(shè)計以及電子設(shè)備和電路中的噪聲等。特拉維斯． N ．布萊洛克（ Travis N . Blalock )是美國
2023-05-29 22:24:28
、微波電真空技術(shù)和地理空間信息技術(shù)三大支柱領(lǐng)域，微波成像基礎(chǔ)研究、電磁探測技術(shù)、傳感器與微系統(tǒng)技術(shù)、先進激光與探測技術(shù)和可編程芯片技術(shù)五個重點領(lǐng)域。電子所下設(shè)11個研究部門。經(jīng)過60年的發(fā)展，截至
2017-12-18 17:27:09
的，通過研究每個要素特點，提出消除或抑制每個要素方法，從而解決電子電氣設(shè)備或系統(tǒng)電磁兼容性問題。圖1 電磁兼容三要素 全文PDF上傳：傳感器EMC的重要性與研究進展.rar
2018-11-05 15:51:31
技術(shù)節(jié)點的新式存儲器機制和材料。目前存在多種不同的可以取代浮柵概念的存儲機制，相變存儲器（PCM）就是其中一個最被業(yè)界看好的非易失性存儲器，具有閃存無法匹敵的讀寫性能和升級能力。在室溫環(huán)境中，基于第六族
2019-06-26 07:11:05
正在美國舊金山召開的第66屆國際固態(tài)電路會議(ISSCC 2019)上，清華大學(xué)微電子學(xué)研究所錢鶴、吳華強教授團隊報道了國際首個基于阻變存儲器(RRAM)的可重構(gòu)物理不可克隆函數(shù)(PUF)芯片
2021-07-22 06:16:15
Access Memory”的縮寫，被譯為隨機存儲器。所謂“隨機存取”，指的是當(dāng)存儲器中的消息被讀取或?qū)懭霑r，所需要的時間與這段信息所在的位置無關(guān)。這個詞的由來是因為早期計算機曾使用磁鼓作為存儲器，磁鼓是順序讀寫設(shè)備，而RAM可隨讀取其內(nèi)部任意地址的數(shù)據(jù)，時間都是相同的，因
2021-12-10 07:09:20
數(shù)據(jù)存儲器 FLASH程序存儲器 FLASH數(shù)據(jù)存儲器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲器各有什么區(qū)別？特點？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲器包含三部分，片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
和 Cortex?-M3 IP數(shù)據(jù)和設(shè)計參考流程，并結(jié)合靈動微電子所提供的其它系列IP來實現(xiàn)最終的產(chǎn)品設(shè)計及應(yīng)用方案。此項合作有利于幫助客戶縮短產(chǎn)品進入市場的時間，優(yōu)化客戶產(chǎn)品性能，并最大程度保護客戶
2016-10-18 14:20:02
目前高級應(yīng)用要求新的存儲器技術(shù)能力出現(xiàn)。隨著電子系統(tǒng)需要更多的代碼和數(shù)據(jù)，所導(dǎo)致的結(jié)果就是對存儲器的需求永不停歇。相變存儲器(PCM)以創(chuàng)新的關(guān)鍵技術(shù)特色滿足了目前電子系統(tǒng)的需要。針對電子系統(tǒng)的重點
2018-05-17 09:45:35
大俠幫忙簡述一下英飛凌XC878的存儲器擴展機制{:10:}
2018-12-18 09:43:54
PIC24設(shè)備，它不能像某些PIC32那樣跳轉(zhuǎn)到數(shù)據(jù)存儲器（RAM）開始從那里執(zhí)行。具有擴展程序存儲器接口，所以我們可以把功能代碼轉(zhuǎn)移到擴展存儲器，然后跳轉(zhuǎn)到PC，這個選項在PIC24設(shè)備中不可用。然而
2020-03-09 08:46:16
