NAND存儲(chǔ)芯片廠商掀起減產(chǎn)浪潮

由于長(zhǎng)期nand型需求沒(méi)有得到恢復(fù)，鎧俠將在日本巖手縣其他場(chǎng)建設(shè)的生產(chǎn)工廠的啟動(dòng)時(shí)間從當(dāng)初的2023年推遲到了2024年以后。另外，成套設(shè)備的交貨也在推遲。

2023-08-14 標(biāo)簽：NAND晶圓存儲(chǔ)芯片 1.1k 0

存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存克服了NAND閃存的局限性 因而勢(shì)必會(huì)取而代之

存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存（SCM）這種RAM能夠像NAND閃存那樣保保存其內(nèi)容，但兼具DRAM的速度，最終將會(huì)取代閃存成為首選的高速存儲(chǔ)介質(zhì)。

2019-01-28 標(biāo)簽：NAND存儲(chǔ)內(nèi)存 1.1k 0

美光第四代3D NAND芯片將量產(chǎn) 計(jì)劃繼續(xù)沿用CMOS陣列

存儲(chǔ)行業(yè)隨著物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代的來(lái)臨也迎來(lái)了一波新的發(fā)展機(jī)遇，近日，根據(jù)最新消息顯示，美系存儲(chǔ)巨頭，美光的第四代3D NAND芯片完成首批流片，新一代產(chǎn)品基于美...

2019-11-18 標(biāo)簽：CMOSNAND美光 1.1k 0

存儲(chǔ)器競(jìng)技場(chǎng),DRAM、NAND量產(chǎn)大PK

中國(guó)半導(dǎo)體發(fā)展風(fēng)起云涌，購(gòu)并、建廠消息不斷，在市場(chǎng)、國(guó)安等考量下，存儲(chǔ)器更是中國(guó)重點(diǎn)發(fā)展項(xiàng)目，成為多方人馬競(jìng)逐的主戰(zhàn)場(chǎng)。中國(guó)存儲(chǔ)器后進(jìn)廠商 2018 年...

2017-11-16 標(biāo)簽：dramnand存儲(chǔ)器 1.1k 0

在為工業(yè)應(yīng)用選擇閃存設(shè)備時(shí)提出正確的問(wèn)題

　　為工業(yè)應(yīng)用選擇閃存設(shè)備或固態(tài)硬盤 （SSD） 非常復(fù)雜。性價(jià)比比較沒(méi)有多大用處，因?yàn)樾枨篁?qū)動(dòng)的績(jī)效定義取決于許多因素。

2022-10-24 標(biāo)簽：NANDSSD電池 1.1k 0

NAND Flash合約價(jià)恐走跌 本季仍供過(guò)于求

SK海力士火災(zāi)移轉(zhuǎn)產(chǎn)能效應(yīng)失靈，NAND Flash本季仍供過(guò)于求、價(jià)格也將恢復(fù)走跌情勢(shì)！受到大陸十一長(zhǎng)假銷售情況疲軟，研究機(jī)構(gòu)TrendForce（集...

2013-10-19 標(biāo)簽：DRAMNAND海力士 1.1k 1

鎧俠結(jié)束減產(chǎn)，獲新銀行貸款助力市場(chǎng)復(fù)蘇

近日，日本內(nèi)存芯片巨頭鎧俠（Kioxia）宣布結(jié)束長(zhǎng)達(dá)20個(gè)月的減產(chǎn)策略，這一轉(zhuǎn)變標(biāo)志著市場(chǎng)對(duì)NAND閃存需求的復(fù)蘇。為了支持其業(yè)務(wù)增長(zhǎng)，鎧俠成功獲得了...

2024-06-20 標(biāo)簽：閃存NAND鎧俠 1.1k 0

美光232層NAND產(chǎn)品支持設(shè)備更加智能化

時(shí)光飛逝，又是一年畢業(yè)季，是每個(gè)莘莘學(xué)子踏入職場(chǎng)的開始。作為創(chuàng)新內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)域的全球領(lǐng)軍者，多年來(lái)，美光始終致力于推廣 STEM 教育與人才培養(yǎng)...

