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SiC肖特基勢壘二極管和Si肖特基勢壘二極管的比較

繼SiC功率元器件的概述之后，將針對具體的元器件進行介紹。首先從SiC肖特基勢壘二極管開始。SiC肖特基勢壘二極管和Si肖特基勢壘二極管：下面從SiC肖...

2023-02-08 標(biāo)簽：二極管 SBD SiC 1.5k 0

肖特基勢壘二極管的特征介紹

再次談及Si二極管，將說明肖特基勢壘二極管（以下簡稱為SBD）的相關(guān)特征和應(yīng)用。 Si-SBD的特征：如前文所述，Si-SBD并非PN結(jié)，而是利用硅稱之...

2023-02-09 標(biāo)簽：二極管 SBD 肖特基勢壘二極管 1.5k 0

碳化硅SBD反向恢復(fù)特性

SiC（碳化硅）是由硅和碳化物組成的化合物半導(dǎo)體。與硅相比，SiC具有許多優(yōu)勢，包括10倍的擊穿電場強度，3倍的帶隙，以及實現(xiàn)器件結(jié)構(gòu)所需的更廣泛的p型...

2023-02-03 標(biāo)簽：SBD SiC 碳化硅 1.5k 0

SiC SBD的高耐壓（反壓）特性

2023-12-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SBD SiC 1.4k 0

SiC-SBD與Si-PND的正向電壓比較

二極管的正向電壓VF無限接近零、對溫度穩(wěn)定是比較理想的，但事實是不是零、并會受溫度影響而變動。為了使大家了解SiC-SBD的VF特性，下面與Si-PND...

2023-02-08 標(biāo)簽：二極管 PND SBD 1.4k 0

SiC產(chǎn)品和Si產(chǎn)品的兩點比較 SiC肖特基勢壘二極管的特征

我們從SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SBD”）的結(jié)構(gòu)開始介紹。如下圖所示，為了形成肖特基勢壘，將半導(dǎo)體SiC與金屬相接合（肖特基結(jié)）。結(jié)構(gòu)與Si肖特...

2023-07-18 標(biāo)簽：變壓器 SBD SiC 1.3k 0

SiC SBD的靜態(tài)特性和動態(tài)特性

SiC SBD具有高耐壓、快恢復(fù)速度、低損耗和低漏電流等優(yōu)點，可降低電力電子系統(tǒng)的損耗并顯著提高效率。適合高頻電源、新能源發(fā)電及新能源汽車等多種應(yīng)用，本...

2025-02-26 標(biāo)簽：二極管三菱電機 SBD 1.3k 0

SiC-SBD的發(fā)展歷程

為了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二極管為比較對象，對特性進行了說明。其中，也談到SiC-SBD本身也發(fā)展到第2代，性能得到了提升。

2023-02-08 標(biāo)簽：二極管 SBD SiC 1.2k 0

SiC-SBD與Si-PND的反向恢復(fù)特性比較

下面從SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SBD”）的結(jié)構(gòu)開始介紹。如下圖所示，為了形成肖特基勢壘，將半導(dǎo)體SiC與金屬相接合（肖特基結(jié)）。結(jié)構(gòu)與Si肖特...

2023-02-08 標(biāo)簽：二極管 PND SBD 1.2k 0

混合碳化硅分立器件的特性與優(yōu)點

IGBT分立器件一般由IGBT和續(xù)流二極管(FWD)構(gòu)成，續(xù)流二極管按材料可分為硅材料和碳化硅材料，按照器件結(jié)構(gòu)可分為PIN二極管和肖特基勢壘二極管(S...

2023-09-22 標(biāo)簽：二極管 IGBT 分立器件 1.1k 0

SiC SBD-P3D06002T2 650V SiC 肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

P3D06002T2 是一款耐壓 650V 的 SiC 肖特基二極管，采用 TO - 220 - 2 封裝，符合 AEC - Q101、RoHS標(biāo)準(zhǔn)，無...

2025-02-25 標(biāo)簽：肖特基二極管 SBD SiC 1k 0

SiC SBD-P3D06004T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

P3D06004T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO-220-2 封裝，符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)，具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流...

2025-02-25 標(biāo)簽：肖特基二極管 SBD SiC 999 0

SiC SBD-P3D06002E2 650V SiC 肖特基二極管特性

P3D06002E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 252 - 2 封裝，符合 AEC - Q101標(biāo)準(zhǔn)，具備超快速開關(guān)、零反...

2025-02-25 標(biāo)簽：二極管肖特基二極管 SBD 976 0

SiC SBD-P3D06002G2 650V SiC 肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

P3D06002G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 263 - 2 封裝，符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)，無鹵且符合RoHS...

2025-02-25 標(biāo)簽：肖特基二極管 SBD SiC 924 0

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