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SRAM（Static Random Access Memory），即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。

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賽普拉斯高密度QDR II系列SRAM獲Altera采用

賽普拉斯(Cypress)宣布Altera旗下的28奈米Stratix V GX現(xiàn)場(chǎng)可編程閘陣列(FPGA)開(kāi)發(fā)套件，選用賽普拉斯QDR II(Quad...

2011-12-06 標(biāo)簽：賽普拉斯 SRAM Altera 1.8k 0

SRAM存儲(chǔ)器主板基本設(shè)計(jì)

SRAM存儲(chǔ)芯片即是靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它具有靜止存取功能的存儲(chǔ)器芯片，它不需要刷新電路便能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的所有數(shù)據(jù)。 SRAM存儲(chǔ)芯片主要應(yīng)用于需要緩...

2020-04-28 標(biāo)簽：sram ISSI SRAM存儲(chǔ)器 1.8k 0

分析師點(diǎn)評(píng)Intel 22nm三柵技術(shù)

本文核心議題：本文是對(duì)Intel 22nm三柵技術(shù)的后續(xù)追蹤報(bào)道，為此，這里搜集了多位業(yè)界觀察家、分析家對(duì)此的理解和意見(jiàn)，以便大家I更深入的了解nte...

2012-08-15 標(biāo)簽：SRAM Intel 晶體管 1.8k 0

QDR聯(lián)盟推出業(yè)界最快的四倍數(shù)據(jù)率(QDR)SRAM

賽普拉斯半導(dǎo)體公司和瑞薩電子公司在內(nèi)的QDR聯(lián)盟日前宣布推出業(yè)界最快的四倍數(shù)據(jù)率(QDR) SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）。

2011-05-01 標(biāo)簽：賽普拉斯 SRAM QDR聯(lián)盟 1.8k 0

1Mbit國(guó)產(chǎn)SRAM芯片EMI501NL16VM-55I介紹

偉凌創(chuàng)芯EMI501NL16VM-55I采用的是EMl先進(jìn)的全CMOS工藝技術(shù)制造，位寬64Kx 16位，電源電壓為2.7V~3.6V，支持三態(tài)輸出和T...

2021-09-28 標(biāo)簽：芯片 sram 設(shè)備 1.8k 0

MRAM緩存可行性比SRAM更高

隨著制程邁向5nm甚至3nm，半導(dǎo)體工藝復(fù)雜性劇增導(dǎo)致高密度SRAM在先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)處的縮小變得更為有限。為減少面積和能耗，STT-MRAM存儲(chǔ)器已成為替...

2020-05-26 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram MRAM 1.8k 0

Battery Monitoring in NV SRAM

Abstract: As a prerequisite to this article, it is recommended that Applicat...

2009-04-24 標(biāo)簽：SRAM NV 1.8k 1

國(guó)產(chǎn)SRAM芯片EMI501NL16LM-55I特征介紹

ISSI IS63WV1288DBLL-10JLI是一種非常高速且低功耗的128X8位CMOS靜態(tài)SRAM。該產(chǎn)品使用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造。...

2021-05-13 標(biāo)簽：CMOS 半導(dǎo)體 sram 1.8k 0

使用新SRAM工藝實(shí)現(xiàn)嵌入式ASIC和SoC的存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)

使用新SRAM工藝實(shí)現(xiàn)嵌入式ASIC和SoC的存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)基于傳統(tǒng)六晶體管(6T)存儲(chǔ)單元的靜態(tài)RAM存儲(chǔ)器塊一直是許多嵌入式設(shè)計(jì)中使用ASIC/SoC實(shí)...

2009-02-01 標(biāo)簽：嵌入式 ASIC 工藝 1.8k 0

Cerebras推WSE-3芯片，性能翻倍，助力超大規(guī)模AI模型訓(xùn)練

首先，WSE-3采用臺(tái)積電最新的5nm工藝制作（目前領(lǐng)先業(yè)界）。其次，該芯片擁有超過(guò)4萬(wàn)億個(gè)晶體管以及90萬(wàn)個(gè)AI核心，配合44GB片上SRAM高速緩存...

2024-03-14 標(biāo)簽：芯片臺(tái)積電 sram 1.8k 0

國(guó)產(chǎn)星憶高速異步X型隨機(jī)存儲(chǔ)芯片XM8A01M16V33A功能上等效于異步SRAM

XRAM是一種旨在以具有競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格提供高密度和高性能ram的新型內(nèi)存體系結(jié)構(gòu).XRAM使用先進(jìn)的DRAM技術(shù)和自刷新體系結(jié)構(gòu)顯著提高了內(nèi)存密度并簡(jiǎn)化了...

2020-09-09 標(biāo)簽：DRAM sram 存儲(chǔ)芯片 1.8k 0

SRAM，存儲(chǔ)器的新未來(lái)

SRAM 的數(shù)量是任何人工智能處理解決方案的關(guān)鍵要素，它的數(shù)量在很大程度上取決于您是在談?wù)摂?shù)據(jù)中心還是設(shè)備，或者是訓(xùn)練還是推理。但我想不出有哪些應(yīng)用程序...

