為什么3D NAND技術(shù)能占半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)總額的32%？

存儲(chǔ)器是半導(dǎo)體三大支柱產(chǎn)業(yè)之一。據(jù)IC Insights數(shù)據(jù)，2015年半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)總額達(dá)835億美元。各類存儲(chǔ)器中，NAND Flash是一個(gè)亮點(diǎn)。其廣泛應(yīng)用于PC、手機(jī)、服務(wù)器等各類電子產(chǎn)品，2015年?duì)I收達(dá)到267億美元，占半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)總額的32%。

目前的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D，而3D閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來了，理論上可以無線堆疊。

3D NAND技術(shù)與現(xiàn)有的2D NAND（納米制程技術(shù)）截然不同，2D NAND是平面結(jié)構(gòu)而3D NAND是立體結(jié)構(gòu)，3D結(jié)構(gòu)是以垂直半導(dǎo)體通道的方式排列，多層環(huán)繞式柵極（GAA）結(jié)構(gòu)形成多電柵級(jí)存儲(chǔ)器單元晶體管，可以有效的降低堆棧間的干擾。3D NAND閃存也不再是簡(jiǎn)單的平面內(nèi)存堆棧，這只是其中的一種，還有VC垂直通道、VG垂直柵極等兩種結(jié)構(gòu)。

優(yōu)勢(shì)明顯：適應(yīng)小體積、大容量的市場(chǎng)需求

2D NAND工藝逼近物理極限，單位面積存儲(chǔ)容量難以繼續(xù)提高，且可靠性降低，2D NAND向3D NAND轉(zhuǎn)型是業(yè)界趨勢(shì)。目前NAND FLASH的制造技術(shù)達(dá)到16~19納米工藝，已接近極限，進(jìn)一步壓縮尺寸會(huì)帶來極高的成本且導(dǎo)致存儲(chǔ)位不再穩(wěn)定可靠。

表格1.FLASH 原廠納米制程技術(shù)時(shí)程圖

為什么3D NAND技術(shù)能占半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)總額的32%？

近年來，為了適應(yīng)小體積、大容量等市場(chǎng)需求，NAND FLASH制造技術(shù)向3D技術(shù)發(fā)展。3D NAND FLASH通過增加立體硅層的辦法，既提高單位面積存儲(chǔ)密度，又改善存儲(chǔ)單元性能。3D NAND FLASH不僅能夠增加容量，也可以將成本控制在較低水平。3D NAND比20納米級(jí)產(chǎn)品的容量密度高，讀寫速度快，耗電量節(jié)省，采用3D NAND Flash存儲(chǔ)器的固態(tài)硬盤（SSD）其電路板面積也較小。根據(jù)中國(guó)閃存市場(chǎng)網(wǎng)估計(jì)，3D技術(shù)不僅使產(chǎn)品性能至少提升20%，而且功耗可以降低40%以上。根據(jù)三星在SSD峰會(huì)所述，TLC V-NAND閃存相比傳統(tǒng)的平面閃存的密度提升了1倍。

目前3D NAND的堆棧層數(shù)不過32-48層，廠商們還在研發(fā)64層甚至更高層數(shù)的堆棧技術(shù)。2016年開始3D NAND FLASH將逐步對(duì)NAND FLASH進(jìn)行替代。

表格2.目前主流3D NAND芯片堆棧層數(shù)

為什么3D NAND技術(shù)能占半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)總額的32%？

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評(píng)論

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3D XPoint的原理解析 NAND和DRAM為什么拼不過它

3D Xpoint是自 NAND Flash 推出以來，最具突破性的一項(xiàng)存儲(chǔ)技術(shù)。由于具備以下四點(diǎn)優(yōu)勢(shì)，3D Xpoint被看做是存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的一個(gè)顛覆者：（1）比NAND Flash快1000倍

2018-04-19 14:09:00

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三星電子速轉(zhuǎn)向3D NAND 正在向半導(dǎo)體和系統(tǒng)公司靠攏

