工業(yè)4.0：您需要的存儲類型

　　工業(yè)4.0背后的主要目標(biāo)是將決策過程部分轉(zhuǎn)移到自主的信息物理設(shè)置。通過利用系統(tǒng)內(nèi)外生成的大量數(shù)據(jù)，這些設(shè)置能夠根據(jù)情況需求做出適當(dāng)?shù)倪x擇。工業(yè)4.0...

2022-11-24 標(biāo)簽：NAND工業(yè)4.0邊緣計(jì)算 932 0

Q3季度NAND閃存價(jià)格跌了10-15%，Q4價(jià)格還會更慘

從Q1季度之后，NAND閃存價(jià)格就止不住下滑了，主要原因是廠商的64/72層堆棧3D NAND閃存產(chǎn)能大增，而需求卻降下來了，智能手機(jī)市場已經(jīng)連續(xù)多個(gè)季...

2018-11-20 標(biāo)簽：英特爾NAND西數(shù) 930 0

今年全球晶圓設(shè)備支出衰退13.3% 估2014年恢復(fù)成長

研究暨顧問機(jī)構(gòu)發(fā)布最新預(yù)測，預(yù)估今年全球晶圓設(shè)備（WFE）支出金額總計(jì)達(dá)314億美元，較2011年362億美元下滑13.3%，預(yù)期2014年才可重回正成長。

2012-10-16 標(biāo)簽：NAND晶圓晶圓制造 930 0

NAND供貨持續(xù)吃緊 價(jià)格難以回歸平衡

NAND的價(jià)格在近幾年來都是水漲船高的局勢，隨著三星和SK海力士宣布繼續(xù)投產(chǎn)，預(yù)估明年DRAM仍舊是供貨吃緊，因此DRAM價(jià)格下修的可能性也會很低。

2017-12-18 標(biāo)簽：dramnand三星電子 922 0

東芝或?qū)⒉脝T數(shù)千名 分拆NAND存儲器事業(yè)部

被東芝（Toshiba）視為營運(yùn)重建支柱的半導(dǎo)體部門新整編方案內(nèi)容曝光，據(jù)悉東芝擬把在三重縣四日市工廠進(jìn)行生產(chǎn)的“NAND型快閃存儲器（Flash Me...

2015-12-22 標(biāo)簽：東芝NAND存儲器 920 0

NAND價(jià)格兩年來首次突破3美元 三星產(chǎn)能全開追不上需求

報(bào)導(dǎo)指出，三星電子停產(chǎn)停售 Note 7，讓借此加強(qiáng)攻勢、擴(kuò)大市占率的中國智能手機(jī)廠需求急增，而各家內(nèi)存廠商雖已增產(chǎn)順應(yīng)、但仍追不上需求增加速度。日本三...

2016-10-31 標(biāo)簽：nandnote7 917 0

西數(shù)5毫米500GB硬盤，讓Ultrabook輕松“瘦身”

平板機(jī)內(nèi)部空間極為有限，因此在存儲方面都選擇了NAND、eMMC方案，使得容量受到了很大限制，尤其是Windows平板機(jī)，排除操作系統(tǒng)、備份等需要的空間...

2013-05-30 標(biāo)簽：NAND西部數(shù)據(jù)5毫米硬盤 914 0

存儲芯片廠商的DRAM和NAND閃存庫存明顯增加，Q4將忙于調(diào)整庫存

據(jù)國外媒體報(bào)道，本月初，產(chǎn)業(yè)鏈消息人士曾透露，受需求下滑影響，存儲芯片制造商的庫存明顯增加，平均庫存已接近4個(gè)月。

2020-09-17 標(biāo)簽：芯片DRAMNAND 913 0

美光宣布在印度建造封測工廠，投資總額高達(dá)27.5億美元

近日，美光科技公司今天宣布計(jì)劃在印度古吉拉特邦建造一座新的組裝和測試工廠，新工廠將實(shí)現(xiàn) DRAM 和 NAND 產(chǎn)品的組裝和測試制造。

2023-06-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體NAND美光 913 0

DRAM迎來最后紅利期 韓、臺廠商正在瘋狂搶食

以全球存儲芯片市場前兩位的三星和SK海力士為例。數(shù)據(jù)顯示，三星的全球內(nèi)存市場占有率為46%，閃存市場占有率為39%。SK海力士的全球內(nèi)存市場占有率為29...

2018-05-16 標(biāo)簽：dramnand三星電子 911 0

英特爾與傲騰聯(lián)手 重塑數(shù)據(jù)中心存儲架構(gòu)

今日，以“智數(shù)據(jù)·創(chuàng)未來”為主題的2018中國存儲與數(shù)據(jù)峰會在北京拉開帷幕。作為中國數(shù)據(jù)與存儲行業(yè)頂級的交流平臺，本次峰會匯集了全球近百位來自產(chǎn)業(yè)界、學(xué)...

2018-12-13 標(biāo)簽：英特爾NAND存儲 911 0

NAND與DRAM漲幅繼續(xù)？下半年供應(yīng)會更緊張

DRAM 價(jià)格在今年開年以來不斷上漲。自從 1 月初的三星工廠停電、東芝工廠起火之后，這兩家公司紛紛表態(tài)對生產(chǎn)基本沒影響，但是全球存儲芯片的市場依然像是打了雞血

2020-03-15 標(biāo)簽：DRAMNAND三星電子 911 0

三星半導(dǎo)體再度沖擊行業(yè)第一寶座？

內(nèi)存由 DRAM 和 NAND 產(chǎn)品組成，對于自 1993 年以來成為全球最大內(nèi)存制造商的三星來說，最為重要。雖然該公司始終只公布 DS 部門的盈利，但...

2024-04-02 標(biāo)簽：DRAMNAND存儲器 910 0

采用物聯(lián)網(wǎng)兼容外形的存儲卡脫穎而出

3D-NAND閃存技術(shù)，其中閃存單元垂直分層，正在成為存儲卡的最佳解決方案，注定要用于強(qiáng)大和安全的工業(yè)用途。雖然 2D-SLC-NAND（SLC 是最快...

2022-11-25 標(biāo)簽：NAND物聯(lián)網(wǎng)攝像頭 907 0

SD NAND工業(yè)級存儲的新選擇

據(jù)CFM閃存市場數(shù)據(jù)顯示，2024年一季度全球NAND Flash市場規(guī)模環(huán)比增長24.2%，達(dá)到了151.78億美元。這一顯著的增長表明，全球NAND...

2024-11-17 標(biāo)簽：NANDFlaSh存儲 907 0

DDR3成主流產(chǎn)品 海力士增NAND Flash產(chǎn)能

DDR3成主流產(chǎn)品 海力士增NAND Flash產(chǎn)能 　據(jù)彭博(Bloomberg)報(bào)導(dǎo)，海力士執(zhí)行長金鐘甲(Jong-Kap Kim)表示，2010...

2010-01-20 標(biāo)簽：NANDDDR3 901 0

2017年NAND產(chǎn)能成長有限、價(jià)格走揚(yáng)

017年NAND Flash整體投片產(chǎn)能僅年增6%，隨著業(yè)者加速轉(zhuǎn)進(jìn)3D-NAND，2017年2D-NAND缺貨情況將持續(xù)一整年。

2016-12-23 標(biāo)簽：NANDNAND Flash3D-NAND 900 0