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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備，在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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東芝計(jì)劃減產(chǎn)NAND閃存芯片30%

東芝(微博)公司計(jì)劃將NAND閃存芯片的產(chǎn)量削減30%，為2009年以來首次減產(chǎn)。

2012-07-24 標(biāo)簽：東芝 NAND 閃存芯片 1k 0

三星半導(dǎo)體欲扭虧為盈，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)預(yù)計(jì)達(dá)11.5萬億韓元

當(dāng)前，人工智能熱潮助推了三星存儲(chǔ)芯片銷售。盡管2023年因DRAM、NAND供應(yīng)異常充足，導(dǎo)致價(jià)格大跌，使其陷入嚴(yán)重虧損，但得益于減產(chǎn)政策的成效，近期此...

2024-01-04 標(biāo)簽：DRAM NAND 人工智能 1k 0

DRAM、NAND閃存芯片供不應(yīng)求,三星Q4營(yíng)利980億元

內(nèi)存/SSD齊漲價(jià)模式還沒有叫停，供求還在不斷地增加，三星計(jì)劃增產(chǎn)內(nèi)存來解決明年內(nèi)存市場(chǎng)短缺的問題。據(jù)報(bào)道，受內(nèi)存/SSD齊漲價(jià)影響，三星Q4利潤(rùn)預(yù)計(jì)暴...

2017-12-08 標(biāo)簽：dram nand 三星電子 1k 0

半導(dǎo)體市場(chǎng)一蹶不振，NAND Flash閃存出貨量低于預(yù)期

除PC需求疲弱外，NAND Flash價(jià)跌也是促使SSD價(jià)格續(xù)跌的原因。SSD搭載數(shù)個(gè)NAND Flash、因此價(jià)格易受NAND Flash價(jià)格影響。

2022-12-20 標(biāo)簽：NAND nandflash 1k 0

美光調(diào)整NAND晶圓生產(chǎn)策略應(yīng)對(duì)市場(chǎng)需求放緩

近日，根據(jù)美光方面發(fā)布的2025財(cái)年第一財(cái)季財(cái)報(bào)電話會(huì)議文稿，公司高管在會(huì)上確認(rèn)了針對(duì)當(dāng)前閃存市場(chǎng)需求放緩的應(yīng)對(duì)措施。美光執(zhí)行副總裁兼首席財(cái)務(wù)官M(fèi)ar...

2024-12-26 標(biāo)簽：閃存 NAND 晶圓 1k 0

NAND芯片報(bào)價(jià)逐季上漲，盛景回歸

近半年來，NAND芯片的報(bào)價(jià)一路上漲，市場(chǎng)價(jià)格節(jié)節(jié)攀升，據(jù)市場(chǎng)傳聞，這一漲勢(shì)預(yù)計(jì)將在年底前持續(xù)，累計(jì)漲幅甚至有望高達(dá)六成，這對(duì)于存儲(chǔ)芯片廠商來說，將是一...

2024-01-24 標(biāo)簽：芯片 NAND AI 1k 0

美光3D NAND技術(shù)逐漸成熟，積極推動(dòng)工業(yè)領(lǐng)域應(yīng)用

美系存儲(chǔ)器大廠美光（Micron）3D NAND技術(shù)逐漸成熟后，開始拓展旗下產(chǎn)品線廣度，日前耕耘工業(yè)領(lǐng)域有成，將推出影像監(jiān)控邊緣儲(chǔ)存解決方案，32GB...

2018-08-07 標(biāo)簽：NAND 美光 1k 0

全球NAND Flash季度營(yíng)收環(huán)比增長(zhǎng)28.1%

其中，三星以54億美元的銷售額領(lǐng)跑市場(chǎng)，環(huán)比增長(zhǎng)28.6%。得益于企業(yè)級(jí)SSD出貨量的提升與NAND Flash價(jià)格的上漲，預(yù)計(jì)下個(gè)季度將繼續(xù)保持20%...

2024-05-29 標(biāo)簽：NAND 西部數(shù)據(jù)AI服務(wù)器 1k 0

利用3D NAND克服工業(yè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)問題

隨著對(duì)新特性和功能需求的增加，大容量存儲(chǔ)在嵌入式工業(yè)應(yīng)用中的使用持續(xù)增長(zhǎng)。雖然更復(fù)雜的GUI和應(yīng)用已經(jīng)通過增加NAND芯片容量而成為可能;更快的接口和各...

2022-10-24 標(biāo)簽：控制器 NAND SSD 1k 0

手機(jī)市場(chǎng)疲軟存儲(chǔ)器廠商群聯(lián)電子轉(zhuǎn)型有成

全球智能手機(jī)市場(chǎng)疲弱，車用電子、AIoT等逐漸成為市場(chǎng)矚目焦點(diǎn)。NAND Flash控制芯片及存儲(chǔ)解決方案廠群聯(lián)電子轉(zhuǎn)型有成，今年大舉進(jìn)軍AIoT、車載...

