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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲設(shè)備，在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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日韓的芯片企業(yè)在華為受限后成為大贏家

近日市調(diào)機(jī)構(gòu)IC insights給出的數(shù)據(jù)顯示，預(yù)計(jì)2019年日本、韓國的芯片企業(yè)應(yīng)收大幅增長，而美國幾家芯片企業(yè)的營收出現(xiàn)下滑，顯示出日韓的企業(yè)在華...

2020-11-27 標(biāo)簽：芯片 NAND 華為 2.4k 0

全球NAND Flash三季度閃存市場情況曝光

日前，TrendForce公布了三季度全球NAND Flash閃存市場的主要情況。

2020-11-27 標(biāo)簽：NAND intel 西部數(shù)據(jù) 2.5k 0

2021年全球NAND存儲市場規(guī)模仍會呈增長態(tài)勢

據(jù)報(bào)道，市調(diào)機(jī)構(gòu)Yole Developpement的報(bào)告顯示，雖然存儲市場具有季節(jié)和周期性波動的特性，但全球NAND存儲市場規(guī)模仍會呈增長態(tài)勢，預(yù)計(jì)2...

2020-11-26 標(biāo)簽：NAND 存儲 ASML 3.2k 0

得一微:已處于國產(chǎn)存儲控制芯片的領(lǐng)先地位

2021中國IC風(fēng)云榜“年度新銳公司”征集現(xiàn)已啟動！入圍標(biāo)準(zhǔn)要求為營收過億元的未上市、未進(jìn)入IPO輔導(dǎo)期的半導(dǎo)體行業(yè)優(yōu)秀企業(yè)。評選將由中國半導(dǎo)體投資聯(lián)盟...

2020-11-25 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體 NAND 4.6k 0

中國企業(yè)開始成為存儲市場的新興力量

半導(dǎo)體存儲器是現(xiàn)代以數(shù)據(jù)為中心社會的關(guān)鍵戰(zhàn)略市場，并受到重要的大趨勢的推動，這些大趨勢包括移動性，云計(jì)算，人工智能（AI）和物聯(lián)網(wǎng)（IoT）。NAND（...

2020-11-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 DRAM NAND 3.3k 0

長江存儲科普SSD、3D NAND的發(fā)展史

作為國產(chǎn)存儲行業(yè)的佼佼者，長江存儲近兩年憑借在3D NAND閃存領(lǐng)域的突飛猛進(jìn)，引發(fā)普遍關(guān)注，尤其是獨(dú)創(chuàng)了全新的Xtacking閃存架構(gòu)，最近還打造了首...

2020-11-24 標(biāo)簽：NAND SSD 長江存儲 5.4k 0

初創(chuàng)公司的新X-NAND技術(shù)在芯片級別提高了并行度

在2020年閃存峰會上，一家名為Neo Semiconductor的初創(chuàng)公司因其在閃存方面的創(chuàng)新而獲得了最佳展示獎。該公司表示它可以描述被稱為X-N...

2020-11-23 標(biāo)簽：芯片 NAND 存儲器 2k 0

鎧俠在中國存儲市場的發(fā)展前景如何?

經(jīng)歷2019年寒冬，2020年又遭遇“疫情”嚴(yán)重沖擊，導(dǎo)致手機(jī)市場需求大幅下滑，再加上中美貿(mào)易沖突影響，全球存儲產(chǎn)業(yè)發(fā)展在今年變得詭譎多變。不過，鎧俠對...

2020-11-22 標(biāo)簽：芯片閃存 NAND 3.5k 0

未來的3D NAND將如何發(fā)展？如何正確判斷一款3D NAND的總體效率？

依托于先進(jìn)工藝的 3D NAND，氧化層越來越薄，面臨可靠性和穩(wěn)定性的難題，未來的 3D NAND 將如何發(fā)展？如何正確判斷一款 3D NAND 的總體...

2020-11-20 標(biāo)簽：閃存 NAND 3D 4.5k 0

NAND加速邊緣計(jì)算場景化落地

日前，存儲器廠商美光宣布，其第五代3D?NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計(jì)通過美光全新推出的176層3D?NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu)，可以大幅...

2020-11-20 標(biāo)簽：NAND 存儲器邊緣計(jì)算 2.5k 0

長江存儲 64 層 3D NAND 打入華為 Mate 40 供應(yīng)鏈

IT之家 11 月 20 日消息 2020 年北京微電子國際研討會暨 IC WORLD 學(xué)術(shù)會議本周在京舉行，長江存儲首席執(zhí)行官楊士寧出席發(fā)表講話。楊...