三星電子內(nèi)存解決方案的需求，隨著內(nèi)存的增加而飆升。目前三星正迅速轉(zhuǎn)向3D NAND，尤其是TLC 3D NAND，于三星半導(dǎo)體是拉動(dòng)三星營(yíng)收和利潤(rùn)的關(guān)鍵，三星正在轉(zhuǎn)向一家半導(dǎo)體和系統(tǒng)公司。

2018-02-07 14:41:52

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長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式裝機(jī):3D NAND量產(chǎn)還有多遠(yuǎn)？

4月11日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)以芯存長(zhǎng)江，智儲(chǔ)未來為主題，慶賀存儲(chǔ)器基地正式移入生產(chǎn)設(shè)備。 2017年9月長(zhǎng)江存儲(chǔ)新建的國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目（一期）一號(hào)生產(chǎn)及動(dòng)力廠房實(shí)現(xiàn)提前封頂，2018年2月份進(jìn)行廠內(nèi)潔凈室裝修和空調(diào)、消防等系統(tǒng)安裝，正是為4月搬入機(jī)臺(tái)設(shè)備而準(zhǔn)備，預(yù)計(jì)很快就可以實(shí)現(xiàn) 3D NAND 量產(chǎn)。

2018-04-15 10:08:00

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NANDFlash、DRAM為存儲(chǔ)器市場(chǎng)主力軍，NORFlash市場(chǎng)小但機(jī)會(huì)大

NAND 存儲(chǔ)器制程轉(zhuǎn)換遭遇瓶頸，采用3D堆疊技術(shù)為主要解決方案。3D產(chǎn)能目前三星投產(chǎn)率、良率最高，其 64 層 3D-NAND 三季度已進(jìn)入量產(chǎn)階段，3D產(chǎn)出占投產(chǎn)量達(dá) 50%，其他廠商亦在Q3

2018-05-06 07:05:00

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在3D NAND新產(chǎn)品技術(shù)進(jìn)入市場(chǎng)之際加快發(fā)展步伐

的平面閃存，3D存儲(chǔ)器的關(guān)鍵技術(shù)是薄膜和刻蝕工藝，技術(shù)工藝差別較大，而且相對(duì)2D NAND來說，國(guó)際大廠在3D存儲(chǔ)器布局方面走得并不遠(yuǎn)。

2018-06-20 17:17:49

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東芝在Q4擴(kuò)大96層3D NAND產(chǎn)品出貨量，各家原廠在96層和QLC技術(shù)上的競(jìng)爭(zhēng)愈發(fā)激烈

隨著原廠3D技術(shù)的快速發(fā)展，2018下半年各家原廠在96層和QLC技術(shù)上競(jìng)爭(zhēng)激烈，其中，三星已在7月份宣布量產(chǎn)96層3D NAND。據(jù)DIGITIMES報(bào)道稱，東芝存儲(chǔ)器（TMC）96層3D NAND將在Q4擴(kuò)大出貨，代表著NAND Flash市場(chǎng)霸主之爭(zhēng)正式拉開序幕。

2018-08-05 11:50:16

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長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層3D NAND芯片專利研發(fā)完成，預(yù)計(jì)明年完成生產(chǎn)線建置

紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)展儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器（NAND Flash）報(bào)捷，已自主開發(fā)完成最先進(jìn)的64層3D NAND芯片專利，預(yù)計(jì)明年完成生產(chǎn)線建置、2020年量產(chǎn)，震撼業(yè)界。

2018-08-13 09:45:00

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長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)布突破性技術(shù)，將大大提升3D NAND的性能

作為NAND行業(yè)的新晉者，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（以下簡(jiǎn)稱：長(zhǎng)江存儲(chǔ)）昨日公開發(fā)布其突破性技術(shù)——Xtacking?。該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能，更高的存儲(chǔ)密度，以及更短的產(chǎn)品上市周期。