由單電子晶體管(single‐electron transistor,簡稱SET)構(gòu)成的存儲器具有體積小、容量大、功率消耗低等優(yōu)點,可望成為繼CMOS存儲器之后納米級的新型存儲器。本文介紹了幾種基于單電子晶
2010-07-29 15:51:53
18 摘 要： 本文簡單介紹了鐵電存儲器、磁性隨機存儲器和相變存儲器這三種比較有發(fā)展?jié)摿?b class="flag-6" style="color: red">存儲器的原理、研究進展及存在的問題等。引言 更高密度、更大帶寬、更
2006-03-24 13:32:182972 
我國首個256位分子存儲器電路研制成功
借助中科大國家同步輻射實驗室二次X射線光刻工藝，中國科學(xué)院微電子所納米加工與新器件集成技
2008-11-26 08:19:14689 STM32FSMC機制FlaSh存儲器擴展
引 言
STM32是ST(意法半導(dǎo)體)公司推出的基于ARM內(nèi)核Cortex－M3的32位微控制器系列。Cortex－M3內(nèi)核是為低功耗和價格敏感的應(yīng)用而專
2009-11-27 10:07:101711 
非易失性半導(dǎo)體存儲器的相變機制
非易失性存儲器(NVM)在半導(dǎo)體市場占有重要的一席之地，特別是主要用于手機和其它便攜電子設(shè)備的閃存芯片。今后幾年便攜電
2009-12-19 10:37:46946 
相變存儲器：能實現(xiàn)全新存儲器使用模型的新型存儲器
從下面的幾個重要特性看，相變存儲器（PCM）技術(shù)均符合當(dāng)前電子系統(tǒng)對存儲器子系統(tǒng)的需求：
容量
2009-12-31 10:09:301360 非易失性半導(dǎo)體存儲器的相變機制
非易失性存儲器(NVM)在半導(dǎo)體市場占有重要的一席之地，特別是主要用于手機和
2010-01-11 10:02:22883 等離子體所在基于氮摻雜二氧化鈦電池暗電流抑制研究取得較大進展
近來，中科院等離子體研究所太陽能材料與工程研究室研究生田華軍在基于氮
2010-01-28 09:03:372367 提出一種適用于未來高密度應(yīng)用的與非(NAND) 型共享選通管的三維多層1TXR 阻變存儲器概念。在0.13 m工藝下, 以一個使用8 層金屬堆疊的1T64R 結(jié)構(gòu)為例, 其存儲密度比傳統(tǒng)的單層1T1R 結(jié)構(gòu)高
2011-12-07 11:02:4116 微電子所硅器件與集成技術(shù)研究室成功研制出基于硅基液晶(LiquidCrystalonSilicon，LCoS)微顯示芯片
2011-12-09 09:05:141278 由中科院微電子研究所系統(tǒng)封裝技術(shù)研究室牽頭承擔(dān)的“高密度三維系統(tǒng)級封裝的關(guān)鍵技術(shù)研究”重大專項取得新進展。
2011-12-16 09:04:361062 近日，微電子所系統(tǒng)封裝研究室（九室），在多芯片封裝研究上取得突破。該芯片在產(chǎn)業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域意義重大。電力的應(yīng)用正在朝多元化發(fā)展，電表集成模塊的數(shù)字化、智能化和多功能化
2012-03-08 09:17:301188 中科院微電子研究所微波器件與集成電路研究室（四室）超高速電路課題組在超高速ADC/DAC芯片研制上取得突破性進展，成功研制出8GS/s 4bit ADC和10GS/s 8bit DAC芯片
2012-04-26 08:55:204232 
中國科學(xué)院微電子研究所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心在22納米 CMOS關(guān)鍵技術(shù)先導(dǎo)研發(fā)上取得突破性進展
2012-12-11 11:31:033377 移動互聯(lián)網(wǎng)QoS機制的研究進展述評....
