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SRAM（Static Random Access Memory），即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。

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簡(jiǎn)述推動(dòng)FPGA關(guān)鍵的汽車傳動(dòng)和安全系統(tǒng)

AEC-Q100 Grade 2 和 Grade 1標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證，即通過了一系列專為確保汽車應(yīng)用中半導(dǎo)體器件的質(zhì)量、可靠性和耐久性的臨界壓力

2021-04-01 標(biāo)簽：fpga 半導(dǎo)體 sram 1.7k 0

Microchip Technology擴(kuò)展了旗下串行SRAM產(chǎn)品線，容量最高可達(dá)4Mb

為滿足客戶對(duì)更大更快的 SRAM 的普遍需求，Microchip Technology（微芯科技公司）擴(kuò)展了旗下串行SRAM產(chǎn)品線，容量最高可達(dá)4 Mb...

2024-03-29 標(biāo)簽：單片機(jī)存儲(chǔ)器 microchip 1.7k 0

靈動(dòng)微電子榮膺年度創(chuàng)新IC設(shè)計(jì)獎(jiǎng)

近日，靈動(dòng)微電子受邀參加了由Aspencore主辦的2024國(guó)際集成電路展覽會(huì)暨研討會(huì)（IIC），靈動(dòng)再度榮膺中國(guó)IC設(shè)計(jì)成就獎(jiǎng)。

2024-04-02 標(biāo)簽：集成電路 mcu IC設(shè)計(jì) 1.7k 0

MC51F003A4A0Y助力松下EMS眼罩EW-RAD11

近年來，隨著人們生活節(jié)奏的加快和工作壓力的增大，大部分人都會(huì)出現(xiàn)眼部疲勞和眼睛不適的情況。

2023-10-26 標(biāo)簽：振蕩器 sram EEPROM 1.7k 0

FSMC是STM32采用的一種新型存儲(chǔ)器控制技術(shù)

STM32F103ZET6屬于STM32F103xE增強(qiáng)型系列，工作頻率為72MHz，內(nèi)置高速存儲(chǔ)器（高達(dá)512K字節(jié)的閃存和64K字節(jié)的SRAM），...

2020-12-02 標(biāo)簽：sram STM32 1.7k 0

512Kx16低壓超低功耗sram的主要特征有哪些

IS62WV51216EBLL是高速8M位sram，組織為512K字乘16位。它采用的高性能CMOS技術(shù)制造。這種高度可靠的工藝加上創(chuàng)新的電路設(shè)計(jì)技術(shù)，...

2021-01-20 標(biāo)簽：sram STM32 1.7k 0

可作為MCU外擴(kuò)SRAM芯片的型號(hào)推薦

世界上最早的全電子化存儲(chǔ)器是1947年誕生的，其原理是用陰極射線管在屏幕表面上留下記錄數(shù)據(jù)的“點(diǎn)”。從那時(shí)起，計(jì)算機(jī)內(nèi)存開始使用磁存儲(chǔ)技術(shù)并經(jīng)歷了數(shù)代演...

2021-10-28 標(biāo)簽：sram SRAM芯片 1.7k 0

微芯首推擴(kuò)展串行SRAM產(chǎn)品組合

本文核心思想：美國(guó)微芯科技公司（Microchip）宣布，首次推出四款業(yè)內(nèi)容量最大、速度最快的新器件，擴(kuò)展了其串行SRAM產(chǎn)品組合。這些器件是業(yè)內(nèi)首批...

2012-08-15 標(biāo)簽：單片機(jī)Microchip SRAM 1.7k 1

一種基于數(shù)字改良的SRAM設(shè)計(jì)存內(nèi)計(jì)算方案

最近的ISSCC上，臺(tái)積電的研究人員提出了一種基于數(shù)字改良的SRAM設(shè)計(jì)存內(nèi)計(jì)算方案，能支持更大的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)。上圖顯示了臺(tái)積電用于其測(cè)試的擴(kuò)展SRAM陣...

2021-04-25 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)sram 1.7k 0

聯(lián)華電子攜手智原交付40nm工藝3億邏輯門SoC

聯(lián)華電子攜手智原已經(jīng)完成并交付3億邏輯門（300-million gate count）系統(tǒng)單芯片解決方案。此款3億邏輯門SoC是采用聯(lián)華電子40nm工...

