SiC相關(guān)設(shè)計(jì)的系列文章。希望以此給到大家一定的設(shè)計(jì)參考，并期待與您進(jìn)一步的交流。 ? 前兩篇文章我們分別探討了 SiC MOSFET的驅(qū)動(dòng)電壓 ，以及 SiC器件驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)中的寄生導(dǎo)通問題 。本文作為系列文章的第三篇，會(huì)從SiC MOS寄生電容損耗與傳統(tǒng)Si MOS作比較，給
2022-07-07 09:55:00
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SiC器件具有低開關(guān)損耗，可以使用更小的散熱器，同時(shí)可以在更高開關(guān)頻率下運(yùn)行，減小磁性元件體積。采用SiC器件的工業(yè)電源，可以實(shí)現(xiàn)高效率和高功率密度。三菱電機(jī)開發(fā)了一系列適合工業(yè)電源應(yīng)用的SiC MOSFET模塊，本章節(jié)帶你詳細(xì)了解。
2025-12-02 11:28:173355 
9月26日從科技部獲悉，2014年1月，國(guó)家863計(jì)劃啟動(dòng)實(shí)施了5G移動(dòng)通信系統(tǒng)先期研究重大項(xiàng)目，目前該項(xiàng)目取得了五方面重要階段性進(jìn)展，在技術(shù)、架構(gòu)等多方面均獲得了突破。
2016-09-27 10:05:392379 最近，中國(guó)微電子所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心在下一代新型FinFET邏輯器件工藝研究上取得重要進(jìn)展。微電子所殷華湘研究員的課題組，利用低溫低阻NiPt硅化物在新型FOI FinFET上實(shí)現(xiàn)了全金屬化源
2017-01-06 13:59:213502 
中科院微電子所超高壓絕緣柵雙極晶體管(IGBT)芯片的年輕研究團(tuán)隊(duì)緊張而期待。由他們?cè)O(shè)計(jì)的一款I(lǐng)GBT芯片，在合作伙伴——上海華虹NEC電子有限公司的工藝線上流片完成，要進(jìn)行超高壓
2011-12-06 10:36:222065 ?近日，國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體新銳企業(yè)芯塔電子正式宣布推出新一代1200V 40-80mΩ SiC MOSFET，器件各項(xiàng)性能達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。此舉標(biāo)志著芯塔電子在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域取得了重大進(jìn)展，進(jìn)一步
2022-08-29 15:08:571633 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）在我們談?wù)摰?b class="flag-6" style="color: red">三代半導(dǎo)體的時(shí)候，常說的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管），而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT（高電子
2023-12-27 09:11:366224 有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎 想請(qǐng)教一下驅(qū)動(dòng)電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
另一方面，按照現(xiàn)在的技術(shù)水平，SiC-MOSFET的MOS溝道部分的遷移率比較低，所以溝道部的阻抗比Si器件要高?！ ∫虼?，越高的門極電壓，可以得到越低的導(dǎo)通電阻（VCS=20V以上則逐漸飽和）。 如果
2023-02-07 16:40:49
。如果是相同設(shè)計(jì)，則與芯片尺寸成反比，芯片越小柵極電阻越高。同等能力下，SiC-MOSFET的芯片尺寸比Si元器件的小，因此柵極電容小，但內(nèi)部柵極電阻增大。例如，1200V 80mΩ產(chǎn)品（S2301為裸芯片
2018-11-30 11:34:24