2018-08-13 09:54:00

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英特爾與美光64層3D NAND備受關(guān)注，或?qū)⒓せ瓘S爭(zhēng)奪96層3D NAND技術(shù)

，同時(shí)恐激化各家原廠展開96層3D NAND技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)，然而市場(chǎng)更多的是關(guān)心NAND Flash價(jià)格走向?qū)⑷绾巍?/div>

2018-08-22 16:25:46

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旺宏預(yù)計(jì)2019年量產(chǎn)3D NAND，并進(jìn)軍SSD市場(chǎng)

非揮發(fā)性存儲(chǔ)器廠旺宏董事長(zhǎng)吳敏求今日透露，該公司已切入3D NAND Flash開發(fā)，預(yù)計(jì)2018年或2019年量產(chǎn)，并進(jìn)軍固態(tài)硬盤（SSD）市場(chǎng)。

2018-09-17 16:30:30

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半導(dǎo)體行業(yè)3D NAND Flash

，第一個(gè)目標(biāo)就是NAND閃存，而且是直接切入3D NAND閃存，他們的3D NAND技術(shù)來源于飛索半導(dǎo)體（Spansion），而后者又是1993年AMD和富士通把雙方的NOR閃存部門合并而來，后來他們又被賽

2018-10-08 15:52:39

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紫光成都建設(shè)基地，打造12英寸3D NAND存儲(chǔ)器晶圓生產(chǎn)線

根據(jù)紫光官方的消息，10月12日，紫光成都存儲(chǔ)器制造基地項(xiàng)目開工動(dòng)員活動(dòng)在成都雙流自貿(mào)試驗(yàn)區(qū)舉行。官方稱紫光成都存儲(chǔ)器制造基地占地面積約1200畝，將建設(shè)12英寸3D NAND存儲(chǔ)器晶圓生產(chǎn)線，并開展存儲(chǔ)器芯片及模塊、解決方案等關(guān)聯(lián)產(chǎn)品的研發(fā)、制造和銷售。

2018-10-16 15:58:40

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四家存儲(chǔ)器制造商的最新一代3D NAND閃存的技術(shù)和成本分析

技術(shù)確實(shí)降低了每千兆字節(jié)的成本。本報(bào)告展示了目前市場(chǎng)上四家存儲(chǔ)器制造商的最新一代3D NAND閃存的技術(shù)和成本分析。

2018-12-11 09:28:46

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半導(dǎo)體存儲(chǔ)器技術(shù)及發(fā)展趨勢(shì)詳解

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以簡(jiǎn)單分成易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器，易失存儲(chǔ)器在過去的幾十年里沒有特別大的變化，依然是以靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM）、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）為主，非易失存儲(chǔ)器反而不斷有

2019-01-01 08:55:00

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跨界經(jīng)營(yíng) 全新技術(shù)存儲(chǔ)器未來商機(jī)可期

過去存儲(chǔ)器與晶圓代工可以說是“楚河漢界，井水不犯河水”。但在即將來臨的時(shí)代，存儲(chǔ)器業(yè)者覬覦占了全球65%的非存儲(chǔ)器市場(chǎng)，而存儲(chǔ)器技術(shù)從過去的DRAM、3D NAND，正逐漸走向磁阻式存儲(chǔ)器(MRAM)等完全不同模式的新技術(shù)。

2018-12-25 14:39:56

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今年隨存儲(chǔ)器價(jià)格走弱，全球半導(dǎo)體營(yíng)收排名將會(huì)大幅變化

國(guó)際研究暨顧問機(jī)構(gòu)顧能(Gartner)昨(14)日發(fā)布調(diào)查指出，因存儲(chǔ)器市場(chǎng)推升，去年全球半導(dǎo)體營(yíng)收達(dá)4,767億美元，年增13.4%，三大存儲(chǔ)器廠三星、SK海力士及美光成長(zhǎng)強(qiáng)勁是主要推手，其中，存儲(chǔ)器營(yíng)收占比達(dá)34.8%。

2019-01-26 10:53:23

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3D傳感器巨頭艾邁斯半導(dǎo)體看好汽車、工業(yè)和音頻等新興市場(chǎng)

3D傳感器巨頭艾邁斯半導(dǎo)體看好汽車、工業(yè)和音頻等新興市場(chǎng)

2019-07-02 15:25:16

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SK海力士積極削減 3D NAND產(chǎn)能,閃存市場(chǎng)再迎曙光?

