看到了其前景并提前布局。AI推理也使得存儲(chǔ)HBM不再是唯一熱門，更多存儲(chǔ)芯片與AI推理芯片結(jié)合，擁有了市場(chǎng)機(jī)會(huì)。 ? 已經(jīng)有不少AI推理芯片、存算一體芯片將SRAM替代DRAM，從而獲得更快的訪問速度、更低的刷新延遲等。 ? 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（Static
2025-03-03 08:51:57
2670 
兩款異步通信元件（ACE），它們?cè)谛阅芎?b class="flag-6" style="color: red">功能上有著諸多亮點(diǎn)，能為各類通信應(yīng)用提供強(qiáng)大的支持。 文件下載： tl16c550d.pdf 一、產(chǎn)品概述 TL16C550D和TL16
2026-01-04 16:20:2557 詳解TL16C550C：高性能異步通信芯片的卓越之選 在電子工程師的日常工作中，選擇合適的通信芯片對(duì)于實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定、高效的異步通信至關(guān)重要。今天，我們就來深入探討一款功能強(qiáng)大的異步通信芯片
2026-01-04 16:20:2154 NS16C2552和NS16C2752是具有16字節(jié)/64字節(jié)FIFO的雙串口UART芯片，數(shù)據(jù)傳輸速率最高可達(dá)5 Mbit/s。它們與PC16552D在引腳和功能上兼容，
2025-12-29 11:15:13131 的NS16C2552和NS16C2752雙UART芯片，它們?cè)谛阅堋?b class="flag-6" style="color: red">功能和應(yīng)用方面都有著獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。 文件下載： ns16c2752.pdf 芯片概述 NS16C2552和NS16C2752是雙通道通用異步接收器
2025-12-27 11:15:05558 探索Littelfuse CH1P01xM電流傳感器：特性、應(yīng)用與設(shè)計(jì)要點(diǎn) 在電子工程師的日常工作中，電流傳感器是一個(gè)至關(guān)重要的元件。今天，我們就來深入了解一下Littelfuse的CH1P01xM
2025-12-15 15:25:05216 、頻率固定、保護(hù)機(jī)制薄弱等痛點(diǎn)，難以應(yīng)對(duì)復(fù)雜工況與多元設(shè)計(jì)需求。森利威爾推出的 SL3180 異步開關(guān)降壓型 DC-DC 轉(zhuǎn)換器，憑借 6V-150V 超寬輸入、3A 大電流輸出、100KHz-1MHz
2025-12-12 17:30:54
不同類型的電能質(zhì)量在線監(jiān)測(cè)裝置（基礎(chǔ)型 / 增強(qiáng)型 / 電網(wǎng)級(jí)）在多維度統(tǒng)計(jì)報(bào)表功能上的差異，核心圍繞 “統(tǒng)計(jì)維度豐富度、報(bào)表類型覆蓋、定制化能力、輸出集成、合規(guī)適配” 展開，本質(zhì)是匹配不同應(yīng)用場(chǎng)
2025-12-12 13:59:17361 μA的極低靜態(tài)電流，顯著延長(zhǎng)了電池壽命能夠?yàn)橥獠吭O(shè)備電路提供可靠的電源。01LTP8M420x產(chǎn)品特色36V寬輸入電壓范圍3.3V和12V穩(wěn)壓輸出（LTP8M42
2025-12-10 13:35:29447 
SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）是一種在通電狀態(tài)下可保持?jǐn)?shù)據(jù)不丟失的存儲(chǔ)器件，無需刷新即可持續(xù)工作，因此具有高速讀寫、響應(yīng)及時(shí)的特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于對(duì)實(shí)時(shí)性要求高的場(chǎng)景。
2025-12-08 16:51:57442 
工作頻率為48MHz。內(nèi)置64KB Flash存儲(chǔ)器和8KB SRAM。工作溫度范圍為-40℃~105℃，工作電壓范圍2.0~5.5V。芯片支持sleep和stop兩種低功耗模式，其中stop模式最低電流
2025-12-06 13:18:58
