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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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sic資訊

2023年6月，珠海市環(huán)保部發(fā)布公告證實，格力電子元器件增產(chǎn)項目已經(jīng)通過審核。根據(jù)環(huán)評文件，該項目占地面積達到20萬平方米，建設(shè)周期12個月。預(yù)計將建造...

2024-03-10 標簽：電子元器件生產(chǎn)線 SiC 5.5k 0

董明珠：格力將投資近百億元建設(shè)碳化硅芯片工廠

這是全球第二座、亞洲第一座全自動化化合物芯片工廠。

2024-03-08 標簽：半導(dǎo)體晶圓 SiC 3.9k 0

英飛凌、NXP、瑞薩等十大汽車芯片廠，怎么看2024行情呢？

2019年汽車半導(dǎo)體市場規(guī)模大約372億美元，2020年受疫情影響縮減到355億美元，2021年增長31.5%達到467億美元，2022年增長約26%達...

2024-03-08 標簽：英飛凌 MOSFET SiC 9.8k 0

可喜可賀！國產(chǎn)車規(guī)級芯片加速上車

近年來，智能電動汽車銷量一路迅速攀升，智能化深度發(fā)展致單車芯片搭載量持續(xù)增長，智能電動汽車領(lǐng)域?qū)囈?guī)級芯片的需求越發(fā)旺盛。而在如此旺盛的需求之下，中國車...

2024-03-08 標簽：電動汽車 mcu SiC 2.2k 0

8英寸SiC襯底陣容加速發(fā)展全球8英寸SiC晶圓廠將達11座

近年來，隨著碳化硅（SiC）襯底需求的持續(xù)激增，降低SiC成本的呼聲日益強烈，最終產(chǎn)品價格仍然是消費者的關(guān)鍵決定因素。SiC襯底的成本在整個成本結(jié)構(gòu)中占...

2024-03-08 標簽：MOSFET 半導(dǎo)體晶圓 2.3k 0

全球功率半導(dǎo)體市場迅猛增長：消費電子產(chǎn)品與新興技術(shù)共同驅(qū)動

除了智能手機，通信設(shè)備、計算機、娛樂系統(tǒng)和家用電器等其他消費電子產(chǎn)品也對功率半導(dǎo)體市場產(chǎn)生了深遠影響。

2024-03-07 標簽：智能手機 SiC 氮化鎵 2k 0

激光裝備制造商萊普科技啟動IPO輔導(dǎo)

近日，成都萊普科技股份有限公司（以下簡稱“萊普科技”）在四川證監(jiān)局完成了輔導(dǎo)備案登記，標志著該公司正式開啟了沖刺資本市場的征程。

2024-03-07 標簽：IGBT SiC 晶圓制造 1.6k 0

希爾電子功率半導(dǎo)體新項目廠房預(yù)計在今年下半年逐步投用

3月5日，據(jù)“樂山發(fā)布”消息，四川樂山高新區(qū)希爾電子功率半導(dǎo)體新項目廠房預(yù)計在今年下半年逐步投用，屆時企業(yè)將新增4個品類的生產(chǎn)線，全部投用后可實現(xiàn)年銷售...

2024-03-07 標簽：晶圓 IGBT 功率器件 1.9k 0

瞻芯電子兩款SiC MOSFET產(chǎn)品通過車規(guī)級可靠性認證

上海瞻芯電子科技有限公司（簡稱“瞻芯電子”）近期取得了一項重要的技術(shù)突破。該公司推出的兩款第二代SiC MOSFET產(chǎn)品，分別為650V 40mΩ規(guī)格的...

2024-03-07 標簽：MOSFET SiC 瞻芯電子 1.7k 0

碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體公司瞻芯電子完成股份改制

2024年3月5日，上海瞻芯電子科技有限公司為了適應(yīng)公司戰(zhàn)略及經(jīng)營發(fā)展需要，已經(jīng)順利完成股份改制，并獲得上海市市場監(jiān)督管理局核準，公司名稱正式變更為：上...

2024-03-07 標簽：MOSFET SiC 功率半導(dǎo)體 2k 0

使用349NX激光器進行SiC的拉曼光譜和光致發(fā)光實驗

來自Link?pingUniversity的IvanIvanov教授團隊利用Skylark的349nm激光器成功替代了實驗室中的陳舊氬離子氣體激光器，在...

2024-03-06 標簽：激光器材料 SiC 2.7k 0

嘉興斯達微電子20億投資項目即將投用，新增建筑面積20.6萬平米

該項目坐落于嘉興南湖區(qū)，投資總額達到20億元人民幣，占地總面積279畝，擬新建建筑20.6萬平方米，包括生產(chǎn)廠房、動力樓以及危險化學(xué)品儲藏室等設(shè)施，同時...

2024-03-06 標簽：芯片半導(dǎo)體 SiC 3.7k 0

功率半導(dǎo)體2035年市值將達77,757億日元，SiC等占45%

此次調(diào)查針對功率半導(dǎo)體18項、零部件材料20項、制造設(shè)備19項。調(diào)查期間為2023年10月至2024年2月。

2024-03-06 標簽：功率器件 SiC 功率半導(dǎo)體 1.2k 0

Qorvo發(fā)布1200V碳化硅模塊

全球知名的連接和電源解決方案供應(yīng)商Qorvo近日宣布，推出四款采用E1B封裝的1200V碳化硅（SiC）模塊。這些模塊包括兩款半橋配置和兩款全橋配置，其...

