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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲技術(shù)>美光業(yè)務(wù)分析和展望:將持續(xù)推進(jìn)DRAM和NAND Flash技術(shù)發(fā)展

美光業(yè)務(wù)分析和展望:將持續(xù)推進(jìn)DRAM和NAND Flash技術(shù)發(fā)展

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flash 產(chǎn)品工程師 都做什么工作,前景如何?

大家好,我是應(yīng)屆碩士畢業(yè)生,最近拿到flash 產(chǎn)品工程師的offer,另外還有其它offer,但是不知道的產(chǎn)品工程師具體是做什么工作的,發(fā)展前景如何?弱弱的問一下,請了解情況的幫忙指點(diǎn)一下,非常感謝。
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內(nèi)存市場狀況分析:2018年DRAM持續(xù)吃緊 NAND供過于求

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NAND閃存和DRAM市況不同調(diào),內(nèi)存事業(yè)可望在第2季維持強(qiáng)勢表現(xiàn)

內(nèi)存指標(biāo)大廠三星和美釋出今年內(nèi)存市況分析,儲存型閃存(NAND Flash)和DRAM市況不同調(diào) 。三星和美同指本季NAND價格持續(xù)下探,但DRAM價格在服務(wù)器及移動設(shè)備、車用等應(yīng)用多元下,價格持穩(wěn)到年底。
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內(nèi)存業(yè)務(wù)強(qiáng)勁增長 計劃上調(diào)4%營收

內(nèi)存市場DRAMNAND Flash的需求強(qiáng)盛,美國存儲廠商計劃將上調(diào)4%的季度營收。近日內(nèi)存價格因淡季效應(yīng)而略顯弱勢,但是內(nèi)存廠商盈利依然不減。
2018-02-08 10:17:18940

DRAMNAND Flash優(yōu)缺勢對比,到底誰的市場應(yīng)用量會更大?

隨著移動設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的興起,對于節(jié)能的數(shù)據(jù)儲存與內(nèi)存技術(shù)需求日益增加。 目前的內(nèi)存技術(shù)DRAMNAND閃存為主流,但DRAM的讀寫速度快無法長時間儲存數(shù)據(jù);NAND Flash能保存數(shù)據(jù), 但讀寫速度不佳。
2018-06-22 11:40:0012610

存儲器市況目前呈現(xiàn)兩類,DRAM歡喜NAND

目前存儲器市況呈現(xiàn)兩樣情,DRAM持續(xù)穩(wěn)健發(fā)展,價格平穩(wěn)或小漲;NAND Flash則因供過于求,價格緩跌。外界預(yù)期DRAM市場第3季將可喜迎旺季,而NAND Flash市場價格也可稍有反彈。
2018-06-22 15:48:001193

中國閃存廠商與蘋果合作:蘋果采用后者生產(chǎn)的NAND flash芯片

NAND flash廠商三星從中獲益最多,依靠NAND flashDRAM存儲芯片業(yè)務(wù)其芯片業(yè)務(wù)營收在2017年一舉超越Intel成為全球最大的半導(dǎo)體企業(yè),此前Intel霸占全球半導(dǎo)體老大的位置長達(dá)20多年。
2018-05-31 12:10:001612

關(guān)于與英特爾NAND市場競爭格局分析?5張圖給你解釋

筆者認(rèn)為如果這些發(fā)生了的話,將會改變整個NAND 市場的格局,對將是巨大的威脅。英特爾和美都認(rèn)為3D XPoint最終將替代目前PC市場和服務(wù)器市場的SSD和DRAM, 之后 英特爾可能更注重PC市場,則是服務(wù)器市場。
2018-06-29 10:32:003400

全球存儲發(fā)展簡史(DRAM、NAND Flash和Nor Flash

NOR FlashNAND Flash作為存儲的兩大細(xì)分領(lǐng)域(另外還有DRAM),目前發(fā)展形勢一直受到業(yè)界人士關(guān)注。
2018-03-31 08:38:5123827

DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH三大存儲器分析

,存儲器內(nèi)的信息仍然存在,主要是閃存(Nand FLASH 和 NOR FLASH),NOR 主要應(yīng)用于代碼存儲介質(zhì)中,而 NAND 則用于數(shù)據(jù)存儲。
2018-04-09 15:45:33113864