2016-01-04 17:03:5512 非易失性半導(dǎo)體存儲器的相變機制
2017-01-19 21:22:5414 飛思卡爾S12X存儲器分頁機制分析_李翠霞
2017-03-19 11:29:007 近日，北京航空航天大學(xué)與微電子所聯(lián)合成功制備國內(nèi)首個80納米自旋轉(zhuǎn)移矩磁隨機存儲器芯片(STT-MRAM)器件。STT-MRAM是一種極具應(yīng)用潛力的下一代新型存儲器解決方案。
2017-05-09 01:07:311725 
STM32系列微控制器存儲器與外設(shè)
2017-09-29 14:50:467 近日，中科院微電子研究所微波器件與集成電路研究室（四室）碳化硅電力電子器件研究團隊在SiC MOSFET器件研制方面取得重要進展，成功研制出1200V/15A、1700V/8A SiC MOSFET
2017-11-08 15:14:3637 信息，并能將感知到的信息存儲在大腦的神經(jīng)系統(tǒng)中。近年來，科研工作者通過圖像傳感器陣列的研究，已在模擬人體的視覺感知功能方面取得進展。
2018-01-13 22:42:331334 斯坦福研究人員開發(fā)的芯片被稱為“單晶體管單阻變存儲器”（1T1R）單元。這種1T1R存儲單元相對于含有阻變存儲器但沒有晶體管的存儲單元，能夠提供極大好處。
2018-01-23 17:23:597500 
近日，中科院微電子研究所微波器件與集成電路研究室（四室）碳化硅電力電子器件研究團隊在SiC MOSFET器件研制方面取得重要進展，成功研制出1200V/15A、1700V/8A SiC MOSFET器件。
2018-04-20 11:33:002379 阻變存儲器、相變存儲器、磁存儲器、高靈敏度磁傳感器和隔離耦合器件等是具有良好應(yīng)用前景的新型存儲和磁電子技術(shù)，在移動通信、個人電腦、數(shù)碼相機、電子標簽等領(lǐng)域具有廣闊的市場價值?！笆濉逼陂g，863
2018-02-07 01:36:011314 研究人員在近紅外光學(xué)活性材料的設(shè)計構(gòu)建及生物應(yīng)用研究中取得進展，設(shè)計構(gòu)建了具有雙光子激發(fā)、近紅外發(fā)射特性的仿生熒光探針并成功將其應(yīng)用于活體腫瘤的高清晰度熒光成像。
2018-03-22 17:28:284803 
本32X8 FIFO的設(shè)計,采用了雙體存儲器的交替讀寫機制,使得在對其中一個存儲器寫操作的同時可以對另一個存儲器進行讀操作;對其中一個存儲器讀操作的同時可以對另一個存儲器進行寫操作。實現(xiàn)了高速數(shù)據(jù)緩沖,速度比單體存儲器的FIFO提高了一倍。
2018-12-30 10:29:004312 
關(guān)鍵詞：EUV , 光刻 近日，新思科技與中國科學(xué)院微電子研究所強強聯(lián)手，正式組建“EUV光刻仿真聯(lián)合實驗室”并舉行揭牌儀式。雙方聯(lián)合宣布將在北京合作共建國際一流、國內(nèi)領(lǐng)先的聯(lián)合實驗室，共同合作開發(fā)
2018-12-03 07:39:01882 新的技術(shù)出來。除了主流的電荷捕獲（charge trap）存儲器外，還有鐵電存儲器（FRAM）、相變存儲器（PRAM）、磁存儲器（MRAM）和阻變存儲器（RRAM）。
2019-01-01 08:55:0013980 
近年來，非易失性存儲技術(shù)在許多方面都取得了一些重大進展，為計算機系統(tǒng)的存儲能效提升帶來了新的契機，采用新型非易失性存儲技術(shù)來替代傳統(tǒng)的存儲技術(shù)可以適應(yīng)計算機技術(shù)發(fā)展對高存儲能效的需求。以相變存儲器為
2019-03-19 15:43:0110827 
受到國際多家研發(fā)機構(gòu)的高度關(guān)注。
2019-05-15 14:43:324904 近日，2019 Symposia on VLSI Technology and Circuits（簡稱VLSI國際研討會）在日本召開。微電子所劉明院士科研團隊在會上展示了高性能選通管的最新研究進展。