2024-06-25 標(biāo)簽：NAND存儲(chǔ)智能化 1.1k 0

如何以每個(gè)人都能理解的方式解釋閃光

　　閃存控制器將對(duì)閃存上的數(shù)據(jù)執(zhí)行相同的操作，利用磨損均衡 （WL）、垃圾收集 （GC）、動(dòng)態(tài)數(shù)據(jù)刷新 （DDR） 和讀取干擾管理 （RDM） 等功能來(lái)...

2022-11-30 標(biāo)簽：控制器NAND 1.1k 0

內(nèi)存市場(chǎng)報(bào)價(jià)不確定 存儲(chǔ)器原廠嚴(yán)控出貨！

據(jù)三星電子最新公布的財(cái)報(bào)，第三季度利潤(rùn)超出預(yù)期一倍之多。該公司在9月當(dāng)季的凈利潤(rùn)下降40%，至5.5萬(wàn)億韓元（合41億美元），遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)分析師所預(yù)期的2....

2023-11-22 標(biāo)簽：DRAMNAND內(nèi)存 1.1k 0

今日看點(diǎn)丨小米首發(fā)搭載，高通發(fā)布驍龍 4s Gen 2 芯片；美光宣布第九代 276 層 TLC NAND 閃存量產(chǎn)

1. 消息稱明年京東方將成為iPhone SE 主要供應(yīng)商 LG 顯示為第二供應(yīng)商 ? 據(jù)報(bào)道，蘋果預(yù)計(jì)將與LG Display（LG顯示）合作，將后者...

2024-07-31 標(biāo)簽：高通閃存NAND 1.1k 0

三星電子提高NAND閃存價(jià)格 短時(shí)間內(nèi)將無(wú)法恢復(fù)

三星電子計(jì)劃將其NAND閃存價(jià)格提高10％，原因是日本政府對(duì)半導(dǎo)體材料出口限制導(dǎo)致生產(chǎn)中斷的擔(dān)憂日益增加。美光科技等其他公司也可能效仿。

2019-11-18 標(biāo)簽：閃存NAND 1.1k 0

蘋果欲與長(zhǎng)江存儲(chǔ)合作來(lái)降低NAND閃存的價(jià)格

蘋果公司將長(zhǎng)江存儲(chǔ)（YTMC）納入供應(yīng)商名單。蘋果與YTMC合作的目的是通過(guò)使供應(yīng)商多樣化來(lái)降低NAND閃存的價(jià)格。

2022-09-08 標(biāo)簽：NAND三星電子NAND閃存 1.1k 0

消息稱三星西安半導(dǎo)體工廠開啟工藝升級(jí)，正采購(gòu)新設(shè)備備產(chǎn) 236 層 NAND

10 月 16 日消息，上周一，三星電子和 SK 海力士等韓國(guó)公司獲得美國(guó)政府無(wú)限期豁免，其中國(guó)工廠無(wú)需特別許可即可進(jìn)口美國(guó)芯片設(shè)備。 對(duì)于三星來(lái)說(shuō)這無(wú)...

2023-10-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體NAND三星 1.1k 0

全球思想領(lǐng)導(dǎo)力，引領(lǐng)數(shù)據(jù)革命

“對(duì)于第四次工業(yè)革命，我更喜歡稱之為數(shù)據(jù)革命。它將改變我們的城市，轉(zhuǎn)變我們的醫(yī)療保健體系，但我認(rèn)為更重要的是，它將提高數(shù)百萬(wàn)人的生活質(zhì)量”

2019-06-20 標(biāo)簽：芯片NANDEntegris 1.1k 0

隨著存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)行情回暖 美光預(yù)計(jì)2020年DRAM和NAND Flash行業(yè)也將改善

美光科技公布截至2019年11月28日的2020財(cái)年第一季度業(yè)績(jī)，營(yíng)收及盈利均超市場(chǎng)分析師預(yù)期，分析師此前平均預(yù)期營(yíng)收為49.9億美元，平均預(yù)期每股收益...

2019-12-20 標(biāo)簽：DRAMNAND存儲(chǔ) 1.1k 0

韓國(guó)NAND閃存芯片出口額恢復(fù)增長(zhǎng)

據(jù)韓國(guó)貿(mào)易部16日公布的資料顯示，韓國(guó)9月份的nand閃存出口額比去年同期增加了5.6%，但8月份減少了8.9%。存儲(chǔ)器半導(dǎo)體業(yè)界的另一個(gè)支柱——3.3...

2023-10-16 標(biāo)簽：閃存DRAMNAND 1.1k 0