現(xiàn)在“有錢也買不到存儲(chǔ)芯片”，當(dāng)前全球存儲(chǔ)芯片正遭遇嚴(yán)峻的供需失衡——AI、云端數(shù)據(jù)中心與高速運(yùn)算（HPC）需求爆發(fā)式增長(zhǎng)，疊加原廠產(chǎn)能調(diào)整（部分NANDFlash產(chǎn)能轉(zhuǎn)至毛利更高的DRAM）、新增
2025-11-26 11:34:321486 
在各類電子設(shè)備與嵌入式系統(tǒng)中，存儲(chǔ)器的性能與功耗表現(xiàn)直接影響著整體設(shè)計(jì)的穩(wěn)定與效率。低功耗SRAM，特別是異步SRAM系列，憑借其出色的能效比與高可靠性，正成為越來越多工業(yè)控制、通信設(shè)備及便攜終端中的關(guān)鍵部件。
2025-11-25 15:42:56271 
在各類存儲(chǔ)設(shè)備中，SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）因其高速、低功耗和高可靠性，被廣泛應(yīng)用于高性能計(jì)算、通信和嵌入式系統(tǒng)中。其中，雙口SRAM靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器憑借其獨(dú)特的雙端口設(shè)計(jì)，在高帶寬和多任務(wù)場(chǎng)景中表現(xiàn)尤為出色，成為提升系統(tǒng)效率的重要組件。
2025-11-25 14:28:44272 存儲(chǔ)解決方案。與傳統(tǒng)的異步SRAM相比，同步SRAM在結(jié)構(gòu)和工作機(jī)制上進(jìn)行了優(yōu)化，能夠更好地適應(yīng)高速數(shù)據(jù)處理場(chǎng)景，因此在通信設(shè)備、嵌入式系統(tǒng)及高性能計(jì)算等領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用。
2025-11-18 11:13:01242 01產(chǎn)業(yè)鏈全景圖02存儲(chǔ)芯片定義存儲(chǔ)芯片也叫半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，是電子設(shè)備里負(fù)責(zé)存數(shù)據(jù)、讀數(shù)據(jù)的關(guān)鍵零件。半導(dǎo)體產(chǎn)品主要有四大類：分立器件、光電器件、傳感器、集成電路。像存儲(chǔ)芯片、邏輯芯片、微處理芯片這些
2025-11-17 16:35:402722 
Flash 與 8KBytes SRAM。提供豐富且實(shí)用的功能模塊，以及符合標(biāo)準(zhǔn)的通信接口，包括 1 個(gè) I2C、2 個(gè) SPI 和 2 個(gè) UART。支持多樣的定時(shí)器資源，包含 1 個(gè) 16 位增強(qiáng)型
2025-11-14 13:47:58597 在處理器性能持續(xù)攀升的今天，存儲(chǔ)系統(tǒng)的速度已成為制約整體算力的關(guān)鍵瓶頸之一。作為最接近CPU核心的存儲(chǔ)單元，SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）承擔(dān)著高速緩存的重要角色，其性能直接影響數(shù)據(jù)處理效率。當(dāng)前
2025-11-12 13:58:08455 RA6E2是瑞薩電子推出的一款高性能微控制器，適用于工業(yè)自動(dòng)化、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備、消費(fèi)電子等多種應(yīng)用場(chǎng)景。該系列芯片基于先進(jìn)的Arm? Cortex?-M33內(nèi)核，具備豐富的內(nèi)存、外設(shè)和強(qiáng)大的安全功能
2025-11-11 19:19:30
H5462A 作為一款多功能 LED 恒流驅(qū)動(dòng)芯片，憑借外圍電路簡(jiǎn)潔的核心優(yōu)勢(shì)，廣泛適配于 5-48V 電壓區(qū)間的非隔離式恒流 LED 驅(qū)動(dòng)場(chǎng)景。該芯片在控制技術(shù)上采用平均電流模式，能夠?qū)崿F(xiàn)
2025-11-11 09:23:03
三星、美光暫停 DDR5 報(bào)價(jià)引發(fā)的存儲(chǔ)芯片荒，雖攪動(dòng)國(guó)內(nèi)芯片市場(chǎng)，但對(duì) PCB 行業(yè)的影響卻遠(yuǎn)小于預(yù)期。這場(chǎng) “無關(guān)聯(lián)” 的核心，并非 PCB 行業(yè)抗風(fēng)險(xiǎn)能力強(qiáng)，而是 PCB 的需求結(jié)構(gòu)與存儲(chǔ)芯片
