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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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助攻電源創(chuàng)新設(shè)計(jì)，泰克第二個(gè)電源主題實(shí)驗(yàn)室上線

泰克科技密切跟蹤最新技術(shù)的進(jìn)展，為工程師們提供卓越的測(cè)試解決方案。

2020-06-29 標(biāo)簽：功率器件 SiC GaN 996 0

產(chǎn)能翻番，安森美半導(dǎo)體碳化硅為何“必不可少”？

同被稱為第三代半導(dǎo)體材料的氮化鎵（GaN）因其特性，多被用于650V以下的中低壓功率器件及射頻和光電領(lǐng)域，而碳化硅（SiC）則主要用在650V以上的高壓...

2020-06-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料 SiC 碳化硅 3.7k 0

解讀我司全新SiC MOSFET方案！

NTHL020N120SC1的設(shè)計(jì)旨在在1200V的阻斷電壓(VDSS)下提供極低的導(dǎo)通損耗。此外，它被設(shè)計(jì)為以低內(nèi)部門極電阻（Rg =1.81Ω）和低...

2020-06-23 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器安森美半導(dǎo)體 SiC 3.9k 0

ROHM開發(fā)出業(yè)界先進(jìn)的第4代低導(dǎo)通電阻SiC MOSFET

對(duì)于功率半導(dǎo)體來說，當(dāng)導(dǎo)通電阻降低時(shí)短路耐受時(shí)間※2就會(huì)縮短，兩者之間存在著矛盾權(quán)衡關(guān)系，因此在降低SiC MOSFET的導(dǎo)通電阻時(shí)，如何兼顧短路耐受時(shí)...

2020-06-22 標(biāo)簽：MOSFET SiC Rohm 1.3k 0

ROHM研制1200V 第4代SiC MOSFET，單位面積的導(dǎo)通電阻降低了約40％

在這種背景下，ROHM于2010年在全球率先開始了SiC MOSFET的量產(chǎn)。ROHM很早就開始加強(qiáng)符合汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101的產(chǎn)品陣容...

2020-06-19 標(biāo)簽：mosfet 元器件 sic 5.2k 0

緯湃科技和羅姆攜手打造SiC電源解決方案進(jìn)一步提高電力電子器件效率

通過使用SiC功率元器件，大陸集團(tuán)旗下的Vitesco將能夠進(jìn)一步提高電動(dòng)汽車用電力電子器件的效率。

2020-06-06 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車電子器件 SiC 3.8k 0

國(guó)內(nèi)首家！陽光推出車用全SiC電機(jī)控制器；美光上調(diào)第三季營(yíng)收預(yù)期…

德州儀器公司已經(jīng)取消了一些最受歡迎的計(jì)算器運(yùn)行匯編或C語言編寫的程序的能力，根據(jù)TI-Planet上發(fā)布的客戶支持電子郵件（通過Linus Tech T...

2020-05-29 標(biāo)簽：美光 SiC 新聞 1.0萬 0

英飛凌推出650V SiC MOSFET，低壓SiC市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)激烈

英飛凌宣布推出650V SiC MOSFET，標(biāo)志著公司進(jìn)一步增強(qiáng)了在低壓SiC領(lǐng)域的布局，650V CoolSiC MOSFET系列。

2020-05-09 標(biāo)簽：英飛凌 SiC 5.7k 0

為何一個(gè)小改變就可以讓電源的整體系統(tǒng)效率提升至98%？

任何電子產(chǎn)品都離不開電源，隨著各個(gè)國(guó)家和地區(qū)能源標(biāo)準(zhǔn)的提升和用戶環(huán)保意識(shí)的增強(qiáng)，對(duì)電源效率的要求越來越高。產(chǎn)業(yè)鏈內(nèi)的公司和工程師們?yōu)榱颂嵘娫葱剩瑴p少...

2020-05-02 標(biāo)簽：英飛凌數(shù)據(jù)中心 SiC 1.7萬 0

Cissoid公司最新推出了三相SiC智能功率模塊

據(jù)外媒報(bào)道，比利時(shí)Cissoid公司推出一款三相SiC智能功率模塊（IPM），可用于電動(dòng)出行。

2020-04-22 標(biāo)簽：CISSOID SiC 4.6k 0

SiC技術(shù)走入數(shù)據(jù)中心UPS

數(shù)據(jù)中心基礎(chǔ)設(shè)施需要以盡可能低的成本提供高效、可靠的電力，這可能會(huì)驅(qū)動(dòng)不間斷電源（UPS）市場(chǎng)在未來幾年蓬勃發(fā)展。隨著全球經(jīng)濟(jì)向數(shù)字化不斷邁進(jìn)，基于云平...

