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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>緩沖/存儲(chǔ)技術(shù)>存儲(chǔ)器新版圖:紫光+WD的Flash技術(shù)+美光DRAM技術(shù)

存儲(chǔ)器新版圖:紫光+WD的Flash技術(shù)+美光DRAM技術(shù)

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2016-07-12 10:06:531504

3倍薪水猛挖角 大陸存儲(chǔ)器廠瞄準(zhǔn)臺(tái)灣IC設(shè)計(jì)和DRAM

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將出售NOR Flash業(yè)務(wù) 傳華邦電及兆易創(chuàng)新可能接手

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Flash存儲(chǔ)器的故障特征

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存儲(chǔ)器的價(jià)格何時(shí)穩(wěn)定

技術(shù)的日趨成熟,存儲(chǔ)器價(jià)格會(huì)回穩(wěn).然而就DRAM市場(chǎng)來(lái)說(shuō),誰(shuí)也不知道DRAM的供貨何時(shí)才會(huì)穩(wěn)定下來(lái).再來(lái)看市場(chǎng)需求狀況,雖然有些存儲(chǔ)器市場(chǎng)分段的市場(chǎng)需求正在增長(zhǎng),但是這些分段的增長(zhǎng)幅度并不高,可見(jiàn)主要的問(wèn)題是來(lái)自于供給側(cè).
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紫光230億美元大手筆收購(gòu)?

7月14日早間消息,據(jù)知情人士透露,紫光集團(tuán)向美國(guó)芯片存儲(chǔ)巨頭發(fā)出收購(gòu)邀約,預(yù)計(jì)收購(gòu)價(jià)格230億美元。 據(jù)悉,紫光集團(tuán)提議以每股21美元,總代價(jià)230億美元的價(jià)格全面收購(gòu)。這是中國(guó)企業(yè)
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EVERSPIN非易失性存儲(chǔ)器嵌入式技術(shù)解析

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FPGA讀寫(xiě)DRAM存儲(chǔ)器的代碼

各位大神好,我想用FPGA讀寫(xiě)DRAM存儲(chǔ)器,求大神指點(diǎn)哪位大佬有代碼分析一份更是感激不盡,好人一生平安。
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三星、西部數(shù)據(jù)、英特爾、、長(zhǎng)江存儲(chǔ)探討3D NAND技術(shù)

,大數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求持續(xù)增加,一直到2021年NAND Flash平均每年增長(zhǎng)率達(dá)40%-45%,而NAND技術(shù)從40nm到16nm,再到64層3D技術(shù),一直為市場(chǎng)提供更好的產(chǎn)品和解決方案。就在幾個(gè)月前
2018-09-20 17:57:05

介紹一種高性能超低功率的存儲(chǔ)器技術(shù)

Molex推出下一代高性能超低功率存儲(chǔ)器技術(shù)
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單板硬件設(shè)計(jì):存儲(chǔ)器( NAND FLASH)

flash中運(yùn)行。嵌入式系統(tǒng)多用一個(gè)小容量的nor flash存儲(chǔ)引導(dǎo)代碼,用一個(gè)大容量的nand flash存放文件系統(tǒng)和內(nèi)核。 1.2 存儲(chǔ)器RAM介紹 RAM有兩大類,一種稱為靜態(tài)RAM(Static
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如何去設(shè)計(jì)Flash存儲(chǔ)器?

Flash類型與技術(shù)特點(diǎn)有哪些?如何去選擇uClinux的塊驅(qū)動(dòng)?如何去設(shè)計(jì)Flash存儲(chǔ)器?
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TPMS技術(shù)及輪胎定位原理是什么?如何解決TPMS輪胎換位和調(diào)換輪胎時(shí)的重新定位問(wèn)題?怎么實(shí)現(xiàn)外置編碼存儲(chǔ)器輪胎定位技術(shù)
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技術(shù)世代即將來(lái)臨,存儲(chǔ)器依然炙手可熱

?過(guò)去存儲(chǔ)器與晶圓代工業(yè)大致上可以說(shuō)是「楚河漢界,井水不犯河水」。但在即將來(lái)臨的時(shí)代,存儲(chǔ)器業(yè)者覬覦占了全球65%的非存儲(chǔ)器市場(chǎng),而存儲(chǔ)器技術(shù)從過(guò)去的DRAM、3D NAND,正逐漸走向磁阻式存儲(chǔ)器
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求助 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 FLASH程序存儲(chǔ)器 FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的區(qū)別

