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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。

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sic資訊

8英寸襯底+全SiC模塊,羅姆助力SiC普及浪潮

8英寸襯底+全SiC模塊,羅姆助力SiC普及浪潮

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)2024年踏入最后一個(gè)季度,回顧過(guò)去一年的功率半導(dǎo)體市場(chǎng),SiC依然是各大廠商最關(guān)注的領(lǐng)域。自2022年開(kāi)始,市場(chǎng)上搭載S...

2024-10-24 標(biāo)簽:SiC羅姆SiC模塊 6.5k 0

年產(chǎn)24萬(wàn)片!比亞迪SiC項(xiàng)目通過(guò)驗(yàn)收!

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 近日,寧波比亞迪半導(dǎo)體有限公司新型功率半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)化及升級(jí)項(xiàng)目正式通過(guò)竣工環(huán)境保護(hù)驗(yàn)收,標(biāo)志著該項(xiàng)目已具備規(guī)?;慨a(chǎn)條件。作為寧...

2026-01-04 標(biāo)簽:比亞迪SiC 6.5k 0

從分銷(xiāo)商升級(jí)到生態(tài)系統(tǒng)賦能 安富利如何撬動(dòng)千億規(guī)模的充電樁市場(chǎng)

從分銷(xiāo)商升級(jí)到生態(tài)系統(tǒng)賦能 安富利如何撬動(dòng)千億規(guī)模的充電樁市場(chǎng)

作為全球知名的電子元器件分銷(xiāo)商,安富利2022財(cái)年迎來(lái)強(qiáng)勁增長(zhǎng),2022財(cái)年安富利銷(xiāo)售額為243億美元,同比增長(zhǎng)24.5%。他們?nèi)绾慰创妱?dòng)汽車(chē)充電技術(shù)...

2023-03-17 標(biāo)簽:安富利SiC充電樁 6.5k 0

SiC上車(chē)加速,迎逆變器“高光時(shí)刻”!四大國(guó)際巨頭新品揭秘

SiC上車(chē)加速,迎逆變器“高光時(shí)刻”!四大國(guó)際巨頭新品揭秘

近日,國(guó)際調(diào)研機(jī)構(gòu)Yole Group發(fā)布報(bào)告顯示,SiC最大的應(yīng)用市場(chǎng)是電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)。Yole分析師表示,SiC 已逐漸在電動(dòng)車(chē)主驅(qū)逆變器中扮演主要角...

2024-09-05 標(biāo)簽:逆變器功率器件SiC 6.5k 0

SiC碳化硅MOSFET隔離驅(qū)動(dòng)電源系統(tǒng)中負(fù)壓生成的物理機(jī)制與工程實(shí)現(xiàn)研究報(bào)告

SiC碳化硅MOSFET隔離驅(qū)動(dòng)電源系統(tǒng)中負(fù)壓生成的物理機(jī)制與工程實(shí)現(xiàn)研究報(bào)告

SiC碳化硅MOSFET隔離驅(qū)動(dòng)電源系統(tǒng)中負(fù)壓生成的物理機(jī)制與工程實(shí)現(xiàn)研究報(bào)告 全球能源互聯(lián)網(wǎng)核心節(jié)點(diǎn)賦能者-BASiC Semiconductor基本...

2026-02-18 標(biāo)簽:MOSFETSiC碳化硅 6.4k 0

SiC發(fā)展遭遇首次挫折,特斯拉召回12.8萬(wàn)輛Model3

(文/程文智)近幾年來(lái),SiC器件的發(fā)展可謂是順風(fēng)順?biāo)?,自從特斯拉在Model?3上采用SiC?MOSFET后,各大汽車(chē)廠商也都摩拳擦掌,都開(kāi)始準(zhǔn)備采用...