2025-11-08 16:17:001010 三星、美光暫停 DDR5 報(bào)價(jià)的背后，是存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)向高附加值封裝技術(shù)的轉(zhuǎn)型 ——SiP（系統(tǒng)級(jí)封裝）正成為 DDR5 與 HBM 的主流封裝方案，而這一轉(zhuǎn)型正倒逼 PCB 行業(yè)突破高密度布線技術(shù)，其核心驅(qū)動(dòng)力，仍是國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片封裝環(huán)節(jié)的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程加速。
2025-11-08 16:15:011156 三星、美光暫停 DDR5 報(bào)價(jià)引發(fā)的存儲(chǔ)芯片短期缺貨，正被市場(chǎng)過度解讀為 “將沖擊 PCB 行業(yè)”，但從產(chǎn)業(yè)邏輯來看，這種短期波動(dòng)難以對(duì) PCB 行業(yè)造成實(shí)質(zhì)影響。核心原因在于，PCB 行業(yè)的運(yùn)行
2025-11-08 16:12:12894 在要求高性能與高可靠性的電子系統(tǒng)中，存儲(chǔ)器的選擇往往成為設(shè)計(jì)成敗的關(guān)鍵。Netsol推出的高速異步SRAM系列，憑借其出色的性能表現(xiàn)與獨(dú)有的錯(cuò)誤校正（ECC）能力，為工業(yè)控制、通信設(shè)備及高精度計(jì)算等應(yīng)用提供了值得信賴的存儲(chǔ)解決方案。
2025-11-05 16:21:39284 英尚微電子所代理的Everspin xSPI串行接口MRAM存儲(chǔ)芯片，基于最新的JEDEC xSPI標(biāo)準(zhǔn)與獨(dú)有的STT-MRAM技術(shù)構(gòu)建，這款串行接口MRAM存儲(chǔ)芯片可全面替代傳統(tǒng)SRAM
2025-11-05 15:31:48285 在工業(yè)自動(dòng)化、電動(dòng)交通、智能電力系統(tǒng)中，電源芯片的輸入適應(yīng)性、輸出能力與系統(tǒng)可靠性成為產(chǎn)品成敗的關(guān)鍵。森利威爾電子推出的 SL3180 是一款支持 6-150V超寬輸入電壓、最大3A輸出電流的異步
2025-10-29 17:04:24
2025年中國(guó)存儲(chǔ)芯片行業(yè)市場(chǎng)前景預(yù)測(cè)研究報(bào)告 存儲(chǔ)芯片作為半導(dǎo)體行業(yè)的重要組成部分，涵蓋動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）和NAND閃存兩大核心領(lǐng)域。在人工智能（AI）、云計(jì)算、大數(shù)據(jù)和移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)
2025-10-27 08:54:334778 MRAM是一種利用電子的自旋磁性來存儲(chǔ)信息的非易失性存儲(chǔ)器。它完美結(jié)合了SRAM的高速讀寫特性與閃存（Flash）的非易失性，能夠在斷電后永久保存數(shù)據(jù)，同時(shí)具備無限次擦寫、無磨損的卓越耐用性。MRAM將磁性材料集成于硅電路中，在單一芯片上實(shí)現(xiàn)了高速、可靠與長(zhǎng)壽命的統(tǒng)一，是存儲(chǔ)技術(shù)的一次重大飛躍。
2025-10-24 15:48:44411 CIU32D695x8 ARM Cortex-M0+ 32-bit MCU，64KB Flash ，6KB SRAM ， DMA ，2x UART ， I2C ，2x SPI ， Timers
2025-10-20 11:37:02801 
STMicroelectronics X-NUCLEO-PM33A1擴(kuò)展板是一款搭載STPM33計(jì)量芯片的擴(kuò)展板，能夠?qū)涣骱椭绷麟娫催M(jìn)行測(cè)量，精度高達(dá)0.1%。STM32 Nucleo開發(fā)板或外部電源 (3.3V) 可對(duì)其供電。利用板載分流器實(shí)現(xiàn)電流測(cè)量功能。該連接器可通過CT測(cè)量電流大小。
2025-10-15 16:05:46379 
SL4015與TPS61178功能替代技術(shù)解析?
一、核心參數(shù)對(duì)比?