Si-MOSFET大得多。而在給柵極-源極間施加18V電壓、SiC-MOSFET導(dǎo)通的條件下，電阻更小的通道部分（而非體二極管部分）流過的電流占支配低位。為方便從結(jié)構(gòu)角度理解各種狀態(tài)，下面還給出了MOSFET的截面圖
2018-11-27 16:40:24
”）應(yīng)用越來越廣泛。關(guān)于SiC-MOSFET，這里給出了DMOS結(jié)構(gòu)，不過目前ROHM已經(jīng)開始量產(chǎn)特性更優(yōu)異的溝槽式結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET。具體情況計(jì)劃后續(xù)進(jìn)行介紹。在特征方面，Si-DMOS存在
2018-11-30 11:35:30
另一方面，按照現(xiàn)在的技術(shù)水平，SiC-MOSFET的MOS溝道部分的遷移率比較低，所以溝道部的阻抗比Si器件要高。因此，越高的門極電壓，可以得到越低的導(dǎo)通電阻（VCS=20V以上則逐漸飽和）。如果
2019-04-09 04:58:00
本文就SiC-MOSFET的可靠性進(jìn)行說明。這里使用的僅僅是ROHM的SiC-MOSFET產(chǎn)品相關(guān)的信息和數(shù)據(jù)。另外，包括MOSFET在內(nèi)的SiC功率元器件的開發(fā)與發(fā)展日新月異，如果有不明之處或希望
2018-11-30 11:30:41
SiC-MOSFET，還可以從這里了解SiC-SBD、全SiC模塊的應(yīng)用實(shí)例。SiC-MOSFET應(yīng)用實(shí)例1：移相DC/DC轉(zhuǎn)換器下面是演示機(jī)，是與功率Power Assist Technology Ltd.聯(lián)合制
2018-11-27 16:38:39
的穩(wěn)健性、可靠性、高頻應(yīng)用中的瞬時(shí)振蕩以及故障處理等問題。這就需要工程師深入了解SiC MOSFET的工作特征及其對(duì)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的影響。如圖1所示，與同類型的Si MOSFET相比，900V的SiC
2019-07-09 04:20:19
吸收電路參數(shù)之間的關(guān)系，并求解出緩沖吸收電路參數(shù)的優(yōu)化區(qū)間，最后通過仿真和實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證該方法的正確性。1.? SiC-MOSFET 半橋主電路拓?fù)浼捌涞刃щ娐?
雙脈沖電路主電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)（圖 1）包含
2025-04-23 11:25:54
需求。如前所述，考慮到器件的長(zhǎng)期演變，多個(gè)SiC MOSFET供應(yīng)商擁有足夠可靠的器件這一事實(shí)已經(jīng)取得了巨大的進(jìn)步。圖5，經(jīng)YoleDéveloppement的“2016 Power SiC”報(bào)告［13
2023-02-27 13:48:12
MOSFET上進(jìn)行了加速柵極氧化物壽命測(cè)試。兩個(gè)測(cè)試結(jié)果之間的密切一致證實(shí)了SiC MOSFET是可靠的器件，當(dāng)在T = 175°C和V GS = 25V 下工作時(shí)，預(yù)計(jì)壽命超過100年。點(diǎn)擊顯示大圖圖2加速
2019-07-30 15:15:17
另一方面，按照現(xiàn)在的技術(shù)水平，SiC-MOSFET的MOS溝道部分的遷移率比較低，所以溝道部的阻抗比Si器件要高。因此，越高的門極電壓，可以得到越低的導(dǎo)通電阻（VCS=20V以上則逐漸飽和）。如果
2019-05-07 06:21:55
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15:52
載流子器件（肖特基勢(shì)壘二極管和MOSFET）去實(shí)現(xiàn)高耐壓，從而同時(shí)實(shí)現(xiàn) "高耐壓"、"低導(dǎo)通電阻"、"高頻" 這三個(gè)特性。另外，帶隙較寬，是Si的3倍，因此SiC功率器件即使在高溫下也可以穩(wěn)定工作。
2019-07-23 04:20:21