2022-04-16 標(biāo)簽:特斯拉SiC汽車(chē)廠商 6.4k 0

世紀(jì)金光面向新能源汽車(chē)推出SiC MOSFET系列產(chǎn)品

世紀(jì)金光是國(guó)內(nèi)首家貫通碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈的綜合半導(dǎo)體企業(yè)。產(chǎn)品基本覆蓋了以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體材料全產(chǎn)業(yè)鏈,包括:電子級(jí)碳化硅高純粉料、碳化硅單晶襯底...

2019-03-10 標(biāo)簽:SiC碳化硅 6.3k 0

全球最大SiC襯底廠商破產(chǎn)!年內(nèi)有望完成重組

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)? 當(dāng)?shù)貢r(shí)間6月22日,全球最大的碳化硅襯底制造商Wolfspeed正式宣告破產(chǎn),并公布了與主要債權(quán)人達(dá)成的《支持重組協(xié)議...

2025-06-24 標(biāo)簽:SiC 6.3k 0

陸芯:?jiǎn)喂躀GBT、IGBT模塊、SiC混合型IGBT、SGT MOS新能源電動(dòng)汽車(chē)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域、高頻電源領(lǐng)域、感應(yīng)加熱等領(lǐng)

陸芯:?jiǎn)喂躀GBT、IGBT模塊、SiC混合型IGBT、SGT MOS新能源電動(dòng)汽車(chē)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域、高頻電源領(lǐng)域、感應(yīng)加熱等領(lǐng)

上海陸芯電子科技有限公司成立于2017年5月,是專(zhuān)業(yè)從事最新一代功率半導(dǎo)體研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售的高新技術(shù)企業(yè)。公司掌握核心技術(shù)、擁有國(guó)際一流的設(shè)計(jì)能力和工藝...

2022-04-11 標(biāo)簽:IGBTSiC 6.3k 0

高效率低能耗,SiC/GaN元件掀功率半導(dǎo)體革命熱潮

隨著全球節(jié)能環(huán)保意識(shí)抬頭,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)開(kāi)始投入提高產(chǎn)品效率、降低功耗以及減少材料使用的技術(shù)開(kāi)發(fā),加上電動(dòng)車(chē)、再生能源以及各種能源傳輸與轉(zhuǎn)換系統(tǒng)不斷要求高效...

2014-10-03 標(biāo)簽:功率器件SiCGaN 6.3k 1

UnitedSiC第四代技術(shù)提供TO247-4L封裝

UnitedSiC第四代技術(shù)提供TO247-4L封裝

UnitedSiC(現(xiàn)名Qorvo)擴(kuò)充了其1200V產(chǎn)品系列,將其突破性的第四代SiC FET技術(shù)推廣到電壓更高的應(yīng)用中。

2022-06-06 標(biāo)簽:充電器軟開(kāi)關(guān)SiC 6.2k 0

半導(dǎo)體材料的代表_GaN和SiC這幾大變化不得不看

雖然以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN) 為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料由于面臨專(zhuān)利、成本等問(wèn)題放緩了擴(kuò)張的步伐,但世易時(shí)移,新興市場(chǎng)為其應(yīng)用加速增添了新動(dòng)能。

2018-07-19 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料SiCGaN 6.2k 0

把SiC價(jià)格打下來(lái)!兩年內(nèi)擬降30%,市場(chǎng)加速滲透

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃山明)作為第三代半導(dǎo)體,SiC(碳化硅)相比傳統(tǒng)硅在高耐壓厚度、功率損耗、系統(tǒng)效率等方面具有顯著優(yōu)勢(shì)。依靠這些優(yōu)勢(shì),SiC在新能...

2024-08-03 標(biāo)簽:SiC 6.2k 0

效率直逼99%!國(guó)產(chǎn)SiC讓儲(chǔ)能系統(tǒng)回本周期縮短2年

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃山明)當(dāng)前,SiC芯片已經(jīng)在儲(chǔ)能系統(tǒng)中得到了廣泛應(yīng)用,并且發(fā)展呈現(xiàn)出快速增長(zhǎng)的趨勢(shì),其技術(shù)優(yōu)勢(shì)和市場(chǎng)潛力逐漸顯現(xiàn)。 ? SiC材...