數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 FLASH程序存儲(chǔ)器 FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器各有什么區(qū)別?特點(diǎn)?小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器包含三部分,片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴(kuò)展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46

淺析DRAM和Nand flash

包括:DRAM、NAND FLASH、NOR FLASHDRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(Dynamic RAM),“動(dòng)態(tài)”二字指沒(méi)隔一段時(shí)間就會(huì)刷新充電一次,不然內(nèi)部的數(shù)據(jù)就會(huì)消失。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM的基本單元
2019-09-18 09:05:09

清華紫光與武漢新芯組最強(qiáng)CP 劍指

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相變存儲(chǔ)器(PCM) :新的存儲(chǔ)器技術(shù)創(chuàng)建 新的存儲(chǔ)器使用模式

目前高級(jí)應(yīng)用要求新的存儲(chǔ)器技術(shù)能力出現(xiàn)。隨著電子系統(tǒng)需要更多的代碼和數(shù)據(jù),所導(dǎo)致的結(jié)果就是對(duì)存儲(chǔ)器的需求永不停歇。相變存儲(chǔ)器(PCM)以創(chuàng)新的關(guān)鍵技術(shù)特色滿足了目前電子系統(tǒng)的需要。針對(duì)電子系統(tǒng)的重點(diǎn)
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鐵電存儲(chǔ)器技術(shù)原理

)、EEPROM和Flash。這些存儲(chǔ)器不僅寫(xiě)入速度慢,而且只能有限次的擦寫(xiě),寫(xiě)入時(shí)功耗大。鐵電存儲(chǔ)器能兼容RAM的一切功能,并且和ROM技術(shù)一樣,是一種非易失性的存儲(chǔ)器。鐵電存儲(chǔ)器在這兩類存儲(chǔ)類型間搭起了一座
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論述了基于Freescale 32 位ColdFire 系列微處理MCF5249 的Flash 存儲(chǔ)器擴(kuò)展技術(shù),以MCF5249對(duì)MX29LV160BT Flash 存儲(chǔ)器的擴(kuò)展為例,介紹了擴(kuò)展的原理,MCF5249 與MX29LV160BT 的硬件接口設(shè)計(jì),Flash
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flash存儲(chǔ)器的類型

FLASH存儲(chǔ)器(也就是閃存)就 是非易失隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器(NVRAM),特點(diǎn)是斷電后數(shù)據(jù)不消失,因此可以作為外部存儲(chǔ)器使用。而所謂的內(nèi)存是揮發(fā)性存儲(chǔ)器,分為DRAM和SRAM兩大類,其中常說(shuō)的內(nèi)存
2017-10-11 14:39:469157

flash存儲(chǔ)器在線編程

Flash存儲(chǔ)器技術(shù)趨于成熟,應(yīng)用廣泛,它結(jié)合了OTP存儲(chǔ)器的成本優(yōu)勢(shì)和EEPROM的可再編程性能,是目前比較理想的存儲(chǔ)器Flash存儲(chǔ)器具有電可擦除、無(wú)需后備電源來(lái)保護(hù)數(shù)據(jù)、可在線編程、存儲(chǔ)密度
2017-10-11 18:57:415324

flash存儲(chǔ)器的讀寫(xiě)原理及次數(shù)

FLASH存儲(chǔ)器又稱閃存,是一種長(zhǎng)壽命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息)的存儲(chǔ)器,由于其斷電時(shí)仍能保存數(shù)據(jù),FLASH存儲(chǔ)器通常被用來(lái)保存設(shè)置信息,如在電腦的BIOS(基本輸入輸出
2017-10-13 16:34:3022518

存儲(chǔ)器芯片DRAM/NAND/RRAM技術(shù)詳解

日前,存儲(chǔ)器芯片主要供應(yīng)商之一公司(Micron)在香港舉行了 2014 夏季分析師大會(huì),會(huì)上的高層管理人員就 DRAM、NAND 和新型存儲(chǔ)器的市場(chǎng)趨勢(shì)、技術(shù)發(fā)展以及 Micron 的公司
2017-10-20 16:08:2649

flash存儲(chǔ)器原理及作用是什么?