2019-03-02 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)器 1k 0

旺宏攪局3D NAND 預(yù)計(jì)明年投資新臺(tái)幣87億元

新聞主體：旺宏電子于 1989 年創(chuàng)立于臺(tái)灣新竹科學(xué)園區(qū)，是全球少數(shù)能夠提供從 512Kbit 至 2Gbit 完整 Serial NOR Flash ...

2019-12-25 標(biāo)簽：NAND 1k 0

Crucial英睿達(dá)T700第五代SSD，采用232層TLC NAND

Crucial 英睿達(dá) T700 第五代 SSD 采用 232 層 TLC NAND，順序讀取速度高達(dá) 12,400MB/s，速度幾乎是先前第四代高性能...

2023-06-01 標(biāo)簽：NAND SSD Crucial 1k 0

受5G的影響 DRAM與NAND將迎來增長(zhǎng)

12 月 22 日訊，據(jù)韓媒報(bào)道，市場(chǎng)研究公司預(yù)測(cè)，基于固態(tài)硬盤密度和性能提升，明年全球 NAND 閃存需求將增加，5G 通信、人工智能、深度學(xué)習(xí)和虛擬...

2019-12-23 標(biāo)簽：DRAM NAND 1k 0

慧榮科技推出SM8008：業(yè)界首款PCIe Gen5企業(yè)級(jí)啟動(dòng)與超低功耗主控芯片

慧榮科技（NasdaqGS: SIMO）作為設(shè)計(jì)和推廣固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備NAND閃存主控芯片的全球領(lǐng)導(dǎo)者，今日宣布推出SM8008，這是一款PCIe Gen5...

2026-03-14 標(biāo)簽：NAND PCIe 慧榮科技 1k 0

瀚海微SD NAND應(yīng)用之SD協(xié)議物理層的規(guī)范

本文中的數(shù)字規(guī)則十六進(jìn)制數(shù)字以小寫“h”后綴書寫，例如FFFFh和80h。二進(jìn)制數(shù)用小寫“b”后綴書寫(例如，10b)。大于四位數(shù)的二進(jìn)制數(shù)用一個(gè)...

2024-07-18 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)卡 SD 1k 0

DRAM擴(kuò)產(chǎn)受困于技術(shù)瓶頸和國際大廠的壟斷

存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)在經(jīng)過長(zhǎng)達(dá)一年半時(shí)間的猛漲后，部分內(nèi)存芯片的價(jià)格突然下跌，加之韓國三星電子近期發(fā)布的令人失望的2017年盈利報(bào)告，導(dǎo)致那些押注芯片繁榮的投資...

2018-10-30 標(biāo)簽：DRAM NAND 存儲(chǔ) 1k 0

鎧俠與閃迪發(fā)布下一代3D閃存技術(shù)，實(shí)現(xiàn)4.8Gb/s NAND接口速度

兩家公司預(yù)展第十代3D閃存技術(shù)，為性能、能效和位密度設(shè)立新標(biāo)準(zhǔn)舊金山,國際固態(tài)電路會(huì)議（ISSCC）——鎧俠株式會(huì)社與閃迪公司聯(lián)合發(fā)布一項(xiàng)尖端3D閃存技...

2025-02-25 標(biāo)簽：閃存 NAND 接口 1k 0

三星電子削減NAND閃存產(chǎn)量

近日，三星電子已做出決定，將減少其位于中國西安工廠的NAND閃存產(chǎn)量。這一舉措被視為三星電子為保護(hù)自身盈利能力而采取的重要措施。當(dāng)前，全球NAND閃存...

2025-01-14 標(biāo)簽：閃存 NAND 三星電子 1k 0

IC Insights:2012年電信類IC成長(zhǎng)奪冠

ICInsights指出，雖然2012年整體IC市場(chǎng)成長(zhǎng)率預(yù)計(jì)將下降1%，但仍有九大產(chǎn)類別預(yù)計(jì)將出現(xiàn)正成長(zhǎng)，其中前三名均與電信產(chǎn)業(yè)相關(guān)。

2012-10-15 標(biāo)簽：IC NAND 有線通信 1k 0

基于3D NAND的閃存存儲(chǔ)技術(shù)為視頻監(jiān)控領(lǐng)域帶來哪些好處

由于人們對(duì)周遭環(huán)境（住宅、建筑、工廠、企業(yè)或基礎(chǔ)設(shè)施的內(nèi)外環(huán)境）的視覺感知需求不斷增長(zhǎng)，全球范圍的視頻監(jiān)控市場(chǎng)都在飛速發(fā)展。然而，所部署系統(tǒng)的數(shù)量和部署...

2021-01-28 標(biāo)簽：nand 圖像傳感器視頻監(jiān)控 1k 0

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價(jià)。
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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲(chǔ)存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲(chǔ)的特點(diǎn)。
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲(chǔ)品牌。
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