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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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sic資訊

SiC功率模塊中微米級(jí)Ag燒結(jié)連接技術(shù)的進(jìn)展

功率密度的提高及器件小型化等因素使熱量的及時(shí)導(dǎo)出成為保證功率器件性能及可靠性的關(guān)鍵。

2023-12-13 標(biāo)簽：功率器件 SBD SiC 2.1k 0

測(cè)量SiC MOSFET柵-源電壓時(shí)的注意事項(xiàng)

在這里，將為大家介紹在測(cè)量柵極和源極之間的電壓時(shí)需要注意的事項(xiàng)。

2022-09-17 標(biāo)簽：MOSFET 電壓 SiC 2.1k 0

英飛凌如何確保SiC的適用性和準(zhǔn)確性

阿里達(dá)摩院發(fā)表了2021十大科技趨勢(shì)，令業(yè)內(nèi)歡欣鼓舞的是“以氮化鎵、碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體迎來(lái)應(yīng)用大爆發(fā)”列為十大之首。未來(lái)幾年，以氮化鎵和碳化硅為...

2021-06-30 標(biāo)簽：英飛凌二極管 sic 2.1k 0

電裝SiC功率半導(dǎo)體的發(fā)展之路

在全球?qū)崿F(xiàn)碳中和的一致目標(biāo)下，汽車電動(dòng)化和智能化的推進(jìn)和普及是可期的。

2022-03-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 自動(dòng)駕駛 2.1k 0

SiC MOSFET 短路測(cè)試下的引線鍵合應(yīng)力分析

電力電子技術(shù)在日常生活中越來(lái)越普遍，尤其是現(xiàn)在，當(dāng)我們正經(jīng)歷一場(chǎng)由寬帶隙 (WBG) 材料引發(fā)的革命時(shí)。 ? WBG 材料在 SiC MOSFET 和 ...

2022-08-04 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器 MOSFET SiC 2.1k 0

碳化硅功率器件助力實(shí)現(xiàn)更好的儲(chǔ)能

Wolfspeed的SiC功率器件目前廣泛用于電源、電池充電和牽引驅(qū)動(dòng)的電池電動(dòng)汽車（BEV）功率轉(zhuǎn)換、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及太陽(yáng)能和風(fēng)能逆變器等可再生能源...

2023-01-11 標(biāo)簽：功率器件 SiC 碳化硅 2.1k 0

大聯(lián)大推出一種基于onsemi產(chǎn)品的3kW電源方案

2024年1月16日，致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布其旗下友尚推出基于安森美（onsemi）NCP1681和NCP439...

2024-01-18 標(biāo)簽：MOSFET 電源設(shè)計(jì)大聯(lián)大 2.1k 0

最大限度地減少SiC FET中的EMI和開關(guān)損耗

SiC FET 速度極快，邊緣速率為 50 V/ns 或更高，這對(duì)于最大限度地減少開關(guān)損耗非常有用，但由此產(chǎn)生的 di/dt 可能達(dá)到每納秒數(shù)安培。這會(huì)...

2022-08-04 標(biāo)簽：emi FET SiC 2.1k 0

碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈成本大幅下降,市場(chǎng)迎來(lái)新變革

近期市場(chǎng)消息指出，中國(guó)新能源汽車和光伏市場(chǎng)的快速發(fā)展，推動(dòng)了碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)鏈在技術(shù)迭代和產(chǎn)能擴(kuò)充上的加速。這一趨勢(shì)導(dǎo)致SiC產(chǎn)業(yè)鏈中的多個(gè)環(huán)節(jié)成本...

2024-10-22 標(biāo)簽：新能源汽車 SiC 碳化硅 2.1k 0

PV逆變器應(yīng)用升溫，推動(dòng)SiC功率元件發(fā)展

　碳化硅（SiC）功率元件正快速在太陽(yáng)能（PV）逆變器應(yīng)用市場(chǎng)攻城掠地。SiC功率元件具高頻和耐高溫特性，不僅可較傳統(tǒng)硅功率半導(dǎo)體，提供更高的電源轉(zhuǎn)換效...

2013-06-25 標(biāo)簽：逆變器功率器件 SiC 2.1k 0

硅碳化物和氮化鎵的晶體結(jié)構(gòu)

相比之下，氮化鎵在自然中以閃鋅礦（一種鋅和鐵的硫化物）的形式存在，在這種分布稀少的情況下，提純生產(chǎn)極其困難。與SiC相比，氮化鎵在射頻電子學(xué)中表現(xiàn)最佳，...