/電子設(shè)備實(shí)現(xiàn)包括消減待機(jī)功耗在內(nèi)的節(jié)能目標(biāo)。在這種背景下，削減功率轉(zhuǎn)換時(shí)產(chǎn)生的能耗是當(dāng)務(wù)之急。不用說，必須將超過Si極限的物質(zhì)應(yīng)用于功率元器件。例如，利用SiC功率元器件可以比IGBT的開關(guān)損耗降低85
2018-11-29 14:35:23
Sic MOSFET 主要優(yōu)勢(shì).更小的尺寸及更輕的系統(tǒng).降低無源器件的尺寸/成本.更高的系統(tǒng)效率.降低的制冷需求和散熱器尺寸Sic MOSFET ，高壓開關(guān)的突破.SCT30N120
2017-07-27 17:50:07
連接步進(jìn)電機(jī)接線方法三張最實(shí)用的步進(jìn)電機(jī)接線圖
2021-02-04 06:32:01
引言：前段時(shí)間，Tesla Model3的拆解分析在行業(yè)內(nèi)確實(shí)很火，現(xiàn)在我們結(jié)合最新的市場(chǎng)進(jìn)展，針對(duì)其中使用的碳化硅SiC器件，來了解一下SiC器件的未來需求。我們從前一段時(shí)間的報(bào)道了解到：目前
2021-09-15 07:42:00
近日，微電子所納米加工與新器件集成技術(shù)研究室（三室）在阻變存儲(chǔ)器研究工作中取得進(jìn)展，并被美國(guó)化學(xué)協(xié)會(huì)ACS Nano雜志在線報(bào)道。 基于二元氧化物材料的電阻式隨機(jī)存儲(chǔ)器（ReRAM）具有低廉的價(jià)格
2010-12-29 15:13:32
半導(dǎo)體的關(guān)鍵特性是能帶隙，能帶動(dòng)電子進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實(shí)現(xiàn)更高功率，更高開關(guān)速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導(dǎo)體。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
LCOS是微電子學(xué)、光學(xué)和視頻顯示技術(shù)相結(jié)合的新技術(shù)。我國(guó)LCOS微顯示芯片的研究始于1998年，南開大學(xué)信息學(xué)院光電子所在教育部和天津市科委的支持下，在國(guó)內(nèi)率先開展了LCOS微顯示器芯片技術(shù)的研究，取得了重大進(jìn)展，自主研制成功我國(guó)第一枚LCOS微顯示芯片。
2019-09-12 09:11:53
基本的軟件參考代碼設(shè)計(jì)。通過結(jié)合Semtech LoRa?器件遠(yuǎn)距離、低功耗、靈敏度高等特點(diǎn)，以及復(fù)旦微電子MCU在表計(jì)、工業(yè)等場(chǎng)景的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)，雙方提供了一個(gè)組網(wǎng)更靈活、現(xiàn)場(chǎng)部署更方便、具有更高
2023-02-13 17:44:32
項(xiàng)目名稱：SiC MOSFET元器件性能研究試用計(jì)劃：申請(qǐng)理由本人在半導(dǎo)體失效分析領(lǐng)域有多年工作經(jīng)驗(yàn)，熟悉MOSET各種性能和應(yīng)用，掌握各種MOSFET的應(yīng)用和失效分析方法，熟悉MOSFET的主要
2020-04-24 18:09:12
是48*0.35 = 16.8V，負(fù)載我們?cè)O(shè)為0.9Ω的阻值，通過下圖來看實(shí)際的輸入和輸出情況：圖4 輸入和輸出通過電子負(fù)載示數(shù)，輸出電流達(dá)到了17A。下面使用示波器測(cè)試SIC-MOSFET管子的相關(guān)
2020-06-10 11:04:53
項(xiàng)目名稱：基于
Sic MOSFET的直流微網(wǎng)雙向DC-DC變換器試用計(jì)劃：申請(qǐng)理由本人在電力
電子領(lǐng)域（數(shù)字電源）有五年多的開發(fā)經(jīng)驗(yàn)，熟悉BUCK、BOOST、移相全橋、LLC和全橋逆變等電路拓?fù)?。?/div>
2020-04-24 18:08:05
;Reliability (可靠性) " ，始終堅(jiān)持“品質(zhì)第一”SiC元器有三個(gè)最重要的特性：第一個(gè)高壓特性，比硅更好一些；而是高頻特性；三是高溫特性。 羅姆第三代溝槽柵型SiC-MOSFET對(duì)應(yīng)