雖然DRAMNAND Flash 因淡季效應(yīng)而略顯弱勢,但繼續(xù)看好

雖然近期DRAMNAND Flash價格走勢因淡季效應(yīng)而略顯弱勢,但是并不影響記內(nèi)存廠商的獲利表現(xiàn)。美國存儲廠商(Micron)昨日宣布調(diào)升2018年會計年度第二季(去年12月1日至今年3月
2018-07-06 11:56:00729

擴(kuò)大在新加坡的研發(fā)業(yè)務(wù),致力于制造3D NAND閃存

半導(dǎo)體行業(yè)巨頭光在新加坡的新工廠破土動工,該工廠致力于制造3D NAND Flash。
2018-08-01 17:40:372938

認(rèn)為暫時用不上EUV光刻機(jī),DRAM工藝還需發(fā)展

技術(shù)發(fā)展,并已快速完成了技術(shù)的轉(zhuǎn)變,2019年向96層3D NAND發(fā)展。DRAM也會面臨技術(shù)瓶頸的難題,但在看來,他們正在交由客戶驗(yàn)證新一代1Ynm工藝DRAM芯片,未來還有1Z、1&alpha
2018-08-20 17:41:491479

英特爾與64層3D NAND備受關(guān)注,或激化原廠爭奪96層3D NAND技術(shù)

上周,系與英特爾推出了64層3D QLC NAND,由于采用的QLC(4bits/cell)架構(gòu)相較于TLC(3bits/cell)容量更大,使得單顆Die容量可高達(dá)1Tb,備受市場高度關(guān)注
2018-08-22 16:25:462599

持續(xù)淡化NOR芯片布局,淡出NOR有利旺宏、華邦

賽普拉斯、先前位居全球前兩大NOR芯片廠,隨著各大廠專注技術(shù)層次更高的DRAMNAND領(lǐng)域,淡出甚至逐步放棄NOR事業(yè),華邦、持續(xù)拓展市占,已躍居全球前兩大;尤其在車用等利基型、高毛利市場陸續(xù)有斬獲,進(jìn)一步推升營運(yùn)。
2018-09-04 09:24:304520

三星采取保守策略,DRAM投資大減,NAND閃存持續(xù)增投

據(jù)日媒指出,三星2019年針對存儲器的投資總體會減少,但是在DRAMNAND Flash上的策略有所不同。其中,在DRAM部分,三星大減20%資本支出;而在NAND Flash部分,三星的投資仍將持續(xù)增加。
2018-10-10 16:13:443814

三星、3D-NAND Flash產(chǎn)出比重已逾50%

集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)最新研究顯示,隨著下半年各家原廠最新64層堆棧的3D-NAND Flash產(chǎn)能開出,在三星及等領(lǐng)頭羊帶領(lǐng)下,預(yù)估第三季3D-NAND Flash
2018-11-16 08:45:591450

計劃削減12.5億美元的資本支出,減少內(nèi)存及閃存芯片的產(chǎn)量

總裁、CEO Sanjay Mehrotra在財報電話會議上表示,為了適應(yīng)當(dāng)前市場的狀況,減少DRAM內(nèi)存及NAND閃存芯片的產(chǎn)量。根據(jù)的數(shù)據(jù),2019年他們預(yù)測DRAM內(nèi)存產(chǎn)量增加15%,低于此前預(yù)測的20%增長,而NAND閃存預(yù)計增長35%,也低于之前預(yù)計的35-40%增長率。
2018-12-21 11:15:054225

DRAM價格壟斷調(diào)查轉(zhuǎn)至NAND Flash捆綁銷售

先前反壟斷局針對DRAM三大業(yè)者,三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)及(Micron)展開反壟斷嫌疑調(diào)查,據(jù)悉最近調(diào)查已告一段落,調(diào)查與開罰的理由,也從原先的DRAM價格壟斷轉(zhuǎn)至NAND Flash捆綁銷售。
2018-12-29 09:22:514036

沒有技術(shù)的無奈!壟斷案硬是成了晉華竊取技術(shù)

而對于DRAM價格持續(xù)上漲的原因,此前業(yè)界認(rèn)為是由于DRAM市場需求持續(xù)增長,以及各大存儲廠商積極轉(zhuǎn)進(jìn)3D NAND Flash制造,但3DNAND Flash生產(chǎn)設(shè)備無法再轉(zhuǎn)回生產(chǎn)DRAM,導(dǎo)致
2019-01-15 14:51:205331

