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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲設(shè)備，在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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江波龍自研SLC NAND Flash出貨量破億

江波龍在存儲芯片設(shè)計領(lǐng)域取得了顯著成果，自研SLC NAND Flash累計出貨量已突破1億顆。公司充分發(fā)揮芯片設(shè)計能力，專注于SLC NAND Fla...

2024-11-20 標(biāo)簽：NAND 存儲芯片 slc 1.7k 0

憶聯(lián)數(shù)據(jù)中心級SSD——UH711a正式發(fā)布！國內(nèi)首款E3.S形態(tài)同步揭曉

為更好地滿足超大規(guī)模的數(shù)據(jù)應(yīng)用，憶聯(lián)發(fā)布數(shù)據(jù)中心級NVMe SSD——UH711a以及UH711a E3.S形態(tài)。該系列產(chǎn)品使用自研控制器與長江存儲12...

2022-12-27 標(biāo)簽：NAND SSD 數(shù)據(jù)中心 1.7k 0

十六die NAND閃存誕生:單顆容量64GB

MOSAID Technologies今天宣布，他們已經(jīng)試產(chǎn)了全球第一顆采用驚人十六die封裝的 NAND閃存芯片，讓他們和諧地運行在了一個高性能通道內(nèi)。

2012-04-06 標(biāo)簽：閃存 NAND 半導(dǎo)體芯片 1.7k 0

東芝開始提供業(yè)內(nèi)首批符合UFS 2.0的嵌入式NAND閃存模塊的樣品出貨

東芝公司（TOKYO：6502）旗下的半導(dǎo)體&存儲產(chǎn)品公司今天宣布，即日起開始提供符合JEDEC UFS［1］ 2.0版本標(biāo)準(zhǔn)的32GB和64GB嵌入式...

2014-05-04 標(biāo)簽：東芝閃存 NAND 1.7k 0

英特爾推出三款六款全新內(nèi)存和存儲產(chǎn)品，助力企業(yè)應(yīng)對數(shù)字化轉(zhuǎn)型

本次大會上，英特爾還宣布推出三款采用144層存儲單元的全新NAND固態(tài)盤，包括適用于主流計算的英特爾下一代144層QLC 3D NAND固態(tài)盤——英特爾...

2020-12-17 標(biāo)簽：英特爾 nand 內(nèi)存 1.7k 0

3D NAND的發(fā)展方向是500到1000層

芯片行業(yè)正在努力在未來幾年內(nèi)將?3D NAND?閃存的堆棧高度提高四倍，從 200 層增加到 800 層或更多，利用額外的容量將有助于滿足對各種類型內(nèi)存...

2024-12-19 標(biāo)簽：NAND 3D 堆疊 1.7k 0

存儲芯片商普冉股份沖刺科創(chuàng)板 NOR Flash爆發(fā)式增長

科創(chuàng)板芯版圖或再添一位新軍。近日，上交所受理了普冉半導(dǎo)體（上海）股份有限公司（以下稱普冉股份）的科創(chuàng)板申請。普冉股份主營業(yè)務(wù)為非易失性存儲器芯片的設(shè)計...

2020-08-13 標(biāo)簽：閃存 NAND EEPROM 1.7k 0

傳英特爾和美光合作關(guān)系終結(jié) 將攜手清華紫光將共同開發(fā)3D NAND

近日傳聞美光科技和英特爾的合作關(guān)系即將終止，主要是因為3D NAND技術(shù)還不適合目前的市場，后續(xù)有傳說英特爾要和紫光一起開發(fā)3D NAND芯片，具體情況...

2018-01-16 標(biāo)簽：英特爾 nand 美光 1.7k 0

東芝在Q4擴(kuò)大96層3D NAND產(chǎn)品出貨量，各家原廠在96層和QLC技術(shù)上的競爭愈發(fā)激烈

隨著原廠3D技術(shù)的快速發(fā)展，2018下半年各家原廠在96層和QLC技術(shù)上競爭激烈，其中，三星已在7月份宣布量產(chǎn)96層3D NAND。據(jù)DIGITIMES...

2018-08-05 標(biāo)簽：東芝 NAND 1.7k 0

NAND Flash價格在第一季止跌回穩(wěn) 下半年旺季缺貨機(jī)率或升高

然而在筆電及平板、伺服器、5G手機(jī)的出貨拉動下，固態(tài)硬碟（SSD）需求強(qiáng)勁價格看漲，法人看好威剛（3260）、十銓（4967）、群聯(lián)（8299）、宜鼎（...

2021-02-01 標(biāo)簽：NAND 伺服器 Nand flash 1.7k 0

江波龍構(gòu)建完整的存儲芯片垂直整合能力

首顆自研2D MLC NAND Flash發(fā)布！深圳2024年2月1日?/美通社/ -- 江波龍研發(fā)布局突破藩籬進(jìn)入到集成電路設(shè)計領(lǐng)域，產(chǎn)品及服務(wù)獲得...