2020-07-16 14:55:31
項(xiàng)目名稱：SiC mosfet 測(cè)試試用計(jì)劃：申請(qǐng)理由：公司開發(fā)雙脈沖測(cè)試儀對(duì)接觸到Sic相關(guān)的資料。想通過此次試用進(jìn)一步了解相關(guān)性能。試用計(jì)劃：1、測(cè)試電源輸入輸出性能。2、使用公司設(shè)備測(cè)試Sic器件相關(guān)參數(shù)。3、編寫測(cè)試報(bào)告。
2020-04-21 15:54:54
）本身化學(xué)性能穩(wěn)定、導(dǎo)熱系數(shù)高、熱膨脹系數(shù)小，因此SiC（碳化硅）器件與傳統(tǒng)的Si（硅）器件相比存在三方面優(yōu)勢(shì)：更高的擊穿電壓強(qiáng)度；更低的損耗；更高的熱導(dǎo)率（當(dāng)然材料成本也高出不少）。這些特性意味著
2020-05-28 22:32:38
要充分認(rèn)識(shí) SiC MOSFET 的功能，一種有用的方法就是將它們與同等的硅器件進(jìn)行比較。SiC 器件可以阻斷的電壓是硅器件的 10 倍，具有更高的電流密度，能夠以 10 倍的更快速度在導(dǎo)通和關(guān)斷
2017-12-18 13:58:36
隨著電力電子技術(shù)的不斷進(jìn)步，碳化硅MOSFET因其高效的開關(guān)特性和低導(dǎo)通損耗而備受青睞，成為高功率、高頻應(yīng)用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分，柵極氧化層對(duì)器件的整體性能和使用壽命
2025-01-04 12:37:34
科技有限公司已可以提供商業(yè)化的SOI材料。在SOI器件和電路研制方面有中國(guó)科學(xué)院微電子研究所、中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第58所、航天時(shí)代集團(tuán)第七七一研究所、中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所等。 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所在
2011-07-06 14:11:29
結(jié)構(gòu)光三維成像方面，DLP LightCrafter 4500 如何連續(xù)投射彩色圖？一般我們生成三張不同相移的灰度圖，然后合成24bit，依次投射灰度圖，但是這樣并不是一張RGB彩色圖的效果。我們希望直接投射出24bit 彩色圖案
2025-02-25 08:23:58
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
雖然電動(dòng)和混合動(dòng)力電動(dòng)汽車（EV]從作為功率控制器件的標(biāo)準(zhǔn)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）到基于碳化硅（SiC）襯底和工藝技術(shù)的FET的轉(zhuǎn)變代表了提高EV的效率和整體系統(tǒng)級(jí)特性的重要步驟
2019-08-11 15:46:45
電子皮膚的觸覺感知、智能機(jī)械手等方面有重要潛在應(yīng)用?！彼f。與此同時(shí)，作為柔性可穿戴電子，器件與柔軟組織間的機(jī)械不匹配是該領(lǐng)域需要解決的關(guān)鍵科學(xué)問題之一。針對(duì)上述關(guān)鍵科學(xué)問題，該團(tuán)隊(duì)研發(fā)了一種具有褶皺核
2018-09-21 11:53:21
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應(yīng)的SiC-MOSFET的相關(guān)信息。獨(dú)有的雙溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中，ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關(guān)注的器件。成果比較突出的就是美國(guó)的Cree公司和日本的ROHM公司。在國(guó)內(nèi)雖有幾家在持續(xù)投入，但還處于開發(fā)階段, 且技術(shù)尚不完全成熟。從國(guó)內(nèi)
2019-09-17 09:05:05