2013-01-25 標(biāo)簽：USB SRAM SoC 1.6k 0

imec推出超導(dǎo)處理器，基于現(xiàn)有的CMOS制造工具

近日，IEEE Spectrum刊文指出，比利時(shí)imec微電子研究所在現(xiàn)有的CMOS制造工具基礎(chǔ)上，成功研發(fā)出超導(dǎo)處理器。該超導(dǎo)處理器主要借助“約瑟夫森...

2024-05-27 標(biāo)簽：處理器 CMOS sram 1.6k 0

DS1243Y 64K非易失SRAM

DS1243Y 64K非易失SRAM，帶有隱含時(shí)鐘是一個(gè)內(nèi)置的實(shí)時(shí)時(shí)鐘(8192字由8位)是由完全靜態(tài)非易失性內(nèi)存。

2012-01-04 標(biāo)簽：SRAM DS1243Y 1.6k 0

三星3nm GAA完整晶圓遭遇難產(chǎn)，良率僅50%

三星向中國(guó)客戶提供了第一個(gè)3nm gaa，但新的報(bào)告顯示，這些芯片的實(shí)際形態(tài)并不完整，缺乏邏輯芯片的sram。據(jù)悉，由于很難生產(chǎn)出完整的3納米gaa晶片...

2023-10-12 標(biāo)簽：sram 邏輯芯片三星 1.6k 0

MRAM與其他內(nèi)存技術(shù)的相比，它具有的優(yōu)勢(shì)是什么

MRAM是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，可以在不需要電源的情況下將其內(nèi)容保留至少10年。它適用于在系統(tǒng)崩潰期間需要保存數(shù)據(jù)的商業(yè)應(yīng)用。基于MRAM的設(shè)備可以為黑...

2020-09-18 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram fram 1.6k 0

ISSI代理超低功耗SRAM IS62WV102416DBLL

美國(guó)ISSI主要產(chǎn)品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。主要為汽車，通信，數(shù)字消費(fèi)者以及工業(yè)和醫(yī)療等市場(chǎng)提供存儲(chǔ)器產(chǎn)品。IS62WV102416DB...

2020-05-28 標(biāo)簽：DRAM sram ISSI 1.6k 0

關(guān)于游戲機(jī)電池供電的SRAM解決方案的說明

游戲機(jī)是一種主要用于娛樂，使用只向獲得許可的軟件開發(fā)者開放的源代碼，以電視機(jī)或其他專用顯示器以及專用輸入設(shè)備的電腦系統(tǒng)。其與個(gè)人計(jì)算機(jī)最大的區(qū)別在于源代...

2020-12-18 標(biāo)簽：電池管理 sram 游戲機(jī) 1.6k 0

芯片設(shè)計(jì)中DRAM類型如何選擇

DRAM有多種類型可供選擇。有些速度非?？欤鏗BM，但也很昂貴。其他類型速度較慢，但價(jià)格便宜，如基本的DDR DIMM。然而，變化的是，在異構(gòu)架構(gòu)中，...

2023-11-15 標(biāo)簽：DRAM sram 芯片設(shè)計(jì) 1.6k 0

基于FPGA與SRAM的大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的設(shè)計(jì)

　1 前言　針對(duì)FPGA中內(nèi)部BlockRAM有限的缺點(diǎn)，提出了將FPGA與外部SRAM相結(jié)合來改進(jìn)設(shè)計(jì)的方法，并給出了部分VHDL程序。　　2...

2010-09-16 標(biāo)簽：SRAM 數(shù)據(jù)存儲(chǔ) 1.6k 0

國(guó)產(chǎn)512kbit串行SRAM----SCLPSRAC1

EMI Serial SRAM是為串行接口的SRAM，外擴(kuò)SRAM可以通過使用SPI的接口來將外部RAM添加到幾乎所有應(yīng)用中。串行訪問的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)...

2023-04-27 標(biāo)簽：CMOS 存儲(chǔ)器接口 1.5k 0

新唐科技推出KM1M4BF系列MCU馬達(dá)和PFC控制器

KM1M4BF 系列 MCU 適用于白色家電、空調(diào)、電動(dòng)自行車或同等 EV 馬達(dá)等應(yīng)用。搭載 Arm Cortex-M4F CPU，運(yùn)行速度最高可達(dá) 1...

2023-12-18 標(biāo)簽：mcu 控制器 sram 1.5k 0

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云儲(chǔ)存

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
富士通

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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價(jià)。
江波龍

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非易失性存儲(chǔ)器

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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語(yǔ)：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語(yǔ)：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫(kù)，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫(kù)，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲(chǔ)存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲(chǔ)的特點(diǎn)。
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲(chǔ)品牌。
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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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