由于 3D NAND 存儲(chǔ)器市場(chǎng)出現(xiàn)了供過于求的現(xiàn)象，制造商們不得不減產(chǎn)以穩(wěn)定價(jià)格。

2019-07-30 14:29:39

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東芝存儲(chǔ)器最新發(fā)布XL-Flash技術(shù)

據(jù)外媒報(bào)道，東芝存儲(chǔ)器美國(guó)子公司宣布推出一種新的存儲(chǔ)器（Storage Class Memory）解決方案：XL-Flash，該技術(shù)是基于創(chuàng)新的Bics Flash 3D NAND技術(shù)和SLC。

2019-09-04 16:41:32

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基于Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND存儲(chǔ)器

長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技（YMTC）本周早些時(shí)候表示，已經(jīng)開始批量生產(chǎn)采用專有Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND存儲(chǔ)器。

2019-09-09 10:22:16

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存儲(chǔ)器將與晶圓代工跨界經(jīng)營(yíng)全新存儲(chǔ)器

2019-09-10 15:24:41

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紫光旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)的64層3D NAND閃存芯片首次公開亮相

據(jù)悉，長(zhǎng)江存儲(chǔ)是紫光集團(tuán)收購(gòu)武漢新芯科技之后成立的，于2016年7月在中國(guó)武漢成立，是一家專注于3D NAND閃存芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷售的IDM存儲(chǔ)器公司。

2019-10-01 17:23:00

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英特爾重返存儲(chǔ)器市場(chǎng)推出新一代存儲(chǔ)器半導(dǎo)體

全球第一的非存儲(chǔ)器半導(dǎo)體企業(yè)英特爾在韓國(guó)推出新一代存儲(chǔ)器半導(dǎo)體，外界解讀，英特爾選在存儲(chǔ)器半導(dǎo)體強(qiáng)國(guó)發(fā)表新產(chǎn)品，是在向全球前兩大存儲(chǔ)器半導(dǎo)體企業(yè)三星電子、SK海力士宣戰(zhàn)。

2019-09-27 17:20:14

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長(zhǎng)江存儲(chǔ)向存儲(chǔ)巨頭們發(fā)起挑戰(zhàn)，3D NAND實(shí)現(xiàn)突破性的創(chuàng)新

長(zhǎng)江存儲(chǔ)打破全球3D NAND技術(shù)壟斷，作為國(guó)家重點(diǎn)打造的存儲(chǔ)器大項(xiàng)目，經(jīng)歷多年的研發(fā)，終于走向市場(chǎng)正式向存儲(chǔ)巨頭們挑戰(zhàn)。

2019-11-29 15:39:05

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鎧俠展望3D XPoint前景，3D NAND技術(shù)成熟占據(jù)主導(dǎo)

未來十年，存儲(chǔ)市場(chǎng)仍將繼續(xù)追求存儲(chǔ)的密度、速度和需求的平衡點(diǎn)。盡管各個(gè)廠家的技術(shù)側(cè)重點(diǎn)不盡相同，但鎧俠（原東芝存儲(chǔ)器）對(duì) 3D XPoint 之類的堆疊類存儲(chǔ)方案的前景并不看好。

2020-01-02 16:02:11

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美光即將量產(chǎn)第四代3D NAND存儲(chǔ)器層數(shù)達(dá)到128層

