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SRAM（Static Random Access Memory），即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。

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Microchip模擬嵌入式SuperFlash?技術(shù)助力存算一體創(chuàng)新企業(yè)成功解決邊緣語音處理難題

SuperFlash memBrain?存儲器解決方案使知存科技片上系統(tǒng)（SoC）能夠滿足最苛刻的神經(jīng)處理成本、功耗和性能要求。

2022-03-01 標(biāo)簽：嵌入式存儲器 microchip 1.3k 0

基于FPGA和SRAM的數(shù)控振蕩器的設(shè)計與實(shí)現(xiàn)

基于FPGA和SRAM的數(shù)控振蕩器的設(shè)計與實(shí)現(xiàn) 1 引言　　數(shù)控振蕩器是數(shù)字通信中調(diào)制解調(diào)單元必不可少的部分,同時也是各種數(shù)字頻率合成器和數(shù)字信號發(fā)生...

2010-01-07 標(biāo)簽：FPGA SRAM 1.3k 0

?關(guān)于游戲應(yīng)用中的非易失性SRAM(nvSRAM)的講解

數(shù)年來，諸如投幣游戲機(jī)和視頻撲克機(jī)等游戲機(jī)一直是游戲行業(yè)的基礎(chǔ)。通常這些游戲機(jī)的普及程度取決于贏錢的可能性，游戲機(jī)的可靠性以及游戲機(jī)的娛樂價值。相對于其...

2020-12-22 標(biāo)簽：存儲器 sram 1.3k 0

如何使用內(nèi)存加速存儲訪問速度

本篇文章是首爾大學(xué)發(fā)表在FAST 2023上的文章。隨著閃存容量的增加，邏輯地址到物理地址的映射表項(xiàng)也相應(yīng)增加。映射表項(xiàng)通常存放在設(shè)備控制器中的SRAM...

2024-12-19 標(biāo)簽：存儲 sram 內(nèi)存 1.3k 0

SoC有基于應(yīng)用程序的內(nèi)存，內(nèi)存類型包括哪些

SoC有基于應(yīng)用程序的內(nèi)存。這些存儲器是用于計算的半導(dǎo)體存儲器塊。半導(dǎo)體存儲器通常是指在單個硅片上制造的金屬氧化物半導(dǎo)體存儲器單元。內(nèi)存類型包括：易失...

2021-01-07 標(biāo)簽：sram 內(nèi)存 MRAM 1.3k 0

關(guān)于IS61WV204816ALL高速異步SRAM

ISSI IS61WV204816ALL是高速，32M位靜態(tài)RAM，組織為2048K字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造的。這種高度可靠...

2021-03-19 標(biāo)簽：存儲器 sram 1.3k 0

ISSI具有糾錯功能的Async SRAM

近年來，對精密半導(dǎo)體存儲器的需求已從個人計算機(jī)市場擴(kuò)展到了汽車，通信和數(shù)字消費(fèi)，工業(yè)及醫(yī)療市場。這些產(chǎn)品需要增加內(nèi)存容量，以幫助處理大量數(shù)據(jù)。ISSI為...

2020-05-28 標(biāo)簽：存儲器 sram ISSI 1.3k 0

基于DBL結(jié)構(gòu)的嵌入式64kb SRAM的低功耗設(shè)計

基于DBL結(jié)構(gòu)的嵌入式64kb SRAM的低功耗設(shè)計針對嵌入式系統(tǒng)的低功耗要求，采用位線分割結(jié)構(gòu)和存儲陣列分塊譯碼結(jié)構(gòu)，完成了64 kb低功耗SRA...

2010-01-12 標(biāo)簽：SRAM 1.2k 0

非易失MRAM是BBSRAM完美替代產(chǎn)品

MRAM是電池儲備電源SRAM(BBSRAM)理想的替代產(chǎn)品。Everspin MRAM高速非易失性存儲器，使用壽命幾乎無限。所具有的綜合性能是任何其他...

2022-11-21 標(biāo)簽：存儲器 sram MRAM 1.2k 0

直播預(yù)約 |開源芯片系列講座第24期：SRAM存算一體：賦能高能效RISC-V計算

鷺島論壇開源芯片系列講座第24期「SRAM存算一體：賦能高能效RISC-V計算」11月27日（周三）20：00精彩開播期待與您云相聚，共襄學(xué)術(shù)盛宴！|直...