2025-05-12 標(biāo)簽:SiC儲(chǔ)能系統(tǒng) 6.2k 0

本土IDM廠商SiC MOSFET新進(jìn)展,將應(yīng)用于車(chē)載電驅(qū)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)2024年已過(guò)半,可以發(fā)現(xiàn)800V平臺(tái)電動(dòng)汽車(chē)在近半年時(shí)間里降本效應(yīng)明顯,最低價(jià)的800V平臺(tái)車(chē)型極狐阿爾法T5和小鵬G6...

2024-06-25 標(biāo)簽:MOSFETSiCIDM 6.1k 0

SiC性能優(yōu)異,材料升級(jí)勢(shì)在必行

半導(dǎo)體材料按被研究和規(guī)?;瘧?yīng)用的時(shí)間先后順序通常分為三代。第一代:20 世紀(jì) 40 年代,硅(Si)、鍺(Ge)開(kāi)始應(yīng)用,硅的自然儲(chǔ)量大、制 備工藝簡(jiǎn)單...

2022-11-23 標(biāo)簽:新能源半導(dǎo)體材料SiC 6.1k 0

業(yè)內(nèi)首款可商用10kV SiC MOSFET誕生!加速SST落地

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道,近日,Wolfspeed宣布,推出業(yè)內(nèi)首款可商用的10kV SiC功率MOSFET。這一里程碑式突破不僅刷新了高壓SiC器件的商業(yè)...

2026-03-10 標(biāo)簽:MOSFETSiCSST 6.1k 0

蕪湖第三代半導(dǎo)體工程中心SiC和GaN器件產(chǎn)線(xiàn)全面貫通

蕪湖第三代半導(dǎo)體工程中心自2017年6月啟動(dòng)建設(shè)。啟迪新材料集團(tuán)和蕪湖市建設(shè)投資有限公司通力合作,在蕪湖市委、市政府和高新區(qū)管委會(huì)以及發(fā)改委、科技局、經(jīng)...

2020-10-09 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiCGaN器件 6.1k 0

第三代半導(dǎo)體技術(shù)、應(yīng)用、市場(chǎng)全解析

第三代半導(dǎo)體技術(shù)、應(yīng)用、市場(chǎng)全解析

寬禁帶半導(dǎo)體(WBS)是自第一代元素半導(dǎo)體材料(Si)和第二代化合物半導(dǎo)體材料(GaAs、GaP、InP等)之后發(fā)展起來(lái)的第三代半導(dǎo)體材料,禁帶寬度大于...

2016-12-05 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC寬禁帶半導(dǎo)體 6.1k 0

關(guān)于英飛凌CoolSiC MOSFET的抗短路能力

關(guān)于英飛凌CoolSiC MOSFET的抗短路能力

雖然如今設(shè)計(jì)的典型工業(yè)級(jí)IGBT可以應(yīng)付大約10μs的短路時(shí)間,但SiC MOSFET幾乎沒(méi)有或者只有幾μs的抗短路能力。這常常被誤以為是SiC MOS...

