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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備，在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃到2021年下半年將存儲(chǔ)芯片的月產(chǎn)量提高一倍

兩名知情人士表示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃到2021年下半年將存儲(chǔ)芯片的月產(chǎn)量提高一倍，至10萬片晶圓，約占全球總產(chǎn)量的7%。這將有助于該公司縮小與全球先進(jìn)制造商之...

2021-02-01 標(biāo)簽：NAND SSD 長(zhǎng)江存儲(chǔ) 1.1萬 0

NAND閃存顆粒的組成

手機(jī)越用越慢，排除各類軟件后臺(tái)等因素，手機(jī)存儲(chǔ)也會(huì)影響手機(jī)運(yùn)行速度，特別是在可用空間較少的時(shí)候。

2021-01-29 標(biāo)簽：閃存 NAND NAND閃存 1.0萬 0

鎧俠PCIe 4.0 XG8：支持PCIe 4.0的控制器

從基礎(chǔ)開始，XG8是具有PCIe 4.0 x4連接的M.2 2280外形SSD。鎧俠正在使用他們的第五代112層BiCS5 NAND，容量從512GB到...

2022-06-06 標(biāo)簽：控制器 NAND SSD 1.0萬 0

寶存科技推出最新一代G5i系列產(chǎn)品單卡最大容量達(dá)32TB

上海寶存信息科技有限公司 (Shannon Systems) 推出全新升級(jí)款 G5i 系列 "Shannon Direct-IO PCIe Flash"...

2018-08-25 標(biāo)簽：芯片 NAND 1.0萬 0

三星/SK海力士實(shí)力大分析，國內(nèi)內(nèi)存公司應(yīng)如何去競(jìng)爭(zhēng)？

之前的DRAM市場(chǎng)以PC為中心，但是現(xiàn)在，它的需求不僅來自PC，還來自移動(dòng)設(shè)備和服務(wù)器等其他應(yīng)用。只不過，所有的半導(dǎo)體器件（不只是DRAM）都是周期性的...

2018-08-12 標(biāo)簽：nand 三星電子 sk海力士 1.0萬 0

解說DRAM、邏輯器件和NAND這三大尖端產(chǎn)品

影響DRAM工藝縮減的主要問題是電容。為了可靠地存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，電容需要大于一定的閾值。要繼續(xù)制造出占用面積更小的電容，可以把電容做得更高，薄膜更薄，或者增加...

2018-04-16 標(biāo)簽：DRAM NAND 邏輯器件 1.0萬 0

長(zhǎng)江存儲(chǔ)喜迎第一臺(tái)EUV極紫外光刻機(jī)：國產(chǎn)SSD固態(tài)硬盤將迎來重大突破

? 前些天，新聞曝光的中芯國際花了1．2億美元從荷蘭ASML買來一臺(tái)EUV極紫外光刻機(jī)，未來可用于生產(chǎn)7nm工藝芯片，而根據(jù)最新消息稱，長(zhǎng)江存儲(chǔ)也迎來了...

2018-06-29 標(biāo)簽：NAND SSD 長(zhǎng)江存儲(chǔ) 1.0萬 0

2018年DRAM市場(chǎng)整體規(guī)模將會(huì)達(dá)到996億美元

DRAM市場(chǎng)整體規(guī)模將會(huì)達(dá)到996億美元，比NAND閃存市場(chǎng)621億美元還高出375億美元，將成為IC行業(yè)最大的單一產(chǎn)品類別。從圖表中就可以看出，在過去...

2018-03-23 標(biāo)簽：DRAM NAND 存儲(chǔ)器 1.0萬 0

長(zhǎng)江存儲(chǔ)二期開建產(chǎn)能規(guī)劃月20萬片三星致力于提升NAND 生產(chǎn)良率

編者按：在存儲(chǔ)產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)中，三星已經(jīng)在制程和產(chǎn)能上領(lǐng)先，三星最新成立芯片專家組，以提高閃存芯片的生產(chǎn)良率。最新報(bào)道，中國長(zhǎng)江存儲(chǔ)二期正式開建，國家存儲(chǔ)器基...

2020-06-22 標(biāo)簽：NAND 三星電子長(zhǎng)江存儲(chǔ) 9.8k 0

3D NAND技術(shù)的應(yīng)用發(fā)展趨勢(shì)

在價(jià)格和競(jìng)爭(zhēng)壓力期間，3D NAND供應(yīng)商正準(zhǔn)備迎接新的戰(zhàn)斗，相互競(jìng)爭(zhēng)下一代技術(shù)。

2018-08-27 標(biāo)簽：nand 3d 晶圓 9.8k 0

DRAM，NAND閃存價(jià)格分別下降11%，21% SK海力士預(yù)計(jì)今年設(shè)備投資削減40%

去年，SK海力士設(shè)備總投資達(dá)17萬億韓元（約合151億美元），預(yù)計(jì)2019年設(shè)備投資與去年相比減少40％。由于中美貿(mào)易爭(zhēng)端和全球IT行業(yè)放緩的影響，今...