美光在二季度財(cái)報(bào)電話會(huì)議上透露，該公司即將開始基于全新 RG 架構(gòu)的第四代 3D NAND 存儲(chǔ)器的量產(chǎn)工作。按照計(jì)劃，美光將于 2020 Q3 采集開始生產(chǎn)，并于 Q4 像商業(yè)客戶發(fā)貨。作為這家硬件制造商的一次重大技術(shù)轉(zhuǎn)型，第四代 3D NAND 存儲(chǔ)器的層數(shù)達(dá)到了 128 層。

2020-04-02 11:26:52

2011

長(zhǎng)江存儲(chǔ)表示128層3D NAND技術(shù)會(huì)按計(jì)劃推出

據(jù)證券時(shí)報(bào)消息，長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧在接受采訪時(shí)談及了該公司最先進(jìn)的128層3D NAND技術(shù)的研發(fā)進(jìn)度。楊士寧表示，128層3D NAND技術(shù)研發(fā)進(jìn)度短期確實(shí)會(huì)有所波及。但目前長(zhǎng)江存儲(chǔ)已實(shí)現(xiàn)全員復(fù)工，從中長(zhǎng)期來看，這次疫情并不會(huì)影響總體進(jìn)度。128層技術(shù)會(huì)按計(jì)劃在2020年推出。

2020-04-08 15:09:15

2895

群聯(lián)全系列控制芯片支持長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND

閃存控制芯片及儲(chǔ)存解決方案整合服務(wù)領(lǐng)導(dǎo)廠商群聯(lián)電子（PHISON; TPEx:8299）與長(zhǎng)江存儲(chǔ)自2016年開始接洽合作，從最早期的32層 3D NAND導(dǎo)入驗(yàn)證群聯(lián)eMMC控制芯片PS8226，至近期的64層3D NAND，群聯(lián)全系列的NAND控制芯片均有支持且已進(jìn)入量產(chǎn)階段。

2020-05-07 14:48:09

1627

半導(dǎo)體SRAM存儲(chǔ)器綜述

的密度一般比DRAM要落后一代。然而SRAM具有的低功耗和高性能的特點(diǎn)，使它們成為了DRAM的實(shí)際替代者?，F(xiàn)今大量用于商品的SRAM使用NMOS和PMOS技術(shù)制造（或者兩種技術(shù)的結(jié)合，稱為混合MOS）。 1995年半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的銷售額占總IC市場(chǎng)的42%，但是隨著1995年的

2020-05-19 09:27:54

3009

慧榮科技宣布全系列主控芯片全面支持長(zhǎng)江存儲(chǔ)Xtacking 3D NAND

2020-09-11 11:12:16

2690

美光發(fā)布176層3D NAND閃存

存儲(chǔ)器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計(jì)通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu)，可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計(jì)算以及智能手機(jī)存儲(chǔ)

2020-11-12 16:02:55

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3D NAND閃存技術(shù)未來發(fā)展趨勢(shì)分析

日前，TechInsights高級(jí)技術(shù)研究員Joengdong Choe在2020年閃存峰會(huì)上作了兩次演講，詳細(xì)介紹了3D NAND和其他新興存儲(chǔ)器的未來。

2020-11-19 16:11:18

3722

未來的3D NAND將如何發(fā)展？

NAND 非易失性閃存存儲(chǔ)器作為存儲(chǔ)行業(yè)的突破性革新已有多年發(fā)展歷史，隨著 2D NAND 容量達(dá)到極限，以及晶體管越來越小，NAND 的編程時(shí)間變長(zhǎng)，擦寫次數(shù)變少，能夠?qū)?nèi)存顆粒堆疊起來的 3D

2020-11-20 16:07:13

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未來的3D NAND將如何發(fā)展？如何正確判斷一款3D NAND的總體效率？

上，TechInsights 高級(jí)技術(shù)研究員 Joengdong Choe 發(fā)表了相關(guān)演講，詳細(xì)介紹了 3D NAND 和其他新興存儲(chǔ)器的未來。TechInsights 是一家對(duì)包括閃存在內(nèi)的半導(dǎo)體產(chǎn)品分析公司