flash存儲(chǔ)器,及閃速存儲(chǔ)器,這一類型的存儲(chǔ)器具有速度快、方便等特點(diǎn),是人們使用電腦辦公或者娛樂(lè)時(shí)必備的工具。
2017-10-30 08:54:3434724

大陸存儲(chǔ)器競(jìng)賽邁向新局,兆易、紫光和聯(lián)電爭(zhēng)奪大陸存儲(chǔ)器寶座

將與合肥睿力12吋廠資源整合,全面對(duì)決紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)及聯(lián)電的晉華集成,借由掌握DRAM、NOR Flash、2D NAND等三大技術(shù),爭(zhēng)奪大陸存儲(chǔ)器寶座。
2017-11-24 12:51:38668

紫光國(guó)芯攜手長(zhǎng)江存儲(chǔ)開(kāi)展DRAM合作

紫光國(guó)芯26日在互動(dòng)平臺(tái)表示,公司西安子公司從事DRAM存儲(chǔ)器晶元的設(shè)計(jì),目前產(chǎn)品委托專業(yè)代工廠生產(chǎn)。 未來(lái)紫光集團(tuán)下屬長(zhǎng)江存儲(chǔ)如果具備DRAM存儲(chǔ)器晶元的制造能力,公司會(huì)考慮與其合作。
2017-11-27 11:05:412714

打破存儲(chǔ)器國(guó)外把持,紫光要圓自產(chǎn)夢(mèng),啟動(dòng)南京存儲(chǔ)器基地

紫光南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地主要將生產(chǎn)3D NAND FLASH存儲(chǔ)芯片和DRAM存儲(chǔ)器芯片,一期占地約700畝,二期占地約800畝;這也是紫光擬在武漢投資控制長(zhǎng)江存儲(chǔ)、在成都打造晶圓廠,另一個(gè)紫光大型的存儲(chǔ)器生產(chǎn)南京基地也已經(jīng)實(shí)質(zhì)啟動(dòng)。
2017-11-28 12:54:402401

:看好存儲(chǔ)器市場(chǎng),至少可望一路好到2021年

存儲(chǔ)器大廠(Micron)22日在美國(guó)召開(kāi)分析師大會(huì),執(zhí)行長(zhǎng)Sanjay Mehrotra表示,存儲(chǔ)器市場(chǎng)已出現(xiàn)典范轉(zhuǎn)型,以智能型手機(jī)為中心的行動(dòng)時(shí)代(mobile era),逐步轉(zhuǎn)進(jìn)
2018-06-28 07:34:001118

新加坡興建第3工廠,欲搶占NAND Flash快閃存儲(chǔ)器市場(chǎng)

在市場(chǎng)NAND Flash快閃存儲(chǔ)器供應(yīng)仍有缺口,導(dǎo)致價(jià)格繼續(xù)維持高位的情況下,包括國(guó)際大廠三星、SK海力士、東芝,以及中國(guó)廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)存紛紛宣布擴(kuò)產(chǎn)以增加產(chǎn)能之際,7日美商存儲(chǔ)器大廠(Micron)也宣布擴(kuò)產(chǎn),以補(bǔ)足市場(chǎng)供不應(yīng)求的缺口。
2018-06-11 12:01:001319

中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)如何發(fā)展?

中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)如何發(fā)展?本文從純市場(chǎng)的角度,就DRAM、NAND Flash、封測(cè)技術(shù)和發(fā)展思路等方面提出幾點(diǎn)思考。
2018-03-07 17:46:006778

DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH三大存儲(chǔ)器分析

存儲(chǔ)器芯片領(lǐng)域,主要分為兩類:易失性和非易失性。易失性:斷電以后,存儲(chǔ)器內(nèi)的信息就流失了,例如 DRAM,主要用來(lái)做PC機(jī)內(nèi)存(如DDR)和手機(jī)內(nèi)存(如LPDDR),兩者各占三成。非易失性:斷電以后
2018-04-09 15:45:33113864

紫光集團(tuán)穩(wěn)步布局存儲(chǔ)器市場(chǎng) 都是為了實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)器量產(chǎn)

。反壟斷審查獲得通過(guò),或許證明挖掘技術(shù)人才的中國(guó)已開(kāi)始穩(wěn)步積累技術(shù)。 在中國(guó),政府旗下的紫光集團(tuán)在推進(jìn)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器本國(guó)生產(chǎn)。
2018-05-23 03:24:001907

