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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲設(shè)備，在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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Greenliant發(fā)布工業(yè)級 ArmourDrive M.2 SSD 新品

ArmourDrive 88PX 系列 NVMe M.2-2280 / PCIe 3.0 x4 SSD和 ArmourDrive 87PX 系列 SAT...

2020-03-28 標(biāo)簽：NAND SSD driver 1.5k 0

2020年第一季NAND Flash價(jià)格持續(xù)上漲預(yù)期漲價(jià)態(tài)勢得已延續(xù)

根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心（DRAMeXchange）最新調(diào)查，由于 Client SSD 合約價(jià)自高點(diǎn)連跌七季，與傳統(tǒng)硬盤的成本差距已經(jīng)不遠(yuǎn)，在 20...

2020-01-03 標(biāo)簽：NAND SSD 1.5k 0

武漢新芯可能2018年量產(chǎn)48層NAND

紅色供應(yīng)鏈來勢洶洶，外界原本認(rèn)為，陸廠要到四五年后才能在存儲器搶下一席之地，不過有分析師預(yù)測，陸廠研發(fā)腳步迅速，可能2018年就能量產(chǎn)3D NAND。

2016-05-10 標(biāo)簽：NAND 存儲器武漢新芯 1.5k 0

【MK米客方德SD NAND】嵌入式高效存儲

作為全球首家推出基于SLC開發(fā)SD NAND產(chǎn)品的原廠，MK米客方德推動(dòng)了存儲技術(shù)的創(chuàng)新，為廣大用戶提供了高性能的存儲解決方案。

2024-08-07 標(biāo)簽：mcu 嵌入式 NAND 1.5k 0

DRAM報(bào)價(jià)超預(yù)期 IC insights大幅上修今年IC成長預(yù)估值

因DRAM、NAND等內(nèi)存報(bào)價(jià)上漲、需求強(qiáng)勁，調(diào)研機(jī)構(gòu)昨日（3月14日）發(fā)布最新研究報(bào)告，將2018年全球IC市場成長預(yù)估值拉高近一倍，從原本的8%一口...

2018-03-16 標(biāo)簽：DRAM NAND 1.5k 0

在物聯(lián)網(wǎng)的推動(dòng)下市場對于SSD的需求與日俱增

在物聯(lián)網(wǎng)（IoT）的推動(dòng)下，市場對于固態(tài)硬盤（SSD）的需求與日俱增。為了回應(yīng)現(xiàn)下的趨勢，三星電子（Samsung Electronics）正在首爾南方...

2018-12-29 標(biāo)簽：NAND 三星電子 SSD 1.5k 0

為確保行業(yè)優(yōu)勢三星今年內(nèi)量產(chǎn)64層NAND

上周東芝及西部數(shù)據(jù)宣布，已研發(fā)出堆疊64層的3D NAND Flash制程，并將于2017年上半年開始量產(chǎn)，不過恐怕仍無法超車NAND Flash市占王三星。

2016-08-02 標(biāo)簽：NAND 三星電子 1.5k 0

三星將推出GDDR7產(chǎn)品及280層堆疊的3D QLC NAND技術(shù)

三星將在IEEE國際固態(tài)電路研討會上展示其GDDR7產(chǎn)品以及280層堆疊的3D QLC NAND技術(shù)。

2024-02-01 標(biāo)簽：NAND 存儲器三星 1.5k 0

美光深陷泥潭 NAND閃存真成救命稻草？

DRAM和NAND芯片提供商美光(Micron)仍在困境中掙扎，6個(gè)季度的虧損，3年來收入達(dá)到最低點(diǎn)。這個(gè)情況還將持續(xù)多長時(shí)間?

2012-12-23 標(biāo)簽：閃存 DRAM NAND 1.5k 0

敏博推出斷電保護(hù)（Power Plus）TLC固態(tài)硬盤-RT31系列

SSD存儲裝置配備DRAM緩存芯片在于更優(yōu)異的隨機(jī)寫入效能，DRAM緩存芯片擁有快取與緩沖功能。

2021-01-30 標(biāo)簽：NAND 電源管理無人駕駛 1.5k 0

SD NAND在火車軌道交通上的應(yīng)用

SDNAND和火車軌道交通火車軌道交通需要存儲卡來存儲監(jiān)控?cái)z像頭捕獲的視頻和圖像數(shù)據(jù)，和存儲乘客信息、車輛地圖、娛樂內(nèi)容和其他與乘客體驗(yàn)相關(guān)的數(shù)據(jù)，也可...

