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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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邁向吉瓦級(jí)AI工廠的能源變革：英偉達(dá)Rubin平臺(tái)電源架構(gòu)解析

隨著人工智能(AI)模型參數(shù)量突破萬億級(jí)別，從大語言模型(LLM)的訓(xùn)練向推理、以及更高級(jí)的代理型AI(Agentic AI)演進(jìn)，數(shù)據(jù)中心正在經(jīng)歷一場(chǎng)...

2026-01-15 標(biāo)簽：AI 功率器件 SiC 798 0

商用車電驅(qū)動(dòng)SiC功率模塊選型變革報(bào)告：從封裝路線的博弈到ED3碳化硅的主宰

全球商用車（Commercial Vehicle, CV）行業(yè)正處于從內(nèi)燃機(jī)向電氣化轉(zhuǎn)型的關(guān)鍵十字路口。與乘用車市場(chǎng)追求百公里加速和極致緊湊體積不同，商...

2026-01-24 標(biāo)簽：SiC 功率模塊商用車 565 0

巨霖科技與東南大學(xué)聯(lián)合項(xiàng)目榮獲2025教育部工程技術(shù)獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)

近日，教育部公布了2025年科學(xué)研究?jī)?yōu)秀成果獎(jiǎng)（自然科學(xué)和工程技術(shù)）的授獎(jiǎng)名單。由巨霖科技（上海）有限公司、東南大學(xué)聯(lián)合申報(bào)的“寬禁帶功率半導(dǎo)體器件可靠...

2026-01-07 標(biāo)簽：功率器件 SiC 功率半導(dǎo)體 565 0

深耕質(zhì)量賽道鑄就半導(dǎo)體標(biāo)桿 —— 深圳爭(zhēng)妍微電子獲 “全國(guó)質(zhì)量檢驗(yàn)穩(wěn)定合格產(chǎn)品” 認(rèn)證

近日，深圳爭(zhēng)妍微電子有限公司憑借嚴(yán)苛的質(zhì)量管控體系與優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品表現(xiàn)，成功通過中國(guó)質(zhì)量檢驗(yàn)協(xié)會(huì)審核，榮獲 “全國(guó)質(zhì)量檢驗(yàn)穩(wěn)定合格產(chǎn)品” 認(rèn)證，并獲頒專用標(biāo)...

2026-01-06 標(biāo)簽：MOSFET 可控硅 IGBT 4.4k 0

芯導(dǎo)科技2025年度大事記回顧

當(dāng)時(shí)光來到2025年末，我們回望這不平凡的一年，那些并肩奮斗的日與夜，那些值得銘記的瞬間，都清晰如昨。

2026-01-06 標(biāo)簽：MOSFET 功率器件 SiC 720 0

三菱電機(jī)2025年度功率半導(dǎo)體產(chǎn)品矩陣回顧

站在 2025 年的歲末回望，三菱電機(jī)以覆蓋芯片、模塊至系統(tǒng)級(jí)的密集創(chuàng)新成果，交出了一份亮眼的年度答卷。這不僅是一次產(chǎn)品矩陣的迭代升級(jí)，更是企業(yè)面向多行...

2026-01-06 標(biāo)簽：IGBT 三菱電機(jī)SiC 1.8k 0

新品 | 采用高爬電距離TO-247-4引腳封裝的CoolSiC? 1400V MOSFET G2

新品采用高爬電距離TO-247-4引腳封裝的CoolSiC1400VMOSFETG2CoolSiC1400VMOSFETG2器件采用TO-247-4引腳...

2026-01-04 標(biāo)簽：MOSFET 工業(yè)SiC 1k 0

功率半導(dǎo)體銷售培訓(xùn)手冊(cè)：電力電子核心技術(shù)與SiC碳化硅功率器件的應(yīng)用

傾佳電子功率半導(dǎo)體銷售培訓(xùn)手冊(cè)：電力電子核心技術(shù)與SiC碳化硅功率器件的應(yīng)用傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接...

2026-01-04 標(biāo)簽：功率器件 SiC 功率半導(dǎo)體 2.1k 0

商用車電驅(qū)動(dòng)SiC模塊選型返璞歸真：從DCM/HPD封裝回歸ED3封裝碳化硅功率模塊的市場(chǎng)報(bào)告

商用車電驅(qū)動(dòng)SiC模塊選型返璞歸真：從DCM/HPD封裝回歸ED3封裝碳化硅功率模塊的市場(chǎng)報(bào)告傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)...

2026-01-03 標(biāo)簽：封裝 SiC 740 0

碳化硅SiC功率模塊深度技術(shù)分析報(bào)告：產(chǎn)品力解構(gòu)與固態(tài)斷路器/BDU應(yīng)用

BMZ0D60MR12L3G5 碳化硅SiC功率模塊深度技術(shù)分析報(bào)告：產(chǎn)品力解構(gòu)與SSCB固態(tài)斷路器/BDU應(yīng)用傾佳電子（Changer Tech）是...