2019-06-26 15:58:495265 目前新型存儲器上受到廣泛關(guān)注的新型存儲器主要有相變存儲器(PCM)，其中有以英特爾與美光聯(lián)合研發(fā)的3D Xpoint為代表;MRAM以美國Everspin公司推出的STT-MRAM為代表;阻變存儲器
2020-04-25 11:05:573524 
隨著微電子技術(shù)的迅猛發(fā)展，SRAM存儲器逐漸呈現(xiàn)出高集成度、快速及低功耗的發(fā)展趨勢。在半導(dǎo)體存儲器的發(fā)展中，靜態(tài)存儲器(SRAM)由于其廣泛的應(yīng)用成為其中不可或缺的重要一員。下面由英尚微電子詳細介紹
2020-04-30 15:48:133900 
。以相變存儲器為代表的多種新型存儲器技術(shù)因具備高集成度、低功耗等特點而受到國內(nèi)外研究者的廣泛關(guān)注，本文介紹相變存儲器的工作原理、技術(shù)特點及其國內(nèi)外最新研究進展。 一、相變存儲器的工作原理 相變存儲器（Phase Change
2022-12-20 18:33:252207 RRAM基于雙穩(wěn)態(tài)電阻轉(zhuǎn)換的阻性存儲器（RRAM）作為集動態(tài)/靜態(tài)隨機存儲器和浮柵存儲器功能為一體的通用存儲器，是NAND技術(shù)后的下一代非易失性存儲（NVM）技術(shù)。
2020-11-04 10:59:244012 存儲器，顧名思義是存儲設(shè)備。在諸多電子設(shè)備中，存儲器是必不可少的重要組件。為增進大家對存儲器的了解，本文將對存儲器卡以及半導(dǎo)體存儲器的分類予以介紹。
2020-12-04 09:48:423012 存儲器，顧名思義是存儲設(shè)備。在諸多電子設(shè)備中，存儲器是必不可少的重要組件。為增進大家對存儲器的了解，本文將對存儲器卡以及半導(dǎo)體存儲器的分類予以介紹。如果你對存儲器的相關(guān)知識具有興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
2020-12-06 17:54:0017127 中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)郭光燦院士團隊李傳鋒、周宗權(quán)研究組在量子存儲領(lǐng)域取得重要進展，首次實現(xiàn)按需式讀取的可集成固態(tài)量子存儲器。
2021-01-06 10:47:20854 在刪除和重新加載塊后，可能會在用戶存儲器(裝入和工作存儲器)中產(chǎn)生間隔，從而減少可使用的存儲器區(qū)域。使用壓縮功能，可將現(xiàn)有塊在用戶存儲器中無間隔地重新排列，并創(chuàng)建連續(xù)的空閑存儲 空間。
2021-03-02 15:15:532326 MMC設(shè)備是一種受管理的存儲器，它定義了一種對存儲器陣列間接訪問的機制。這種間接訪問通常是由分立的控制器使能的。簡介存儲器訪問的優(yōu)點是，存儲器設(shè)備可以執(zhí)行幾種后臺存儲器管理任務(wù)而不牽涉主機軟件。這使得主機系統(tǒng)的flash管理層更簡單。
2021-03-26 14:43:2712 51 系列單片機的內(nèi)部存儲器與一般微型機存儲器的配置不同。一般微型機的程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器被安排在同一地址空間的不同范圍，通常稱為普林斯頓結(jié)構(gòu)（統(tǒng)一編址）。而 51 系列單片機的存儲器空間被設(shè)計成
2021-11-23 16:51:1814 近日中科院微電子所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心在STT-MRAM器件與集成技術(shù)研究領(lǐng)域取得了階段性進展。
2022-01-26 19:41:352 隨著微電子技術(shù)的迅猛發(fā)展，SRAM存儲器逐漸呈現(xiàn)出高集成度、快速及低功耗的發(fā)展趨勢。在半導(dǎo)體存儲器的發(fā)展中，靜態(tài)存儲器(SRAM)由于其...