艾倫預(yù)測(cè):今年存儲(chǔ)器產(chǎn)能還會(huì)繼續(xù)增長(zhǎng),高于產(chǎn)業(yè)平均數(shù)

存儲(chǔ)器大廠科技全球制造資深副總裁艾倫(Wayne Allan)昨(24)日指出,企業(yè)級(jí)線上交易、自駕車、云端大數(shù)據(jù)、網(wǎng)通、行動(dòng)裝置、物聯(lián)網(wǎng)等六大領(lǐng)域?qū)?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)器需求強(qiáng)勁,但供給端增幅有限,今年存儲(chǔ)器市況仍會(huì)健康穩(wěn)健,其中 DRAM價(jià)格可持穩(wěn)到年底。
2018-07-09 07:40:00811

主流存儲(chǔ)器DRAM技術(shù)優(yōu)勢(shì)和行業(yè)應(yīng)用分析

DRAM技術(shù)上取得的進(jìn)步伴隨著多內(nèi)核處理的出現(xiàn)、新的操作系統(tǒng),以及跨多種不同運(yùn)算平臺(tái)和應(yīng)用的越來(lái)越多的不同要求,包括服務(wù)、工作站、海量存儲(chǔ)系統(tǒng)、超級(jí)計(jì)算機(jī)、臺(tái)式電腦和筆記本電腦和外設(shè)。存儲(chǔ)器技術(shù)
2020-05-21 07:52:007926

紫光國(guó)微開(kāi)始資產(chǎn)整合,剝離虧損的存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)

作為上市公司全資子公司,西安紫光國(guó)芯半導(dǎo)體有限公司為DRAM存儲(chǔ)器芯片設(shè)計(jì)公司,屬于紫光國(guó)微旗下存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)平臺(tái)。e公司記者發(fā)現(xiàn),本次紫光國(guó)微置出資產(chǎn)主要出于研發(fā)投入資金壓力和間接控股股東紫光集團(tuán)整體戰(zhàn)略部署考慮。
2018-10-17 10:04:118603

新型存儲(chǔ)技術(shù)3D XPoint目前處于發(fā)展初期 英特爾分道揚(yáng)鑣

近期,正式宣布,對(duì)IM Flash Technologies,LLC(簡(jiǎn)稱“IM Flash”) 中的權(quán)益行使認(rèn)購(gòu)期權(quán)。IM Flash與英特爾的合資公司,主推市場(chǎng)上的新型存儲(chǔ)芯片技術(shù)3D Xpoint。
2018-11-11 09:54:491418

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器技術(shù)及發(fā)展趨勢(shì)詳解

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以簡(jiǎn)單分成易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器,易失存儲(chǔ)器在過(guò)去的幾十年里沒(méi)有特別大的變化,依然是以靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM)為主,非易失存儲(chǔ)器反而不斷有
2019-01-01 08:55:0013982

新型的存儲(chǔ)器技術(shù)有哪些 新型存儲(chǔ)器能解決哪些問(wèn)題

盡管ㄧ些新存儲(chǔ)器技術(shù)已經(jīng)研發(fā)出來(lái),但在這競(jìng)爭(zhēng)激烈的市場(chǎng),只有極少數(shù)能夠成功。 圖1是ㄧ些新存儲(chǔ)器技術(shù)的列表。然而,無(wú)論哪一個(gè)技術(shù)勝出,這些新型非易失性技術(shù)系統(tǒng)的功耗肯定會(huì)低于現(xiàn)有的嵌入式 NOR 閃存和 SRAM,或是,離散 的 DRAM 和 NAND 閃存的系統(tǒng)。
2018-12-24 11:04:3411902

沒(méi)有技術(shù)的無(wú)奈!壟斷案硬是成了晉華竊取技術(shù)

而對(duì)于DRAM價(jià)格持續(xù)上漲的原因,此前業(yè)界認(rèn)為是由于DRAM市場(chǎng)需求持續(xù)增長(zhǎng),以及各大存儲(chǔ)廠商積極轉(zhuǎn)進(jìn)3D NAND Flash制造,但3DNAND Flash生產(chǎn)設(shè)備無(wú)法再轉(zhuǎn)回生產(chǎn)DRAM,導(dǎo)致
2019-01-15 14:51:205331

