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標簽 > pcm
脈沖編碼調(diào)制(Pulse Code Modulation,PCM),由A.里弗斯于1937年提出的,這一概念為數(shù)字通信奠定了基礎(chǔ),60年代它開始應(yīng)用于市內(nèi)電話網(wǎng)以擴充容量,使已有音頻電纜的大部分芯線的傳輸容量擴大24~48倍。
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首先,我們得了解三極管的類型和材料。常用的三極管有兩種類型:NPN和PNP。由于這兩種三極管對電壓的極性要求不同,不能相互替換。 三極管材料包...
峰值電流模式和連續(xù)電流模式DC-DC轉(zhuǎn)換器建模和環(huán)路補償設(shè)計注意事項
本文逐步討論了廣泛使用的峰值電流模式(PCM)和連續(xù)電流模式(CCM)DC-DC轉(zhuǎn)換器的平均小信號建模。利用ADI的ADIsimPE/SIMPLIS數(shù)學(xué)...
2023-01-06 標簽:轉(zhuǎn)換器PCMDC-DC 8.2k 0
存儲器的歷史始于1984年,彼時 Masuoka 教授發(fā)明了 NAND Flash(NAND 閃存)。1989年,東芝首款 NAND Flash 上市。...
使用集成補償網(wǎng)絡(luò)評估降壓穩(wěn)壓器的瞬態(tài)性能
本文提出了一種基于應(yīng)用開關(guān)頻率評估內(nèi)部補償網(wǎng)絡(luò)能力的系統(tǒng)方法。建議的評估技術(shù)涉及三項基本檢查,以確保內(nèi)部補償網(wǎng)絡(luò)針對具有已知或可配置開關(guān)頻率的應(yīng)用正確設(shè)...
2022-08-04 標簽:PCM降壓穩(wěn)壓器開關(guān)頻率 1.2k 0
本系列文章的第1 部分解釋了內(nèi)存如何影響汽車中區(qū)域和域系統(tǒng)的計算性能、功耗、可靠性和成本?,F(xiàn)在,讓我們談?wù)勔环N特定類型的非易失性存儲器 (NVM) — ...
隨著客戶的一些網(wǎng)站對于服務(wù)器的要求越來越高,其中對于線路的選擇也是重要的一環(huán)。但不少客戶朋友對“服務(wù)器專線”并不是特別了解,服務(wù)器有多少種“專線接入”類...
相變存儲芯片工業(yè)化過程中的材料問題,材料設(shè)計與優(yōu)化方案
相變存儲PCM利用硫族相變材料非晶相和晶體相之間快速且可逆的相變能力以及兩相之間巨大的電阻差異實現(xiàn)快速且穩(wěn)定的數(shù)據(jù)存儲。
2021-03-11 標簽:PCM物聯(lián)網(wǎng)汽車工業(yè) 3.5k 0
前言:實現(xiàn)硬件方面的復(fù)興,才能充分挖掘人工智能時代的潛力。在性能、功耗和密度(面積/成本)方面得到顯著改善的新興存儲可以滿足邊緣計算、近邊緣和云計算的需...
PCM與MRAM將在非易失性存儲器中處于領(lǐng)先地位
MKW Ventures的Mark Webb表示,在接下來的十年中,兩種新興的非易失性存儲器類型(相變存儲器和磁RAM)將在獨立存儲器中處于領(lǐng)先地位。
多態(tài)存儲器可實現(xiàn)未來技術(shù)的神經(jīng)形態(tài)計算?
這就規(guī)避了 “摩爾定律 ”歷史上提供的平緩效益,即組件尺寸大約每兩年減少一半。近年來,摩爾定律長期以來所預(yù)測的平臺化現(xiàn)象已經(jīng)出現(xiàn)。
2020-10-15 標簽:PCM存儲器網(wǎng)絡(luò) 3k 0
海量數(shù)據(jù)與高效能運算呼喚次世代存儲技術(shù)應(yīng)用
自2016年以來物聯(lián)網(wǎng)等技術(shù)興起,帶動全球物聯(lián)網(wǎng)裝置數(shù)量爆發(fā)性成長,產(chǎn)生的巨量資料也成為深度學(xué)習(xí)的重要因素,有助AI發(fā)展,而大量資料的處理亦推升運算與儲...
超維計算是一種新興的計算方法,受到人腦神經(jīng)活動模式的啟發(fā)
研究人員在過去的工作中觀察到,HDC涉及的主要操作,即編碼和關(guān)聯(lián)內(nèi)存搜索,都涉及對系統(tǒng)內(nèi)存中大型分布模式的操縱和比較。由于此特性,可以使用PCM交叉開關(guān)...
DRAM正轉(zhuǎn)變?yōu)橘u方市場 是時候?qū)ふ业统杀镜腄RAM替代方案了
DRAM正轉(zhuǎn)變?yōu)橘u方市場,也為DRAM廠商寫下利潤新高紀錄。就像石油危機一樣,在DRAM危機下,客戶必須為DRAM付出更多代價?,F(xiàn)在正是尋找低成本替代方...
2013無線領(lǐng)域的NOR閃存營收將持續(xù)下滑
據(jù)IHS公司的閃存動態(tài)簡報,2013年無線領(lǐng)域的NOR閃存銷售額將比去年下降近三分之一,盡管NOR在嵌入領(lǐng)域的用量仍然保持很大。
非揮發(fā)性相變記憶體技術(shù)長久以來一直被討論是否可取代現(xiàn)有的主動式記憶體和快閃記憶體,但迄今仍充滿爭議,因為盡管多年來有許多公司相繼投入研發(fā),但仍未達量產(chǎn)水準。
淺談數(shù)字中繼PCM故障的原因與清除方法。某一PCM系統(tǒng)與對端的相應(yīng)系統(tǒng)的連接中由于單板配置、數(shù)據(jù)配置、虛焊、光路中斷或其它原因而導(dǎo)致的傳輸故障即引起該告警。
BM蘇黎世研究中心的科學(xué)家們?nèi)涨氨硎荆呀?jīng)發(fā)現(xiàn)能夠可靠地在相變存儲器(PCM)單元中儲存多個位元的方法
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