2020-11-20 標(biāo)簽：NAND 華為供應(yīng)鏈 2.1k 0

長江存儲正式推出國產(chǎn)首個(gè)129層 3D NAND閃存

在“2020北京微電子國際研討會暨IC World學(xué)術(shù)會議”上，長江存儲科技有限責(zé)任公司CEO楊士寧發(fā)表了《新形勢下中國芯片制造突圍的新路徑》的主題演講...

2020-11-20 標(biāo)簽：芯片閃存 NAND 2.7k 0

三星西安:全球規(guī)模最大的閃存芯片生產(chǎn)基地

據(jù)報(bào)道，近日，陜西省2020年重點(diǎn)項(xiàng)目觀摩活動舉行。其中，在走進(jìn)西安中，三星12英寸閃存芯片二期項(xiàng)目、西安奕斯偉硅產(chǎn)業(yè)基地一期項(xiàng)目等被提及。

2020-11-19 標(biāo)簽：芯片閃存 NAND 3.9萬 0

3D NAND閃存技術(shù)未來發(fā)展趨勢分析

日前，TechInsights高級技術(shù)研究員Joengdong Choe在2020年閃存峰會上作了兩次演講，詳細(xì)介紹了3D NAND和其他新興存儲器的未來。

2020-11-19 標(biāo)簽：驅(qū)動器 NAND 3D 3.9k 0

紫光國芯宣布推出12nm工藝的GDDR6存儲控制器和物理接口IP

根據(jù)紫光國芯介紹，這個(gè)GDDR6 MC/PHY IP包括一個(gè)可配置的內(nèi)存控制器（MC），其完全符合DFI3.1和AMBA AXI4.0標(biāo)準(zhǔn)，并允許設(shè)計(jì)工...

2020-11-19 標(biāo)簽：NAND 控制器芯片紫光國芯 3k 0

長江存儲推出的創(chuàng)新技術(shù)Xtacking有什么優(yōu)勢?

11月18日報(bào)道今日，在“2020北京微電子國際研討會暨IC WORLD學(xué)術(shù)會議”上，長江存儲科技有限責(zé)任公司CEO楊士寧在發(fā)言中表示，長江存儲推出的...

2020-11-18 標(biāo)簽：集成電路 NAND 存儲 5.2k 0

預(yù)計(jì):2020年底10nm以下的產(chǎn)能將占IC行業(yè)總晶圓產(chǎn)能的10%

芯片的制程越來越先進(jìn)，隨著IC設(shè)計(jì)制造精度的提高，現(xiàn)代已經(jīng)量產(chǎn)的芯片中能在晶圓上雕刻出的電路之間的間距越來越短，但帶來的問題是，隨著芯片工藝水平的提升，...

2020-11-18 標(biāo)簽：芯片 IC NAND 2k 0

SK海力士將收購英特爾旗下NAND閃存芯片業(yè)務(wù)

據(jù)悉，SK海力士將收購所有英特爾NAND閃存業(yè)務(wù)，包括固態(tài)硬盤業(yè)務(wù)、NAND閃存芯片產(chǎn)品和晶圓業(yè)務(wù)、英特爾位于中國大連的生產(chǎn)工廠，但不包含英特爾Opta...

2020-11-16 標(biāo)簽：芯片 NAND 閃存芯片 3.3k 0

新 X-NAND 閃存架構(gòu)詳解：QLC 的容量和定價(jià) + SLC 的速度

在為期三天的 2020 年虛擬閃存峰會期間，NEO 半導(dǎo)體首席執(zhí)行官兼創(chuàng)始人許志安（Andy Hsu）進(jìn)行了詳細(xì)的演講，介紹了該公司全新 X-NAND ...

2020-11-15 標(biāo)簽：閃存 NAND 容量 3.1k 0

美光科技出貨首款176層NAND 閃存性能和密度突破刷新行業(yè)紀(jì)錄

北京時(shí)間11月13日消息，內(nèi)存和存儲解決方案供應(yīng)商Micron Technology（美光科技）宣布已批量出貨全球首款176層3D NAND閃存，一舉刷...

2020-11-13 標(biāo)簽：閃存 NAND 美光科技 2.7k 0

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云存儲是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲存，云數(shù)據(jù)存儲，免費(fèi)云存儲哪個(gè)好，云儲存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
富士通

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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價(jià)。
江波龍

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非易失性存儲器

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非易失性存儲器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲的數(shù)據(jù)不會消失的電腦存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
合肥長鑫

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2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動態(tài)隨機(jī)存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
LPDDR4

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NOR flash

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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
SRAM存儲器

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　　sram存儲器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器。這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對之下，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器里面所儲存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時(shí)，SRAM儲存的數(shù)據(jù)還是會消失，這與在斷電后還能儲存資料的ROM或閃存是不同的。
福建晉華

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3D NAND Flash

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西數(shù)

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　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
云盤

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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲的特點(diǎn)。
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲品牌。
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長鑫存儲

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2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動態(tài)隨機(jī)存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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