2024-03-01 標(biāo)簽：SiC GaN 晶體結(jié)構(gòu) 2.1k 0

昕感科技發(fā)布一款1200V低導(dǎo)通電阻SiC MOSFET產(chǎn)品N2M120013PP0

近日，昕感科技發(fā)布一款兼容15V柵壓驅(qū)動(dòng)的1200V低導(dǎo)通電阻SiC MOSFET產(chǎn)品N2M120013PP0，導(dǎo)通電阻在15V柵壓下低至13mΩ，配合...

2024-05-11 標(biāo)簽：新能源 MOSFET IGBT 2.1k 0

度亙核芯SiC熱沉：助力高功率激光芯片突破散熱瓶頸

高功率半導(dǎo)體激光芯片的單顆出光功率不斷提升，目前主流應(yīng)用已升至45W，但向更高功率50W、60W甚至更高功率邁進(jìn)時(shí)，作為芯片"散熱后盾&quo...

2025-08-01 標(biāo)簽：SiC 高功率半導(dǎo)體激光芯片 2.1k 0

瞻芯電子參與編制SiC MOSFET可靠性和動(dòng)態(tài)開關(guān)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)

日前，在第十屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）上，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）發(fā)布了9項(xiàng)碳化硅 (SiC) MOSFET測(cè)試與可靠性標(biāo)準(zhǔn)...

2024-11-29 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體 SiC 2.1k 0

2家SiC材料廠完成數(shù)億元新一輪融資

去年7月，超芯星6英寸SiC襯底進(jìn)入美國(guó)一流器件廠商，由此成功打入美國(guó)市場(chǎng)；同年，超芯星成功研制出8英寸SiC襯底；今年7月，超芯星在官微宣布，公司已與...

2023-12-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 2.1k 0

SiC肖特基二級(jí)管在車載充電機(jī)PFC和LLC電路中的應(yīng)用

我們以6.6kW車載充電機(jī)為例，介紹SiC肖特基二級(jí)管在充電機(jī)AC-DC和DC-DC電路中的應(yīng)用。

2023-04-06 標(biāo)簽：PFC SiC 二級(jí)管 2.1k 0

晶盛機(jī)電成功發(fā)布6英寸雙片式SiC碳化硅外延設(shè)備

晶盛機(jī)電戰(zhàn)略定位先進(jìn)材料、先進(jìn)裝備市場(chǎng)，圍繞硅、藍(lán)寶石、碳化硅三大主要半導(dǎo)體材料開發(fā)一系列關(guān)鍵設(shè)備，業(yè)務(wù)同時(shí)延伸至化合物半導(dǎo)體材料領(lǐng)域。

2023-02-27 標(biāo)簽：SiC 碳化硅第三代半導(dǎo)體 2.1k 0

安世半導(dǎo)體Nexperia將在漢堡投資2億美元研發(fā)下一代寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)品(WBG)

半導(dǎo)體制造商N(yùn)experia（安世半導(dǎo)體）近日宣布，計(jì)劃投資2億美元（約合1.84億歐元）研發(fā)下一代寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)品(WBG)，例如碳化硅(SiC)和氮...

2024-06-28 標(biāo)簽：SiC 碳化硅 Nexperia 2.1k 0

UPS小型化高效化發(fā)展，引入SiC能否解決設(shè)計(jì)難題

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李寧遠(yuǎn)）在如今的生活里，我們對(duì)電力能源的依賴度是非常高的，若沒有電，很多日常生活都會(huì)受到影響。不間斷電源UPS就是為了應(yīng)對(duì)這種情況...

2022-09-01 標(biāo)簽：UPS SiC 2.1k 0

Wolfspeed擴(kuò)展AEC-Q101車規(guī)級(jí)SiC MOSFET推出650V E3M系列產(chǎn)品

Wolfspeed 新款車規(guī)級(jí) E-系列（E3M）650V、60 mΩ MOSFET 系列幫助設(shè)計(jì)人員滿足 EV 車載充電機(jī)應(yīng)用。采用 Wolfspee...

2022-11-07 標(biāo)簽：封裝 DC-DC SiC 2.1k 0

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快充技術(shù)

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尼吉康

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trinamic

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TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
無(wú)線供電

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無(wú)線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無(wú)需任何物理上的連接，電能可以近距離無(wú)接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無(wú)線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無(wú)線供電。
寧德時(shí)代

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艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
Qi標(biāo)準(zhǔn)

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國(guó)際無(wú)線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無(wú)線充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬(wàn)美元。
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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無(wú)線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
浪涌抑制器

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DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無(wú)隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來(lái)源于拉丁語(yǔ)中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來(lái)的能源。
USB-PD

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PWM信號(hào)

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來(lái)調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬(wàn)，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來(lái)越敏感。
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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷人物”
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