2022-02-07 11:25:292 據(jù)報道，虎年新春伊始，杭州青山湖科技城傳來佳音。由昕原半導(dǎo)體(杭州)有限公司(以下稱“昕原半導(dǎo)體”)主導(dǎo)建設(shè)的大陸首條28/22nm ReRAM(阻變存儲器)12寸中試生產(chǎn)線順利完成了自主研發(fā)設(shè)備的裝機驗收工作，實現(xiàn)了中試線工藝流程的通線，并成功流片。
2022-02-18 13:37:551646 一些自旋電子存儲器已經(jīng)面世。MRAM（磁性隨機存儲器）已經(jīng)商業(yè)化，在某些情況下可以取代電子存儲器，但它是基于鐵磁開關(guān)的。
2022-07-22 17:05:142353 基于上述因素，越來越多的MCU大廠開始選擇在MCU中集成新型存儲器，比如相變存儲器（PCM）、磁RAM（MRAM）和阻變存儲器（RRAM）等，當(dāng)然不同的大廠也有著他們不同的選擇…
2022-12-01 20:28:061421 新一代航天器對宇航芯片的性能和抗輻射能力提出了更高要求。碳納米管器件的柵控效率高、驅(qū)動能力強，是后摩爾時代最具發(fā)展?jié)摿Φ陌雽?dǎo)體技術(shù)之一，并具有較強的空間應(yīng)用前景。 中國科學(xué)院微電子研究所抗輻照器件
2022-12-02 16:49:283883 針對此問題，微電子所劉明院士團隊制備了基于p型和n型有機分子構(gòu)成的單晶電荷轉(zhuǎn)移界面的晶體管器件，探究了電荷轉(zhuǎn)移界面以及柵氧界面電場的相互作用對晶體管工作時載流子及電導(dǎo)分布特性的影響。
2023-01-13 15:19:381088 傳感新品 【中國科學(xué)院寧波材料所：在蜘蛛網(wǎng)啟發(fā)的高性能壓阻式氣流傳感器中取得進展】 壓阻式氣流傳感器因其制備簡單、信號易獲取和高靈敏響應(yīng)性，引起了人們極大的研究興趣并廣泛應(yīng)用于航空航天、氣候預(yù)報
2023-03-14 19:16:111552 檢測（POCT）、環(huán)境監(jiān)測等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用潛力。近日，微電子所健康電子中心路鑫超、黃成軍課題組在SPR光纖傳感器方面取得一系列重要進展。? 課題組基于等離子體—光子腔復(fù)合結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)了一種具有高靈敏度和穩(wěn)定性的光纖生化傳感
2023-06-02 08:39:431592 
中國科學(xué)院微電子研究所硅光子平臺基于微電子所先導(dǎo)中心成熟的8英寸CMOS工藝線，該CMOS工藝線支撐開發(fā)了成套硅光工藝和器件，制定了設(shè)計規(guī)則和工藝規(guī)范，并形成了PDK。
2023-06-07 14:38:032259 
傳感新品 【中科院微電子所：在納米森林柔性濕度傳感器及其應(yīng)用研究方面取得新進展】 目前，各種電氣設(shè)備和系統(tǒng)，從照明開關(guān)到公共場所的電梯或銀行提款機，其控制與操作一般采用觸摸方式完成，然而，這種傳統(tǒng)
2023-06-30 08:47:421509 
傳感新品 【中科院微電子所：研發(fā)電子皮膚傳感器不僅能敏銳感受壓力，還知道摩擦力大小】 近日，中國科學(xué)院上海高等研究院研究員曾祥瓊領(lǐng)銜的團隊，在基于碳材料的3D打印柔性觸覺傳感器件的研究中取得重要進展
2023-07-01 08:42:342725 
憶阻器英文名為memristor, 用符號M表示，與電阻R，電容C，電感L構(gòu)成四種基本無源電路器件，它是連接磁通量與電荷之間關(guān)系的紐帶，其同時具備電阻和存儲的性能，是一種新一代高速存儲單元，通常稱為阻變存儲器（RRAM）。
2023-07-12 11:10:531153 
微電子領(lǐng)域中陶瓷劈刀研究與應(yīng)用進展
2023-09-07 11:27:411782 
由于存儲器中包括結(jié)構(gòu)重復(fù)的存儲單元，當(dāng)其中發(fā)生失效點時, 如何定位失效點成為存儲器失效分析中的最為重要的一步。存儲器芯片的集成度高，字線(WL)和位線(BL)之間發(fā)生微小漏電，或前段Device