不論是DRAMNAND Flash 持續(xù)提升性能與降低成本都將更加困難

不論是DRAMNAND Flash,現(xiàn)有的存儲器解決方案都面臨著制程持續(xù)微縮的物理極限,這意味著要持續(xù)提升性能與降低成本都將更加困難。為了在有限甚至不改變現(xiàn)有平臺架構(gòu)的前提下找到新的解決方案,IntelOptane等次世代存儲器近年來廣受討論。
2019-05-21 16:47:121097

公布DRAM和NANDFlash的最新技術(shù)線路圖 持續(xù)推進(jìn)1ZnmDRAM技術(shù)及研發(fā)128層3DNAND

作為全球知名的存儲器廠商,近日,召開了2019年投資者大會,在大會中上,展示了DRAMNAND Flash下一代技術(shù)發(fā)展以及規(guī)劃。
2019-05-24 16:56:354645

存儲市場惡化 同步減產(chǎn) DRAMNAND Flash

對存儲市場前景透露悲觀氣氛
2019-06-27 10:22:593500

2019年6月DRAMNAND Flash跌價趨勢持續(xù)

DRAMNAND Flash持續(xù)維持下降走勢。
2019-07-06 11:38:564189

NAND Flash價格明顯止跌 NAND新一輪軍備競賽又將開始

隨著NAND Flash價格的連續(xù)走低,為了防止過量的NAND閃存供應(yīng)導(dǎo)致市場崩潰,三大NAND生產(chǎn)廠商、Intel、以及SK海力士已經(jīng)共同宣布采取手段遏制供大于求的現(xiàn)狀,具體來講就是全方位
2019-10-12 10:01:221136

明年的NAND Flash市場或強(qiáng)勢增長 存儲行業(yè)即將迎來曙光

IC Insights 表示,2020 年預(yù)測成長最快 IC 產(chǎn)品中,NAND flash 排第一、DRAM 排第三。 今年這兩項商品的市場崩盤,2019 年 NAND flash 銷售重挫 27
2019-12-06 10:36:40799

中國芯國產(chǎn)進(jìn)程加速 刺激了NAND FlashDRAM戰(zhàn)略布局速度的加快

12 月 9 日訊,2020 年 SK 海力士進(jìn)行一系列的人事調(diào)動和業(yè)務(wù)重組,為實(shí)現(xiàn)從開發(fā)、制造,以及業(yè)務(wù)的后期處理等統(tǒng)一的管理,會將 DRAMNAND Flash 兩大開發(fā)部門整合在一起。
2019-12-10 10:59:592086

業(yè)績與存儲芯片市場供需關(guān)系大

據(jù)鉅亨網(wǎng)報道,專門生產(chǎn) DRAMNAND可謂最具周期性的科技業(yè)務(wù),其財務(wù)業(yè)績會隨著存儲芯片市場供需關(guān)系而大幅波動。
2019-12-20 11:40:063947

5G助推NAND FLASH發(fā)展

一小段上升期。隨著5G通信和AI技術(shù)發(fā)展,數(shù)據(jù)中心繼續(xù)增長。2020年中國新增數(shù)據(jù)中心市場容量占全球新增量的50%左右。 2020年更多創(chuàng)新技術(shù)及成熟技術(shù)將在數(shù)據(jù)中心中被廣泛采用。服務(wù)器芯片NAND FLASH也出現(xiàn)供不應(yīng)求現(xiàn)象。5G通信和人工智能的發(fā)展,數(shù)據(jù)中心進(jìn)一步
2020-03-25 16:12:051401

DRAMNAND技術(shù)發(fā)展和面臨的挑戰(zhàn)

半導(dǎo)體存儲器已經(jīng)得到了廣泛的應(yīng)用,其中DRAM和SRAM是兩種常見形態(tài)的存儲器。DRAM的特點(diǎn)是需要定時刷新,才可以保存數(shù)據(jù),SRAM只要存入數(shù)據(jù)了,不刷新也不會丟掉數(shù)據(jù)。DRAM和SRAM各有各的優(yōu)勢及不足,本文探討的DRAMNAND當(dāng)前面臨的技術(shù)挑戰(zhàn)及發(fā)展前景。
2020-07-22 14:04:192373