2023-11-12 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram 機(jī)器學(xué)習(xí) 1.8k 0

帶ECC的CMOS汽車(chē)異步SRAM

ISSI IS61/64WV5128EDBLL描述 ISSI IS61/64WV5128EDBLL是高速異步SRAM，4,194,304位靜態(tài)RAM，組...

2020-04-03 標(biāo)簽：sram ISSI 1.8k 0

瑞薩電子推出16Mb/32Mb超低功耗SRAM

待機(jī)電流降低50%，有助于延長(zhǎng)備用電池使用壽命

2015-07-31 標(biāo)簽：SRAM 瑞薩電子 RMLV1616A 1.8k 0

在使用SRAM時(shí)如何才能有效節(jié)省芯片的面積

SRAM存儲(chǔ)器是一款不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。而DRAM每隔一段時(shí)間，要刷新充電一次，否則就會(huì)出現(xiàn)內(nèi)部數(shù)據(jù)會(huì)消失，因此SRA...

2020-06-22 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram 1.8k 0

安森美半導(dǎo)體推出最新的高分辨率音頻處理系統(tǒng)級(jí)芯片

安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor）推出最新的高分辨率音頻處理系統(tǒng)級(jí)芯片（SoC），具有1656KB 靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（SRAM）和高電源能效...

2018-05-15 標(biāo)簽：dsp 安森美 sram 1.7k 0

10nm SRAM、10核心芯片亮相ISSCC

一年一度的“國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議”(ISSCC)將在明年2月舉行，幾乎所有重要的晶片研發(fā)成果都將首度在此公開(kāi)發(fā)布，讓業(yè)界得以一窺即將面世的最新技術(shù)及其發(fā)展趨勢(shì)。

2015-12-14 標(biāo)簽：sram 10nm ISSCC 1.7k 0

串行接口SRAM芯片帶來(lái)無(wú)限的可能性

物聯(lián)網(wǎng)及穿戴設(shè)備還未出世前，Serial SRAM的利潤(rùn)并不能吸引主流到SRAM廠(chǎng)商的關(guān)注。隨著串行SRAM的商機(jī)不斷增多，傳統(tǒng)的SRAM廠(chǎng)商進(jìn)軍串行S...

2022-02-11 標(biāo)簽：芯片電路板 sram 1.7k 0

國(guó)產(chǎn)SRAM芯片EMI502NF08VM-10C介紹

ISSI IS61WV2568EDBLL-10TLI-ND是一種高速SRAM芯片，位寬256K x 8。采用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造。這種高度可...

2021-08-17 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體 sram 1.7k 0

簡(jiǎn)述推動(dòng)FPGA關(guān)鍵的汽車(chē)傳動(dòng)和安全系統(tǒng)

AEC-Q100 Grade 2 和 Grade 1標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證，即通過(guò)了一系列專(zhuān)為確保汽車(chē)應(yīng)用中半導(dǎo)體器件的質(zhì)量、可靠性和耐久性的臨界壓力

2021-04-01 標(biāo)簽：fpga 半導(dǎo)體 sram 1.7k 0

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云儲(chǔ)存

云儲(chǔ)存

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來(lái)的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
富士通

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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶(hù)攜手共創(chuàng)美好的未來(lái)社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類(lèi)型，通過(guò)把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來(lái)解決2D或者平面NAND閃存帶來(lái)的限制。固態(tài)硬盤(pán)的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問(wèn)題。這種寬度為2.5英寸的硬盤(pán)用來(lái)容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤(pán)的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤(pán)的售價(jià)。
江波龍

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非易失性存儲(chǔ)器

非易失性存儲(chǔ)器

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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性?xún)?nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語(yǔ)：non-volatile memory，縮寫(xiě)為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫(xiě)為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類(lèi)產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
合肥長(zhǎng)鑫

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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專(zhuān)業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠(chǎng)并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
LPDDR4

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NOR flash

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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
nvme

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NVM Express（NVMe），或稱(chēng)非易失性?xún)?nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語(yǔ)：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫(xiě)：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類(lèi)似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線(xiàn)傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
SRAM存儲(chǔ)器

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　　sram存儲(chǔ)器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對(duì)之下，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器里面所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時(shí)，SRAM儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)還是會(huì)消失，這與在斷電后還能儲(chǔ)存資料的ROM或閃存是不同的。
福建晉華

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3D NAND Flash

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西數(shù)

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4K視頻

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東芝公司

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Arasan

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SQL Server

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手機(jī)內(nèi)存

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嵌入式閃存

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3DXPoint

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Intel公司

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存儲(chǔ)行業(yè)

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快閃存儲(chǔ)器

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nosql

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　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫(kù)，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫(kù)，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
云盤(pán)

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云盤(pán)是一種專(zhuān)業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過(guò)互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲(chǔ)存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲(chǔ)的特點(diǎn)。
安博會(huì)

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FORESEE

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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲(chǔ)品牌。
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長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)

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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專(zhuān)業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠(chǎng)并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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