2024-03-06 標簽：SiC 碳化硅 Qorvo 1.5k 0

芯聯(lián)集成宣布與理想汽車正式簽署戰(zhàn)略合作框架協(xié)議

據(jù)介紹，按照雙方協(xié)議簽署，芯聯(lián)集成將和理想汽車在碳化硅（SiC）領(lǐng)域展開全面戰(zhàn)略合作，雙方將一起積極推動產(chǎn)品化進程，共同提升雙方的市場競爭力。

2024-03-06 標簽：半導(dǎo)體功率器件 SiC 1.4k 0

800V碳化硅汽車繼續(xù)火爆！華為、理想等7大廠商將建10+萬超充樁

春節(jié)過后，800V碳化硅汽車繼續(xù)火爆，新增了15款車型（回顧點這里），同時也迎來了一波降價潮——先有極氪007降至20萬級（回顧點這里），昨天小鵬汽車G...

2024-03-05 標簽：SiC 功率半導(dǎo)體充電樁 3.5k 0

東芝半導(dǎo)體將加快開發(fā)下一代功率器件及SiC和GaN第三代半導(dǎo)體

2023年，東芝半導(dǎo)體的功率器件銷售額估計約為1000億日元，其中35%用于汽車市場，20%用于工業(yè)市場。

2024-03-04 標簽：MOSFET 功率器件 SiC 1.3k 0

碳化硅（SiC）功率器件在新能源汽車中的深入應(yīng)用解析

采用多芯片并聯(lián)的SiC功率模塊，會產(chǎn)生較嚴重的電磁干擾和額外損耗，無法發(fā)揮SiC器件的優(yōu)良性能；SiC功率模塊雜散參數(shù)較大，可靠性不高。（2）SiC功...

2024-03-04 標簽：新能源汽車功率器件 SiC 4k 0

Qorvo發(fā)布緊湊型E1B封裝的1200V碳化硅(SiC)模塊

全球知名的連接和電源解決方案供應(yīng)商Qorvo近日發(fā)布了四款采用緊湊型E1B封裝的1200V碳化硅（SiC）模塊。這些模塊包括兩款半橋配置和兩款全橋配置，...

2024-03-03 標簽：SiC 碳化硅 Qorvo 1.6k 0

硅碳化物和氮化鎵的晶體結(jié)構(gòu)

相比之下，氮化鎵在自然中以閃鋅礦（一種鋅和鐵的硫化物）的形式存在，在這種分布稀少的情況下，提純生產(chǎn)極其困難。與SiC相比，氮化鎵在射頻電子學(xué)中表現(xiàn)最佳，...

2024-03-01 標簽：SiC GaN 晶體結(jié)構(gòu) 2.1k 0

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快充技術(shù)

快充技術(shù)

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尼吉康

尼吉康

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trinamic

trinamic

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TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個神話，主要致力與運動控制產(chǎn)品的設(shè)計與研發(fā)（步進和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點對應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時，電流達到10mA時的電壓被稱為閾值電壓。
無線供電

無線供電

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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負載。實際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
寧德時代

寧德時代

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艾德克斯

艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個行業(yè)的測試需求，持續(xù)提供給客戶具有競爭力的測試方案。
快充

快充

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目前手機快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時快速充電”成為現(xiàn)實。
Qi標準

Qi標準

+關(guān)注

國際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺國賓館發(fā)布Qi無線充電國際標準，將該標準引入中國。
Pebble

Pebble

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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時就籌到了 100 萬美元。
WPC

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電池系統(tǒng)

電池系統(tǒng)

+關(guān)注

　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護各個電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
手機快充

手機快充

+關(guān)注

手機快充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。
A4WP

A4WP

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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
MAX660

MAX660

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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
智能變電站

智能變電站

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采用可靠、經(jīng)濟、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計，以全站信息數(shù)字化、通信平臺網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標準化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實時在線分析和控制決策，進而提高整個電網(wǎng)運行可靠性及經(jīng)濟性的變電站。
USB PD

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太陽能充電

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PSR

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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標準交流電壓和頻率。對大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計升壓電路。
浪涌抑制器

浪涌抑制器

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DCDC電源

DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級的直流電源變換其他電壓等級直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
納微半導(dǎo)體

納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場帶來的能源。
USB-PD

USB-PD

+關(guān)注
PWM信號

PWM信號

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時間的改變，從而實現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號對模擬電路進行控制的一種非常有效的技術(shù)。
共享充電寶

共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場景的激增，消費者對共享充電寶的價格變得越來越敏感。
醫(yī)療電源

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系統(tǒng)電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級、中國社會科學(xué)院經(jīng)濟學(xué)系研究生班、中歐國際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會副會長、珠海市紅十字會榮譽會長等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日報《中國經(jīng)濟周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
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