2026-01-03 標(biāo)簽：斷路器 SiC 功率模塊 583 0

市場(chǎng)趨勢(shì)分析：DCM?1000以及類似封裝的SiC模塊在電驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域遭遇淘汰的原因

市場(chǎng)趨勢(shì)分析：DCM?1000以及類似封裝的SiC模塊在電驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域遭遇淘汰的原因在全球汽車工業(yè)向電氣化轉(zhuǎn)型的宏大敘事中，功率模塊作為牽引逆變器的核心心...

2026-01-03 標(biāo)簽：封裝 SiC 340 0

SiC碳化硅MOSFET短路過流兩級(jí)關(guān)斷（2LTO）保護(hù)成為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的研究報(bào)告

SiC碳化硅MOSFET短路過流耐受時(shí)間較短的根本性物理分析與兩級(jí)關(guān)斷（2LTO）保護(hù)成為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的研究報(bào)告：兩級(jí)關(guān)斷（Two-Level Turn-O...

2026-01-01 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 266 0

商用車電驅(qū)動(dòng)SiC功率模塊選型的結(jié)構(gòu)性分析：HPD封裝的局限與ED3封裝的技術(shù)復(fù)興

全球交通電氣化的浪潮已呈現(xiàn)出兩種截然不同的技術(shù)演進(jìn)路徑：以高產(chǎn)量、中等電壓架構(gòu)（400V-800V）為特征的乘用車（Passenger Electric...

2026-01-27 標(biāo)簽：SiC 功率模塊商用車 590 0

商用車SiC碳化硅功率模塊電驅(qū)動(dòng)研究報(bào)告：DCM與ED3標(biāo)準(zhǔn)化平臺(tái)的對(duì)比分析

全球商用汽車（Commercial Vehicles, CV）的電氣化進(jìn)程正處于從早期試點(diǎn)向大規(guī)模商業(yè)化部署的關(guān)鍵轉(zhuǎn)折點(diǎn)。

2026-01-27 標(biāo)簽：SiC 功率模塊商用車 515 0

AIDC儲(chǔ)能變流器PCS中隔離DC/DC拓?fù)浼軜?gòu)演進(jìn)與SiC碳化硅功率模塊的應(yīng)用價(jià)值

隨著人工智能（AI）大模型訓(xùn)練與推理需求的爆發(fā)式增長(zhǎng)，算力基礎(chǔ)設(shè)施正在經(jīng)歷一場(chǎng)前所未有的能源變革。

2026-01-20 標(biāo)簽：SiC AIDC 儲(chǔ)能變流器 540 0

年產(chǎn)24萬片！比亞迪SiC項(xiàng)目通過驗(yàn)收！

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道近日，寧波比亞迪半導(dǎo)體有限公司新型功率半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)化及升級(jí)項(xiàng)目正式通過竣工環(huán)境保護(hù)驗(yàn)收，標(biāo)志著該項(xiàng)目已具備規(guī)?；慨a(chǎn)條件。作為寧...

2026-01-04 標(biāo)簽：比亞迪 SiC 6.5k 0

打線門極電阻，助力SiC碳化硅模塊性能提升

近年來，在國(guó)家相關(guān)政策支持下，應(yīng)用于新能源領(lǐng)域的功率模塊迎來了增長(zhǎng)新契機(jī)。而SiC碳化硅模塊以其卓越性能，成為新能源核心賽道的“佼佼者”。碳化硅模塊的性...

2025-12-31 標(biāo)簽：SiC 碳化硅 209 0

2025年終總結(jié)：SiC碳化硅功率器件的“三個(gè)必然”與電力電子產(chǎn)業(yè)的自主進(jìn)化

2025年終總結(jié)：SiC碳化硅功率器件的“三個(gè)必然”與電力電子產(chǎn)業(yè)的自主進(jìn)化 1. 執(zhí)行摘要：跨越拐點(diǎn)，重塑格局 2025年，對(duì)于全球電力電子行業(yè)而言，...

2025-12-31 標(biāo)簽：功率器件 SiC 295 0

新品 | CoolSiC? MOSFET 400V與440V第二代器件

新品CoolSiCMOSFET400V與440V第二代器件CoolSiCMOSFET400V與440V第二代器件兼具高魯棒性、超低開關(guān)損耗與低通態(tài)電阻等...

2025-12-31 標(biāo)簽：MOSFET SiC 632 0

SiC碳化硅模塊在商用車電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中替代進(jìn)口IGBT模塊的技術(shù)經(jīng)濟(jì)性分析

基本半導(dǎo)體BMF540R12MZA3碳化硅模塊在商用車電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中替代進(jìn)口IGBT模塊的技術(shù)經(jīng)濟(jì)性分析傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于...

2025-12-31 標(biāo)簽：IGBT SiC 碳化硅 1.5k 0

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尼吉康

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trinamic

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TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
無線供電

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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
寧德時(shí)代

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艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
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國(guó)際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無線充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬美元。
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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
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太陽能充電

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PSR

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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
浪涌抑制器

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DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來的能源。
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PWM信號(hào)

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來越敏感。
醫(yī)療電源

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系統(tǒng)電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷人物”
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