SL4015作為國(guó)產(chǎn)高集成度同步升壓芯片，與TI的TPS61178在關(guān)鍵性能上高度匹配：
輸入電壓范圍?：2.7V-20V
2025-10-11 10:48:36
Microchip Technology 23AA04M和23LCV04M 4Mb SPI/SDI/SQI SRAM是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器器件，可通過兼容串行外設(shè)接口 (SPI) 的串行總線訪問。SRAM
2025-10-09 11:16:59540 Microchip Technology 23AA02M和23LCV02M 2Mb SPI/SDI/SQI SRAM是可以通過串行外設(shè)接口 (SPI) 兼容總線訪問的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器器件。該SRAM
2025-10-09 11:12:55559 PT5F2307 是一款 51 內(nèi)核的觸控 A/D 型 8 位 MCU，內(nèi)置 16K*8bit FLASH、內(nèi)部 256*8bitSRAM、外部 512*8bit SRAM、觸控檢測(cè)、12 位
2025-09-15 16:42:30
0 MH32F103A是一款硬件完美兼容ST32的國(guó)產(chǎn)32位單片機(jī)，使用高性能的ARM Cortex-M3 內(nèi)核，最高工作頻率216 MHz。內(nèi)置最大512K Flash，96K Sram存儲(chǔ)器。MH32F103A 軟硬件兼容STM32F103，同時(shí)在主頻和運(yùn)算性能上有所提升，并具有顯著的價(jià)格和供應(yīng)優(yōu)勢(shì)。
2025-09-12 10:58:20954 
MOS175 °C80 x 53 x 19 mm汽車
CAB525F12XM3新增功能XM半橋1200 V525 A2.6 mΩGen 3175 °C80 x 53 x 23.3 mm工業(yè)
2025-09-11 09:48:08
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SS6235M 4A 33V性價(jià)比超高電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片中文資料.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-09-05 17:42:351 引言
在 12V、24V、48V 電源系統(tǒng)應(yīng)用中，高效穩(wěn)定的降壓方案始終是設(shè)計(jì)重點(diǎn)。今天為大家介紹 IU5531E 異步降壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換器，專為 48V 輸入場(chǎng)景打造，4A 輸出能力可滿足多種
2025-09-05 15:04:23
密鑰存儲(chǔ)、真隨機(jī)數(shù)生成器 （TRNG）、音頻 PLL、超級(jí)總線接口、4 個(gè) CAN FD 通道、1 個(gè) USB 高速 OTG、1 個(gè) USB 全速 OTG、多達(dá) 24 個(gè) 16 位 PWM 輸出通道
2025-09-05 06:06:33
ISSI IS62WV51216BLL-55TLI是一款8Mb（512K×16）高速異步SRAM，采用55ns訪問速度、2.5V~3.6V寬電壓設(shè)計(jì)，支持-40℃~85℃工業(yè)級(jí)溫度范圍，適用于車載導(dǎo)航、工業(yè)控制及通信設(shè)備等高可靠性場(chǎng)景。
2025-09-04 10:00:00533 
一款高性能半橋驅(qū)動(dòng)芯片——SLM2015CA-DG，SOP8封裝，集成了1.5A強(qiáng)驅(qū)動(dòng)能力與150ns高速開關(guān)特性，專為160V/200V以下的應(yīng)用場(chǎng)景優(yōu)化，為緊湊型設(shè)計(jì)提供高效可靠的驅(qū)動(dòng)解決方案
2025-08-27 08:45:47
ARM Cortex - M0+
**存儲(chǔ)器：**最大 64Kbytes flash 存儲(chǔ)器，最大 8Kbytes SRAM。
低功耗： STOP模式下：<4.5uA（VDD=1V
2025-08-21 11:50:09
電源系統(tǒng)
LCD顯示器與電視電源
各類電池供電設(shè)備
總結(jié)SL3048A降壓芯片以其100V耐壓、3A輸出能力、420KHz開關(guān)頻率和多重保護(hù)功能，成為高壓降壓應(yīng)用的理想選擇。其高達(dá)98%的占空比和內(nèi)部
2025-08-20 15:55:32
可以繼續(xù)執(zhí)行后續(xù)代碼（如采集下一批數(shù)據(jù)、處理用戶界面、執(zhí)行其他計(jì)算等），而不用等待慢速的磁盤 I/O 完成。
異步寫入的目的：
提高性能： 這是最主要的目的。避免慢速的磁盤 I/O 阻塞高速
2025-08-14 17:05:10
60V耐壓5A大電流國(guó)產(chǎn)SL3075異步降壓芯片
?一、核心特性與行業(yè)定位?