SiCMOSFET具有出色的開關(guān)特性，但由于其開關(guān)過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作-前言”中介
2022-09-20 08:00:00
。這就使得MOSFET在SiC功率電子器件中具有重要的意義。2000年研制了國(guó)內(nèi)第一個(gè)SiCMOSFETt31。器件最大跨導(dǎo)為0.36mS/mm，溝道電子遷移率僅為14cm2/(V·s)。反型層遷移率低
2017-06-16 10:37:22
SiC-MOSFET用作開關(guān)而專門設(shè)計(jì)的電源用IC。這意味著SiC-MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)與Si-MOSFET是不同的。您可能馬上會(huì)問“有什么不同呢？”，在介紹電源IC之前，先來了解一下SiC-MOSFET
2018-11-27 16:54:24
的兩種SiC功率MOSFET，電流強(qiáng)度為45A，輸出電阻小于100微歐姆。這些元件將采用HiP247新型封裝，該封裝是專為SiC功率元件而設(shè)計(jì)，以提升其散熱性能。SiC的導(dǎo)熱率是矽的三倍。以意法半導(dǎo)體
2019-06-27 04:20:26
微電子器件應(yīng)用中的幾個(gè)重要問題西安微電子技術(shù)研究所李志鑫（710054）摘 要 本文報(bào)道了半導(dǎo)體分立器件和集成電路應(yīng)用尤其是航天型號(hào)產(chǎn)品應(yīng)用中暴露
2009-08-27 18:58:21
11 微電子所硅器件與集成技術(shù)研究室成功研制出基于硅基液晶(LiquidCrystalonSilicon，LCoS)微顯示芯片
2011-12-09 09:05:141278 由中科院微電子研究所系統(tǒng)封裝技術(shù)研究室牽頭承擔(dān)的“高密度三維系統(tǒng)級(jí)封裝的關(guān)鍵技術(shù)研究”重大專項(xiàng)取得新進(jìn)展。
2011-12-16 09:04:361062 近日，微電子所系統(tǒng)封裝研究室（九室），在多芯片封裝研究上取得突破。該芯片在產(chǎn)業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域意義重大。電力的應(yīng)用正在朝多元化發(fā)展，電表集成模塊的數(shù)字化、智能化和多功能化
2012-03-08 09:17:301188 日前，中科院微電子研究所納米加工與新器件集成技術(shù)研究室(三室)在阻變存儲(chǔ)器微觀機(jī)制研究中取得系列進(jìn)展。
2012-04-13 09:31:301483 中科院微電子研究所微波器件與集成電路研究室（四室）超高速電路課題組在超高速ADC/DAC芯片研制上取得突破性進(jìn)展，成功研制出8GS/s 4bit ADC和10GS/s 8bit DAC芯片
2012-04-26 08:55:204232 
中國(guó)科學(xué)院微電子研究所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心在22納米 CMOS關(guān)鍵技術(shù)先導(dǎo)研發(fā)上取得突破性進(jìn)展
2012-12-11 11:31:033377 近日，北京航空航天大學(xué)與微電子所聯(lián)合成功制備國(guó)內(nèi)首個(gè)80納米自旋轉(zhuǎn)移矩磁隨機(jī)存儲(chǔ)器芯片(STT-MRAM)器件。STT-MRAM是一種極具應(yīng)用潛力的下一代新型存儲(chǔ)器解決方案。
2017-05-09 01:07:311725 
基于微電子器件應(yīng)用中的幾個(gè)重要問題
2017-10-18 08:37:5821 近日，中科院微電子研究所微波器件與集成電路研究室（四室）碳化硅電力電子器件研究團(tuán)隊(duì)在SiC MOSFET器件研制方面取得重要進(jìn)展，成功研制出1200V/15A、1700V/8A SiC MOSFET
2017-11-08 15:14:3637 取得了系列科研進(jìn)展。 微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）是指利用微納加工技術(shù)制作的、同時(shí)具有機(jī)械組元和電子組元的小型化器件或系統(tǒng)。