紫光存儲(chǔ)新調(diào)整 ,國(guó)微轉(zhuǎn)讓DRAM業(yè)務(wù)

隨著福建晉華和合肥長(zhǎng)鑫兩大陣營(yíng)投入研發(fā) DRAM 技術(shù),若兩大廠研發(fā)成功且量產(chǎn),西安紫光國(guó)芯的DRAM設(shè)計(jì)實(shí)力恐與這兩家再度拉大,合并紫光國(guó)芯后的紫光存儲(chǔ)要如何進(jìn)行大整合,以發(fā)揮集團(tuán)的存儲(chǔ)戰(zhàn)力,還待時(shí)間觀察。
2019-02-25 10:22:4910153

公布DRAM和NANDFlash的最新技術(shù)線路圖 將持續(xù)推進(jìn)1ZnmDRAM技術(shù)及研發(fā)128層3DNAND

作為全球知名的存儲(chǔ)器廠商,近日,召開(kāi)了2019年投資者大會(huì),在大會(huì)中上,展示了DRAM和NAND Flash下一代技術(shù)的發(fā)展以及規(guī)劃。
2019-05-24 16:56:354645

存儲(chǔ)市場(chǎng)惡化 同步減產(chǎn) DRAM 和 NAND Flash

對(duì)存儲(chǔ)市場(chǎng)前景透露悲觀氣氛
2019-06-27 10:22:593500

科技正式宣布將采用第3代10納米級(jí)制程生產(chǎn)新一代DRAM

根據(jù)國(guó)外科技媒體《Anandtech》的報(bào)導(dǎo)指出,日前存儲(chǔ)器大廠科技(Micron)正式宣布,將采用第3代10納米級(jí)制程(1Znm)來(lái)生產(chǎn)新一代DRAM。而首批使用1Znm制程來(lái)生
2019-08-19 15:45:223762

東芝存儲(chǔ)器最新發(fā)布XL-Flash技術(shù)

據(jù)外媒報(bào)道,東芝存儲(chǔ)器美國(guó)子公司宣布推出一種新的存儲(chǔ)器(Storage Class Memory)解決方案:XL-Flash,該技術(shù)是基于創(chuàng)新的Bics Flash 3D NAND技術(shù)和SLC。
2019-09-04 16:41:321643

宣布首款LPDDR5 DRAM UFS多芯片封裝正式送樣 可節(jié)省功耗并減少存儲(chǔ)器占用空間

存儲(chǔ)器大廠(Micron Technology)于11日宣布,業(yè)界首款搭載LPDDR5 DRAM的通用快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存(UFS)多芯片封裝(uMCP)正式送樣。新款UFS多芯片封裝(uMCP5)是基于光在多芯片規(guī)格尺寸創(chuàng)新及領(lǐng)導(dǎo)地位所打造。
2020-03-12 11:06:324480

新型存儲(chǔ)器與傳統(tǒng)存儲(chǔ)器介質(zhì)特性對(duì)比

目前新型存儲(chǔ)器上受到廣泛關(guān)注的新型存儲(chǔ)器主要有相變存儲(chǔ)器(PCM),其中有以英特爾與聯(lián)合研發(fā)的3D Xpoint為代表;MRAM以美國(guó)Everspin公司推出的STT-MRAM為代表;阻變存儲(chǔ)器
2020-04-25 11:05:573525

新興的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)誰(shuí)將更勝一籌

新興的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)主要有五種類型:閃存(Flash),鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(FeRAM),磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM),相變存儲(chǔ)器(PCM)和RRAM。
2020-05-21 16:34:312446

存儲(chǔ)器和新興非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)的特點(diǎn)

的網(wǎng)絡(luò)開(kāi)發(fā)和商業(yè)化,但首先讓我們看一下當(dāng)前存儲(chǔ)器和新興的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)的特點(diǎn),并了解為什么MRAM能夠立足出來(lái)。 非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)的比較下表1比較了各種新興的非存儲(chǔ)器技術(shù)與已建立的存儲(chǔ)器(SRAM,DRAM,NOR和NAND閃
2020-06-09 13:46:161487

