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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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簡(jiǎn)述碳化硅外延技術(shù)突破或改變產(chǎn)業(yè)格局

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碳化硅外延領(lǐng)域捷報(bào)連連! 我國碳化硅產(chǎn)業(yè)或迎來史詩級(jí)利好 進(jìn)入2021年以來,在碳化硅外延領(lǐng)域,國內(nèi)外企業(yè)紛紛捷報(bào)連連。 ? 2021年3月1日,日本豐...

2021-05-07 標(biāo)簽:納米SiC晶片 1.4萬 0

英飛凌與日本圓晶制造商簽供應(yīng)合同 確保芯片基材碳化硅供應(yīng)安全

5月7日消息 日前,據(jù)外媒報(bào)道,英飛凌科技股份有限公司(Infineon Technologies AG)與日本晶圓制造商昭和電工(Showa Denk...

2021-05-07 標(biāo)簽:英飛凌晶圓SiC 1.8k 0

碳化硅在下一代工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的作用

SiC肖特基勢(shì)壘二極管不使用反并聯(lián)硅二極管,可集成到系統(tǒng)中。硅基二極管有反向恢復(fù)電流,會(huì)造成開關(guān)損耗(以及產(chǎn)生電磁干擾,或EMI),而SiC二極管的反向...

2021-04-27 標(biāo)簽:MOSFET安森美半導(dǎo)體SiC 2k 0

CISSOID推出適用于航空應(yīng)用的SiC智能功率模塊,以滿足其對(duì)自然冷卻的需求

CISSOID 實(shí)現(xiàn)了功率模塊和柵極驅(qū)動(dòng)器的整體融合設(shè)計(jì),且可通過仔細(xì)調(diào)整dv/dt去實(shí)現(xiàn)控制,通過快速切換所固有的電壓過沖來優(yōu)化IPM,從而將開關(guān)能量...

2021-04-27 標(biāo)簽:功率轉(zhuǎn)換器晶體管CISSOID 1.3k 0

SiC的驅(qū)動(dòng)電壓多少才合適?

過去的一年,作為第三代半導(dǎo)體的典型代表,碳化硅(SiC)器件著實(shí)火了一把,其高工作溫度、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高耐壓、高熱導(dǎo)率、高功率密度以及高可靠性,為設(shè)計(jì)師打...

2021-04-26 標(biāo)簽:半導(dǎo)體安森美SiC 5.6k 0

Ga2O3器件仿真技術(shù)面臨哪些難點(diǎn)

目前,以GaN和SiC為代表的第三代半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度大、臨界電場(chǎng)高和電子飽和漂移速度快等優(yōu)勢(shì),突破了硅與傳統(tǒng)化合物材料(GaAs、InP等)技術(shù)發(fā)...

2021-04-22 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiCGaN 1.1k 0

我們將見證功率電子行業(yè)一個(gè)非凡SiC時(shí)代的開啟!

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過去的2020年,功率電子行業(yè)的明星莫過于SiC(碳化硅)開始加快了進(jìn)入汽車行業(yè)的腳步。電動(dòng)汽車包括三種功率轉(zhuǎn)換器:主逆變器、DC-DC轉(zhuǎn)換器和OBC(...

2021-04-19 標(biāo)簽:逆變器光伏SiC 3.7k 0

一文帶你從功率MOS入門到精通!

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一、功率MOSFET的正向?qū)ǖ刃щ娐?(1)等效電路 (2)說明: 功率 MOSFET 正向?qū)〞r(shí)可用一電阻等效,該電阻與溫度有關(guān),溫度升高,該電阻變...

2021-04-09 標(biāo)簽:MOSFET功率SiC 4.2k 0

簡(jiǎn)述4H-SiC無線無源高溫壓力傳感器設(shè)計(jì)

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高溫壓力傳感器研制的主要目的是解決高溫惡劣環(huán)境下的壓力測(cè)量問題,SiC是制造高溫壓力傳感器的理想材料,結(jié)合

2021-04-06 標(biāo)簽:諧振電路SiC高溫壓力傳感器 6.7k 0

2021年將是氮化鎵+碳化硅PD爆發(fā)元年

氮化鎵+碳化硅PD 方案的批量與國產(chǎn)氮化鎵和碳化硅SIC技術(shù)成熟密不可分,據(jù)悉采用碳化硅SIC做PFC管的方案產(chǎn)品體積更小,散熱更好,效率比超快恢復(fù)管提...