SL3075作為國(guó)產(chǎn)高性能異步降壓轉(zhuǎn)換器，憑借4.5-65V超寬輸入電壓范圍和5A連續(xù)輸出電流能力，在工業(yè)電源、通信設(shè)備
2025-08-05 15:04:56
開關(guān)架構(gòu)，減少外圍器件需求，有效減小整體方案尺寸，降低BOM成本。2、高效升壓充電：內(nèi)置高效的異步升壓充電控制器，開關(guān)頻率高達(dá)500KHz。在5V/2A的輸入條件下
2025-08-05 10:32:57
SL3073：一款腳位兼容MP4560的高性能異步降壓轉(zhuǎn)換器產(chǎn)品概述SL3073是一款寬輸入電壓范圍（4V-65V）、3A輸出電流的高效異步降壓轉(zhuǎn)換器，采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)ESOP-8封裝，完美兼容
2025-07-29 14:53:00
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《RY8360 36V輸入，6A輸出，異步降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-07-25 15:34:303 成為了全球存儲(chǔ)芯片巨頭們角逐的焦點(diǎn)。三星電子作為行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)，一直致力于推動(dòng) HBM 技術(shù)的革新。近日有消息傳出，三星電子準(zhǔn)備從 16 層 HBM 開始引入混合鍵合技術(shù)，這一舉措無疑將在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域掀起新的波瀾。 編輯 ? 編輯 ? 技術(shù)背景：HBM 發(fā)展的必然趨
2025-07-24 17:31:16630 
在電源管理領(lǐng)域，國(guó)產(chǎn)芯片SL3065以其卓越的性能和可靠性成為RT2949的理想替代方案。作為一款40V耐壓、20A輸出的同步降壓DC/DC控制器，SL3065在效率、集成度和保護(hù)功能上均具備顯著
2025-07-23 16:24:00
?SL3073：兼容替換MP4560的高效異步降壓轉(zhuǎn)換器解決方案?在工業(yè)電源和汽車電子領(lǐng)域，MP4560作為一款經(jīng)典降壓轉(zhuǎn)換器被廣泛應(yīng)用。然而，隨著國(guó)產(chǎn)芯片技術(shù)的成熟，深圳市森利威爾電子推出
2025-07-18 15:41:14
顯著加速新功能上線。本文將逐步解析API如何實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，并提供實(shí)用示例。 1. API的基本概念與作用 API（Application Programming Interface）是一組預(yù)定義的規(guī)則和協(xié)議，允許不同軟件系統(tǒng)相互通信。在電商中，API充當(dāng)橋梁，連接前端應(yīng)用（如
2025-07-18 10:21:48376 
在工業(yè)電源、通信系統(tǒng)和汽車電子等領(lǐng)域，高效、穩(wěn)定的降壓轉(zhuǎn)換器是關(guān)鍵組件。SL3073作為一款4-65V寬輸入電壓、3A輸出的異步降壓轉(zhuǎn)換器，憑借其卓越性能，成為替換RT2862的優(yōu)選方案。以下是其
2025-07-17 11:49:33
H6844 是一款電流模式 BOOST 異步升壓恒壓驅(qū)動(dòng)芯片，適用于 2.7-25V 輸入電壓的升壓恒壓電源場(chǎng)景，啟動(dòng)電壓低至 2.5V。
智能效率優(yōu)化：根據(jù)負(fù)載大小自動(dòng)切換 PWM、PFM
2025-07-16 15:49:19
CS57066支持22A 4.5V~24V輸入，單節(jié)鋰電池適用低靜態(tài)電流，兼容同步和異步外圍應(yīng)用，DC-DC升壓IC
2025-07-14 20:50:54407 
英集芯IP2342是一款適用于掃地機(jī)器人、電動(dòng)工具、智能門鎖等支持5V異步升壓輸入的多串鋰電池充電管理SOC芯片。支持5V輸入異步升壓充電，2~3串鋰電池或磷酸鐵鋰電池。升壓開關(guān)充電轉(zhuǎn)換器工作頻率為500kHz，輸入電壓5V/2A，輸出電壓8V。
2025-07-12 11:44:20701 
HTN865B是一款高功率異步升壓轉(zhuǎn)換器，集成8mΩ功率開關(guān)管，為便攜式系統(tǒng)提供高效的小尺寸解決方案。HTN865B具有2.8V至36V寬輸入電壓范圍，可為不同應(yīng)用的不同供電方式提供支持。該器件具備
2025-07-10 15:11:481 新品采用ThinTOLL8x8封裝的CoolSiC650VG2SiCMOSFET新增26mΩ，33mΩ產(chǎn)品第二代CoolSiCMOSFET650VG2分立器件產(chǎn)品線現(xiàn)擴(kuò)充ThinTOLL8x8封裝