DRAM、SRAM和Flash原理解析

DRAM、SRAM和Flash都屬于存儲(chǔ)器,DRAM通常被稱為內(nèi)存,也有些朋友會(huì)把手機(jī)中的Flash閃存誤會(huì)成內(nèi)存。SRAM的存在感相對(duì)較弱,但他卻是CPU性能發(fā)揮的關(guān)鍵。
2020-07-29 11:14:1614609

FLASH存儲(chǔ)器測(cè)試程序原理和幾種通用的測(cè)試方法

隨著當(dāng)前移動(dòng)存儲(chǔ)技術(shù)的快速發(fā)展和移動(dòng)存儲(chǔ)市場(chǎng)的高速擴(kuò)大,FLASH存儲(chǔ)器的用量迅速增長(zhǎng)。FLASH芯片由于其便攜、可靠、成本低等優(yōu)點(diǎn),在移動(dòng)產(chǎn)品中非常適用。市場(chǎng)的需求催生了一大批FLASH芯片研發(fā)
2020-08-13 14:37:298221

如何區(qū)分各種存儲(chǔ)器(ROM、RAM、FLASH

相信有很多人都對(duì)計(jì)算機(jī)里的各種存儲(chǔ)器(ROM、RAM、FLASH 等等)傻傻分不清,就會(huì)存在,內(nèi)存條是 dram 還是 nand?nand flash 和 nor flash 的區(qū)別又是什么?程序
2020-12-17 14:56:3812674

存儲(chǔ)廠商證實(shí)利基型DRAM與NOR Flash均已漲價(jià)

存儲(chǔ)器 IC 設(shè)計(jì)廠晶豪科技 (ESMT)昨日公開(kāi)表示,利基型 DRAM 與 NOR Flash 均已漲價(jià)。 晶豪科技指出,利基型 DRAM 部分價(jià)格已開(kāi)始調(diào)高,合約價(jià)方面則將從明年第一季起開(kāi)始調(diào)漲
2020-12-08 13:43:472650

DRAM、NAND和嵌入式存儲(chǔ)器技術(shù)的觀察與分析

最近Techinsights舉辦了一場(chǎng)關(guān)于存儲(chǔ)技術(shù)的網(wǎng)絡(luò)研討會(huì),Jeongdong Choe博士介紹了他對(duì)最新的DRAM,NAND,新興和嵌入式存儲(chǔ)器技術(shù)的觀察與分析。以下概述了討論的相關(guān)主題。DRA
2020-12-24 13:13:461607

消息稱或開(kāi)發(fā)EUV應(yīng)用技術(shù)

根據(jù)韓國(guó)媒體《Etnews》報(bào)導(dǎo)指出,目前全球3大DRAM存儲(chǔ)器中尚未明確表示采用EUV極紫外光刻機(jī)的美商(Micron),因日前招聘網(wǎng)站開(kāi)始征求EUV工程師,揭露也在進(jìn)行EUV運(yùn)用于DRAM先進(jìn)制程,準(zhǔn)備與韓國(guó)三星、SK海力士競(jìng)爭(zhēng)
2020-12-25 14:33:101953

推出 1α DRAM 制程技術(shù):內(nèi)存密度提升了 40% 節(jié)能 15%

1 月 27 日消息 內(nèi)存與存儲(chǔ)解決方案供應(yīng)商科技今日宣布批量出貨基于 1α (1-alpha) 節(jié)點(diǎn)的 DRAM 產(chǎn)品。該制程是目前世界上最為先進(jìn)的 DRAM 技術(shù),在密度、功耗和性能等各方面
2021-01-27 13:56:032777

率先于業(yè)界推出1α DRAM制程技術(shù)

的 1α 技術(shù)節(jié)點(diǎn)使內(nèi)存解決方案更節(jié)能、更可靠,并為需要最佳低功耗 DRAM 產(chǎn)品的移動(dòng)平臺(tái)帶來(lái)運(yùn)行速度更快的 LPDDR5。
2021-01-28 17:28:081182

解密最新1α內(nèi)存工藝 存儲(chǔ)器技術(shù)的升級(jí)對(duì)現(xiàn)有工藝制程將是巨大挑戰(zhàn)

本周二公布其用于DRAM的1α新工藝,該技術(shù)有望將DRAM位密度提升40%,功耗降低15%。 1α工藝最初被用于生產(chǎn)DDR4和LPDDR4內(nèi)存,未來(lái)或?qū)⒌采w所有類型的DRAM。 同時(shí),
2021-01-29 10:17:163024