2024-08-19 15:48:452403 
圖1 混沌單光子激光測量系統(tǒng) 激光探測感知技術(shù)一直是科技領(lǐng)域的前沿?zé)狳c，在航空航天、智能駕駛等眾多領(lǐng)域有著廣泛而重要的應(yīng)用。微電子所以應(yīng)用做牽引，聚焦光子集成激光探感技術(shù)的發(fā)展方向，重點在單光子
2024-10-16 06:30:58892 
近期，微電子所智能感知芯片與系統(tǒng)研發(fā)中心喬樹山團隊在超寬帶低噪聲單片集成電路研究方面取得重要進展。 微弱信號處理鏈路對噪聲極為敏感，低噪聲放大器作為信號鏈路的關(guān)鍵元器件，決定了微弱信號的檢測靈敏度
2025-01-15 09:21:16703 
圖1 多物理場耦合模型示意圖 近期，中國科學(xué)院上海光學(xué)精密機械研究所高功率激光元件技術(shù)與工程部研究團隊在在激光燒蝕波紋的調(diào)制機理研究中取得新進展。研究揭示了激光燒蝕波紋對光學(xué)元件損傷閾值的影響。相關(guān)
2025-02-14 06:22:37677 
的感知元件。本文將從壓阻效應(yīng)的微觀機制出發(fā)，深入探討壓阻式傳感器的工作原理、技術(shù)特點及工程應(yīng)用。 二、壓阻效應(yīng)的微觀機制 壓阻效應(yīng)是指當(dāng)半導(dǎo)體材料受到應(yīng)力作用時，其電阻率發(fā)生顯著變化的現(xiàn)象。這一現(xiàn)象的物理本質(zhì)
2025-04-14 15:03:491944 
圖1 激光燒蝕曲面元件示意圖 近期，中國科學(xué)院上海光學(xué)精密機械研究所高功率激光元件技術(shù)與工程部魏朝陽研究員團隊，在激光燒蝕曲面元件理論研究中取得新進展。研究首次闡明激光燒蝕過程中曲面元件對形貌
2025-07-15 09:58:24462 
優(yōu)勢，獲得廣泛青睞。但芯粒集成中普遍存在供電電流大、散熱困難等問題，導(dǎo)致其面臨嚴峻的電遷移可靠性挑戰(zhàn)。針對工藝層次高度復(fù)雜的芯粒集成系統(tǒng)，如何實現(xiàn)電遷移問題的精確高效仿真，并完成電遷移效應(yīng)與熱效應(yīng)的耦合分析，已成為先
2025-09-01 17:40:02550 
圖1 肘形圖形為目標圖形，不同方法得到的全息掩模分布、空間像與光刻膠輪廓 近日，中國科學(xué)院上海光學(xué)精密機械研究所高端光電裝備部李思坤研究員團隊在全息光刻研究方面取得進展。相關(guān)成果以
2025-09-19 09:19:56443 
功率激光物理聯(lián)合實驗室朱健強研究員團隊，在多模激光器的模場三維時空演變研究中取得了新進展。團隊研究了激光橫模與縱模的時空耦合物理機制，構(gòu)建了多模激光器的三維時空多模式構(gòu)造模型，深入研究了時空多模的時空相互影響規(guī)律，實現(xiàn)了對光場傳輸過程中
2025-12-19 06:41:5263 
，中國科學(xué)院上海光學(xué)精密機械研究所超強激光科學(xué)與技術(shù)全國重點實驗室研究團隊在脈沖累計效應(yīng)影響飛秒激光成絲熒光發(fā)射研究中取得新進展。團隊系統(tǒng)揭示了激光重復(fù)頻率對空氣中氮分子熒光信號的調(diào)控機制，闡明了飛秒激光成絲中脈沖累計效應(yīng)引發(fā)的空氣密度變化及其對等離子體激發(fā)過程的影響
2025-12-22 06:53:2449 
，中國科學(xué)院上海光學(xué)精密機械研究所高功率激光元件技術(shù)與工程部研究團隊在中紅外光譜合束光柵研究方面取得新進展，相關(guān)研究成果以“Robust volcano-shaped gold-coated
2025-12-24 06:38:3830 
為了加速AI的訓(xùn)練與推理應(yīng)用。但另一方面，新型存儲也在AI時代扮演越來越重要的角色，最近國內(nèi)新興存儲企業(yè)也將目光投向于此，并推出新產(chǎn)品等，以期緊跟新型存儲技術(shù)的發(fā)展。 ? 阻變存儲器 ? RRAM（Resistive Random Access Memory）意為阻變式存儲器，也稱憶阻器，具有尺寸易于
2024-10-16 08:10:572148 
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