2024-02-01 標(biāo)簽：DRAM NAND 存儲芯片 1.7k 0

三星半導(dǎo)體工廠發(fā)生火災(zāi) 并不會對生產(chǎn)DRAM和NAND產(chǎn)生影響

3 月 9 日訊，據(jù)韓媒報道，三星電子位于京畿道華城市半月洞的半導(dǎo)體工廠廢水處理廠發(fā)生火災(zāi)，幸運的是，沒有人受傷。該廠主要用于生產(chǎn) DRAM 顆粒和 N...

2020-03-15 標(biāo)簽：DRAM NAND 三星電子 1.7k 0

三星將削減NAND和DRAM平澤P3晶圓廠投資

　平澤p3 晶圓廠是三星最大的生產(chǎn)基地之一。據(jù)報道，三星原計劃將p3工廠的生產(chǎn)能力增加到8萬個dram和3萬個nand芯片，但目前已將生產(chǎn)能力減少到5萬...

2023-10-08 標(biāo)簽：芯片 DRAM NAND 1.7k 0

2013無線領(lǐng)域的NOR閃存營收將持續(xù)下滑

據(jù)IHS公司的閃存動態(tài)簡報，2013年無線領(lǐng)域的NOR閃存銷售額將比去年下降近三分之一，盡管NOR在嵌入領(lǐng)域的用量仍然保持很大。

2013-06-26 標(biāo)簽：PCM NOR閃存 NAND 1.7k 0

三星意圖拉大與對手間的差距，2019年的NAND Flash資本支出將達(dá)90億美元

韓國業(yè)界最近指出，三星電子2019年的NAND Flash資本支出將達(dá)90億美元，預(yù)計將以韓國平澤、中國西安為主，擴(kuò)大高容量3D NAND生產(chǎn)規(guī)模，期望...

2018-08-05 標(biāo)簽：NAND 三星電子 1.7k 0

Intel宣布以90億美元將旗下的NAND閃存業(yè)務(wù)出售給SK海力士

相信不少朋友已經(jīng)被這波內(nèi)存、SSD誘人的價格吸引，不過，如果愿意等，可能還會更省錢。至少從DRAMeXchange給出的預(yù)測來看，DRAM和NAND閃存...

2020-11-03 標(biāo)簽：NAND intel SSD 1.7k 0

隨著需求的不斷增長，SSD市場需求正在快速增長

隨著PC向超極本、輕薄、二合一等輕薄型電腦發(fā)展，以及消費者對電腦性能的高要求，傳統(tǒng)HDD存儲已無法滿足PC的發(fā)展和消費者的應(yīng)用需求，再加上3D NAND...

2018-08-21 標(biāo)簽：NAND SSD 1.7k 0

全球DRAM平均售價將降低 5大跡象十分清晰

內(nèi)存芯片在2017年掀起一陣狂熱，價格只增不減?？v觀2018年甚至2019年局勢，5大跡象顯示內(nèi)存芯片「超級循環(huán)」將結(jié)束，全球 DRAM 的平均售價將降低。

2018-02-23 標(biāo)簽：dram nand 三星電子 1.7k 0

美光推出業(yè)界領(lǐng)先的增強(qiáng)版通用閃存UFS 4.0移動解決方案

2024 年 2 月28日，Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU）今日宣布開始送樣增強(qiáng)版通用閃存...

2024-02-28 標(biāo)簽：智能手機(jī)NAND 美光科技 1.7k 0

美國或再度升級對華芯片制造設(shè)備出口限制

報道顯示，拜d政府?dāng)M將17類（臺）超百萬美元的設(shè)備制裁，擴(kuò)大到34類（擴(kuò)大一倍）。這一限制是在2022年10月出臺的對華半導(dǎo)體出口管制基礎(chǔ)上的進(jìn)一步升級...

2023-03-13 標(biāo)簽：芯片閃存 NAND 1.7k 0

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云存儲是在云計算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲存，云數(shù)據(jù)存儲，免費云存儲哪個好，云儲存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗和實力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價和容量還都是個問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價。
江波龍

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非易失性存儲器

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非易失性存儲器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲的數(shù)據(jù)不會消失的電腦存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時隨時改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
合肥長鑫

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2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動態(tài)隨機(jī)存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
SRAM存儲器

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　　sram存儲器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器。這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對之下，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器里面所儲存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時，SRAM儲存的數(shù)據(jù)還是會消失，這與在斷電后還能儲存資料的ROM或閃存是不同的。
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　　NoSQL僅僅是一個概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個人提供信息的儲存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲的特點。
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲品牌。
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