2020-04-17 標(biāo)簽：UPS 數(shù)據(jù)中心 SiC 3.6k 0

第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料SiC和GaN研究

第一代半導(dǎo)體材料一般是指硅（Si）元素和鍺（Ge）元素，其奠定了20 世紀(jì)電子工業(yè)的基礎(chǔ)。第二代半導(dǎo)體材料主要指化合物半導(dǎo)體材料，如砷化鎵（GaAs）、...

2020-04-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC GaN 1.1萬 0

2024年SiC的市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)19.3億美元，英飛凌擴(kuò)展SiC MOSFET產(chǎn)品線

根據(jù)2019年Yole發(fā)布的SiC市場(chǎng)報(bào)告，2018年SiC的市場(chǎng)規(guī)模約為4.2億美元，該機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)SiC市場(chǎng)的年復(fù)合增長(zhǎng)率為29%，也就是說到2024年...

2020-04-03 標(biāo)簽：英飛凌 MOSFET SiC 1.7萬 0

SiC半導(dǎo)體發(fā)展的下一步是什么

本文展望了SiC下一步需要做什么，將在哪里應(yīng)用以及如何成為功率半導(dǎo)體的主導(dǎo)力量。

2020-04-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 4.5k 0

SiC IGBT在電力電子變壓器的發(fā)展

SiC SBD和 MOS是目前最為常見的 SiC 基的器件，并且 SiC MOS 正在一些領(lǐng)域和 IGBT爭(zhēng)搶份額。我們都知道，IGBT 結(jié)合了 MOS...

2020-03-20 標(biāo)簽：IGBT SiC 5.1k 0

GT Advanced Technologies和安森美半導(dǎo)體合作關(guān)于碳化硅

關(guān)鍵詞：CrystX , 碳化硅 , SiC 該五年協(xié)議提高高需求寬禁帶材料的全球供應(yīng) GT Advanced Technologies（GTAT）和安...

2020-03-20 標(biāo)簽：安森美半導(dǎo)體 SiC GT 4.7k 0

天科合達(dá)的高質(zhì)量SiC晶體生長(zhǎng)方法

天科合達(dá)的該項(xiàng)專利提出的改進(jìn)物理物理氣相傳輸法工藝所生成的碳化硅芯片質(zhì)量遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)方式生成的芯片。

2020-03-18 標(biāo)簽：SiC 碳化硅 9.1k 0

ROHM的SiC功率元器件被應(yīng)用于UAES的電動(dòng)汽車車載充電器

ROHM的SiC　MOSFET被UAES公司的OBC產(chǎn)品采用，與以往的OBC相比，新OBC所在單元的效率提高了1%（效率高達(dá)95.7%，功率損耗比以往降...

2020-03-18 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車 SiC Rohm 2.1k 1

山西開展第三代半導(dǎo)體核心技術(shù)攻關(guān)，解決制約產(chǎn)業(yè)發(fā)展的難題

集微網(wǎng)消息，日前，山西省發(fā)布重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)集群關(guān)鍵核心、共性技術(shù)研發(fā)攻關(guān)專項(xiàng)指南，以調(diào)動(dòng)創(chuàng)新資源，聚焦重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)科技創(chuàng)新，解決制約產(chǎn)業(yè)發(fā)展的“卡脖子”難題。

2020-03-16 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 3.6k 0

Cissoid推出1.2kV 450A碳化硅三相mosfet功率模塊適用于汽車等應(yīng)用

Cissoid首席執(zhí)行官Dave Hutton表示：“開發(fā)和優(yōu)化快速開關(guān)SiC電源模塊并可靠地驅(qū)動(dòng)它們?nèi)匀皇且粋€(gè)挑戰(zhàn)，這款SiC智能電源模塊是針對(duì)極端溫...

2020-03-07 標(biāo)簽：MOSFET SiC 3.6k 0

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尼吉康

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trinamic

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TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
無線供電

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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
寧德時(shí)代

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艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
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國(guó)際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無線充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
Pebble

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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬美元。
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電池系統(tǒng)

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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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A4WP

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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
智能變電站

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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
USB PD

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太陽能充電

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PSR

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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
浪涌抑制器

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DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來的能源。
USB-PD

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PWM信號(hào)

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來越敏感。
醫(yī)療電源

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系統(tǒng)電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷人物”
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