2025-07-08 17:08:311019 
憶聯(lián)UH812a PCIe5.0企業(yè)級(jí)SSD成為首家通過Intel關(guān)鍵組件驗(yàn)證的國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)產(chǎn)品，其性能全面超越同代競(jìng)品。該產(chǎn)品順序讀寫達(dá)15000MB/s和10500MB/s，隨機(jī)讀寫IOPS最高
2025-07-07 16:33:55632 
記憶（存儲(chǔ)） 和 運(yùn)算（處理）。CPU（中央處理器）是大腦，負(fù)責(zé)高速運(yùn)算；但CPU處理的數(shù)據(jù)和指令需要臨時(shí)存放的地方，運(yùn)算結(jié)果也需要保存起來。存儲(chǔ)芯片就是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的“記憶倉(cāng)庫(kù)”，負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)的存放和讀取
2025-06-24 09:09:39
器:另外,PMS15A/PMS150C還提供一種16 位的硬件計(jì)數(shù)器、一個(gè)8位的硬件PWM生成器和一個(gè)通用型比較器。基本特性存儲(chǔ)器：- PMS150C 具有 1KW OTP 程序存儲(chǔ)器和 64 字節(jié)數(shù)
2025-06-23 09:00:55
高效寬壓解決方案：SL3073 重新定義異步降壓芯片性能標(biāo)桿 在工業(yè)控制、汽車電子及高壓電源領(lǐng)域，傳統(tǒng)同步降壓芯片 RT2862（4.5V-36V 輸入 / 3A 輸出）的電壓適應(yīng)性已難以滿足新一代
2025-06-16 17:02:45
貞光科技作為業(yè)內(nèi)知名的車規(guī)及工業(yè)元器件供應(yīng)商，現(xiàn)已成為紫光國(guó)芯存儲(chǔ)芯片的授權(quán)代理商。在半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片國(guó)產(chǎn)化的關(guān)鍵時(shí)期，這一合作為推動(dòng)DRAM等關(guān)鍵器件的國(guó)產(chǎn)替代開辟了新的渠道。紫光國(guó)芯在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域
2025-06-13 15:41:271298 
FM33A0xx系列
簡(jiǎn)介：
FM33A0xx系列芯片是ARM Cortex-M0內(nèi)核的32位低功耗MCU芯片，最大可支持512KB FLASH程序存儲(chǔ)器和 64KB RAM，集成LCD驅(qū)動(dòng)、帶溫補(bǔ)
2025-06-12 18:03:47
SL1571B升壓恒壓芯片：3.7V轉(zhuǎn)5V/2A高效電源方案
一、核心特性解析
SL1571B是一款專為鋰電池設(shè)計(jì)的同步升壓DC-DC轉(zhuǎn)換器，具有以下突出性能：
寬輸入電壓范圍：支持
2025-06-09 17:00:32
QPI。SDR（單倍數(shù)據(jù)率） 操作，時(shí)鐘頻率最高達(dá) 133MHz（32字節(jié)回環(huán)突發(fā)模式，VDD=3.0V±10%）。容量與組織64Mb（8M × 8位） 存儲(chǔ)空
2025-06-06 15:01:36
進(jìn)一步擴(kuò)展了下限和上限，尤其在啟動(dòng)電壓（4V）和高壓耐受性（65V）上表現(xiàn)更優(yōu)，可直接適配電池供電設(shè)備及高壓輸入系統(tǒng)。
3A 持續(xù)輸出，高效穩(wěn)定
芯片采用異步降壓拓?fù)?，在寬?fù)載范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)高效率轉(zhuǎn)換
2025-06-05 15:24:37
劃片機(jī)（DicingSaw）在半導(dǎo)體制造中主要用于將晶圓切割成單個(gè)芯片（Die），這一過程在內(nèi)存儲(chǔ)存卡（如NAND閃存芯片、SSD、SD卡等）的生產(chǎn)中至關(guān)重要。以下是劃片機(jī)在存儲(chǔ)芯片制造中的關(guān)鍵
2025-06-03 18:11:11843 
cy7c68013a 異步slave fifo 模式，外部mcu無法讀寫fifo
上位機(jī)發(fā)送bulk數(shù)據(jù)，flag標(biāo)志是對(duì)的，SLCS也拉低了，是設(shè)置的低有效， 檢測(cè)到了flag不為空的標(biāo)志后
2025-06-03 10:49:04
酒店智能化都用到哪些芯片之高速互聯(lián)型MCU CH32V317
在工業(yè)4.0與物聯(lián)網(wǎng)快速發(fā)展的時(shí)代背景下，高性能、低功耗的32位MCU成為智能設(shè)備的核心驅(qū)動(dòng)力。沁恒微電子的互聯(lián)型青稞RISC-V