EUV工藝已拉響戰(zhàn)局 計劃在2021年持續(xù)加碼投資DRAM

計劃在 2021 年提出建設(shè) A5 廠項目的申請,持續(xù)加碼投資 DRAM,將用于 1Znm 制程之后的微縮技術(shù)發(fā)展。 據(jù)悉,目前光在臺灣地區(qū)布局,包括中科的前段晶圓制造 A1、A2 廠和后段
2021-02-27 12:09:393676

關(guān)于NAND FLASH的現(xiàn)狀以及未來發(fā)展趨勢的分析

的逐漸普及,NAND FLASH 市場份額一度擴(kuò)張明顯,而NOR FLASH市場略有收縮。而疫情帶來的影響仍在持續(xù),平板電腦的銷量仍然呈現(xiàn)持續(xù)增長的態(tài)勢,兩種FLASH都是必不可少的關(guān)鍵配件之一。以及
2020-11-28 11:38:274111

發(fā)布176層3D NAND閃存

存儲器廠商宣布,其第五代3D NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計通過全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu),可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計算以及智能手機(jī)存儲
2020-11-12 16:02:553696

美國美科技開始提速EUV DRAM

光是繼三星電子和SK海力士之后,以20%的全球市占率排第三的DRAM廠商。本月初時臺灣DRAM工廠還因停電一小時導(dǎo)致工廠停產(chǎn)。截止到3季度時較好業(yè)績備受業(yè)界矚目。且在Nand Flash領(lǐng)域,也率先發(fā)布了全球首款176層產(chǎn)品。
2020-12-30 09:44:022535

推出 1α DRAM 制程技術(shù):內(nèi)存密度提升了 40% 節(jié)能 15%

均有重大突破。 ? 光表示,對比上一代的 1z DRAM 制程,1α 技術(shù)內(nèi)存密度提升了 40%。 計劃于今年 1α 節(jié)點(diǎn)全面導(dǎo)入其 DRAM 產(chǎn)品線,從而更好地支持廣泛的 DRAM 應(yīng)用領(lǐng)域——為包括移動設(shè)備和智能車輛在內(nèi)的各種應(yīng)用提供更強(qiáng)的性能。 的 1α 技術(shù)節(jié)點(diǎn)使內(nèi)存解決方
2021-01-27 13:56:032777

:市場對DRAM的需求將有增無減,供需緊張的情況延續(xù)好幾年

產(chǎn)品價格已上漲,市場對DRAM的需求程度將有增無減,供需緊張的情況延續(xù)好幾年。 指出,光在中國臺灣地區(qū)的DRAM廠已開始量產(chǎn)采用全球最先進(jìn)制程技術(shù)1α(1-alpha)生產(chǎn)的DRAM產(chǎn)品,首批產(chǎn)品是為著重運(yùn)算需求之客戶提供DDR4、和適用消費(fèi)性PC的Crucial DRAM產(chǎn)品,此一里程碑會更鞏
2021-01-28 15:54:452392

率先于業(yè)界推出1α DRAM制程技術(shù)

的 1α 技術(shù)節(jié)點(diǎn)使內(nèi)存解決方案更節(jié)能、更可靠,并為需要最佳低功耗 DRAM 產(chǎn)品的移動平臺帶來運(yùn)行速度更快的 LPDDR5。
2021-01-28 17:28:081182

DRAM芯片工藝可提升密度40%

本周二公布其用于DRAM的1α新工藝,該技術(shù)有望DRAM位密度提升40%,功耗降低15%。 1α工藝最初被用于生產(chǎn)DDR4和LPDDR4內(nèi)存,未來或但覆蓋所有類型的DRAM。
2021-01-29 15:03:442841

NANDDRAM市場發(fā)展狀況預(yù)測

上周,科技調(diào)升了公司二季度營收和利潤的預(yù)期。而高盛分析師注意到,可以從調(diào)研分析預(yù)測當(dāng)前和未來幾個季度的NANDDRAM市場狀況。
2021-03-08 14:50:173503

NAND Flash價格大漲,中國市場或受影響最大

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/李彎彎)2月17日,據(jù)供應(yīng)鏈消息,NAND Flash合約價格上調(diào)25%,而幾日前,西部數(shù)據(jù)也發(fā)布了NAND Flash的漲價通知。
2022-02-22 11:17:012522

