韓國(guó)結(jié)束對(duì)閃存商反壟斷調(diào)查未發(fā)現(xiàn)違法行為

韓國(guó)結(jié)束對(duì)閃存商反壟斷調(diào)查未發(fā)現(xiàn)違法行為   韓國(guó)公平交易委員會(huì)在一份聲明中表示尚未發(fā)現(xiàn)韓國(guó)或其他地區(qū)閃存廠商有操縱價(jià)格或其他壟斷行為的證據(jù)。

2009-12-31 標(biāo)簽：閃存NAND韓國(guó) 782 0

瀚海微SD卡溫度可靠性深度解析：從極端環(huán)境故障到全方位防護(hù)策略

在存儲(chǔ)設(shè)備的眾多故障誘因中，溫度因素往往是最隱蔽、最具破壞性的一環(huán)。SD NAND/TF卡雖通過(guò)-40℃至85℃工業(yè)級(jí)寬溫測(cè)試，但實(shí)際應(yīng)用中，溫度相關(guān)故...

2025-12-24 標(biāo)簽：NANDSD卡存儲(chǔ)設(shè)備 782 0

美光CEO過(guò)于樂(lè)觀 認(rèn)為未來(lái)存儲(chǔ)市場(chǎng)一片光明

美光首席執(zhí)行官桑賈伊·梅赫羅特拉表示，2019 年抑制價(jià)格上漲的存儲(chǔ)芯片正處于一個(gè)轉(zhuǎn)折點(diǎn)，存儲(chǔ)行業(yè)將會(huì)迎來(lái)更好。因此，接下來(lái)的兩個(gè)財(cái)政季度應(yīng)開(kāi)始顯示出更...

2019-12-30 標(biāo)簽：NAND存儲(chǔ)美光 780 0

雖然DRAM及NAND Flash 因淡季效應(yīng)而略顯弱勢(shì)，但美光繼續(xù)看好

雖然近期DRAM及NAND Flash價(jià)格走勢(shì)因淡季效應(yīng)而略顯弱勢(shì)，但是并不影響記內(nèi)存廠商的獲利表現(xiàn)。美國(guó)存儲(chǔ)廠商美光（Micron）昨日宣布調(diào)升20...

2018-07-06 標(biāo)簽：DRAMNAND 774 0

全球NAND閃存市場(chǎng)聞風(fēng)而動(dòng) 韓國(guó)對(duì)日制裁產(chǎn)生了一系列的影響

從去年初以來(lái)，全球NAND Flash閃存市場(chǎng)價(jià)格已經(jīng)連跌了6個(gè)季度，導(dǎo)致的后果就是六大NAND閃存供應(yīng)商營(yíng)收及盈利不斷下滑，多家廠商還削減了產(chǎn)能，其中...

2019-11-14 標(biāo)簽：閃存NAND 771 0

短期內(nèi)NAND閃存需求的不如人意 并不影響市場(chǎng)的長(zhǎng)期向好態(tài)勢(shì)

進(jìn)入2019年第二季度，NAND閃存的價(jià)格繼續(xù)呈下跌態(tài)勢(shì)，根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心第一季度末發(fā)布的數(shù)據(jù)，受到服務(wù)器需求疲弱、智能手機(jī)換機(jī)周期延長(zhǎng)、蘋(píng)果...

2019-05-22 標(biāo)簽：閃存NAND 770 0

Intel和SK Hynix提出閃存未來(lái)的兩項(xiàng)重要進(jìn)展

TLC是當(dāng)今使用最廣泛的閃存，盡管市場(chǎng)上有每單元4位的芯片。Lee表示，Hynix正在考慮增加層數(shù)和每個(gè)單元的位數(shù)。

2023-03-14 標(biāo)簽：閃存NANDintel 768 0

ASIC熱潮再現(xiàn) 攪動(dòng)2013年3110億美元半導(dǎo)體市場(chǎng)

“蘋(píng)果效應(yīng)”預(yù)計(jì)將在2013年持續(xù)發(fā)酵，有望帶動(dòng)NAND產(chǎn)業(yè)與特定應(yīng)用集成電路（ASIC）的收入，增長(zhǎng)率分別達(dá)17.2%和9.4%。 Gartner將蘋(píng)...

2013-01-23 標(biāo)簽：智能手機(jī)DRAMNAND 765 0

存儲(chǔ)器廠積極擴(kuò)增產(chǎn)能，NAND Flash或?qū)⒊蔀榘雽?dǎo)體行業(yè)2018年的主戰(zhàn)場(chǎng)

國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（SEMI）3日提出，繼移動(dòng)裝置后，物聯(lián)網(wǎng)、車用、第五代移動(dòng)通訊（5G ）擴(kuò)增實(shí)境（AR）/虛擬實(shí)境（VR）及人工智慧（AI）將為半...

2018-07-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體NAND存儲(chǔ)器 765 0

手機(jī)熱銷帶旺NAND價(jià)格走高 三星東芝擴(kuò)產(chǎn)能應(yīng)對(duì)

日經(jīng)新聞2016年10月29日?qǐng)?bào)導(dǎo)，使用于智能手機(jī)、存儲(chǔ)卡的NAND型快閃存儲(chǔ)器（Flash Memory）批發(fā)價(jià)格進(jìn)一步走升，10月份指標(biāo)性產(chǎn)品MLC...

2016-11-01 標(biāo)簽：東芝NAND三星電子 755 0

技術(shù)領(lǐng)先領(lǐng)先別無(wú)所求：Intel NAND閃存新戰(zhàn)略縱覽

技術(shù)領(lǐng)先領(lǐng)先別無(wú)所求：Intel NAND閃存新戰(zhàn)略縱覽 　在最近舉辦的一次會(huì)議上，Intel公司屬下NAND閃存集團(tuán)的新任老總Tom Rampone...

2010-02-09 標(biāo)簽：NANDIntel 753 0

IDC：2013年半導(dǎo)體營(yíng)收將達(dá)3200億美元

7月31日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，由于智能手機(jī)與平板電腦需求依舊強(qiáng)勁，IDC調(diào)高今年全球半導(dǎo)體營(yíng)收評(píng)估，并預(yù)期2014年將進(jìn)一步增長(zhǎng)。

2013-07-31 標(biāo)簽：半導(dǎo)體DRAMNAND 750 0

天碩工業(yè)級(jí)SSD固態(tài)硬盤能不能防止高溫誤碼？

在復(fù)雜的工業(yè)環(huán)境中，高溫對(duì)SSD的挑戰(zhàn)尤為嚴(yán)峻。NAND閃存單元電壓偏移會(huì)導(dǎo)致誤碼率飆升，從而影響系統(tǒng)穩(wěn)定性。天碩(TOPSSD) G55 Pro M....

2025-07-23 標(biāo)簽：NANDSSD固態(tài)硬盤 747 0

NAND閃存跌價(jià)結(jié)束 一個(gè)月來(lái)的漲幅接近20%

閃存跌價(jià)已經(jīng)兩年了，但是現(xiàn)在好日子要結(jié)束了。自從6月份東芝、西數(shù)位于日本的NAND閃存工廠斷電停工一個(gè)月之后，閃存市場(chǎng)就一直有各種漲價(jià)的傳聞，聽(tīng)多了大家...

2019-12-31 標(biāo)簽：閃存NAND 746 0