2023-12-14 標(biāo)簽：NAND 存儲卡 SD NAND 1.5k 0

MK米客方德SD NAND的垃圾回收機(jī)制

無人機(jī)在各個(gè)領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛，從航拍、物流配送到農(nóng)業(yè)監(jiān)測，無人機(jī)正逐漸成為我們生活中不可或缺的一部分。作為一種創(chuàng)新的存儲芯片，SD NAND因其小巧的...

2024-06-05 標(biāo)簽：NAND MK 無人機(jī) 1.5k 0

至訊創(chuàng)新量產(chǎn)業(yè)內(nèi)最小512Mb工業(yè)級NAND閃存芯片

近日，國內(nèi)領(lǐng)先的存儲芯片企業(yè)至訊創(chuàng)新科技（無錫）有限公司宣布了一項(xiàng)重要突破，成功量產(chǎn)了512Mb高可靠性工業(yè)級2D NAND閃存芯片。這款芯片的推出，不...

2024-07-04 標(biāo)簽：NAND 閃存芯片存儲芯片 1.4k 0

創(chuàng)見MTE310S PCIe 4.0固態(tài)硬盤，支持SLC緩存與LDPC糾錯(cuò)

值得一提的是，創(chuàng)見為 MTE310S 固態(tài)硬盤提供長達(dá)五年的保修期，保證 200 萬小時(shí)的平均故障間隔時(shí)間。至于產(chǎn)品售價(jià)和具體上市日期，官方暫未對外透露。

2024-04-01 標(biāo)簽：DRAM NAND 固態(tài)硬盤 1.4k 0

汽車行業(yè)主要發(fā)展趨勢及其對內(nèi)存與存儲的影響

汽車是半導(dǎo)體行業(yè)增長最快的領(lǐng)域之一。據(jù)預(yù)測，汽車領(lǐng)域內(nèi)存（DRAM）與存儲（NAND/ NOR）市場總值將從 2021 年的 40 億美元增長到 202...

2023-05-17 標(biāo)簽：NAND 存儲內(nèi)存 1.4k 0

美光量產(chǎn)第九代NAND閃存技術(shù)產(chǎn)品

全球領(lǐng)先的存儲解決方案提供商美光科技今日宣布了一項(xiàng)重大突破——其采用第九代（G9）TLC NAND技術(shù)的固態(tài)硬盤（SSD）已正式進(jìn)入量產(chǎn)出貨階段，標(biāo)志著...

2024-08-01 標(biāo)簽：閃存 NAND 美光科技 1.4k 0

速度是NAND千倍！新型非揮發(fā)性存的儲器已量產(chǎn)

英特爾（Intel）與美光科技（Micron）日前發(fā)表新型非揮發(fā)性記憶體技術(shù)──3D XPoint，該種記憶體號稱是自1989年NAND快閃晶片推出以來...

2015-07-30 標(biāo)簽：英特爾 NAND 存儲器 1.4k 0

三星西安NAND廠開工率回升至70%

三星電子，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)，近期在其位于中國西安的NAND閃存工廠實(shí)現(xiàn)了開工率的顯著回升，從去年的低谷20-30%提升至目前的70%。這一變化不...

2024-03-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 NAND 三星電子 1.4k 0

DRAM與NAND閃存市場低迷，DRAM現(xiàn)貨價(jià)格持續(xù)下滑

近日，據(jù)市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的報(bào)告指出，DRAM內(nèi)存與NAND閃存市場近期均呈現(xiàn)出低迷的走勢。特別是在DRAM市場方面，春...

2025-02-06 標(biāo)簽：閃存 DRAM NAND 1.4k 0

三星與SK海力士同步看好DRAM后市預(yù)測后期不排除出現(xiàn)短缺

韓國記憶體兩大廠三星（Samsung）與SK海力士（Hynix）同步看好動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體（DRAM）后市，激勵(lì)DRAM制造廠南亞科(2408)與華邦電...

2021-02-01 標(biāo)簽：DRAM NAND 三星電子 1.4k 0

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云存儲是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲存，云數(shù)據(jù)存儲，免費(fèi)云存儲哪個(gè)好，云儲存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
富士通

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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價(jià)。
江波龍

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非易失性存儲器

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非易失性存儲器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲的數(shù)據(jù)不會消失的電腦存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
合肥長鑫

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2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
SRAM存儲器

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　　sram存儲器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器。這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對之下，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器里面所儲存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時(shí)，SRAM儲存的數(shù)據(jù)還是會消失，這與在斷電后還能儲存資料的ROM或閃存是不同的。
福建晉華

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　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲的特點(diǎn)。
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲品牌。
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2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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