2019-01-27 標(biāo)簽：DRAM NAND SK海力士 9.7k 0

2018年時(shí)間已過半，世界存儲(chǔ)器市場(chǎng)發(fā)展如何呢？

2018年上半年，世界存儲(chǔ)器市場(chǎng)營銷額為808.03億美元，其中：DRAM營收額為487.67億美元，占到存儲(chǔ)器市場(chǎng)總值的60.4%；NAND Flas...

2018-08-21 標(biāo)簽：智能手機(jī)NAND 存儲(chǔ)器 9.7k 0

全球前五大NAND廠商表示，近幾年NAND位出貨量平均增長(zhǎng)速率為40%

用于擴(kuò)充產(chǎn)能的資本支出超出市場(chǎng)實(shí)際需求，毫無疑問，將導(dǎo)致NAND閃存價(jià)格下滑。實(shí)際上，自2018年開始，NAND閃存價(jià)格已現(xiàn)疲弱。而且，價(jià)格走軟有望從2...

2018-07-13 標(biāo)簽：閃存 NAND 美光 9.4k 0

紫光宏茂微電子宣布公司成功實(shí)現(xiàn)大容量企業(yè)級(jí)3D NAND芯片封測(cè)的規(guī)模量產(chǎn)

在2017年年底舉行的第四屆世界互聯(lián)網(wǎng)大會(huì)上透露，紫光集團(tuán)董事長(zhǎng)趙偉國透露，紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)已經(jīng)研發(fā)出了32層64G的完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的3D NAND...

2019-01-15 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)鏈 9.4k 0

預(yù)期提前，鎧俠再次加速，3D NAND準(zhǔn)備沖擊1000層

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃山明）近日，鎧俠再次宣布，將在2027年實(shí)現(xiàn)3D NAND的1000層堆疊，而此前鎧俠計(jì)劃是在2031年批量生產(chǎn)超1000層的3...

2024-06-29 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)器 3d nand 9.2k 0

全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)保持上升趨勢(shì) 2023年將超過2000億美元

全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)于波動(dòng)中保持上升趨勢(shì)，市場(chǎng)規(guī)模從 2005 年的 546 億美元增至 2020 年的 1229 億美元，復(fù)合增速達(dá) 5.6%，IC In...

2022-05-10 標(biāo)簽：智能手機(jī)DRAM Nand 9.1k 0

盤點(diǎn)各國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展策略及思路

后摩爾定律時(shí)代競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)將急遽改變，主要半導(dǎo)體國家紛紛以國家力量與產(chǎn)業(yè)共同制定出因應(yīng)策略。

2018-08-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 DRAM NAND 9.1k 0

全球NAND Flash市場(chǎng)龍頭三星2018年計(jì)劃提升目前64層3D NAND堆疊層數(shù)達(dá)50%以上

未來NAND Flash產(chǎn)品若采用可儲(chǔ)存4位元資料的QLC技術(shù)，可望較TLC技術(shù)多儲(chǔ)存約33%的資料量，不過，隨著每一儲(chǔ)存單元的儲(chǔ)存資料量增加，壽命亦將...

2018-06-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 NAND 三星電子 9.1k 0

長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧：打入華為Mate40、研發(fā)太快要慢一點(diǎn)兒

? ? 長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧：透露3個(gè)觀點(diǎn)！打入華為Mate40、研發(fā)太快要慢一點(diǎn)兒、為賺錢轉(zhuǎn)型生意人！先看視頻：1、長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧：長(zhǎng)江存儲(chǔ)6...

2020-12-09 標(biāo)簽：NAND 華為長(zhǎng)江存儲(chǔ) 9.1k 0

NandFlash基礎(chǔ)知識(shí)和幾類NAND壞塊管理方法

概述 Flash名稱的由來，F(xiàn)lash的擦除操作是以block塊為單位的，與此相對(duì)應(yīng)的是其他很多存儲(chǔ)設(shè)備，是以bit位為最小讀取/寫入的單位，F(xiàn)lash...

2021-01-07 標(biāo)簽：NAND FlaSh Uboot 9k 0

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云儲(chǔ)存

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價(jià)。
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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲(chǔ)存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲(chǔ)的特點(diǎn)。
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲(chǔ)品牌。
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