2017-12-10 11:09:011216 受到國(guó)際多家研發(fā)機(jī)構(gòu)的高度關(guān)注。
2019-05-15 14:43:324904 近日，2019 Symposia on VLSI Technology and Circuits（簡(jiǎn)稱VLSI國(guó)際研討會(huì)）在日本召開。微電子所劉明院士科研團(tuán)隊(duì)在會(huì)上展示了高性能選通管的最新研究進(jìn)展。
2019-06-26 15:58:495266 自第一個(gè)加密貨幣交易平臺(tái)推出以來的近十年中，在開發(fā)工具和功能方面取得了巨大進(jìn)展，這些工具和功能使交易更安全，更簡(jiǎn)單，更有利可圖。
2019-12-17 08:50:37598 中科院微電子所副總工程師梁利平研究員表示：“小基站在5G商用和下一步網(wǎng)絡(luò)建設(shè)中正在扮演著越來越重要的角色，同時(shí)其產(chǎn)業(yè)化也離不開新一代芯片和器件的支持。
2020-07-08 14:25:152367 近年來，寬禁帶半導(dǎo)體SiC器件得到了廣泛重視與發(fā)展。SiC MOSFET與Si MOSFET在特定的工作條件下會(huì)表現(xiàn)出不同的特性，其中重要的一條是SiC MOSFET在長(zhǎng)期的門極電應(yīng)力下會(huì)產(chǎn)生閾值漂移現(xiàn)象。本文闡述了如何通過調(diào)整門極驅(qū)動(dòng)負(fù)壓，來限制SiC MOSFET閾值漂移的方法。
2020-07-20 08:00:006 三張圖 在Xilinx官網(wǎng)找資料無意中在應(yīng)用AI推斷加速中看到了下面三張圖，頓覺眾里尋他千百度,驀然回首,那人卻在燈火闌珊處的意思了。三張圖非常通俗易懂的介紹了FPGA/ACAP這樣的體系結(jié)構(gòu)在AI
2020-12-04 15:37:311852 本期分享的科研成果為蘇州納米所孫錢團(tuán)隊(duì)九月底于功率半導(dǎo)體頂級(jí)學(xué)術(shù)會(huì)議IEEE ISPSD發(fā)布的最新技術(shù)成果，其團(tuán)隊(duì)在器件制備、器件可靠性測(cè)試分析和器件制造方面取得重大進(jìn)展，有助于在高性能MIS（金屬
2020-10-25 10:19:493175 
很多小伙伴剛接觸步進(jìn)電機(jī)，步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，很有可能對(duì)于步進(jìn)電機(jī)接線方法和步進(jìn)電機(jī)接線圖弄不明白，所以可能無從下手。下面這篇文章讓您快速掌握步進(jìn)電機(jī)的接線方法，三張實(shí)用的步進(jìn)電機(jī)接線圖教你快速解決。
2021-02-24 07:18:3623 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供三張圖搞懂三極管的三種狀態(tài)資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計(jì)、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-06 08:52:4816 我們國(guó)家在3D打印技術(shù)方面是一直有研究的。就在近日，山東省增材制造工程技術(shù)研究中心蘭紅波教授團(tuán)隊(duì)在電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)噴射微3D打印及應(yīng)用研究方面取得重要進(jìn)展，相關(guān)研究成果發(fā)表在《Advanced Materials》（SCI影響因子：27.398）上。
2021-04-23 15:28:441345 在開關(guān)頻率、散熱、耐壓、功率密度方面優(yōu)勢(shì)更為凸顯。 下文主要對(duì)國(guó)產(chǎn)SiC MOSFET進(jìn)行介紹并與國(guó)外相近參數(shù)的主流產(chǎn)品相對(duì)比。 國(guó)產(chǎn)1700V SiC MOSFET 派恩杰2018年開始專注于第三代半導(dǎo)體SiC、GaN的功率器件的研究。公司成立半年后就研制出了首款650V GaN功率器件，在基于
2021-09-16 11:05:375747 近日中科院微電子所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心在STT-MRAM器件與集成技術(shù)研究領(lǐng)域取得了階段性進(jìn)展。