2020-11-20 17:15:44

4306

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器有哪些類型

2020-12-06 17:54:00

17128

不要過于關(guān)注3D NAND閃存層數(shù)

? ? NAND非易失性閃存存儲(chǔ)器作為存儲(chǔ)行業(yè)的突破性革新已有多年發(fā)展歷史，隨著2D NAND容量達(dá)到極限，以及晶體管越來越小，NAND的編程時(shí)間變長(zhǎng)，擦寫次數(shù)變少，能夠?qū)?nèi)存顆粒堆疊起來的3D

2020-12-09 10:35:49

3617

3D NAND技術(shù)堆疊將走向何方?

發(fā)展至今，NAND Flash已呈現(xiàn)白熱化階段。就在前不久，存儲(chǔ)廠商們還在128層“閃存高臺(tái)上觀景”，2019年6月SK海力士發(fā)布128層TLC 3D NAND；美光于2019年10月流片出樣128

2020-12-09 14:55:37

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半導(dǎo)體存儲(chǔ)器及其測(cè)試

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器及其測(cè)試說明。

2021-03-19 16:11:48

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器及其測(cè)試.pdf

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器及其測(cè)試.pdf(匯編語言嵌入式開發(fā))-半導(dǎo)體存儲(chǔ)器及其測(cè)試.pdf半導(dǎo)體存儲(chǔ)器及其測(cè)試.pdf

2021-07-30 09:39:30

存儲(chǔ)器迎來怎樣的2023？

NAND Flash。2007年，東芝推出3D NAND，三星也在2012年發(fā)布其第一代3D NAND。NAND Flash 技術(shù)幾十年發(fā)展保留了相同的概念、堆疊（stack）和架構(gòu)，存儲(chǔ)密度隨時(shí)間呈指數(shù)

2022-11-25 14:57:35

2730

技術(shù)前沿：半導(dǎo)體存儲(chǔ)器

按照存儲(chǔ)介質(zhì)的不同，現(xiàn)代數(shù)字存儲(chǔ)主要分為光學(xué)存儲(chǔ)器、磁性存儲(chǔ)器和半導(dǎo)體存儲(chǔ)器三類。光學(xué)存儲(chǔ)器包括 CD、DVD 等。磁性存儲(chǔ)器包含磁帶、軟盤、HDD 硬盤等。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是目前存儲(chǔ)領(lǐng)域市場(chǎng)規(guī)模最大

2022-12-01 10:18:33

3782

DRAM和NAND預(yù)計(jì)將占汽車內(nèi)存收入的近90%

2021 年，獨(dú)立內(nèi)存市場(chǎng)規(guī)模高達(dá)1670億美元。占整個(gè)半導(dǎo)體市場(chǎng)的 28%。相比之下，汽車存儲(chǔ)器市場(chǎng)（2021 年為 43億美元）占全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)收入的 2.6%，占汽車半導(dǎo)體的 10%——表明非存儲(chǔ)器電子元件在當(dāng)前車輛中的普及。

2022-12-02 11:19:05

1391

什么是3D NAND閃存？

我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來了，理論上可以無線堆疊。

2023-03-30 14:02:39

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淺談400層以上堆疊的3D NAND的技術(shù)

3D NAND閃存是一種把內(nèi)存顆粒堆疊在一起解決2D或平面NAND閃存限制的技術(shù)。這種技術(shù)垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元，具備卓越的精度，可支持在更小的空間內(nèi)，容納更高的存儲(chǔ)容量，從而有效節(jié)約成本、降低能耗，以及大幅度地提升性能。

2023-06-15 09:37:56

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半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的介紹與分類