西安紫光國(guó)芯攜DRAM存儲(chǔ)器產(chǎn)品亮相第五屆絲博會(huì)

的統(tǒng)一組織下亮相第五屆絲博會(huì),展出了公司研發(fā)設(shè)計(jì)的包括第四代DRAM 存儲(chǔ)器在內(nèi)的全系列晶圓、顆粒及模組產(chǎn)品及全球首系列商用內(nèi)嵌自檢測(cè)修復(fù)(ECC)DRAM存儲(chǔ)器產(chǎn)品。全面展示了西安紫光國(guó)芯在集成電路存儲(chǔ)器領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力和創(chuàng)新成果。
2021-05-14 14:52:503506

出貨全球最先進(jìn)的1β技術(shù)節(jié)點(diǎn)DRAM

2022年11月2日——中國(guó)上?!獌?nèi)存與存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology Inc.(科技股份有限公司,納斯達(dá)克股票代碼:MU)今日宣布,其采用全球最先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的1
2022-11-02 17:27:481537

三連莊!7450 SSD斬獲WEAA年度存儲(chǔ)器大獎(jiǎng)

全球電子技術(shù)領(lǐng)域知名媒體集團(tuán) ASPENCORE 主辦的全球電子成就獎(jiǎng)(WEAA)揭曉, 7450 NVMe SSD 成功斬獲“年度存儲(chǔ)器”大獎(jiǎng)。這是連續(xù)第三年獲得該項(xiàng)殊榮。
2022-11-12 10:43:19845

科技在日本廣島開(kāi)始量產(chǎn)尖端存儲(chǔ)器DRAM

最新消息,據(jù)日本共同社報(bào)道,科技位于日本廣島縣東廣島市的子公司“日本存儲(chǔ)器公司”,已于16日在該市廣島工廠啟動(dòng)最尖端DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)的量產(chǎn)。 據(jù)悉,量產(chǎn)的最新產(chǎn)品名為“1
2022-11-28 10:40:521736

動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器集成工藝(DRAM)詳解

在當(dāng)前計(jì)算密集的高性能系統(tǒng)中,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DRAM)和嵌入式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(embedded-DRAM,eDRAM)是主要的動(dòng)態(tài)快速讀/寫(xiě)存儲(chǔ)器。先進(jìn)的 DRAM 存儲(chǔ)單元有兩種,即深溝
2023-02-08 10:14:5712490

淺析動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DRAM集成工藝

在當(dāng)前計(jì)算密集的高性能系統(tǒng)中,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DRAM)和嵌入式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(embedded-DRAM,eDRAM)是主要的動(dòng)態(tài)快速讀/寫(xiě)存儲(chǔ)器。
2023-02-08 10:14:391354

Flash存儲(chǔ)器的工作原理和基本結(jié)構(gòu)

  Flash存儲(chǔ)器是一種非易失性存儲(chǔ)器,即使在供電電源關(guān)閉后仍能保持片內(nèi)信息。
2023-09-09 16:22:288172

NAND Flash和NOR Flash存儲(chǔ)器的區(qū)別

摘要:本文主要對(duì)兩種常見(jiàn)的非易失性存儲(chǔ)器——NAND Flash和NOR Flash進(jìn)行了詳細(xì)的比較分析。從存儲(chǔ)容量、性能、成本等方面進(jìn)行了深入探討,以幫助讀者更好地理解這兩種存儲(chǔ)器的特性和應(yīng)用。
2023-09-27 17:46:062633

NAND Flash存儲(chǔ)器的基礎(chǔ)知識(shí)

隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展,數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求日益增長(zhǎng)。作為一種新型的非易失性存儲(chǔ)器,NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等優(yōu)勢(shì),在各個(gè)領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。本文將對(duì)NAND Flash存儲(chǔ)器的工作原理、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、性能指標(biāo)及應(yīng)用領(lǐng)域進(jìn)行詳細(xì)解析,以期為讀者提供一個(gè)全面的了解。
2023-09-27 18:26:175564