2025-05-30 17:02:04
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LN33X61Q1 60V 0.6A/1A/1.5A同步降壓LED驅(qū)動(dòng)器英文手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-05-29 17:48:054 CY7C65213A 的規(guī)格是否與 FTDI 異步位 Bang 模式相同？
2025-05-26 06:06:02
與 12V/2A 雙路電源，滿足工業(yè)設(shè)備、車載系統(tǒng)等多電壓軌供電需求。其內(nèi)置的同步整流技術(shù)實(shí)現(xiàn)高達(dá) 92% 的轉(zhuǎn)換效率，較傳統(tǒng)異步方案降低 10% 以上的能量損耗，顯著減少發(fā)熱并延長(zhǎng)設(shè)備壽命。
芯片
2025-05-23 17:55:46
攝像頭供電)
三、硬件設(shè)計(jì)指南
關(guān)鍵元件選型
典型外圍電路配置
輸入電容：2×22μF/50V陶瓷電容(X7R)
電感：4.7μH/3A飽和電流(推薦TDK VLF系列)
FB分壓電阻：1%精度
2025-05-23 15:44:18
輸出在負(fù)載突變（如0.5A→1.5A）時(shí)的穩(wěn)定性。
溫升測(cè)試：滿負(fù)載運(yùn)行1小時(shí)后，芯片溫度需低于85℃，必要時(shí)優(yōu)化散熱。
輸入瞬態(tài)測(cè)試：模擬輸入電壓波動(dòng)（如50V→60V階躍），觀察輸出過沖是否在允許
2025-05-15 17:49:21
國(guó)產(chǎn)精品替代方案：SL3075高性能降壓芯片完美替換RT6365
——65V耐壓/5A輸出/同步整流 高性價(jià)比之選
一鍵替換方案型號(hào)：SL3075
替代型號(hào)：RT6365/MP9486
2025-05-14 15:27:05
在全球供應(yīng)鏈緊張和國(guó)產(chǎn)替代需求推動(dòng)下，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展，形成設(shè)計(jì)到封測(cè)一體化的完整生態(tài)。北京君正、兆易創(chuàng)新、紫光國(guó)芯、東芯股份、普冉股份和佰維存儲(chǔ)等六大上市公司在NOR/NANDFlash
2025-05-12 16:01:114743 
： 一、核心功能1、異步升壓充電：支持5V輸入（如USB接口、移動(dòng)電源），通過升壓轉(zhuǎn)換器將電壓提升至8V輸出，適配2~3串鋰電池（7.4V/11.1V）或磷酸
2025-04-17 11:20:02
、8BitD/A轉(zhuǎn)換器、比較器，可編程增益放大器、LIN收發(fā)器、5V LDO。由于集成事件聯(lián)動(dòng)控制器，可實(shí)現(xiàn)硬件模塊之間的直接連接，無需CPU的干預(yù)，比使用中斷響應(yīng)速度更快。
BAT32A6700以其
2025-04-17 10:24:22
吉利銀河星耀8全系標(biāo)配黑芝麻智能華山A1000芯片，助力實(shí)現(xiàn)智能駕駛的卓越性能與極致安全。
2025-04-11 16:43:111803 ? ? ? ?NS6118是一款支持寬電壓輸入的異步降壓DC-DC穩(wěn)壓芯片。內(nèi)置有一個(gè)高邊NMOS管能夠提供2A的輸出電流能力。NS6118采用電流模式的環(huán)路控制原理，實(shí)現(xiàn)了快速的動(dòng)態(tài)響應(yīng)。芯片還
2025-04-03 17:49:330 NAXIANGTECHNOLOGY納祥科技NX70134A異步雙節(jié)可調(diào)充電IC4A異步雙節(jié)可調(diào)充電IC納祥科技NX7013是一款4A異步雙節(jié)可調(diào)充電IC，它控制片外NMOS導(dǎo)通，電感電流上升，當(dāng)檢測(cè)
2025-03-31 15:31:251021 
、8BitD/A轉(zhuǎn)換器、比較器，可編程增益放大器、LIN收發(fā)器、5V LDO。由于集成事件聯(lián)動(dòng)控制器，可實(shí)現(xiàn)硬件模塊之間的直接連接，無需CPU的干預(yù)，比使用中斷響應(yīng)速度更快。
BAT32A6700以其
2025-03-26 09:53:15
：2.0V-5.5V @48MHz
工作溫度：-40℃ - 150℃
128KB Flash ROM
16KB SRAM存儲(chǔ)器
1.5KB DATA FLASH
多達(dá)59個(gè)GPIOs
硬件
2025-03-24 09:17:37
及高效率需求的應(yīng)用而設(shè)計(jì)。CAB450M12XM3在電動(dòng)汽車充電站、不間斷電源系統(tǒng)（UPS）以及牽引驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)等領(lǐng)域展現(xiàn)出了卓越的性能。