2021-04-01 標(biāo)簽:封裝SiC碳化硅 2.2k 1

 關(guān)于SiC的十個(gè)基礎(chǔ)小知識(shí)

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碳化硅(SiC)是由硅(Si)和碳(C)組成的半導(dǎo)體化合物,屬于寬帶隙(WBG)系列材料。它的物理鍵非常牢固,使半導(dǎo)體具有很高的機(jī)械,化學(xué)和熱穩(wěn)定性。寬...

2021-03-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶體SiC 1.1萬 0

簡(jiǎn)述仿真看世界之650V混合SiC單管的開關(guān)特性

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前言背景: 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管...

2021-03-26 標(biāo)簽:二極管電流IGBT 3.6k 0

賦能未來,勇往直前---科銳聯(lián)合創(chuàng)始人發(fā)表SiC MOSFET十周年文章

在2011年,在經(jīng)過了將近二十年的研發(fā)之后,科銳推出了全球首款SiC MOSFET。盡管業(yè)界先前曾十分懷疑這是否可能實(shí)現(xiàn)。

2021-03-17 標(biāo)簽:MOSFETCreeSiC 1.1k 0

電源設(shè)計(jì)注意事項(xiàng):組件的絕對(duì)最大額定值的測(cè)量和控制

盡管電壓和電流完全在最大允許值之內(nèi),但晶體管在消耗200 W功率時(shí)將立即燃燒。該組件實(shí)際上只能承受65 W的功率。

2021-03-12 標(biāo)簽:電源設(shè)計(jì)PSPICESiC 1.7k 0

SiC MOSFET單管在并聯(lián)條件下的均流特性分析

關(guān)于SiC MOSFET的并聯(lián)問題,英飛凌已陸續(xù)推出了很多技術(shù)資料,幫助大家更好的理解與應(yīng)用。這篇微信文章將延續(xù)“仿真看世界”系列一貫之風(fēng)格,借助器件S...

2021-03-11 標(biāo)簽:電路SiC 4.8k 0

創(chuàng)新工藝可以消除SiC襯底中的缺陷

日本關(guān)西學(xué)院大學(xué)和豐田通商于3月1日宣布,他們已開發(fā)出“動(dòng)態(tài)AGE-ing”技術(shù),這是一種表面納米控制工藝技術(shù),可以消除使SiC襯底上的半導(dǎo)體性能變差的缺陷。

2021-03-06 標(biāo)簽:晶圓SiC 4k 0

斯達(dá)半導(dǎo)擬定增不超35億元,加碼碳化硅功率芯片

嘉興斯達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“斯達(dá)半導(dǎo)”)發(fā)布2021年度非公開發(fā)行A股股票預(yù)案,公司擬定增不超35億元,投建SiC芯片/功率半導(dǎo)體模塊等項(xiàng)目。

2021-03-04 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體IGBT 2.6k 0

斯達(dá)或?qū)⒛假Y35億元,用于SiC芯片項(xiàng)目

3月2日晚間,斯達(dá)半導(dǎo)體發(fā)布2021年度非公開發(fā)行 A 股股票預(yù)案(以下簡(jiǎn)稱預(yù)案),計(jì)劃非公開發(fā)行股票,募集資金總額不超過35億元,其中,20億元用于高...

2021-03-04 標(biāo)簽:芯片集成電路半導(dǎo)體 2.7k 0

斯達(dá)擬募集資金總額不超過35億元

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其中,高壓特色工藝功率芯片和SiC 芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目也是斯達(dá)這次的募資重點(diǎn)。眾所周知,近年來,因?yàn)樾履茉雌嚨幕馃幔琒iC成為了產(chǎn)業(yè)的關(guān)注重點(diǎn),作為...

2021-03-03 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體功率器件 2.2k 0

一文了解碳化硅和氮化鎵

上世紀(jì)五十年代以來,以硅(Si)材料為代表的第一代半導(dǎo)體材料取代了笨重的電子管引發(fā)了集成電路(IC)為核心的微電子領(lǐng)域迅速發(fā)展。然而,由于硅材料的帶隙較...

2021-03-01 標(biāo)簽:集成電路半導(dǎo)體SiC 2.5萬 0

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    TRINAMIC總部位于德國漢堡,經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話,主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)(步進(jìn)和直流無刷系統(tǒng))主要產(chǎn)品包括芯片,模塊和系統(tǒng)。
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    ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商,致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究,通過不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求,持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
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  • 納微半導(dǎo)體
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    董明珠, 出生于江蘇南京,企業(yè)家 ,先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國際工商學(xué)院EMBA 。   1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月,被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表,擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月,當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國十大營銷人物”
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