DRAMNAND晶圓削減20%開工率

光表示:“最近,人們對2023年的市場前景有所減弱。”并指出,預(yù)計DRAM bit的供應(yīng)同比將有所收縮,NAND bit的供應(yīng)增長也顯著低于此前預(yù)期。
2022-11-17 14:41:22419

深度解讀工控安全技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀與應(yīng)用趨勢

本文分析工控安全技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀,盤點(diǎn)國內(nèi)外工控安全主流廠商發(fā)展態(tài)勢,分析我國工控安全市場發(fā)展現(xiàn)狀,展望未來工控安全技術(shù)發(fā)展與應(yīng)用趨勢。
2023-05-25 10:42:084788

加大減產(chǎn)力度至30% 減產(chǎn)持續(xù)至2024年

公司表示,雖然2023年業(yè)界需求預(yù)測還處于較低水平,但業(yè)界整體供應(yīng)量大幅減少正在穩(wěn)定市場。去年11月,公司宣布存儲器半導(dǎo)體減產(chǎn)20%。據(jù)業(yè)績內(nèi)容,公司致力于庫存管理和供應(yīng)調(diào)節(jié),最近dramnand晶片的開工率減少了近30%,并預(yù)測減產(chǎn)持續(xù)到2024年。
2023-06-30 11:05:271078

宣布減產(chǎn)至30%!

稱,2023 年的行業(yè)需求預(yù)測目前較低,但整個行業(yè)供應(yīng)量的大幅減少已開始穩(wěn)定市場。去年 11 月份,宣布存儲芯片減產(chǎn) 2 成。財報內(nèi)容顯示,專注于庫存管理和控制供應(yīng),近期 DRAMNAND 晶圓開工率進(jìn)一步減少至近 30%,預(yù)計減產(chǎn)持續(xù)到 2024 年。
2023-06-30 15:01:321047

家用電器電機(jī)驅(qū)動控制技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及展望

家用電器電機(jī)驅(qū)動控制技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及展望
2023-07-12 15:04:3914

計劃部署納米印刷技術(shù),降低DRAM芯片生產(chǎn)成本

3 月 5 日消息,科技公司計劃率先支持佳能的納米印刷技術(shù),從而進(jìn)一步降低生產(chǎn) DRAM 存儲芯片的單層成本。 公司近日舉辦了一場演講,介紹在納米印刷技術(shù)應(yīng)用于 DRAM 生產(chǎn)的一些細(xì)節(jié)
2024-03-06 08:37:35838

三星和鎧俠持續(xù)加大對NAND Flash技術(shù)的投入與創(chuàng)新

AI技術(shù)的蓬勃發(fā)展正以前所未有的速度推動著存儲器產(chǎn)業(yè)的飛躍,其中,海量數(shù)據(jù)的激增對存儲容量與性能提出了更高要求,使得NAND Flash技術(shù)的重要性日益凸顯。在此背景下,全球存儲巨頭如三星和鎧俠,在深耕DRAM市場的同時,也持續(xù)加大對NAND Flash技術(shù)的投入與創(chuàng)新。
2024-07-05 15:39:371592

NAND Flash和NOR Flash哪個更好

在討論NAND Flash和NOR Flash哪個更好時,我們需要從多個維度進(jìn)行深入分析,包括它們的技術(shù)特性、應(yīng)用場景、成本效益以及未來發(fā)展趨勢等。
2024-07-29 16:59:383425

量產(chǎn)第九代NAND閃存技術(shù)產(chǎn)品

全球領(lǐng)先的存儲解決方案提供商科技今日宣布了一項重大突破——其采用第九代(G9)TLC NAND技術(shù)的固態(tài)硬盤(SSD)已正式進(jìn)入量產(chǎn)出貨階段,標(biāo)志著成為業(yè)界首家達(dá)成此里程碑的企業(yè)。這一創(chuàng)新技術(shù)的推出,不僅彰顯了光在制程技術(shù)和設(shè)計創(chuàng)新領(lǐng)域的卓越實(shí)力,更為數(shù)據(jù)存儲市場樹立了新的性能標(biāo)桿。
2024-08-01 16:38:461251

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