科技發(fā)布1β制程節(jié)點(diǎn)技術(shù)的16Gb DDR5存儲(chǔ)器,領(lǐng)先業(yè)界

  科技指出,為應(yīng)對(duì)資料中心工作負(fù)載所需,CPU 內(nèi)核數(shù)持續(xù)增加,為突破「存儲(chǔ)器墻」(Memory Wall)瓶頸,同時(shí)為客戶提供最佳化的總擁有成本,對(duì)于存儲(chǔ)器頻寬及容量需求也隨之大幅提升。
2023-10-19 16:03:001261

預(yù)測(cè):2024年存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)將迎來(lái)佳績(jī)

展示了豐富的新產(chǎn)品信息,眾多高管拜訪了參展的制造商。對(duì)于今年存儲(chǔ)器行業(yè)的預(yù)測(cè),蒙提斯表示,由于AI技術(shù)如火如荼地發(fā)展以及硬件規(guī)格的升級(jí),存儲(chǔ)器行業(yè)將繼續(xù)保持增長(zhǎng)勢(shì)頭。
2024-02-29 09:50:491064

計(jì)劃部署納米印刷技術(shù),降低DRAM芯片生產(chǎn)成本

。光在演講中表示 DRAM 節(jié)點(diǎn)和沉浸式光刻分辨率問(wèn)題,名為“Chop”的層數(shù)量不斷增加,這就意味著添加更多的曝光步驟,來(lái)取出密集存儲(chǔ)器陣列外圍的虛假結(jié)構(gòu)(dummy structures)。 ? 公司表示由于光學(xué)系統(tǒng)本身性質(zhì),這些 DRAM 層的圖案很難用光學(xué)光刻技術(shù)
2024-03-06 08:37:35838

EEPROM與Flash存儲(chǔ)器的區(qū)別

在電子技術(shù)和計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中,存儲(chǔ)器是不可或缺的組成部分,其類型和功能繁多。EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory,電可擦除
2024-05-23 16:35:3610922

NAND Flash與其他類型存儲(chǔ)器的區(qū)別

NAND Flash作為一種基于NAND技術(shù)的非易失性存儲(chǔ)器,具有多個(gè)顯著優(yōu)點(diǎn),這些優(yōu)點(diǎn)使其在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。以下是對(duì)NAND Flash優(yōu)點(diǎn)的詳細(xì)闡述,并簡(jiǎn)要探討與其他類型存儲(chǔ)器的區(qū)別。
2024-08-20 10:24:441952

DRAM存儲(chǔ)器的基本單元

DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,是現(xiàn)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中不可或缺的內(nèi)存組件。其基本單元的設(shè)計(jì)簡(jiǎn)潔而高效,主要由一個(gè)晶體管(MOSFET)和一個(gè)電容組成,這一組合使得DRAM能夠在保持成本效益的同時(shí),實(shí)現(xiàn)高速的數(shù)據(jù)存取。
2024-09-10 14:42:493256

鐵電存儲(chǔ)器Flash的區(qū)別

鐵電存儲(chǔ)器(Ferroelectric RAM, FRAM)與閃存(Flash)是兩種不同類型的非易失性存儲(chǔ)器,它們?cè)诠ぷ髟?、性能特點(diǎn)、應(yīng)用場(chǎng)景等方面存在顯著的差異。
2024-09-29 15:25:324375

DRAM存儲(chǔ)器的特性有哪些

DRAM(Dynamic Random Access Memory)即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器,是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,用于計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的隨機(jī)存取存儲(chǔ)。它由許多存儲(chǔ)單元組成,每個(gè)存儲(chǔ)單元可以存儲(chǔ)一位或多位數(shù)據(jù)。DRAM的主要特點(diǎn)是集成度高、成本低,但讀寫(xiě)速度相對(duì)較慢,并且需要定期刷新以保持?jǐn)?shù)據(jù)。
2024-10-12 17:06:114113

科技代理紫光國(guó)芯存儲(chǔ)芯片(DRAM),讓國(guó)產(chǎn)替代更簡(jiǎn)單

科技作為業(yè)內(nèi)知名的車規(guī)及工業(yè)元器件供應(yīng)商,現(xiàn)已成為紫光國(guó)芯存儲(chǔ)芯片的授權(quán)代理商。在半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片國(guó)產(chǎn)化的關(guān)鍵時(shí)期,這一合作為推動(dòng)DRAM等關(guān)鍵器件的國(guó)產(chǎn)替代開(kāi)辟了新的渠道。紫光國(guó)芯在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域
2025-06-13 15:41:271298

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