主要特性
極致功率密度：得益于SiC技術(shù)
2025-03-17 09:59:21
按鍵:8x4 封裝QFP44
VK1629A --- 通訊接口:STB/CLK/DIO 電源電壓:5V(4.5～5.5V) 驅(qū)動(dòng)點(diǎn)陣:128共陰驅(qū)動(dòng):16段8位 共陽(yáng)驅(qū)動(dòng):8段16位 按鍵
2025-03-13 10:39:28
RZ/A1M 系列微處理器單元（MPU）功能齊全，配備運(yùn)行頻率為 400MHz 的 Arm? Cortex?-A9 內(nèi)核以及 5MB的片上靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM）。憑借 5MB 的片上
2025-03-11 15:04:111127 
TPS7A33 系列線性穩(wěn)壓器為負(fù)電壓 （–36V）、超低噪聲 （16μV） ~RMS~ ，72dB PSRR）線性穩(wěn)壓器能夠 提供最大負(fù)載 1 A。
TPS7A33 系列包括互補(bǔ)金屬氧化物
2025-03-05 09:17:311057 
及5V LDO
LQFP64/LQFP48/LQFP32/QFN48等封裝
DPM32M05X 主流系列
單核96MHz，充足的嵌入式存儲(chǔ)資源，豐富的模擬數(shù)字外設(shè)，集成3Msps高速ADC，4對(duì)8通道
2025-03-05 09:16:51
存儲(chǔ)容量：8KB（8K x 8）
程序存儲(chǔ)器類型：閃存
EEPROM 容量：640 x 8
RAM 大?。?K x 8
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd)：2.95V ~ 5.5V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器：A/D
2025-02-20 17:53:42
和32Mbit x16 I/O x 8個(gè)存儲(chǔ)體組成。這些同步器件實(shí)現(xiàn)了高達(dá)2133Mb/sec/pin的高速雙倍數(shù)據(jù)速率傳輸速率，適用于一般應(yīng)用。該芯片的設(shè)計(jì)符合D
2025-02-20 11:44:07
產(chǎn)品概述 Korchip DCS5R5334H 是一款高性能的低功耗 SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器），專為高速數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和處理而設(shè)計(jì)。該器件具有快速的訪問時(shí)間和較高的數(shù)據(jù)傳輸速率，廣泛應(yīng)用
2025-02-09 22:38:10
英集芯IP5902是一款高性能8位MCU芯片，以下是對(duì)該芯片的全面解析：一、技術(shù)規(guī)格? 產(chǎn)品型號(hào)：IP5902? 制造商：INJOINIC（英集芯）? 封裝規(guī)格：SOP16封裝? 引腳配置：16引腳
2025-01-17 11:03:41
英集芯IP2341是一款專為4至6串鋰電池或磷酸鐵鋰電池設(shè)計(jì)的異步升壓充電管理IC。以下是對(duì)該芯片的詳細(xì)介紹： 一、主要特性1、電池兼容性：支持4~6串鋰電池或磷酸鐵鋰電池，為多種電池組
2025-01-15 15:08:44
和8GB eMMC大容量存儲(chǔ)，滿足用戶數(shù)據(jù)處理日益增長(zhǎng)需求。
MYC-YM90X 核心板——小尺寸，大功能
安路飛龍DR1M90：高性能與豐富接口賦能邊緣計(jì)算
DR1M90是安路科技推出的SALDRAGON
2025-01-10 14:32:38
預(yù)計(jì)將于2026年正式投入運(yùn)營(yíng)，專注于封裝高帶寬存儲(chǔ)芯片。這類芯片在人工智能數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用，是當(dāng)前市場(chǎng)上備受矚目的產(chǎn)品之一。 新工廠的建設(shè)不僅將提升美光科技在全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力，還將為新加坡創(chuàng)造
2025-01-09 11:34:431465 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-213：Blackfin處理器通過異步存儲(chǔ)器接口進(jìn)行主機(jī)通信.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-05 10:09:190
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論