2024-11-16 標(biāo)簽：sram RISC-V 開源芯片 1.2k 0

基于SRAM的可重配置電路

基于SRAM的可重配置PLD（可編程邏輯器件）的出現(xiàn)，為系統(tǒng)設(shè)計者動態(tài)改變運(yùn)行電路中PLD的邏輯功能創(chuàng)造了條件。PLD使用SRAM單元來保存字的配置數(shù)據(jù)決

2009-06-20 標(biāo)簽：SRAM pld 1.2k 0

NV-SRAM與BBSRAM的對比，誰的優(yōu)勢更加明顯

隨著無鉛技術(shù)在全球的推廣，NV-SRAM成為NVRAM的普遍選擇。本篇文章主要介紹了NV-SRAM與電池供電SRAM（BBSRAM）技術(shù)相比較。 BBS...

2020-12-22 標(biāo)簽：存儲器 sram 1.2k 0

65納米144-Mbit SRAM（賽普拉斯）

65納米144-Mbit SRAM（賽普拉斯）賽普拉斯半導(dǎo)體公司推出了業(yè)界首款單片具有144-Mbit密度的SRAM，該產(chǎn)品成為其65納米SRAM產(chǎn)...

2009-11-02 標(biāo)簽：SRAM 1.2k 0

EEPROM和FLASH在大多數(shù)應(yīng)用場合中均無法替代SRAM

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展，各種存儲器相繼推出，性能不斷提高。眾所周知，普通SRAM在電源掉電后，其中的數(shù)據(jù)隨即消失，再次加電后，存儲器中的數(shù)據(jù)為隨機(jī)數(shù)...

2021-01-07 標(biāo)簽：存儲器 sram 1.2k 0

臺積電7納米SRAM早打贏三星，預(yù)告5納米制程要來了！

臺積電與英特爾、三星的先進(jìn)製程競賽依舊打得火熱，10 奈米以下製程成為半導(dǎo)體三雄間的競逐場，三星雖于 11 月中搶先發(fā)表 10 奈米 FinFET 製程...

2015-12-05 標(biāo)簽：三星電子臺積電 SRAM 1.2k 0

256Kb串行靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器EMI7256概述及特征

國產(chǎn)SRAM芯片廠商偉凌創(chuàng)芯EMI7256器件是256Kb串行靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器，內(nèi)部組織為32K字，每個字8位。最大時鐘20MHz，采用最先進(jìn)的CMO...

2022-04-24 標(biāo)簽：存儲器 sram 1.2k 0

EERAM解決方案可消除電池備份問題的不可靠性

MRAM芯片用備用電池代替SRAM的雄心可能與Microchip Technology最新的EERAM產(chǎn)品形式的舊式現(xiàn)存存儲器競爭。串行外圍設(shè)備接口（...

2020-08-27 標(biāo)簽：存儲器 sram 1.2k 0

DS3640 加密SRAM的安全監(jiān)控電路

DS3640是一款具有1024字節(jié)加密SRAM的安全監(jiān)控電路，適用于需要加密存儲的應(yīng)用，包括POS終端等。DS3640支持最高密級的FIPS 140.2...

2011-06-02 標(biāo)簽：SRAM DS3640 安全監(jiān)控電路 1.2k 0

關(guān)于高耐久低成本NRAM工作原理的大揭秘

對比別的存儲器，納米碳管運(yùn)行內(nèi)存（NRAM）是一個近些年出現(xiàn)的新東西，它具備眾多優(yōu)點(diǎn)：可以DRAM的速度提供非易失性，具有超越DRAM的可擴(kuò)展性和對閃存...

2020-09-11 標(biāo)簽：存儲器 sram 1.1k 0

基于單片機(jī)的復(fù)雜可編程邏輯器件快速配置方法

基于單片機(jī)的復(fù)雜可編程邏輯器件快速配置方法基于SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存儲器）的可重配置PLD（可編程邏輯器件）的出現(xiàn)，為系統(tǒng)設(shè)計者動態(tài)改變運(yùn)行電路

2009-03-28 標(biāo)簽：cpld sram 1.1k 0

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云存儲是在云計算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲存，云數(shù)據(jù)存儲，免費(fèi)云存儲哪個好，云儲存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價和容量還都是個問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價。
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合肥長鑫

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2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動態(tài)隨機(jī)存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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　　sram存儲器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器。這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對之下，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器里面所儲存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時，SRAM儲存的數(shù)據(jù)還是會消失，這與在斷電后還能儲存資料的ROM或閃存是不同的。
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