2022-01-26 19:41:352 技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室與北京大學(xué)教授張志勇、中科院國(guó)家空間科學(xué)中心副研究員陳睿合作，研制出基于局域底柵的碳納米管晶體管和靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，并系統(tǒng)研究了碳納米管器件與電路的綜合抗輻射能力（圖1）。研究顯示，局域底柵碳納米
2022-12-02 16:49:283883 針對(duì)此問題，微電子所劉明院士團(tuán)隊(duì)制備了基于p型和n型有機(jī)分子構(gòu)成的單晶電荷轉(zhuǎn)移界面的晶體管器件，探究了電荷轉(zhuǎn)移界面以及柵氧界面電場(chǎng)的相互作用對(duì)晶體管工作時(shí)載流子及電導(dǎo)分布特性的影響。
2023-01-13 15:19:381088 引言：前段時(shí)間，Tesla Model3的拆解分析在行業(yè)內(nèi)確實(shí)很火，現(xiàn)在我們結(jié)合最新的市場(chǎng)進(jìn)展，針對(duì)其中使用的碳化硅SiC器件，來了解一下SiC器件的未來需求。 ? 我們從前一段時(shí)間的報(bào)道了解到
2023-02-20 15:56:442 驅(qū)動(dòng)芯片，需要考慮如下幾個(gè)方面： 驅(qū)動(dòng)電平與驅(qū)動(dòng)電流的要求首先，由于SiC MOSFET器件需要工作在高頻開關(guān)場(chǎng)合，其面對(duì)的由于寄生參數(shù)所帶來的影響更加顯著。由于SiC MOSFET本身柵極開啟電壓較
2023-02-27 14:42:0483 拓?fù)浞磋F磁材料(如典型代表Mn3Sn)集合了常規(guī)反鐵磁體中零雜散場(chǎng)和超快自旋動(dòng)力學(xué)特征、以及拓?fù)洳牧现蟹瞧接雇負(fù)淠軒дT導(dǎo)的大磁輸運(yùn)特性等優(yōu)勢(shì)，為反鐵磁自旋信息器件的實(shí)際應(yīng)用提供了非?？尚械慕鉀Q方案。
2023-05-18 11:17:452152 
傳感新品 【中科院微電子所：在表面等離激元光纖生化傳感器方面取得重要進(jìn)展】 表面等離激元共振（SPR）光纖生化傳感器因其體積小、抗干擾、高靈敏度、無標(biāo)記、可實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)端檢測(cè)等優(yōu)勢(shì)，在生化傳感、即時(shí)現(xiàn)場(chǎng)
2023-06-02 08:39:431593 
中國(guó)科學(xué)院微電子研究所硅光子平臺(tái)基于微電子所先導(dǎo)中心成熟的8英寸CMOS工藝線，該CMOS工藝線支撐開發(fā)了成套硅光工藝和器件，制定了設(shè)計(jì)規(guī)則和工藝規(guī)范，并形成了PDK。
2023-06-07 14:38:032259 
傳感新品 【中科院微電子所：在納米森林柔性濕度傳感器及其應(yīng)用研究方面取得新進(jìn)展】 目前，各種電氣設(shè)備和系統(tǒng)，從照明開關(guān)到公共場(chǎng)所的電梯或銀行提款機(jī)，其控制與操作一般采用觸摸方式完成，然而，這種傳統(tǒng)
2023-06-30 08:47:421509 
首先，是一張制造測(cè)試完成了的SiC MOSFET的晶圓(wafer)。
2023-08-06 10:49:072959 
、大電流、低頻應(yīng)用。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開關(guān)性能優(yōu)勢(shì)。它是電壓控制的場(chǎng)效應(yīng)器件，能夠像
2023-10-18 16:05:022428 了解SiC器件的命名規(guī)則
2023-11-27 17:14:491932 
怎么提高SIC MOSFET的動(dòng)態(tài)響應(yīng)？ 提高SIC MOSFET的動(dòng)態(tài)響應(yīng)是一個(gè)復(fù)雜的問題，涉及到多個(gè)方面的考慮和優(yōu)化。在本文中，我們將詳細(xì)討論如何提高SIC MOSFET的動(dòng)態(tài)響應(yīng)，并提供一些