2021-01-26 標(biāo)簽:芯片電路IGBT 6.1k 0

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  • 快充技術(shù)
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    TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡,經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱(chēng)作是一個(gè)神話(huà),主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)(步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng))主要產(chǎn)品包括芯片,模塊和系統(tǒng)。
  • 閾值電壓
    閾值電壓
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      閾值電壓 (Threshold voltage):通常將傳輸特性曲線(xiàn)中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱(chēng)為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí),電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱(chēng)為閾值電壓。
  • 無(wú)線(xiàn)供電
    無(wú)線(xiàn)供電
    +關(guān)注
    無(wú)線(xiàn)供電,是一種方便安全的新技術(shù),無(wú)需任何物理上的連接,電能可以近距離無(wú)接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無(wú)線(xiàn)供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn),而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西,都已經(jīng)在使用無(wú)線(xiàn)供電。
  • 寧德時(shí)代
    寧德時(shí)代
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  • 艾德克斯
    艾德克斯
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    ITECH 艾德克斯電子為專(zhuān)業(yè)的儀器制造商,致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究,通過(guò)不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求,持續(xù)提供給客戶(hù)具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
  • 快充
    快充
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    目前手機(jī)快速充電主要分為三大類(lèi):VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。 另外在電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域快充也有很大的需求,電動(dòng)車(chē)的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
  • Qi標(biāo)準(zhǔn)
    Qi標(biāo)準(zhǔn)
    +關(guān)注
    國(guó)際無(wú)線(xiàn)充電聯(lián)盟(Wireless Power Consortium,WPC)2010年8月31日上午在北京釣魚(yú)臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無(wú)線(xiàn)充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn),將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
  • Pebble
    Pebble
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    Pebble,是一家智能手表廠商。2015年2 月底,智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌,上線(xiàn)不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬(wàn)美元。
  • WPC
    WPC
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  • 電池系統(tǒng)
    電池系統(tǒng)
    +關(guān)注
     BMS電池系統(tǒng)俗稱(chēng)之為電池保姆或電池管家,主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元,防止電池出現(xiàn)過(guò)充電和過(guò)放電,延長(zhǎng)電池的使用壽命,監(jiān)控電池的狀態(tài)。
  • 手機(jī)快充
    手機(jī)快充
    +關(guān)注
    手機(jī)快充電主要分為三大類(lèi):VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。
  • A4WP
    A4WP
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    A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無(wú)線(xiàn)充電聯(lián)盟,英特爾已加入該組織,并成為董事成員。
  • MAX660
    MAX660
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    MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器,電荷泵的 100mA 輸出取代了開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器,消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
  • 智能變電站
    智能變電站
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    采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì),以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求,能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線(xiàn)分析和控制決策,進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
  • USB PD
    USB PD
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  • 太陽(yáng)能充電
    太陽(yáng)能充電
    +關(guān)注
  • PSR
    PSR
    +關(guān)注
  • 光伏并網(wǎng)逆變器
    光伏并網(wǎng)逆變器
    +關(guān)注
    逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電,若直流電壓較低,則通過(guò)交流變壓器升壓,即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器,由于直流母線(xiàn)電壓較高,交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V,在中、小容量的逆變器中,由于直流電壓較低,如12V、24V,就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
  • 浪涌抑制器
    浪涌抑制器
    +關(guān)注
  • DCDC電源
    DCDC電源
    +關(guān)注
    DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類(lèi),按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無(wú)隔離電源兩類(lèi)。例如車(chē)載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
  • 納微半導(dǎo)體
    納微半導(dǎo)體
    +關(guān)注
    Navitas 成立于 2014 年,開(kāi)發(fā)的超高效氮化鎵 (GaN)半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來(lái)源于拉丁語(yǔ)中的能源,它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開(kāi)發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注,還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來(lái)的能源。
  • USB-PD
    USB-PD
    +關(guān)注
  • PWM信號(hào)
    PWM信號(hào)
    +關(guān)注
    脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式,根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來(lái)調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置,來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變,從而實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定,是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
  • 共享充電寶
    共享充電寶
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    共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備,用戶(hù)使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金,即可租借一個(gè)充電寶,充電寶成功歸還后,押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶(hù)。2021年4月,研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示,2020年全國(guó)在線(xiàn)共享充電寶設(shè)備量已超過(guò)440萬(wàn),用戶(hù)規(guī)模超過(guò)2億人。隨著用戶(hù)規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增,消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來(lái)越敏感。
  • 醫(yī)療電源
    醫(yī)療電源
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  • 系統(tǒng)電源
    系統(tǒng)電源
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  • 董明珠
    董明珠
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    董明珠, 出生于江蘇南京,企業(yè)家 ,先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。   1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開(kāi)始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月,被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表,擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月,當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷(xiāo)人物”
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