何謂半導(dǎo)體存儲(chǔ)器？ 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是指通過對(duì)半導(dǎo)體電路加以電氣控制，使其具備數(shù)據(jù)存儲(chǔ)保持功能的半導(dǎo)體電路裝置。與磁盤和光盤裝置等相比，具有數(shù)據(jù)讀寫快 存儲(chǔ)密度高耗電量少耐震等特點(diǎn)。關(guān)閉電源

2023-07-12 17:01:13

2304

三星將于2024年量產(chǎn)超300層3D NAND芯片

　最近，三星集團(tuán)援引業(yè)界有關(guān)負(fù)責(zé)人的話表示，計(jì)劃到2024年批量生產(chǎn)300段以上的第9代3d nand。預(yù)計(jì)將采用將nand存儲(chǔ)器制作成兩個(gè)獨(dú)立的程序之后，將其一起組裝的dual stack技術(shù)。三星將于2020年從第7代176段3d nand開始首次使用雙線程技術(shù)。

2023-08-18 11:09:05

2015

東京電子3D NAND蝕刻新技術(shù)或挑戰(zhàn)泛林市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)地位

據(jù)悉，東京電子新技術(shù)的目標(biāo)是能夠長(zhǎng)時(shí)間儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的3d nand閃存。該公司開發(fā)了一種新的通道孔蝕刻方法，該方法是將垂直孔快速深插入存儲(chǔ)單元。3D nand的存儲(chǔ)器容量可以通過將存儲(chǔ)器單元層垂直堆積來增加，如果層數(shù)增加，就需要性能更高的裝置。

2023-10-16 14:39:49

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半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的介紹與分類

2023-11-15 10:20:01

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半導(dǎo)體存儲(chǔ)器有哪些半導(dǎo)體存儲(chǔ)器分為哪兩種

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器（Semiconductor Memory）是一種電子元件，用于存儲(chǔ)和檢索數(shù)據(jù)。它由半導(dǎo)體材料制成，采用了半導(dǎo)體技術(shù)，是計(jì)算機(jī)和電子設(shè)備中最常用的存儲(chǔ)器。 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以分為兩種

2024-02-01 17:19:05

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有了2D NAND，為什么要升級(jí)到3D呢？

2D NAND和3D NAND都是非易失性存儲(chǔ)技術(shù)（NVM Non-VolatileMemory），屬于Memory（存儲(chǔ)器）的一種。

2024-03-17 15:31:39

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半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的基本結(jié)構(gòu)和特點(diǎn)

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，又稱為半導(dǎo)體內(nèi)存，是一種基于半導(dǎo)體技術(shù)制造的電子器件，用于讀取和存儲(chǔ)數(shù)字信息。這種存儲(chǔ)器在現(xiàn)代計(jì)算機(jī)和其他電子設(shè)備中扮演著至關(guān)重要的角色，是數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和處理的核心部件之一。以下是對(duì)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的基本結(jié)構(gòu)、特點(diǎn)以及詳細(xì)介紹的詳細(xì)闡述。

2024-08-10 16:40:10

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半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的基本結(jié)構(gòu)和分類

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，又稱為半導(dǎo)體內(nèi)存，是一種基于半導(dǎo)體技術(shù)制造的電子器件，用于讀取和存儲(chǔ)數(shù)字信息。這種存儲(chǔ)器在現(xiàn)代計(jì)算機(jī)和其他電子設(shè)備中扮演著至關(guān)重要的角色，是數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和處理的核心部件之一。以下是對(duì)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的詳細(xì)介紹，包括其基本結(jié)構(gòu)、分類、特點(diǎn)、技術(shù)指標(biāo)以及發(fā)展趨勢(shì)。

2024-08-20 09:34:38

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首次亮相！長(zhǎng)江存儲(chǔ)128 層3D NAND 現(xiàn)身CITE 2020

在CITE 2020上，紫光集團(tuán)帶來了大量產(chǎn)品，其中包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)的128層QLC三維閃存和新華三半導(dǎo)體高端路由器芯片EasyCore等。作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存，長(zhǎng)江存儲(chǔ)X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。

2020-08-15 09:32:14

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