美光業(yè)務(wù)分析和展望：將持續(xù)推進(jìn)DRAM和NAND Flash技術(shù)發(fā)展

在美光分析師及投資者大會(huì)上，美光針對(duì)其業(yè)務(wù)以及存儲(chǔ)市場進(jìn)行了分析和展望。美光認(rèn)為未來美光業(yè)務(wù)增長的關(guān)鍵在于數(shù)據(jù)中心、移動(dòng)、汽車、物聯(lián)網(wǎng)四大領(lǐng)域，且看好市...

2018-08-22 標(biāo)簽：DRAMNAND美光 1.5k 0

Hynix宣布已成功開發(fā)出26nm制程N(yùn)AND閃存芯片產(chǎn)品

Hynix宣布已成功開發(fā)出26nm制程N(yùn)AND閃存芯片產(chǎn)品 　南韓Hynix公司本周二宣布，繼半年前成功開發(fā)出基于32nm制程的NAND閃存芯片產(chǎn)品，...

2010-02-11 標(biāo)簽：NANDHynix 1.5k 0

鎧俠瞄準(zhǔn)2027年：挑戰(zhàn)1000層堆疊的3D NAND閃存新高度

在全球半導(dǎo)體行業(yè)的激烈競爭中，日本知名存儲(chǔ)芯片制造商鎧俠（Kioxia）展現(xiàn)了其雄心壯志和堅(jiān)定決心。在結(jié)束了長達(dá)20個(gè)月的NAND閃存減產(chǎn)計(jì)劃后，鎧俠的...

2024-06-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體NAND鎧俠 1.5k 0

三星平澤P4/P5芯片工廠建設(shè)延期至2026年

三星電子近日宣布，其位于韓國平澤的P4/P5芯片工廠建設(shè)計(jì)劃將發(fā)生重大調(diào)整，原定于加速推進(jìn)的項(xiàng)目現(xiàn)已決定推遲至2026年。這一變動(dòng)旨在優(yōu)先保障位于美國得...

2024-09-04 標(biāo)簽：芯片NAND三星電子 1.5k 0

存儲(chǔ)芯片市場環(huán)境惡化 DRAM芯片價(jià)格環(huán)比下降約20%

SK海力士透露，第三季度用于設(shè)備和服務(wù)器的DRAM芯片價(jià)格環(huán)比下降了約20%；服務(wù)于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)市場的NAND閃存芯片價(jià)格跌超20%。

2022-10-27 標(biāo)簽：NAND閃存芯片存儲(chǔ)芯片 1.5k 0

2018年三星將其生產(chǎn)比重提升至90%以上，三星全面進(jìn)入3D NAND時(shí)代

三星電子(Samsung Electronics)3D NAND生產(chǎn)比重，傳已在2017年第4季突破80%，三星計(jì)劃除了部分車用產(chǎn)品外，2018年將進(jìn)...

2018-07-06 標(biāo)簽：NAND三星電子3D 1.5k 0

英睿達(dá)的非易失性內(nèi)存單條容量達(dá)32GB 通過了JEDEC標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證

Intel、美光聯(lián)合研發(fā)的3DX Point非易失性存儲(chǔ)技術(shù)正在逐步普及，雙方都發(fā)布了一些SSD固態(tài)硬盤產(chǎn)品（Intel的叫傲騰），現(xiàn)在兩家紛紛將其帶到...

2018-11-01 標(biāo)簽：DRAMNAND內(nèi)存 1.5k 0

DRAM市場漲潮不斷，或許三大巨頭都是贏家

據(jù)市場調(diào)查數(shù)據(jù)顯示，2016年第四季度DRAM供不應(yīng)求，帶動(dòng)2017年第一季度上漲30%以上。以DRAM市場整體走向來看，今年第三季度平均漲幅約7%，未...