2023-12-21 11:15:521413 近日，西安電子科技大學(xué)郝躍院士團(tuán)隊(duì)劉艷教授和羅拯東副教授在超陡垂直晶體管器件研究方面取得重要進(jìn)展，相
2024-02-20 18:22:201617 
近日，中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所異質(zhì)集成XOI團(tuán)隊(duì)，在通訊波段硅基磷化銦異質(zhì)集成激光器方面取得了重要進(jìn)展。
2024-03-15 09:44:481776 
IGBT的驅(qū)動(dòng)電壓一般都是15V，而SiC MOSFET的推薦驅(qū)動(dòng)電壓各品牌并不一致，15V、18V、20V都有廠家在用。更高的門極驅(qū)動(dòng)電壓有助于降低器件導(dǎo)通損耗，SiC MOSFET的導(dǎo)通壓降對(duì)門
2024-05-13 16:10:171487 SiC MOSFET（碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）和SiC SBD（碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管）是兩種基于碳化硅（SiC）材料的功率半導(dǎo)體器件，它們?cè)陔娏?b class="flag-6" style="color: red">電子領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。盡管它們都屬于
2024-09-10 15:19:074705 圖1 混沌單光子激光測(cè)量系統(tǒng) 激光探測(cè)感知技術(shù)一直是科技領(lǐng)域的前沿?zé)狳c(diǎn)，在航空航天、智能駕駛等眾多領(lǐng)域有著廣泛而重要的應(yīng)用。微電子所以應(yīng)用做牽引，聚焦光子集成激光探感技術(shù)的發(fā)展方向，重點(diǎn)在單光子
2024-10-16 06:30:58892 
碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體材料，因其出色的寬禁帶、高臨界擊穿電場(chǎng)、高電子飽和遷移速率和高導(dǎo)熱率等特性，在新能源、智能電網(wǎng)以及電動(dòng)汽車等多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出廣闊的應(yīng)用前景。其中，溝槽型SiC
2025-02-02 13:49:001996 近期，微電子所智能感知芯片與系統(tǒng)研發(fā)中心喬樹山團(tuán)隊(duì)在超寬帶低噪聲單片集成電路研究方面取得重要進(jìn)展。 微弱信號(hào)處理鏈路對(duì)噪聲極為敏感，低噪聲放大器作為信號(hào)鏈路的關(guān)鍵元器件，決定了微弱信號(hào)的檢測(cè)靈敏度
2025-01-15 09:21:16703 
BASiC國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET分立器件及碳化硅功率SiC模塊介紹
2025-01-16 14:32:042 隨著高性能人工智能算法的快速發(fā)展，芯粒（Chiplet）集成系統(tǒng)憑借其滿足海量數(shù)據(jù)傳輸需求的能力，已成為極具前景的技術(shù)方案。該技術(shù)能夠提供高速互連和大帶寬，減少跨封裝互連，具備低成本、高性能等顯著優(yōu)勢(shì)，獲得廣泛青睞。但芯粒集成中普遍存在供電電流大、散熱困難等問題，導(dǎo)致其面臨嚴(yán)峻的電遷移可靠性挑戰(zhàn)。針對(duì)工藝層次高度復(fù)雜的芯粒集成系統(tǒng)，如何實(shí)現(xiàn)電遷移問題的精確高效仿真，并完成電遷移效應(yīng)與熱效應(yīng)的耦合分析，已成為先
2025-09-01 17:40:02550 
圖1 肘形圖形為目標(biāo)圖形，不同方法得到的全息掩模分布、空間像與光刻膠輪廓 近日，中國(guó)科學(xué)院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所高端光電裝備部李思坤研究員團(tuán)隊(duì)在全息光刻研究方面取得進(jìn)展。相關(guān)成果以
2025-09-19 09:19:56443 
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