2018-10-24 標(biāo)簽：DRAMNAND美光 1.5k 0

紫光與光寶聯(lián)手，計(jì)劃2018實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)3D閃存SSD量產(chǎn)

據(jù)報(bào)道，本月12日，光寶科技與中國紫光集團(tuán)共同宣布成立存儲(chǔ)合資公司，項(xiàng)目在蘇州簽約，總資本額1億美元，其中紫光占比55％，光寶45％。

2018-07-03 標(biāo)簽：NANDSSD紫光 1.5k 0

NOR Flash掀存儲(chǔ)器新一輪漲價(jià)潮！

業(yè)界普遍看好，NOR Flash市況最快有機(jī)會(huì)在明年終結(jié)庫存調(diào)整，迎來新一波漲價(jià)循環(huán)。

2023-12-25 標(biāo)簽：NANDFlaSh存儲(chǔ)器 1.5k 0

智能互聯(lián)與嵌入式系統(tǒng) 引燃閃存新戰(zhàn)局

預(yù)計(jì)五大趨勢將持續(xù)推動(dòng)閃存的銷售：1. 互聯(lián)設(shè)備的普及；2. 更為先進(jìn)的嵌入式應(yīng)用；3. 更優(yōu)秀的用戶界面互動(dòng)；4. 對(duì)非易失性存儲(chǔ)器基礎(chǔ)技術(shù)的日益關(guān)注

2013-01-30 標(biāo)簽：閃存NANDNOR 1.5k 0

三星將進(jìn)行DRAM擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，下半年DRAM漲勢恐止歇

全球內(nèi)存龍頭三星電子傳出將進(jìn)行DRAM擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，業(yè)界認(rèn)為，由于建廠時(shí)間還要兩年，難解今年缺貨窘境，不過受心理層面影響，恐讓下半年DRAM漲勢止歇。

2018-10-25 標(biāo)簽：DRAMNAND三星電子 1.5k 0

兆易創(chuàng)新推出GD5F1GM9系列高速Q(mào)SPI NAND Flash

今日，兆易創(chuàng)新宣布推出GD5F1GM9系列高速Q(mào)SPI NAND Flash，該系列以其突破性的讀取速度和創(chuàng)新的壞塊管理（BBM）功能，可有效解決傳統(tǒng)S...

2025-04-16 標(biāo)簽：NANDFlaShQSPI 1.5k 0

盡管NAND市場持續(xù)低迷，長江存儲(chǔ)逆勢漲價(jià)凸顯主場優(yōu)勢！| 百能云芯

盡管NAND市況持續(xù)低迷，但供應(yīng)鏈傳出，長江存儲(chǔ)繼第2季率先調(diào)漲報(bào)價(jià)后，近期再度提升報(bào)價(jià)約5%，坐擁中國龐大內(nèi)需消費(fèi)市場，享盡主場優(yōu)勢。

2023-07-18 標(biāo)簽：NAND存儲(chǔ)器SSD 1.5k 0

三星、美光3D-NAND Flash產(chǎn)出比重已逾50%

集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心（DRAMeXchange）最新研究顯示，隨著下半年各家原廠最新64層堆棧的3D-NAND Flash產(chǎn)能開出，在三星及美光等領(lǐng)頭...

2018-11-16 標(biāo)簽：NAND三星電子美光 1.5k 0

江波龍推出首顆自研32Gb 2D MLC NAND Flash

江波龍，作為國內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體存儲(chǔ)企業(yè)，近日再次引發(fā)行業(yè)關(guān)注。繼自研SLC NAND Flash系列產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)規(guī)?；慨a(chǎn)之后，江波龍又成功推出了首顆自研32...

2024-02-01 標(biāo)簽：NANDFlaSh江波龍 1.5k 0

東京電子3D NAND蝕刻新技術(shù)或挑戰(zhàn)泛林市場領(lǐng)導(dǎo)地位

據(jù)悉，東京電子新技術(shù)的目標(biāo)是能夠長時(shí)間儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的3d nand閃存。該公司開發(fā)了一種新的通道孔蝕刻方法，該方法是將垂直孔快速深插入存儲(chǔ)單元。3D nan...

2023-10-16 標(biāo)簽：NAND存儲(chǔ)器東京電子 1.5k 0

存儲(chǔ)卡標(biāo)準(zhǔn)向高速PCI高速遷移

這些帶有PCI Express接口的標(biāo)準(zhǔn)為這兩種存儲(chǔ)卡標(biāo)準(zhǔn)在未來的數(shù)字大容量存儲(chǔ)世界中賦予了新的生命和機(jī)遇。

2022-10-24 標(biāo)簽：NAND接口 1.5k 0